RU1818667C - Device for control of static-induction metal-insulator-semiconductor transistor - Google Patents
Device for control of static-induction metal-insulator-semiconductor transistorInfo
- Publication number
- RU1818667C RU1818667C SU4874628A RU1818667C RU 1818667 C RU1818667 C RU 1818667C SU 4874628 A SU4874628 A SU 4874628A RU 1818667 C RU1818667 C RU 1818667C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- terminal
- transformer
- diode
- source
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Сущность изобретени : при подаче управл ющих импульсов на первичную обмотку трансформатора 2 управл ющие сигналы соответствующей пол рности поступают на затвор транзистора со статической индукцией 1 через транзисторы 3 и 4. При отсутствии сигналов управлени на первичной обмотке трансформатора запираетс МДП- транзистор 11 s и на дополнительной вторичной обмотке трансформатора за счет отпирани МДП-транзистора 12 формируетс импульс, запирающий транзистор со статической индукцией. 1 ил.SUMMARY OF THE INVENTION: when control pulses are applied to the primary winding of transformer 2, control signals of the corresponding polarity are fed to the gate of the transistor with static induction 1 through transistors 3 and 4. In the absence of control signals, the MOS transistor 11 s is closed on the primary winding of the transformer and on an additional the secondary winding of the transformer due to the unlocking of the MOS transistor 12, a pulse is generated, locking the transistor with static induction. 1 ill.
Description
Изобретение относитс к области электротехники и может быть использовано при создании высокочастотных преобразователей напр жени дл вторичных источников электропитани (ВИЭП).The invention relates to the field of electrical engineering and can be used to create high-frequency voltage converters for secondary power supplies (WPS).
Целью изобретени вл етс повышение надежности за счет устранени возможностей протекани больших посто нных токов в СИТ при отсутствии сигналов управлени .The aim of the invention is to increase reliability by eliminating the possibility of high DC currents flowing in SIT in the absence of control signals.
На чертеже представлена принципиальна схема устройства дл управлени транзистором со статической индукцией, содержаща СИТ 1, трансформатор 2, р-п-р- транзистор 3, п-р-п-транзистор4,.два резистора 5 и 6, четыре диода 7, 8, 9, и 10, два МДП-транзистора с индуцированным п-ка- налом 11 и 12, два дополнительных резистора 13 и 14. Трансформатор 2 имеет три обмотки: первичную, основную вторичную и дополнительную вторичную. Первична обмотка подключена к источнику входных (уп- равл ющих) импульсов. Первый вывод вторичной обмотки трансформатора 2 подключен к аноду диода 7 и катоду Диода 8. Второй вывод вторичной обмотки подключен к истоку СИТ 1, первым выводам резисторов 5, 6 и 14, истоку с подложкой МДП-транзистора 11 и минусовой клемме питающего напр жени . Плюсова клемма питающего напр жени подключена к стоку СИТ 1, первому выводу дополнительной вторичной обмотки трансформатора 2 и первому выводу резистора 13, второй вывод которого подключен к затвору МДП-транзистора 12 и стоку МДП-транзистора 11. Второй вывод дополнительной обмотки подключен к стоку МДП-транзистора 12, исток с подложкой которого подключены ко второму выводу резистора 14. Затвор МДП- транзисто ра 11 подключен к катоду диода 7 и эмиттеру транзистора 3, база которого подключена ко второму выводу резистора 6, Коллектор транзистора 3 подключен к аноду диода 9, катод которого подключен к аноду диода 10 и затвору СИТ 1. Анод диода 8 подключен к эмиттеру транзистора 4, база которого подключена ко второму выводу резистора 5. Коллектор транзистора 4 подключен к катоду диода 10.The drawing shows a schematic diagram of a device for controlling a transistor with a static induction, containing SIT 1, transformer 2, pnpn transistor 3, pnpn transistor4, two resistors 5 and 6, four diodes 7, 8, 9, and 10, two MIS transistors with induced p-channel 11 and 12, two additional resistors 13 and 14. Transformer 2 has three windings: primary, primary secondary, and secondary secondary. The primary winding is connected to a source of input (control) pulses. The first terminal of the secondary winding of the transformer 2 is connected to the anode of the diode 7 and the cathode of the Diode 8. The second terminal of the secondary winding is connected to the source of SIT 1, the first terminals of the resistors 5, 6 and 14, the source with the substrate of the MOS transistor 11 and the negative terminal of the supply voltage. The positive terminal of the supply voltage is connected to the drain of the CIT 1, the first terminal of the additional secondary winding of the transformer 2 and the first terminal of the resistor 13, the second terminal of which is connected to the gate of the MOS transistor 12 and the drain of the MOS transistor 11. The second terminal of the additional winding is connected to the drain of the MOS transistor 12, the source with the substrate of which is connected to the second terminal of the resistor 14. The gate of the MOS transistor 11 is connected to the cathode of the diode 7 and the emitter of the transistor 3, the base of which is connected to the second terminal of the resistor 6, Transistor collector 3 is connected to the anode of diode 9, the cathode of which is connected to the anode of diode 10 and the gate of SIT 1. The anode of diode 8 is connected to the emitter of transistor 4, the base of which is connected to the second output of resistor 5. The collector of transistor 4 is connected to the cathode of diode 10.
За вл емое устройство работает следующим образом. При поступлении положительного импульса на первичную обмотку трансформатора 2 на первом выводе основной вторичной обмотки по вл етс положительное , а на втором выводе отрицательное напр жение. Через диоды 7 и 9, а также транзистор 3 это положительное напр жение поступает на затвор СИТ 1, чем и обеспечиваетс его форсированное открытое состо ние. Резистор 6 обеспечивает необходимый режим работы транзистора 3, оба p-n-p-перехода которого в этом случае оказываютс смещенными в пр мом направлении . При этом транзистор 4 будет закрыт, так что положительное напр жение затвора СИТ 1 (через диод 10), воздейству на коллекторный переход транзистора 4, будет лишь смещать его в обратном направле0 нии.The inventive device operates as follows. When a positive pulse arrives at the primary winding of the transformer 2, a positive voltage appears at the first terminal of the main secondary winding and a negative voltage at the second terminal. Through the diodes 7 and 9, as well as the transistor 3, this positive voltage is supplied to the gate of the SIT 1, which ensures its forced open state. Resistor 6 provides the necessary operating mode for transistor 3, both of which pnp junctions in this case are biased in the forward direction. In this case, transistor 4 will be closed, so that the positive gate voltage of CIT 1 (through diode 10), acting on the collector junction of transistor 4, will only bias it in the opposite direction.
При поступлении отрицательного импульса на первичную обмотку трансформатора 2, сигнал (через диоды 8 и 10 и транзистор 4) будет поступать на затворWhen a negative pulse arrives at the primary winding of transformer 2, the signal (through diodes 8 and 10 and transistor 4) will go to the gate
5 СИТ 1, запира его. Резистор 5 обеспечивает необходимый режим работы транзистора 4, оба p-n-p-перехода которого в этом случае оказываютс смещенными в пр мом направлении . Транзистор же 3 при этом будет5 SIT 1, locking it. Resistor 5 provides the necessary operating mode for transistor 4, both of which pnp junctions in this case are biased in the forward direction. The transistor 3 will be
0 закрыт. Особо отметим, что отрицательное напр жение на затворе СИТ 1 зар жает его емкость затвор-исток. В результате, и по окончании действи отрицательного импульса управлени СИТ 1 все еще будет0 is closed. We emphasize that the negative voltage at the gate of SIT 1 charges its gate-source capacitance. As a result, and upon termination of the action of the negative control pulse, CIT 1 will still be
5 находитьс в закрытом состо нии (до прихода следующего положительного импульса). Приведенное выше описание работы справедливо и дл прототипа. Основна особенность за вл емого устройства состо0 ит в обеспечении запирани СИТ 1 в случае, когда к клеммам между стоком и истоком СИТ 1 приложено напр жение, а на вход устройства (на первичную обмотку трансформатора 2) не поступает еще сигналы уп5 равлени . Такие услови часто наблюдаютс в начальный период времени при включении всей системы, в которую может входить за вл емое устройство (и прототип ), например, ВИЭП.5 be in a closed state (until the arrival of the next positive impulse). The above description of the operation is also true for the prototype. The main feature of the claimed device is to ensure that the CIT 1 is locked when voltage is applied to the terminals between the drain and the source of CIT 1 and no control signals are still fed to the input of the device (to the primary winding of transformer 2). Such conditions are often observed in the initial period of time when you turn on the entire system, which may include an existing device (and prototype), for example, VIET.
0 В за вл емом устройстве по вление питающего напр жени между стоком и истоком СИТ 1 приведет к по влению положительного напр жени на стоке закрытого МДП-транзистора 11, а, следова5 тельно, на затворе МДП-транзистора 12, В результате МДП-транзистор 12 будет открыт и через дополнительною вторичную обмотку трансформатора 2.потечет ток. Резистор 14 образует отрицательную обрат0 Ную св зь по току в МДП-транзисторе 12, обеспечива его надежную работу, Ток дополнительной обмотки трансформатора 1 будет обеспечивать возникновение отрицательного напр жени на первом выводе ос5 новной вторичной обмотки, которое через диоды 8 и 10 и транзистор 4 поступит на затвор СИТ 1. Это отрицательное (аварийное ) напр жение запрет СИТ 1, зар дит его емкость затвор-исток, в результате чего будет поддерживатьс закрытое состо ние0 In the inventive device, the appearance of the supply voltage between the drain and the source of SIT 1 will lead to the appearance of a positive voltage at the drain of the closed MOS transistor 11, and, consequently, at the gate of the MOS transistor 12, As a result, the MIS transistor 12 will be opened and through an additional secondary winding of the transformer 2. current will flow. The resistor 14 forms a negative current feedback in the MOS transistor 12, ensuring its reliable operation. The current of the additional winding of the transformer 1 will provide a negative voltage at the first output of the main secondary winding, which will pass through diodes 8 and 10 and transistor 4 to the gate of SIT 1. This is a negative (emergency) voltage, the prohibition of SIT 1, charges its gate-source capacity, as a result of which a closed state will be maintained
СИТ 1 в течение необходимого времени (до нескольких минут), определ емое элементами схемы.SIT 1 for the required time (up to several minutes), determined by the elements of the circuit.
Таким образом, в за вл емом устройстве устранена причина, вызывающа относительно длительное (неуправл емое) протекание большого тока в СИТ 1, чем мог определитьс его перегрев и выход из стро , В результате устранени этой причины и повышаетс надежность работы СИТ 1 в качестве силового преобразовательного элемента.Thus, the inventive device eliminated the cause of the relatively long (uncontrolled) high current flow in the SIT 1, which could determine its overheating and failure, As a result of eliminating this reason, the reliability of the SIT 1 as a power converter item.
При поступлении управл ющих сигналов на первичную обмотку трансформатора 2 положительные импульсы (через диод 7) будут воздействовать на затвор МДП-тран- зистора 11, открыва его. В результате напр жение на затворе МДП-транзистора 12, снизитс практически до нул и он закроетс , разорвав цепь (аварийного) запирани СИТ 1 и работа за вл емого устройства практически не отличаетс от прототипа.Upon receipt of control signals to the primary winding of transformer 2, positive pulses (through diode 7) will act on the gate of the MOS transistor 11, opening it. As a result, the voltage at the gate of the MOS transistor 12 will drop to almost zero and it will close, breaking the circuit of the (emergency) blocking of CIT 1 and the operation of the claimed device does not practically differ from the prototype.
Существенным преимуществом за вл емого устройства перед прототипом и аналогами вл етс возможность его надежной работы при использовании только положительных управл ющих импульсов.. Как только прекращаетс действие положительного импульса на затворе СИТ 1, прекращаетс его действие и на затворе МДП-транзистора 11, в результате чего МДП-транзистор 11 закрываетс . При этом по вл етс положительное напр жение на затворе МДП-транзистора 12 (через резистор 13) и он открываетс . Через транзистор 12, резистор 14 и дополнительную обмотку трансформатора 2 начнет протекать ток, формирующий на первом (верхнем) выводе основной вторичной обмотки отрицательное напр жение. Это отрицательное напр жение воздействует (через диоды 8 и 10 и транзистор 4) на затвор СИТ 1, запира его.A significant advantage of the claimed device over the prototype and analogs is the possibility of its reliable operation using only positive control pulses. As soon as the positive pulse on the gate of SIT 1 ceases, its action on the gate of the MOS transistor 11 also ceases, as a result of which MOS transistor 11 is closed. In this case, the positive voltage appears on the gate of the MOS transistor 12 (through the resistor 13) and it opens. A current will flow through the transistor 12, the resistor 14, and the additional winding of the transformer 2, forming a negative voltage at the first (upper) terminal of the primary secondary winding. This negative voltage acts (through diodes 8 and 10 and transistor 4) on the gate SIT 1, locking it.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4874628 RU1818667C (en) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | Device for control of static-induction metal-insulator-semiconductor transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4874628 RU1818667C (en) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | Device for control of static-induction metal-insulator-semiconductor transistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1818667C true RU1818667C (en) | 1993-05-30 |
Family
ID=21540792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4874628 RU1818667C (en) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | Device for control of static-induction metal-insulator-semiconductor transistor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1818667C (en) |
-
1990
- 1990-10-15 RU SU4874628 patent/RU1818667C/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Мощные полевые транзисторы в устройствах вторичного электропитани . Общество Знание Украинской ССР, Киев, 1989, с. 16, рис. 96. Мощные полевые транзисторы в устройствах вторичного электропитани . Общество Знание Украинской ССР, Киев, 1989, с. 16, рис. 9а. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0651541B1 (en) | Telephone subscriber circuit with galvanic isolating element for driving the on/off states of a telephone line | |
JPH04138077A (en) | Half bridge driver | |
US4811191A (en) | CMOS rectifier circuit | |
US4607210A (en) | Potential free actuation circuit for a pulse duration controlled electronic power switch | |
RU1818667C (en) | Device for control of static-induction metal-insulator-semiconductor transistor | |
SU1690119A1 (en) | Device for control over transistor with static induction | |
RU2006151C1 (en) | Control device for static-induction transistor | |
US4731550A (en) | Circuit having a feed circuit for supplying current to a load resistor | |
SU1529387A1 (en) | Dc voltage converter | |
SU1228196A1 (en) | One-step d.c.voltage converter | |
SU1136278A1 (en) | Voltage converter | |
SU1624682A1 (en) | Current switch | |
SU1582298A1 (en) | Stabilized converter | |
SU1555849A1 (en) | Transistor switch | |
US3812435A (en) | Pulse width stabilized blocking oscillator | |
SU1385287A1 (en) | Gate generator | |
RU2061291C1 (en) | Dc-to-dc voltage changer | |
SU1369648A1 (en) | Device for controlling transistor gate | |
SU1527695A1 (en) | Dc voltage converter | |
SU1607056A1 (en) | Single-ended d.c. to d.c. voltage converter | |
RU1815626C (en) | Pulsed voltage regulator | |
SU1617589A1 (en) | Secondary power supply source | |
SU1377947A1 (en) | Device for limited starting current of secondary power supply source | |
SU1394437A1 (en) | Two-wire communication line data transceiver | |
SU671008A1 (en) | Device for control of power transistorized switch |