RU1824566C - Устройство дл измерени концентрации газа - Google Patents

Устройство дл измерени концентрации газа

Info

Publication number
RU1824566C
RU1824566C SU914950355A SU4950355A RU1824566C RU 1824566 C RU1824566 C RU 1824566C SU 914950355 A SU914950355 A SU 914950355A SU 4950355 A SU4950355 A SU 4950355A RU 1824566 C RU1824566 C RU 1824566C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
field
bipolar transistor
gate
transistor
effect transistor
Prior art date
Application number
SU914950355A
Other languages
English (en)
Inventor
Елена Владимировна Осадчук
Владимир Степанович Осадчук
Original Assignee
Винницкий политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Винницкий политехнический институт filed Critical Винницкий политехнический институт
Priority to SU914950355A priority Critical patent/RU1824566C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1824566C publication Critical patent/RU1824566C/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

Использование: аналитическое приборостроение . Сущность изобретени . Устройство осуществл ет преобразование емкости в частоту, дл  чего полевой транзистор , выступающий в качестве емкостного преобразовател , используетс  еще дополнительно в виде усилительного элемента, причем затвор соедин етс  с коллектором, исток - с базой, а сток - с эмиттером бипол рного транзистора. Конструкци  устройства при подаче управл ющего напр жени  обеспечивает работу бипол рного транзистора в активном режиме, а полевого - в режиме насыщени . При этом на зажимах коллектор - эмиттер бипол рного транзистора возникает отрицательное сопротивление , которое приводит к возникновению электрических колебаний в контуре, состо щем из параллельного соединени  полных сопротивлений с индуктивной составл ющей на зажимах эмиттер - коллектор бипол рного транзистора и емкостной составл ющей на заж.имах затвор - сток полевого транзистора. При подаче газа на газочувствительный затвор полевого транзистора происходит изменение емкости подзатворного диэлектрика, что приводит к изменению емкостной составл ющей полного сопротивлени  на зажимах затвора - сток полевого транзистора, что, в свою очередь , измен ет резонансную частоту контура . 1 ил. Ё

Description

Изобретение относитс  к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано как датчик концентрации газов в различных устройствах автоматизированного управлени  технологическими процессами.
Цель изобретени  - увеличение чувствительности и точности измерени .
Достижение этой цели позволит значительно улучшить технику измерени  и регулировани  различных технологических процессов, св занных с производством химической продукции
Поставленна  цель достигаетс  тем, что в известном устройстве преобразование
емкости в ток замен етс  в предполагаемом устройстве преобразованием емкости в частоту, дл  чего полевой транзистор выступает в качестве управл емого газом емкостного элемента колебательного контура, потери энергии в котором компенсируютс  за счет отрицательного сопротивлени , возникающего на зажимах коллектор - эмиттер бипол рного транзистора, у которого базовый электрод соединен с источником полевого транзистора, коллектор соединен с затвором, а эмиттер со стоком Индуктивным элементом служит реактивна  составл юща  полного сопротивлени  на зажимах коллектор-эмиттер бипол рного транзистоО
о
pa. Дл  увеличени  общей эквивалентной индуктивности и подстройки контура параллельно зажимам эмиттер коллектор бипол рного транзистора, включаетс  внешн   пассивна  индуктивность. Таким образом, в предлагаемом устройстве небольшое изменение емкости подзатворного диэлектрика под действием газа преобразуетс  в значительное изменение резонансной частоты колебательного контура, что позвол ет увеличить чувствительность и точность определени  концентрации газа.
Совокупность признаков неизвестных ранее, по вл етс  за счет использовани  емкостной составл ющей полного сопротивлени  на зажимах затвор - сток полевого транзистора, которое включаетс  параллельно полному сопротивлению с индуктивным характером на зажимах эмиттер-коллектор бипол рного транзистора, что образует колебательный контур, потери энергии в котором компенсируютс  за счет отрицательного сопротивлени , возникающего на зажимах эмиттер-коллектор бипол рного транзистора в результате положительной обратной св зи в цеп х эмиттер - база и коллектор - эмиттер бипол рного транзистора по посто нному и переменному токам . Резка  зависимость резонансной частоты контура от изменени  емкостной составл ющей полного сопротивлени  на зажимах затвор - сток полевого транзистора за счет воздействи  газа на затвор полевого транзистора повышает чувствительность и точность измерени  концентрации определ емого газа.
На чертеже дана схема устройства.
Устройство дл  измерени  концентрации газа содержит источник 1 управл ющего посто нного напр жени , включенного параллельно зажимам эмиттер - коллектор бипол рного транзистора 4 и последовательной цепочке, состо щей из пассивной индуктивности 5 и конденсатора 6, причем затвор полевого транзистора 3 соединен с эмиттером бипол рного транзистора 4, исток соединен с базой, а исток с эмиттером, Газочувствительным элементом полевого транзистора 3  вл етс  активный слой под- затворного диэлектрика, на который воздействует поток газа, поступающий из источника 2. Выход устройства образован первой обкладкой конденсатора и общей шиной.
Устройство работает следующим образом . В начальный момент времени газ не подаетс  на затвор полевого транзистора 3. Повышением напр жени  управл ющего источника 1 до величины, когда бипол рный транзистор 4 станет работать в активном
режиме, а полевой транзистор 3 и режиме насыщени , на зажимах эмиттер - коллектор бипол рного транзистора 4 возникает отрицательное сопротивление, которое
приводит к возникновению электрических колебаний в колебательном контуре, образованном параллельным включением полного сопротивлени  с емкостным характером на зажимах затвор - сток полевого
транзистора 3 и полным сопротивлением с индуктивным характером на зажимах эмиттер - коллектор бипол рного транзистора 4. Индуктивность 5 служит дл  подстройки колебательного контура на нужную резонансную частоту, а емкость 6 предохран ет источник 1 управл ющего напр жени  от короткого замыкани  через подстроечную индуктивность 5, а также, служит нагрузочным сопротивлением по переменному току,
с которого снимаетс  выходной сигнал. При последующей подаче газа из источника 2 на затвор полевого транзистора 3 происходит изменение емкостной составл ющей полного сопротивлени  на зажимах затвор - сток
полевого транзистора 3, что приводит к изменению резонансной частоты колебательного контура.
Использование предлагаемого устройства дл  измерени  концентрации газов по
сравнению .с прототипом существенно повышает чувствительность и точность определени  информативного параметра за счет выполнени  индуктивного элемента на основе бипол рного транзистора, а емкостного элемента в виде полевого транзистора измерительного колебательного контура, в котором изменение емкости под действием газа, обеспечивает эффективную перестройку частоты на выходе, а также за счет
реальной возможности линеаризации функции преобразовани  путем выбора напр жени  на выходе источника 1 питани .
45

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Устройство дл  измерени  концентрации газа, содержащее газопровод дл  подачи газэ, источник электропитани , подключенный к емкостному управл емому
    0 элементу, электрически св занному с параллельно подключенным индуктивным элементом, отличающеес  тем, что, с целью повышени  чувствительности и точности измерений, в него введены бипол р5 ный транзистор, конденсатор и пассивна  индуктивность, а индуктивный элемент выполнен в виде реактивного бипол рного транзистора, причем база бипол рного транзистора подключена к истоку полевого транзистора, коллектор бипол рного транзистора подключен к затвору полевого транзистора, эмиттер бипол рного транзистора подключен к стоку полевого транзистора , первый вывод пассивной индуктивности подключен к коллектору бипол рного транзистора , затвору полевого-транзистора и первому полюсу источника питани , а второй вывод пассивной индуктивности соединен с первым выводом конденсатора, к которому подключаетс  перва  выходна  клемма, а второй вывод конденсатора подключен к эмиттеру бипол рного транзистора , к стоку полевого транзистора и второму полюсу источника питани , которые образуют общую шину, к которой подключена втора  выходна  клемма.
    ЛГМ
    30Ј
    i
    б
    Выход
    1
SU914950355A 1991-06-27 1991-06-27 Устройство дл измерени концентрации газа RU1824566C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU914950355A RU1824566C (ru) 1991-06-27 1991-06-27 Устройство дл измерени концентрации газа

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU914950355A RU1824566C (ru) 1991-06-27 1991-06-27 Устройство дл измерени концентрации газа

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1824566C true RU1824566C (ru) 1993-06-30

Family

ID=21581830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU914950355A RU1824566C (ru) 1991-06-27 1991-06-27 Устройство дл измерени концентрации газа

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1824566C (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Виглеб Г. Датчики, М.: Мир, 1989, с.99- 111. Патент DE N° 3526348А1. кл.001 N27/12, 1981. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU1824566C (ru) Устройство дл измерени концентрации газа
DE59209274D1 (de) Anordnung zur potentialgetrennten Kapazitätsmessung, insb. zur kapazitiven Füllstandmessung
RU2016376C1 (ru) Устройство для измерения толщины пленок
UA155932U (uk) Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску з частотним виходом
RU2053504C1 (ru) Полупроводниковый датчик газа
RU2103801C1 (ru) Генераторный преобразователь
RU2104619C1 (ru) Электростатический микрофон
RU2068568C1 (ru) Полупроводниковый датчик магнитного поля
UA125451C2 (uk) Перетворювач вологості з частотним виходом
UA154118U (uk) Вимірювач індукції магнітного поля на основі нанокомпозитного магніточутливого конденсатора
RU92004093A (ru) Полупроводниковый датчик магнитного поля
UA155933U (uk) Мікроелектронний частотний пристрій для вимірювання концентрації газу
UA154119U (uk) Мікроелектронний вологомір
RU92004097A (ru) Полупроводниковый датчик газа
SU1640717A1 (ru) Аналоговое множительно-делительное устройство
RU2030737C1 (ru) Газовый датчик
RU175429U1 (ru) Амплитудный детектор
UA125588U (uk) Пристрій для вимірювання індукції магнітного поля
UA119398U (uk) Пристрій для вимірювання вологості
SU645102A1 (ru) Устройство дл измерени коэффициента усилени по току транзисторов
SU1201686A1 (ru) Емкостной измеритель уровн
UA129824U (uk) Пристрій для вимірювання тиску
SU693277A1 (ru) Высоковольтный измеритель пробивных напр жений транзисторов
UA134149U (uk) Вимірювач магнітного поля на основі магнітодіода
SU1647310A1 (ru) Емкостный измеритель механических величин