RU1824623C - Semiconductor method of producing visual image - Google Patents

Semiconductor method of producing visual image

Info

Publication number
RU1824623C
RU1824623C SU904855360A SU4855360A RU1824623C RU 1824623 C RU1824623 C RU 1824623C SU 904855360 A SU904855360 A SU 904855360A SU 4855360 A SU4855360 A SU 4855360A RU 1824623 C RU1824623 C RU 1824623C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
visible image
color
metal film
visual image
substrate
Prior art date
Application number
SU904855360A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Самсон Васильевич Кирсанов
Владимир Викторович Коноваленко
Наталья Зиновьевна Алиева
Ирина Николаевна Даниленко
Юрий Владимирович Присяжнюк
Владимир Васильевич Глебов
Original Assignee
Шахтинский Технологический Институт Бытового Обслуживания
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шахтинский Технологический Институт Бытового Обслуживания filed Critical Шахтинский Технологический Институт Бытового Обслуживания
Priority to SU904855360A priority Critical patent/RU1824623C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1824623C publication Critical patent/RU1824623C/en

Links

Abstract

Сущность изобретени : видимое изображение формируют при анодном растворении тонкой металлической пленки, нанесенной на провод щую подложку. Пленка имеет цвет, контрастный по отношению к цвету подложки. Катодом-инструментом на фотопроводниковый элемент проецируют сформированный заданным образом световой поток. Между фотопроводниковым элементом -и металлической пленкой устанавливают диэлектрическую прокладку, обеспечивающую протекание электролита. 1 ил.SUMMARY OF THE INVENTION: A visible image is formed upon anodic dissolution of a thin metal film deposited on a conductive substrate. The film has a color contrasting with the color of the substrate. The cathode-tool on the photoconductor element project the luminous flux formed in a predetermined manner. A dielectric gasket is installed between the photoconductor element -and the metal film, which ensures the flow of electrolyte. 1 ill.

Description

Изобретение относитс  к получению видимого изображени  путем использовани  полупроводниковых фотографических процессов .The invention relates to the production of a visible image by using semiconductor photographic processes.

Цель изобретени  - расширение технологических возможностей способа и его удешевление .The purpose of the invention is the expansion of technological capabilities of the method and its cost reduction.

На чертеже показана схема электролитической  чейки дл  получени  видимого изображени .The drawing shows a diagram of an electrolytic cell for obtaining a visible image.

Видимое изображение формируют на носителе изображени , представл ющего собой провод щую подложку 1 с нанесенной на нее металлической пленкой 2, имеющей цвет, контрастный по отношению к цвету подложки 1. Диэлектрические прокладки 3 создают зазор, необходимый дл  протекани  электролита между носителем изображени  и рабочей поверхностью фото- проводникового элемента 4, на противоположной поверхности которого размещен прозрачный электрод 5.A visible image is formed on the image carrier, which is a conductive substrate 1 with a metal film 2 deposited on it, having a color contrasting with the color of the substrate 1. Dielectric pads 3 create the gap necessary for the electrolyte to flow between the image carrier and the photo surface - a conductor element 4, on the opposite surface of which is placed a transparent electrode 5.

Процесс получени  видимого изображени  заключаетс  в следующем.The process of obtaining a visible image is as follows.

На элемент 4 через прозрачный провод щий слой 5 проецируют заданным образом сформированный световой поток; прозрачный электрод 5 подключают к отрицательному полюсу батареи, подложка 1, соответственно - к положительному полюсу. Через зазор, образованный диэлектрическими прокладками 3, пропускают электролит . В результате , протекани  электрического тока металлическа  пленка 2 подвергаетс  анодному растворению, интенсивность которого в данной точке металлической пленки 2 определ етс  освещенностью соответствующего участка фотопроводникового элемента 4. Различна  глубина травлени  металлической пленки 2 обуславливает по вление видимого изображени . Путем подбора цвета провод щей пластины 1 и металлической пленки 2 получают как позитивное, так и негативное изображени .A light stream is projected onto the element 4 through a transparent conductive layer 5 in a predetermined manner; the transparent electrode 5 is connected to the negative pole of the battery, the substrate 1, respectively, to the positive pole. An electrolyte is passed through the gap formed by the dielectric spacers 3. As a result, the electric film 2 undergoes anodic dissolution, the intensity of which at a given point of the metal film 2 is determined by the illumination of the corresponding portion of the photoconductor element 4. The different etching depths of the metal film 2 determine the appearance of the visible image. By choosing the color of the conductive plate 1 and the metal film 2, both positive and negative images are obtained.

Пример. Катод-инструмент образован кремниевой пластиной р-тила ( /Эуд-0,8 Ом м) диаметром 70 мм и толщиной 3,8-10 4 м, на которую термическим вакуумным напылением нанесен полупрозрачный слой меди толщина покрыти  3 10 м). В качестве электролита используетс  5%-ный раствор NaCI в воде. Обработке подвергают никелевую пленку (толщина 8 10 м), нанесенную подложку из меди.Example. The tool cathode is formed by a r-tyl silicon wafer (/ Eud-0.8 Ohm m) with a diameter of 70 mm and a thickness of 3.8-10 4 m, onto which a translucent copper layer is coated by thermal vacuum deposition with a coating thickness of 3 10 m). A 5% solution of NaCI in water is used as the electrolyte. The treatment is subjected to a nickel film (thickness 8 10 m), a supported substrate of copper.

Claims (1)

Формула изобретени The claims Полупроводниковый способ получени Semiconductor production method видимого изображени , заключающийс  вvisible image consisting проецировании заданного светового потокаprojecting a given luminous flux на фот опроводниковый элемент, преобраon photoprocessing element, conversion зующий распределенный по его поверхности данный световой поток в электрический ток, и формировании видимого изображени  электрохимическим путем, отличающийс  тем, что, с целью расширени  технологических возможностей и удешевлени  способа, формирование видимого изображени  осуществл ют -на носителе изображени , в качество которого используют нанесенную на контрастную по цвету провод щую подложку, которую подвергают в процессе формировани  изображени  анодному растворению, управл емому фотопроводниковым элементом.generating a given light flux distributed over its surface into an electric current, and forming a visible image by an electrochemical method, characterized in that, in order to expand technological capabilities and reduce the cost of the method, the formation of a visible image is carried out on an image carrier, the quality of which is applied to a contrast the color of the conductive substrate, which is subjected to anodic dissolution controlled by the photoconductor element during imaging. 44 /УуУхУУ/уУ/У/УУУУУ/У/ UuUhUUU / uU / U / UUUUU / U
SU904855360A 1990-07-27 1990-07-27 Semiconductor method of producing visual image RU1824623C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904855360A RU1824623C (en) 1990-07-27 1990-07-27 Semiconductor method of producing visual image

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904855360A RU1824623C (en) 1990-07-27 1990-07-27 Semiconductor method of producing visual image

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1824623C true RU1824623C (en) 1993-06-30

Family

ID=21529950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904855360A RU1824623C (en) 1990-07-27 1990-07-27 Semiconductor method of producing visual image

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1824623C (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Несеребр ные фотографические процессы/Под ред.А.Л.Картужанского. Л.: Хими , 1984, с.376. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2866903A (en) Process for photoelectric reproductions and apparatus therefor
US3153113A (en) Electroplating light valve
KR100256135B1 (en) Process for making ohmic contacts and photovoltaic cell with ohmic contact
JPH07504785A (en) Solar cell with combined metal coating and method for manufacturing the same
JPS6010120B2 (en) Non-aqueous electrodeposition method of powder
US3174855A (en) Method for a production of a xerographic plate
US3443915A (en) High resolution patterns for optical masks and methods for their fabrication
US5882435A (en) Process for the metal coating of solar cells made of crystalline silicon
US4549939A (en) Photoelectroforming mandrel and method of electroforming
US3619385A (en) Process for manufacturing an article with a polychrome picture imposed on the surface thereof
RU1824623C (en) Semiconductor method of producing visual image
CN109920762A (en) Production method, array substrate and the display device of array substrate
US3833482A (en) Matrix for forming mesh
US3160534A (en) Method of making tunnel diodes
US2805986A (en) Method of making fine mesh screens
US3529961A (en) Formation of thin films of gold,nickel or copper by photolytic deposition
US2596617A (en) Increasing number of holes in apertured metal screens
CA1269342A (en) Method of electroforming articles using a photomask mandrel
US3755092A (en) Method of introducing impurities into a layer of bandgap material in a thin-film solid state device
USRE22052E (en) Light-sensitive device
EP0060487B1 (en) Plugged pinhole thin film and method of making same
US909831A (en) Process for preparing printing-plates by means of electrolytic etching.
US2537256A (en) Light-sensitive electric device
US4263056A (en) Method for the manufacture of light emitting and/or photodetective diodes
SU864383A1 (en) Pattern for roentgenolythography