RU1788564C - Shf generator - Google Patents
Shf generatorInfo
- Publication number
- RU1788564C RU1788564C SU904848585A SU4848585A RU1788564C RU 1788564 C RU1788564 C RU 1788564C SU 904848585 A SU904848585 A SU 904848585A SU 4848585 A SU4848585 A SU 4848585A RU 1788564 C RU1788564 C RU 1788564C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dielectric
- metal base
- transistor
- strip
- dielectric resonator
- Prior art date
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Использование: изобретение относитс к радиотехнике, а точнее к генераторам СВЧ, и предназначено дл создани автогенераторов малого и среднего уровн мощности и коротковолновой части СВЧ-дйапазона, обладающих электрической перестройкой частоты. Сущность изобретени : генератор содержит металлическое основание 1, на которое установлены транзистор 2 и вэракторный диод и диэлектрическа подложка 4, на лицевой поверхности которой размещены первый полосковый отрезок 5,первый конец которого подключен к входному электроду транзистора 2, а второй конец вл етс выходом генератора, третий полосковый отрезок 7, первый конец которого подключен к варакторному диоду, и диэлектрический резонатор 8. В диэлектрической подложке 4 выполнено отверстие, первый и третий по- лосковые отрезки 5 и 7 размещены вдоль его кромки, а в металлическом основании 1 в области под отверстием и первым и третьим отрезками 5 и 7 выполнена пр моугольна выемка 10 с плоским дном, на котором на введенной диэлектрической пластине 11 установлен диэлектрический резонатор 8, причем размеры выемки 10 и толщина диэлектрической пластины 11 выбраны в соответствии с приведенными рекомендаци ми. 1 з.п.ф-лы, 2 ил. (Л СUsage: the invention relates to radio engineering, and more specifically to microwave generators, and is intended to create self-oscillators of small and medium power level and short-wave part of the microwave range, with electric frequency tuning. SUMMARY OF THE INVENTION: the generator comprises a metal base 1 on which a transistor 2 and a vector diode and a dielectric substrate 4 are mounted, on the front surface of which there is a first strip segment 5, the first end of which is connected to the input electrode of transistor 2, and the second end is the output of the generator. a third strip segment 7, the first end of which is connected to a varactor diode, and a dielectric resonator 8. A hole is made in the dielectric substrate 4, the first and third strip segments 5 and 7 are placed along its edge, and in the metal base 1, in the area under the hole and the first and third segments 5 and 7, a rectangular recess 10 with a flat bottom is made on which a dielectric resonator 8 is mounted on the inserted dielectric plate 11, the dimensions of the recess 10 and the thickness dielectric plate 11 is selected in accordance with the above recommendations. 1 C.p. f-ls, 2 ill. (L C
Description
VV
v4 00 00 СЛ Оv4 00 00 CL ON
Изобретение относитс к радиотехнике и предназначено дл создани автогенераторов малого и среднего уровн мощности в коротковолновой части СВЧ диапазона, обладающих электрической перестройкой частоты и предназначенных дл использовани в РЭА различного функционального назначени .The invention relates to radio engineering and is intended for the creation of low and medium power level oscillators in the short-wave part of the microwave range, which are electrically tuned for frequency and intended for use in REA for various functional purposes.
Целью предлагаемого изобретени вл етс повышение рабочей частоты.The aim of the invention is to increase the operating frequency.
На фиг. 1 представлен генератор СВЧ; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.In FIG. 1 shows a microwave generator; in FIG. 2 is a section AA in FIG. 1.
Генератор СВЧ содержит металлическое основание 1, на котором установлены транзистор 2 и варакторный диод 3 и диэлектрическа подложка 4, на лицевой стороне которой размещены первый полосковый отрезок 5, первый конец которого подключен к входному электроду транзистора 2, второй полосковый отрезок 6, первый конец которого подключен к выходному электроду транзистора 2, а второй конец - вл етс выходом генератора, третий полосковый отрезок 7, первый конец которого подключен ко второму электроду варакторного диода 3, диэлектрический резонатор 8, отверстие 9 в диэлектрической подложке 4, пр моугольна выемка 10 с плоским дном в металлическом основании 1, на котором на диэлектрической пластине 11 установлен диэлектрический резонатор 8.The microwave generator contains a metal base 1 on which a transistor 2 and a varactor diode 3 and a dielectric substrate 4 are mounted, on the front side of which there is a first strip segment 5, the first end of which is connected to the input electrode of the transistor 2, a second strip segment 6, the first end of which is connected to the output electrode of transistor 2, and the second end is the output of the generator, the third strip segment 7, the first end of which is connected to the second electrode of the varactor diode 3, a dielectric resonator 8, an opening 9 in the dielectric substrate 4, a rectangular recess 10 with a flat bottom in the metal base 1, on which a dielectric resonator 8 is mounted on the dielectric plate 11.
Генератор СВЧ работает следующим образом.. The microwave generator operates as follows ..
При подаче питани на транзистор 2 в нем возникают электромагнитные колебани , контролируемые резонансной частотой диэлектрического резонатора 9, электромагнитно св занного с первым полосковым отрезком 5. При этом реализуетс автогенератор с последовательной обратной св зью. Резонансна частота диэлектрического резонатора 8 электрически перестраиваетс варакторным диодом 3 через третий полосковый отрезок 7. Выполнение в диэлектрической подложке 4 отверсти 9, размещение первого и третьего отрезков 5 и 7 вдоль его кромки, выполнение пр моугольной выемки 10 с плоским дном в металлическом основании 1 под отверстием в первой диэлектрической подложке 4 и первым и третьим отрезками 5 и 7 обеспечивает сильную электромагнитную св зь диэлектрического резонатора 8 с транзистором 2 и варакторным диодом 3, так как диэлектрический резонатор 8 помещен в область сильных полей линий передачи, образованных первым и третьим отрезками 5 и 7, первой диэлектрической подложкой 4, воздушным зазором, определ емым пр моугольной выемкой 10 и ее плоским дном. Удаление диэлектрического резонатора 8 от металлического основани 1 за счет выемки 10 и диэлектрической пластины 11 дополнительно повышает указанную электромагнитнуюWhen power is applied to the transistor 2, electromagnetic oscillations occur in it, controlled by the resonant frequency of the dielectric resonator 9, electromagnetically coupled to the first strip segment 5. In this case, a self-oscillator with sequential feedback is realized. The resonant frequency of the dielectric resonator 8 is electrically tuned by a varactor diode 3 through the third strip section 7. Making holes 9 in the dielectric substrate 4, arranging the first and third segments 5 and 7 along its edge, making a rectangular notch 10 with a flat bottom in the metal base 1 under the hole in the first dielectric substrate 4 and the first and third segments 5 and 7 provides a strong electromagnetic coupling of the dielectric resonator 8 with the transistor 2 and the varactor diode 3, since the dielectric A tric resonator 8 is placed in the region of strong fields of the transmission lines formed by the first and third segments 5 and 7, the first dielectric substrate 4, the air gap defined by the rectangular recess 10 and its flat bottom. The removal of the dielectric resonator 8 from the metal base 1 due to the recess 10 and the dielectric plate 11 further increases the specified electromagnetic
св зь за счет увеличени эффективной добротности диэлектрического резонатора 8, Это обеспечивает достижение поставленной цели. . - .coupling by increasing the effective quality factor of the dielectric resonator 8. This ensures the achievement of the goal. . -.
Выбор размеров пр моугольной выемки 10 в металлическом основании 1 от одной до п ти толщин диэлектрической подложки 4 и пределов толщины диэлектрической пластины 11 от половины до четырех толщин диэлектрической подложки 4 установленThe choice of the dimensions of the rectangular recess 10 in the metal base 1 from one to five thicknesses of the dielectric substrate 4 and the thickness limits of the dielectric plate 11 from half to four thicknesses of the dielectric substrate 4 is set
экспериментально в соответствии с пределами диапазона наиболее эффективного регулировани величины электромагнитной св зи диэлектрического резонатора 8 с образованным типом линии передачи.experimentally in accordance with the limits of the range of the most effective regulation of the magnitude of the electromagnetic coupling of the dielectric resonator 8 with the formed transmission line type.
На основе предложени создан генератор СВЧ на базе транзистора ЗП-603 с рабочей частотой 13700 МГц, выходной мощностью 150 мВт и диапазоном электрической перестройки 0,5%, КПД 10%, что наBased on the proposal, a microwave generator was created on the basis of the ZP-603 transistor with an operating frequency of 13700 MHz, an output power of 150 mW and an electrical tuning range of 0.5%, an efficiency of 10%, which
2 ГГц выше, чем у прототипа, а выходна мощность при этом в 1,2-1,3 раза больше, диапазон электрической перестройки в 1,5- 2,5 раза. Перва и втора диэлектрические пластины - 0,5 мм, поликоровое углубление2 GHz is higher than that of the prototype, and the output power is 1.2-1.3 times larger, the range of electrical tuning is 1.5-2.5 times. The first and second dielectric plates - 0.5 mm, polycrust recess
- 2,5 мм.- 2.5 mm.
Использование предложени позвол ет качественно улучшить характеристики РЭА вследствие замены диодных СВЧ-генерато- ров на транзисторные. В сравнении с промышленно освоенным аналогом на диоде Ганна созданный транзисторный аналог имеет на пор док лучший КПД.The use of the proposal makes it possible to qualitatively improve the REA characteristics due to the replacement of diode microwave generators by transistor ones. In comparison with the industrially developed analog on the Gunn diode, the created transistor analog has by far the best efficiency.
4040
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904848585A RU1788564C (en) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | Shf generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904848585A RU1788564C (en) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | Shf generator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1788564C true RU1788564C (en) | 1993-01-15 |
Family
ID=21526099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904848585A RU1788564C (en) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | Shf generator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1788564C (en) |
-
1990
- 1990-07-05 RU SU904848585A patent/RU1788564C/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US Ms 4307352, кл. Н 03 В 5/18, 1981. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3913035A (en) | Negative resistance high-q-microwave oscillator | |
US3639857A (en) | Planar-type resonator circuit | |
Wu et al. | A C-band tunable oscillator based on complementary coupled resonator using substrate integrated waveguide cavity | |
KR20010049186A (en) | Orthogonally mounted substrate based resonator | |
KR970019144A (en) | DIELECTRIC RESONATOR CAPABLE OF VARYING RESONANT FREQUENCY | |
US6580331B2 (en) | Voltage controlled oscillator for oscillating signals with high C/N ratio | |
EP0090414B1 (en) | Transistorized microwave oscillator of oscillation frequency multiplying type | |
RU1788564C (en) | Shf generator | |
US4814729A (en) | Precisely tunable impatt diode module for weather radar apparatus | |
US4083016A (en) | Coupled-cavity microwave oscillator | |
US3919666A (en) | Solid state microwave cavity oscillator operating below cavity cutoff frequency | |
US3659222A (en) | High efficiency mode avalanche diode oscillator | |
US5262736A (en) | Compact voltage controlled microwave oscillator with dielectric resonator | |
CA1121006A (en) | Broadband frequency divider | |
EP0231391B1 (en) | Dielectric-resonator-controlled oscillator with frequency multiplication | |
KR100358983B1 (en) | NRD Guide FM Transmitter with FM Modulator in rear of Gunn Oscillator | |
CA1253222A (en) | Dielectrically stabilized gaas fet oscillator with two power output terminals | |
US4728909A (en) | Linearly frequency-modulated high-frequency oscillator with high external Q factor | |
US6545552B2 (en) | Local oscillator using non-radiative dielectric waveguide | |
US7049897B2 (en) | High frequency band oscillator | |
US3603896A (en) | Microwave printed circuit negative resistance oscillator | |
RU2239938C1 (en) | Microwave transistor oscillator | |
JPH07154141A (en) | Nrd guide oscillator | |
RU2727277C1 (en) | Transistor microwave generator with electronic frequency tuning | |
CA1144613A (en) | Waveguide device |