RU1824623C - Semiconductor method of producing visual image - Google Patents
Semiconductor method of producing visual imageInfo
- Publication number
- RU1824623C RU1824623C SU904855360A SU4855360A RU1824623C RU 1824623 C RU1824623 C RU 1824623C SU 904855360 A SU904855360 A SU 904855360A SU 4855360 A SU4855360 A SU 4855360A RU 1824623 C RU1824623 C RU 1824623C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- visible image
- color
- metal film
- visual image
- substrate
- Prior art date
Links
Abstract
Сущность изобретени : видимое изображение формируют при анодном растворении тонкой металлической пленки, нанесенной на провод щую подложку. Пленка имеет цвет, контрастный по отношению к цвету подложки. Катодом-инструментом на фотопроводниковый элемент проецируют сформированный заданным образом световой поток. Между фотопроводниковым элементом -и металлической пленкой устанавливают диэлектрическую прокладку, обеспечивающую протекание электролита. 1 ил.SUMMARY OF THE INVENTION: A visible image is formed upon anodic dissolution of a thin metal film deposited on a conductive substrate. The film has a color contrasting with the color of the substrate. The cathode-tool on the photoconductor element project the luminous flux formed in a predetermined manner. A dielectric gasket is installed between the photoconductor element -and the metal film, which ensures the flow of electrolyte. 1 ill.
Description
Изобретение относитс к получению видимого изображени путем использовани полупроводниковых фотографических процессов .The invention relates to the production of a visible image by using semiconductor photographic processes.
Цель изобретени - расширение технологических возможностей способа и его удешевление .The purpose of the invention is the expansion of technological capabilities of the method and its cost reduction.
На чертеже показана схема электролитической чейки дл получени видимого изображени .The drawing shows a diagram of an electrolytic cell for obtaining a visible image.
Видимое изображение формируют на носителе изображени , представл ющего собой провод щую подложку 1 с нанесенной на нее металлической пленкой 2, имеющей цвет, контрастный по отношению к цвету подложки 1. Диэлектрические прокладки 3 создают зазор, необходимый дл протекани электролита между носителем изображени и рабочей поверхностью фото- проводникового элемента 4, на противоположной поверхности которого размещен прозрачный электрод 5.A visible image is formed on the image carrier, which is a conductive substrate 1 with a metal film 2 deposited on it, having a color contrasting with the color of the substrate 1. Dielectric pads 3 create the gap necessary for the electrolyte to flow between the image carrier and the photo surface - a conductor element 4, on the opposite surface of which is placed a transparent electrode 5.
Процесс получени видимого изображени заключаетс в следующем.The process of obtaining a visible image is as follows.
На элемент 4 через прозрачный провод щий слой 5 проецируют заданным образом сформированный световой поток; прозрачный электрод 5 подключают к отрицательному полюсу батареи, подложка 1, соответственно - к положительному полюсу. Через зазор, образованный диэлектрическими прокладками 3, пропускают электролит . В результате , протекани электрического тока металлическа пленка 2 подвергаетс анодному растворению, интенсивность которого в данной точке металлической пленки 2 определ етс освещенностью соответствующего участка фотопроводникового элемента 4. Различна глубина травлени металлической пленки 2 обуславливает по вление видимого изображени . Путем подбора цвета провод щей пластины 1 и металлической пленки 2 получают как позитивное, так и негативное изображени .A light stream is projected onto the element 4 through a transparent conductive layer 5 in a predetermined manner; the transparent electrode 5 is connected to the negative pole of the battery, the substrate 1, respectively, to the positive pole. An electrolyte is passed through the gap formed by the dielectric spacers 3. As a result, the electric film 2 undergoes anodic dissolution, the intensity of which at a given point of the metal film 2 is determined by the illumination of the corresponding portion of the photoconductor element 4. The different etching depths of the metal film 2 determine the appearance of the visible image. By choosing the color of the conductive plate 1 and the metal film 2, both positive and negative images are obtained.
Пример. Катод-инструмент образован кремниевой пластиной р-тила ( /Эуд-0,8 Ом м) диаметром 70 мм и толщиной 3,8-10 4 м, на которую термическим вакуумным напылением нанесен полупрозрачный слой меди толщина покрыти 3 10 м). В качестве электролита используетс 5%-ный раствор NaCI в воде. Обработке подвергают никелевую пленку (толщина 8 10 м), нанесенную подложку из меди.Example. The tool cathode is formed by a r-tyl silicon wafer (/ Eud-0.8 Ohm m) with a diameter of 70 mm and a thickness of 3.8-10 4 m, onto which a translucent copper layer is coated by thermal vacuum deposition with a coating thickness of 3 10 m). A 5% solution of NaCI in water is used as the electrolyte. The treatment is subjected to a nickel film (thickness 8 10 m), a supported substrate of copper.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904855360A RU1824623C (en) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | Semiconductor method of producing visual image |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904855360A RU1824623C (en) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | Semiconductor method of producing visual image |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1824623C true RU1824623C (en) | 1993-06-30 |
Family
ID=21529950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904855360A RU1824623C (en) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | Semiconductor method of producing visual image |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1824623C (en) |
-
1990
- 1990-07-27 RU SU904855360A patent/RU1824623C/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Несеребр ные фотографические процессы/Под ред.А.Л.Картужанского. Л.: Хими , 1984, с.376. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2866903A (en) | Process for photoelectric reproductions and apparatus therefor | |
US3153113A (en) | Electroplating light valve | |
KR100256135B1 (en) | Process for making ohmic contacts and photovoltaic cell with ohmic contact | |
JPH07504785A (en) | Solar cell with combined metal coating and method for manufacturing the same | |
JPS6010120B2 (en) | Non-aqueous electrodeposition method of powder | |
US3174855A (en) | Method for a production of a xerographic plate | |
US3443915A (en) | High resolution patterns for optical masks and methods for their fabrication | |
US5882435A (en) | Process for the metal coating of solar cells made of crystalline silicon | |
US4549939A (en) | Photoelectroforming mandrel and method of electroforming | |
US3619385A (en) | Process for manufacturing an article with a polychrome picture imposed on the surface thereof | |
RU1824623C (en) | Semiconductor method of producing visual image | |
CN109920762A (en) | Production method, array substrate and the display device of array substrate | |
US3833482A (en) | Matrix for forming mesh | |
US3160534A (en) | Method of making tunnel diodes | |
US2805986A (en) | Method of making fine mesh screens | |
US3529961A (en) | Formation of thin films of gold,nickel or copper by photolytic deposition | |
US2596617A (en) | Increasing number of holes in apertured metal screens | |
CA1269342A (en) | Method of electroforming articles using a photomask mandrel | |
US3755092A (en) | Method of introducing impurities into a layer of bandgap material in a thin-film solid state device | |
USRE22052E (en) | Light-sensitive device | |
EP0060487B1 (en) | Plugged pinhole thin film and method of making same | |
US909831A (en) | Process for preparing printing-plates by means of electrolytic etching. | |
US2537256A (en) | Light-sensitive electric device | |
US4263056A (en) | Method for the manufacture of light emitting and/or photodetective diodes | |
SU864383A1 (en) | Pattern for roentgenolythography |