RU1818672C - Device for control of high-power vehicles with short-circuiting protection - Google Patents
Device for control of high-power vehicles with short-circuiting protectionInfo
- Publication number
- RU1818672C RU1818672C SU4875447A RU1818672C RU 1818672 C RU1818672 C RU 1818672C SU 4875447 A SU4875447 A SU 4875447A RU 1818672 C RU1818672 C RU 1818672C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diode
- terminal
- transistor
- resistor
- protection
- Prior art date
Links
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
Сущность изобретени : устройство содержит задающий транзистор 3, мощный транзистор 8, диод 1 защиты, цепочку смещени , состо щую из второго диода 6 и четвертого резистора 7, а также первый 2, второй 4 и третий 5 резисторы. Новым в нем вл етс введение формирующей емкости 9, ограничительного резистора 10 и третьего диода 11, катод которого подключен к точке соединени базы задающего транзистора 3 и одного из выводов форсирующей емкости 9, второй вывод которой соединен с точкой соединени первого 2 и ограничительного 10 резисторов, а второй вывод последнего соединен с анодами диода Т защиты и третьего диода 11. Данное устройство обладает более высокой надежностью за счет уменьшени времени срабатывани защиты при коротком замыкании нагрузки, наход щейс под напр жением, и более надежного шунтировани управл ющей цепи задающего транзистора. 1 ил. - w Ё С 00 о VI юSUMMARY OF THE INVENTION: the device comprises a driving transistor 3, a powerful transistor 8, a protection diode 1, a bias circuit consisting of a second diode 6 and a fourth resistor 7, as well as the first 2, second 4 and third 5 resistors. New in it is the introduction of a forming capacitance 9, a limiting resistor 10 and a third diode 11, the cathode of which is connected to the connection point of the base of the driving transistor 3 and one of the terminals of the boost capacitance 9, the second terminal of which is connected to the connection point of the first 2 and the limiting 10 resistors, and the second terminal of the latter is connected to the anodes of the protection diode T and the third diode 11. This device has higher reliability by reducing the response time of the protection when the load is short-circuited However, voltage, and more reliable bypass control circuit of the master transistor. 1 ill. - w С С 00 о VI ю
Description
Изобретение относитс к электротехнике , а именно, к устройствам управлени полупроводниковыми приборами и системами, и может быть использовано в блоках управлени с защитой от короткого замыкани .The invention relates to electrical engineering, in particular to control devices for semiconductor devices and systems, and can be used in control units with short circuit protection.
Цель изобретени - повышение надежности за счет уменьшени полного сопротивлени (импеданса) защитной цепи.The aim of the invention is to increase reliability by reducing the impedance of the protective circuit.
,На чертеже представлена принципиальна схема устройства дл управлени мощным транзистором с защитой от короткого замыкани .The drawing shows a schematic diagram of a device for controlling a short-circuit protected transistor.
Устройство содержит диод 1 защиты, резистор 2, один вывод которого подключен к одной из клемм дл подключени неточна ка управл ющего напр жени , задающий транзистор 3, коллектор которого через последовательно включенные резисторы 4, 5. подключен к одной клемме дл подключени источника питани , а эмиттер - подклю- .чен к точке соединени анода диода 6 и одного вывода резистора 7, образующих цепочку смещени , другой вывод резистора 7 цепочки смещени подключен к одной клемме дл подключени источника питани .и предназначена дл подключени к эмиттеру мощного транзистора 8, катод диода 6 цепочки смещени подключен к другим клеммам дл подключени -источника управл ющего напр жени , источника питани и нагрузки 12, обща точка 4 и 5 резисторов предназначена дл подключени к базе мощного транзистора 8, форсирующий конденсатор У, ограничительный резистор 10 и дополнительный диод 11, причем катод дополнительного диода 11 подключен к базе задающего транзистора 3 и одному выводу форсирующего конденсатора 9, другой вывод которого подключен к другому выводу резистора 2 и одному выводу ограничительного резистора 10 другой вывод которого подключен к аноду дополнительного диода 11 и аноду диода 1 защиты, катод которого предназначен дл подключени к коллектору мощного транзистора 8 и подключен к одной клемме дл подключени нагрузки 12.The device contains a protection diode 1, a resistor 2, one output of which is connected to one of the terminals for connecting an inaccurate control voltage, which defines a transistor 3, the collector of which is connected through a series of resistors 4, 5. to one terminal for connecting a power source, and the emitter is connected to the connection point of the anode of the diode 6 and one terminal of the resistor 7, forming a bias circuit, the other terminal of the bias resistor 7 is connected to one terminal to connect the power source. and is intended to be connected to to the emitter of the power transistor 8, the cathode of the diode 6 of the bias circuit is connected to other terminals for connecting the control voltage source, power supply and load 12, the common point 4 and 5 of the resistors is used to connect the base of the power transistor 8, forcing capacitor U, a limiting resistor 10 and an additional diode 11, and the cathode of the additional diode 11 is connected to the base of the master transistor 3 and one terminal of the boost capacitor 9, the other terminal of which is connected to another terminal of the resistor 2 and one terminal granichitelnogo resistor 10 whose other terminal is connected to the anode of the diode 11 and the additional anode protection diode 1, the cathode of which is intended for connection to the collector of the power transistor 8, and is connected to one terminal for connecting load 12.
Индексами Ui, U2, и Уз обозначены напр жени управл ющего сигнала, питани и нагрузки соответственно.The indices Ui, U2, and Uz denote the voltages of the control signal, power, and load, respectively.
Устройство работает следующим образом . При по влении положительного управл ющего сигнала на входных клеммах ток через цепь; резистор 2, форсирующий конденсатор 9, база-эмиттер задающего транзистора 3 и диод 6 в начальный момент прЪтекает независимо от состо ни нагрузки: активна она или реактивна , высокоомна или низкоомна , находитс в нормальном состо нии или закорочена.The device operates as follows. When a positive control signal appears at the input terminals, current through the circuit; a resistor 2, a boost capacitor 9, a base-emitter of a driving transistor 3 and a diode 6 at the initial moment flows regardless of the state of the load: it is active or reactive, high resistance or low resistance, is in a normal state or shorted.
Емкость форсирующего конденсатора 9 задаетс таким образом, что форсирующийThe capacity of the boost capacitor 9 is set so that the boost
5 ток протекает всего несколько микросекунд, т.к. на обкладке конденсатора Э подключен- ного к резистору 2, нарастает положительный потенциал, преп тствующий протеканию форсирующего тока. Этого вре0 мени достаточно, чтобы транзисторы открылись . Потенциал на нагрузке 12,. а следовательно и на катоде защитного диода 1 возрастает, диод 1 запираетс и не оказы- вает вли ни на работу устрой5 ства управлени , а транзисторы 3 и 8 при незакороченной нагрузке удерживаютс в открытом состо нии током, протек а ющем по цепи: резистор 2.5, the current flows in just a few microseconds, because On the lining of the capacitor E connected to the resistor 2, a positive potential rises, preventing the flow of the boost current. This is enough time for the transistors to open. Potential at load 12 ,. and consequently, at the cathode of the protective diode 1 increases, diode 1 is locked and does not affect the operation of the control device, and transistors 3 and 8 are kept open when the current flowing through the circuit is held open: resistor 2.
0 ограничительный резистор 10, дополнительный диод 11, база-эмиттер задающего транзистора 3 и диод 6.0 limiting resistor 10, additional diode 11, the base emitter of the master transistor 3 and diode 6.
При коротком замыкании на выходе напр жение на нагрузке 12 равно нулю, за5 щитный диод 1 открыт, потенциал на анод диода 11 снижаетс , диод 11-запираетс ,, ток по управл ющей цепи транзистора 3 не протекает и транзисторы 3 и 8 закрываютс . Врем закрывани транзисторов при корот0 ком замыкании нагрузки, наход щейс под напр жением исчисл етс наносекундами; что практически исключает искрение на клеммах нагрузки при коротком замыкании. Исключение из защитной цепи элемента за5 держки тока приводит также к более надежному шунтированию управл ющей цепи задающего транзистора 3 в за вленном устройстве , за счет уменьшени активного сопротивлени защитной цепи.With a short circuit at the output, the voltage at load 12 is zero, the protective diode 1 is open, the potential at the anode of diode 11 is reduced, the diode 11 is locked, the current does not flow through the control circuit of transistor 3, and transistors 3 and 8 are closed. The closing time of the transistors when the load is short-circuited is in nanoseconds; which virtually eliminates arcing at the load terminals during a short circuit. The exclusion of the current delay element from the protective circuit also leads to a more reliable shunting of the control circuit of the driving transistor 3 in the inventive device, due to a decrease in the active resistance of the protective circuit.
0 Ограничительный резистор 10 необходим дл уменьшени тока, проход щего через низкоомную нагрузку или нагрузку емкостного характера в момент подачи на устройство управл ющего напр жени . В0 The limiting resistor 10 is necessary to reduce the current passing through a low-impedance load or a capacitive load at the moment of applying a control voltage to the device. AT
5 противном случае ток, протекающий по це- пи резистор 2, форсирующий конденсатор 9, база-эмиттер транзистора 3, диод 6 может оказатьс недостаточным дл открывани транзистора 3. Номинальное значение огра0 ничительного резистора 10 может быть гораздо меньше резистора 2 и исчисл тьс в дес тках и сотн х Ом.5 otherwise, the current flowing through the circuit of the resistor 2, forcing the capacitor 9, the base emitter of the transistor 3, the diode 6 may be insufficient to open the transistor 3. The nominal value of the limiting resistor 10 can be much smaller than the resistor 2 and calculated in des tx and hundreds x Ohms.
Дополнительный диод 11 необходим дл разв зки форсирующего конденсатораAn additional diode 11 is required to isolate the boost capacitor
5 и защитной цепи. При включении устройства на закороченную нагрузку врем срабатывани защиты не превышает нескольких микросекунд, что не приводит к значительным потер м мощности в силовой цепи уст ррйства . Форсирующий конденсатор при5 and the protective circuit. When the device is turned on for a shorted load, the protection response time does not exceed several microseconds, which does not lead to significant power losses in the power circuit of the device. Boost capacitor at
заданной емкости обладает относительно небольшим размером.given capacity has a relatively small size.
Таким образом, за вленное устройство позвол ет практически без увеличени стоимости устройства (цена резистора, конден- сатора и маломощного диода не превышает стоимости дроссел с ферромагнитным сердечником ) повысить его надежность за счет более надежного шунтировани управл ющей цепи задающего транзистора и умень- шени времени.срабатывани защиты при коротком замыкании нагрузки, наход щейс под напр жением.Thus, the inventive device allows practically without increasing the cost of the device (the price of a resistor, capacitor and low-power diode does not exceed the cost of interros with a ferromagnetic core) to increase its reliability due to more reliable shunting of the control circuit of the master transistor and reduction of time. protection trips during short circuit of a load under voltage.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4875447 RU1818672C (en) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | Device for control of high-power vehicles with short-circuiting protection |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4875447 RU1818672C (en) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | Device for control of high-power vehicles with short-circuiting protection |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU1818672C true RU1818672C (en) | 1993-05-30 |
Family
ID=21541252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU4875447 RU1818672C (en) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | Device for control of high-power vehicles with short-circuiting protection |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU1818672C (en) |
-
1990
- 1990-10-17 RU SU4875447 patent/RU1818672C/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ленк Дж. Справочник по современным твердотельным усилител м. М., 1977, с. 269. Авторское свидетельство СССР № 1439724, кл. Н 02 М 7/537,1987. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0369448B1 (en) | Drive circuit for use with voltage-driven semiconductor device | |
| US3935527A (en) | Inrush current limit circuit with reset response to lowered input voltage | |
| US4801822A (en) | Semiconductor switching circuit | |
| US4378586A (en) | Protective circuitry for semiconductor switches | |
| US20030090158A1 (en) | System and method for redundant power supply connection | |
| US4678984A (en) | Digital power converter input current control circuit | |
| US20060164778A1 (en) | Inrush current limiting circuit | |
| US4954917A (en) | Power transistor drive circuit with improved short circuit protection | |
| US7126801B2 (en) | Polarity protection implemented with a MOSFET | |
| GB1601999A (en) | Protection circuit for transistorised switch | |
| EP0078490B1 (en) | Fet driver circuit with an output shorting protection feature | |
| KR960003201B1 (en) | Trip control device for circuit breaker | |
| US4572970A (en) | Miller capacitance effect eliminator for use with a push-pull amplifier output stage | |
| US3135874A (en) | Control circuits for electronic switches | |
| EP0593588B1 (en) | Circuit protection arrangement | |
| US4520416A (en) | Shunt-foldback voltage source | |
| GB2027307A (en) | Transistor power amplifier protection circuit | |
| US5257155A (en) | Short-circuit proof field effect transistor | |
| JPS5814623A (en) | Device for protecting shortcircuit of electric load | |
| USRE34107E (en) | Power transistor drive circuit with improved short circuit protection | |
| RU1818672C (en) | Device for control of high-power vehicles with short-circuiting protection | |
| US4242605A (en) | Transient array drive for bipolar ROM/PROM | |
| SE455980B (en) | ELECTRONIC CONNECTOR WITH A STEP THROUGH A POWER STEERED POWER TRANSISTOR AS A CONNECTOR | |
| EP1757174A2 (en) | High current charge pump for intelligent power switch driver | |
| SU1170583A2 (en) | Amplifier with overload protection |