RU179925U1 - Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности - Google Patents

Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности Download PDF

Info

Publication number
RU179925U1
RU179925U1 RU2017131147U RU2017131147U RU179925U1 RU 179925 U1 RU179925 U1 RU 179925U1 RU 2017131147 U RU2017131147 U RU 2017131147U RU 2017131147 U RU2017131147 U RU 2017131147U RU 179925 U1 RU179925 U1 RU 179925U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor device
mixture
polycrystalline
powders
marking
Prior art date
Application number
RU2017131147U
Other languages
English (en)
Inventor
Игорь Христофорович Аветисов
Марина Павловна Зыкова
Антон Валерьевич Семенов
Виталий Николаевич Старцев
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации
Priority to RU2017131147U priority Critical patent/RU179925U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU179925U1 publication Critical patent/RU179925U1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/30Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Использование: для маркировки полупроводниковых приборов, обеспечивающей контроль их подлинности. Сущность полезной модели заключается в том, что полупроводниковый прибор включает корпус с кристаллом интегральной схемы, причем в составе краски корпуса имеется метка, маркирующая полупроводниковый прибор, представляющая собой добавку (наполнитель) из смеси по меньшей мере двух различных поликристаллических порошков, а подлинность полупроводникового прибора определяется качественным и количественным рентгенофазовым анализом смеси поликристаллических порошков с информационной емкостью, равной количеству всевозможных комбинаций концентраций, различаемых при анализе рентгеновской дифрактограммы поликристаллических порошков, входящих в состав смеси, рентгеновская дифрактограмма которой является идентификатором полупроводникового прибора. Технический результат: увеличение информационной емкости метки, маркирующей полупроводниковый прибор. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Настоящая полезная модель относится к области микроэлектроники, а именно к изделиям электронной техники, например полупроводниковым приборам, подлинность которых необходимо установить на том или ином этапе жизненного цикла полупроводникового прибора.
В настоящее время широкое распространение получили методы обратного проектирования, как для выявления контрафактной продукции, так и для контроля собственной продукции. Использование таких методов позволяет отслеживать «жизнь» микросхемы, в частности определять ее подлинность. Описание меток достаточно часто встречается как в технической, так и популярной литературе - метки в криминалистике на основе радиоактивных изотопов. В микроэлектронике использование таких меток в приборах может привести к катастрофическим отказам из-за воздействия повышенного радиационного фона на полупроводниковые структуры.
Из существующего уровня техники известны случаи использования химических добавок в составе материала корпуса или в составе краски маркировки, которые могут быть выявлены рентгеновским микроанализом на сканирующем электронном микроскопе [1, 2].
В литературе описано использование как определяющего подлинность фактора точных характеристик материала гальванического покрытия выводов прибора. Такие характеристики могут быть измерены различными способами, в частности методами вторичной ионной масс спектроскопии (ВИМС) [3].
Недостатком вышеперечисленных методов идентификации подлинников являются дороговизна высоковакуумного оборудования и крайне сложный и длительный процесс исследований.
В научной литературе описаны случаи использования лазерной или другой маркировки на выводной рамке, которая может быть нанесена как вне, так и внутри корпуса для определения подлинности полупроводниковых приборов [4, 5, 7]. Лазерная маркировка широко используется в настоящее время, контролируется визуально; ее недостатком является легкость в подделке и фальсификации при наличии лазерной установки (определенного гравировального оборудования), а также сокрытия наличия метки путем механической шлифовки.
Известно техническое решение, рассмотренное в патенте US 7348887 В1 [6], где описана практика реального введения в структуру микросхемы второго кристалла с радиочастотной меткой (RFID). Такая метка может быть и частью топологии рабочего кристалла, так как технология ее (RFID) изготовления, как правило, совместима с КМОП процессом. Недостатком данного технического решения является внесение избыточности в полупроводниковый прибор, повышение сложности изготовления полупроводникового прибора с таким кристаллом и стоимости его изготовления.
Наиболее близким к заявленному техническому решению является техническое решение, рассмотренное в патенте RU №111716 [8], где описан полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности, у которого в состав краски маркировки корпуса вводилась поликристаллическая добавка, а подлинность полупроводникового прибора определялась по спектру рентгеновской дифракции этой поликристаллической добавки. Техническим результатом внедрения поликристаллической добавки являлось определение принадлежности полупроводникового прибора, подвергающегося исследованию методами рентгеновской дифракции к группам полупроводниковых приборов, содержащих или не содержащих поликристаллическую добавку. Кроме того, такая маркировка является скрытой и может быть определена только качественным анализом экспертными методами на специальном оборудовании.
Недостатком данного технического решения является крайне малая информационная емкость такой поликристаллической метки, составляющая 1 бит на один тип поликристаллической добавки.
Задачей, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, является устранение недостатков прототипа, а именно, увеличение информационной емкости метки.
Данная задача решается за счет того, что заявленный
полупроводниковый прибор, включающий корпус с кристаллом интегральной схемы имеет в составе краски маркировки корпуса добавку (наполнитель) из смеси по меньшей мере двух различных поликристаллических порошков, а подлинность полупроводникового прибора определяется качественным и количественным рентгенофазовым анализом смеси поликристаллических порошков с информационной емкостью равной количеству всевозможных комбинаций концентраций, различаемых при анализе рентгеновской дифрактограммы поликристаллических порошков, входящих в состав смеси, рентгеновская дифрактограмма которой является идентификатором полупроводникового прибора.
Соотношения амплитуд дифракционных пиков смеси поликристаллических порошков зависят от процентного соотношения порошков в смеси. Переход от качественного к количественному рентгенофазовому анализу дает возможность закодировать в поликристаллической смеси число, равное количеству вариантов соотношений порошков. Таким образом, информационная емкость смеси составит:
Figure 00000001
где n - количество порошков,
Figure 00000002
, где
Figure 00000003
- порог чувствительности метода, минимальная доля изменения соотношения порошка в смеси, детектируемая при анализе рентгеновской дифрактограммы смеси поликристаллических порошков.
Исходя из заявленных характеристик современных порошковых рентгеновских дифрактометров, порог их чувствительности составляет менее 1%, таким образом, информативность смеси из двух порошков составит более 6,6 бит, из трех - более 12,3 бита (т.е. 6-и и 12-и разрядная метка).
Также возможным увеличением информативности поликристаллических меток могут стать биты качественного анализа порошков, например, если иметь закодированный набор порошков для маркировки, то сам выбор порошков может считаться дополнительной частью кода метки. В таком случае информативность метки дополнительно увеличится на:
Iнабора=log2N,
где N - количество порошков в наборе, из которого выбираются порошки для маркировки.
Таким образом, общую информативность метки составит сумма:
Iметки = Iнабора+Iсмеси.
При этом, добавка (наполнитель) из смеси поликристаллических порошков в составе краски, которой маркирован корпус полупроводникового прибора, проходящего идентификацию будет иметь уникальный характер, что позволит производить идентификацию подлинности полупроводникового прибора, содержащего добавку (наполнитель) из смеси поликристаллических порошков в составе краски, которой маркирован корпус полупроводникового прибора методами рентгеновской дифракции или электронографии как при полном цикле производства полупроводникового прибора, так и при контрактном производстве кристаллов, с последующим корпусированием на территории заказчика. Так же и после приобретения конечным пользователем готового (корпусированого) полупроводникового прибора он может маркировать его краской, содержащей добавку (наполнитель) из определенной смеси поликристаллических порошков для последующей идентификации.
Техническим результатом, обеспечиваемым приведенной совокупностью признаков, является устранение недостатков прототипа, а именно - гибкая система маркировки за счет информационной емкости метки из смеси поликристаллических порошков, которая дает возможность (позволяет) хранить полезную количественную (расширенную идентификационную) информацию и маркировать значительно большее количество полупроводниковых приборов, чем прототип метки из одного поликристаллического порошка с сохранением всех преимуществ поликристаллических меток. Достигаемый технический эффект применим также к любым изделиям (товарам), на которые может наноситься маркировка с использованием красителей.
Сущность полезной модели поясняется чертежами, на которых изображено:
На фиг. 1 - Рентгенограмма образца с наполнителем из смеси алмазного порошка 14/10 и оксида алюминия (корунда) в концентрации Al2O3=50%, C=50%
На фиг. 2 - Рентгенограмма образца с наполнителем из смеси алмазного порошка 14/10 и оксида алюминия (корунда) в концентрации Al2O3=74%, C=26%.
На фиг. 3 - Рентгенограмма образца с наполнителем из смеси алмазного порошка 14/10 и оксида алюминия (корунда) в концентрации Al2O3=25%, C=75%.
Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности состоит из корпуса (металлокерамический, пластмассовый), внутри которого располагается кристалл, подлежащий проверке на подлинность. В материал краски, которой маркирован корпус, введена поликристаллическая добавка (наполнитель) из смеси по меньшей мере двух поликристаллических порошков, которая при рентгенографической дифракции или электронографии дает уникальный спектр, с определенной картиной дифракционных пиков, соответствующий только этой смеси поликристаллических порошков (фиг. 1, 2, 3). При этом смесь из поликристаллических порошков предварительно должна быть равномерно перемешана, желательно, чтобы частицы порошков были одного размера, также для качества рентгенофазового анализа важно подбирать комбинацию порошков таким образом, чтобы пики разных фаз можно было легко разрешить. Поэтому целесообразно использовать в смеси поликристаллические порошки, имеющие как можно меньше дифракционных пиков. Этому условию удовлетворяют такие поликристаллические порошки как алмазный порошок, кремний, графит.
Работает прибор следующим образом. При проверке полупроводникового прибора на подлинность с помощью, например, рентгеновского дифрактометра, происходит получение рентгеновского дифракционного спектра (дифрактограммы), при сравнении этого спектра с исходным по уникальной картине пиков дифракционного отражения происходит проверка подлинности. При отсутствии добавки в краске, которой маркирован корпус, характерная картина пиков отсутствует. Таким образом, делается вывод о принадлежности полупроводникового прибора с поликристаллической добавкой (наполнителем) в составе маркирующей краски к подлинным полупроводниковым приборам. Происходит идентификация полупроводникового прибора, определение его принадлежности к группе подлинников.
ИСТОЧНИКИ ИНФОРМАЦИИ
1. Шляхов, А.Р., Давудов, Ф.Э., Сущность криминалистических экспертиз материалов, веществ и изделий из них (КЭМВИ) // Правоведение. - 1983. - №6.
2. Хрусталев В.Н., Митричев B.C., Основы криминалистического исследования материалов, веществ и изделий из них. Изд. «Питер». - 2003.
3. Понькин Н.А., Что в имени твоем, масс-спектрометрия? сайт Всероссийского масс-спектрометрического общества (URL: http://www.vmso.ru/datadocs/Ponkin.pdf).
4. Laser mark on 1С component. Патент US №7622806, МПК H01L 23/48, опубликован 19.04.2007.
5. Method of marking semiconductor chips and markable semiconductor chip.Патент US №4947114, МПК G01R 31/00, опубликован 24.05.1982.
6. RFIDS embedded into semiconductors. Патент US №7348887, МПК G08B 13/14, опубликован 15.06.2005.
7. Method and device for 1С identification. Патент US №2004/0230925, МПК G06F 17/50, опубликован 13.05.2003.
8. Горбась A.B., Кутырева Т.А. Семенов А.В., Трушина В.Д., Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности // Патент RU №111716, МПК H01L 21/70, зарегистрирован 20.12.2011.

Claims (3)

1. Полупроводниковый прибор, включающий корпус с кристаллом интегральной схемы, имеет в составе краски маркировки корпуса добавку (наполнитель) из смеси по меньшей мере двух различных поликристаллических порошков.
2. Полупроводниковый прибор по п. 1, в котором в качестве одного из поликристаллических порошков состава смеси поликристаллических порошков используется порошок, характеризующийся одним преобладающим пиком в рентгеновской дифрактограмме.
3. Полупроводниковый прибор по п. 2, в котором в качестве одного из поликристаллических порошков состава смеси поликристаллических порошков используется алмазный порошок.
RU2017131147U 2017-09-04 2017-09-04 Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности RU179925U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017131147U RU179925U1 (ru) 2017-09-04 2017-09-04 Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017131147U RU179925U1 (ru) 2017-09-04 2017-09-04 Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU179925U1 true RU179925U1 (ru) 2018-05-29

Family

ID=62560945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017131147U RU179925U1 (ru) 2017-09-04 2017-09-04 Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU179925U1 (ru)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1532022A (en) * 1975-08-06 1978-11-15 Us Energy Method for tagging explosive material
US6274381B1 (en) * 1998-11-09 2001-08-14 Rohm And Haas Company Method for invisibly tagging petroleum products using visible dyes
RU2222829C2 (ru) * 1997-12-29 2004-01-27 Сикпа Холдинг С.А. Использование неорганических частиц и способ маркировки и идентификации субстрата или изделия
RU2007107604A (ru) * 2004-07-30 2008-09-10 Аржовижженс Секьюрити (Fr) Оптический диск для идентификационного элемента
RU2379757C1 (ru) * 2008-05-13 2010-01-20 Общество с ограниченной ответственностью "Флексокод" Способ защиты от подделки и контроля подлинности изделий
RU111716U1 (ru) * 2011-06-01 2011-12-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1532022A (en) * 1975-08-06 1978-11-15 Us Energy Method for tagging explosive material
RU2222829C2 (ru) * 1997-12-29 2004-01-27 Сикпа Холдинг С.А. Использование неорганических частиц и способ маркировки и идентификации субстрата или изделия
US6274381B1 (en) * 1998-11-09 2001-08-14 Rohm And Haas Company Method for invisibly tagging petroleum products using visible dyes
RU2007107604A (ru) * 2004-07-30 2008-09-10 Аржовижженс Секьюрити (Fr) Оптический диск для идентификационного элемента
RU2379757C1 (ru) * 2008-05-13 2010-01-20 Общество с ограниченной ответственностью "Флексокод" Способ защиты от подделки и контроля подлинности изделий
RU111716U1 (ru) * 2011-06-01 2011-12-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU111716U1 (ru) Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности
EP0372755B1 (en) Method of distinguishing among strips for different assays in an automated instrument
Aubert et al. Palaeolithic cave art in Borneo
Jing et al. The dependence of dark halo clustering on formation epoch and concentration parameter
Brosseau et al. Revealing the invisible: using surface‐enhanced Raman spectroscopy to identify minute remnants of color in Winslow Homer's colorless skies
Centeno Identification of artistic materials in paintings and drawings by Raman spectroscopy: some challenges and future outlook
Matta et al. Otolith oxygen isotopes measured by high‐precision secondary ion mass spectrometry reflect life history of a yellowfin sole (Limanda aspera)
Tucci et al. The impact of polarized extragalactic radio sources on the detection of CMB anisotropies in polarization
Durán et al. Forgery detection on an Arabic illuminated manuscript by micro‐Raman and X‐ray fluorescence spectroscopy
Misra et al. Determination of B/Ca of natural carbonates by HR‐ICP‐MS
CN109975253B (zh) 荧光指示剂组合、荧光阵列传感器、其制备方法与应用
CN106596888A (zh) 采用终端机和手机的网络水质检测系统
Nickel et al. Identification of forgeries by measuring tin isotopes in corroded bronze objects
RU180037U1 (ru) Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности в материале корпуса
PL220030B1 (pl) Kompozycja nanomarkera oraz jej zastosowanie
RU179925U1 (ru) Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности
Gamper et al. New even-parity fine structure levels of the Lanthanum atom discovered by means of optogalvanic spectroscopy
Čermáková et al. Naturally irradiated fluorite as a historic violet pigment: Raman spectroscopic and X‐ray diffraction study
de La Codre et al. The use of XRF imaging for the chemical discrimination of iron‐gall ink inscriptions: A case study in Stradivari's workshop
Tikhomirova et al. The calculation of ESR spectrum of Mn2+ ions in polycrystalline samples
RU111717U1 (ru) Полупроводниковый прибор с системой контроля подлинности в материале корпуса
US20100089804A1 (en) Method for identifying a substance or object using a plurality of excitation vectors
Colini et al. A new standard protocol for identification of writing media
Teklu et al. Noisy quantum phase communication channels
Armstrong Determination of chemical valence state by X-ray emission analysis using electron beam instruments: Pitfalls and promises

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20190905