RU1816329C

RU1816329C - Process of manufacture of photocathode

Info

Publication number: RU1816329C
Authority: RU
Inventors: Александр Борисович Костин; Иосиф Моисеевич Котелянский; Валерий Альбертович Лузанов; Тамара Андреевна Филимонова
Original assignee: Институт Радиотехники И Электроники Ан@ Ссср
Priority date: 1990-10-30
Filing date: 1990-10-30
Publication date: 1993-05-15

Abstract

Использование: электронна техника. Сущность способа: при изготовлении фотокатода путем последовательного осаждени на подложку провод щего и фотоэмиссионного слоев, подложку и выращенный на ней провод щий слой-последовательно подвергают ионной обработке, а перед осаждением фотоэмиссионного сло доращивают стравленный при обработке провод щий слой до заданной толщины. Это позвол ет повысить интегральную чувствительность фотокатодов и улучшить качество передачи изображени при коротких временах экспозиции .Usage: electronic technology. The essence of the method: in the manufacture of a photocathode by sequentially depositing a conductive and photoemissive layer on a substrate, the substrate and the conductive layer grown on it are sequentially subjected to ion processing, and before the deposition of the photoemissive layer, the conductive layer etched during processing is grown to a predetermined thickness. This makes it possible to increase the integral sensitivity of the photocathodes and to improve the quality of image transmission at short exposure times.

Description

Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано при изготовлении быстродействующих фотоэлект- ронныхумножителей и электронно-оптических преобразователей (ЭОП), работающих в видимой области спектра оптического излучени .The invention relates to electronic equipment and can be used in the manufacture of high-speed photomultiplier tubes and electron-optical converters (EOPs) operating in the visible region of the spectrum of optical radiation.

Целью изобретени вл етс повышение качества передачи изображени и повышение интегральной чувствительности фотокатодов.An object of the invention is to improve image transmission quality and increase the integrated sensitivity of photocathodes.

Указанна цель достигаетс тем, что в способе изготовлени фотокатода, заключающемс в последовательном осаждении на стекл нную подложку провод щего сло из оксида инди , содержащего оксид олова, и сурьм но-цезиевого фотоэмиссионного сло , подложку и выращенный на ней провод щий слой последовательно подвергают обработке ионами инертного газа с энергией 0,4-2,0 кэВ, причем подложку обрабатывают 0,5-1.5 ч, провод щий слой 0,25- 0.5 ч, а перед осаждением фотоэмиссионного сло доращивают, стравленный при обработке провод щий слой до заданной толщины .This goal is achieved by the fact that in the method of manufacturing a photocathode, which consists in sequentially depositing on a glass substrate a conductive layer of indium oxide containing tin oxide, and the antimony of a no-cesium photoemissive layer, the substrate and the conductive layer grown thereon are successively treated with ions an inert gas with an energy of 0.4-2.0 keV, the substrate being treated for 0.5-1.5 hours, the conductive layer 0.25-0.5 hours, and before the deposition of the photoemissive layer, the conductive layer etched during processing to a predetermined thickness ins.

Ниже приведен пример реализации способа.The following is an example implementation of the method.

Стекл нную подложку, выполненную из стекла С 52 подвергают ионному травлению в течение 0,5 часов ионами аргона с энергией 1 кэВ. Затем на подложку нанос т прозрачный провод щий слой из (пзОз (Sn02) толщиной 0,3 мкм, который вновь подвергают обработке ионами аргона в течение 15 мин, при этом провод щий слой утон лс до 0.15 мкм. Далее этот слой доращивали до первоначальной толщины повторным напылением . После этого на провод щем слое формируют сурьм но-цезиевый фотокатод любым известным способом. Провод щий слой наносилс на стекл нную подложку методом магнетронного распылени инди , легированного оловом в атмосфере аргона и кислорода.A glass substrate made of C 52 glass is subjected to ion etching for 0.5 hours with 1 keV argon ions. Then, a transparent conductive layer of (pZO3 (Sn02) 0.3 μm thick, which is again subjected to treatment with argon ions for 15 min, is applied to the substrate, while the conductive layer was thinned to 0.15 μm. Then this layer was grown to its original thickness After this, an antimony-cesium photocathode is formed on the conductive layer by any known method. The conductive layer was deposited on a glass substrate by magnetron sputtering of indium doped with tin in an atmosphere of argon and oxygen.

ел Сate with

0000

-а-and

ОABOUT

соwith

IN) ОIN) Oh

СО With

При проведении испытаний были иссле-нии на стекл нную подложку провод щегоDuring the tests, studies were conducted on a glass substrate of a conductive

дованы две партии бипланарных ЭОП типасло из оксида инди , содержащего оксидtwo batches of biplanar image intensifier tubes made of indium oxide containing oxide

СП05, СП012, отличающихс лишь способа-олова, и сурьм но-цезиевого фотоэмиссими подготовки подложки под фотокатод онного сло , от л и ч а ю щ и и с тем, что,SP05, SP012, differing only in the method of tin, and antimony of cesium-photoemissive emitting preparation of the substrate under the photocathode layer, from the bottom and the fact that,

Фотокатоды в ЭОП в одной партии СП05,5 с целью повышени качества передачи изоСП012 были изготовлены на стекле с прово-бражени и интегральной чувствительностиThe photocathodes in the image intensifier tubes in one batch of SP05.5 in order to improve the quality of transfer of isoSP012 were made on glass with the transmission and integrated sensitivity

д щей пленкой 1п20з(5п02) без ионногофотокатода, подложку, и провод щий слойwith a 1p20z (5p02) film without an ionic photocathode, a substrate, and a conductive layer

травлени , в другой партии стекло и прово-последовательно подвергают- обработкеetching, in another batch glass and provo-sequentially subjected to processing

д щий слой перед формированием фотока-ионами инертного газа с энергией 0,4-2,0the main layer before the formation of inert gas with an energy of 0.4-2.0 by the photocon-ions

тода подвергались воздействию ионных10 «эВ, -причем подложку обрабатывают 0,5пучков .1,5 ч, провод щий слой 0,25-0,5 ч, а передthe Toda were subjected to ionic 10 "eV, and the substrate is treated with 0.5 beams .1.5 hours, a conductive layer of 0.25-0.5 hours, and before

Claims

Formula of the invention by deposition of a photo-emission layer of a method A method of manufacturing a photocathode is protected by treatment of etched provocative in sequential precipitation. the bottom layer to a predetermined thickness,

5