RU1788564C - Shf generator - Google Patents

Shf generator

Info

Publication number
RU1788564C
RU1788564C SU904848585A SU4848585A RU1788564C RU 1788564 C RU1788564 C RU 1788564C SU 904848585 A SU904848585 A SU 904848585A SU 4848585 A SU4848585 A SU 4848585A RU 1788564 C RU1788564 C RU 1788564C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
dielectric
metal base
transistor
strip
dielectric resonator
Prior art date
Application number
SU904848585A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Мушегович Геворкян
Дмитрий Александрович Ковтунов
Original Assignee
Научно-производственное объединение "Исток"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-производственное объединение "Исток" filed Critical Научно-производственное объединение "Исток"
Priority to SU904848585A priority Critical patent/RU1788564C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1788564C publication Critical patent/RU1788564C/en

Links

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относитс  к радиотехнике, а точнее к генераторам СВЧ, и предназначено дл  создани  автогенераторов малого и среднего уровн  мощности и коротковолновой части СВЧ-дйапазона, обладающих электрической перестройкой частоты. Сущность изобретени : генератор содержит металлическое основание 1, на которое установлены транзистор 2 и вэракторный диод и диэлектрическа  подложка 4, на лицевой поверхности которой размещены первый полосковый отрезок 5,первый конец которого подключен к входному электроду транзистора 2, а второй конец  вл етс  выходом генератора, третий полосковый отрезок 7, первый конец которого подключен к варакторному диоду, и диэлектрический резонатор 8. В диэлектрической подложке 4 выполнено отверстие, первый и третий по- лосковые отрезки 5 и 7 размещены вдоль его кромки, а в металлическом основании 1 в области под отверстием и первым и третьим отрезками 5 и 7 выполнена пр моугольна  выемка 10 с плоским дном, на котором на введенной диэлектрической пластине 11 установлен диэлектрический резонатор 8, причем размеры выемки 10 и толщина диэлектрической пластины 11 выбраны в соответствии с приведенными рекомендаци ми. 1 з.п.ф-лы, 2 ил. (Л СUsage: the invention relates to radio engineering, and more specifically to microwave generators, and is intended to create self-oscillators of small and medium power level and short-wave part of the microwave range, with electric frequency tuning. SUMMARY OF THE INVENTION: the generator comprises a metal base 1 on which a transistor 2 and a vector diode and a dielectric substrate 4 are mounted, on the front surface of which there is a first strip segment 5, the first end of which is connected to the input electrode of transistor 2, and the second end is the output of the generator. a third strip segment 7, the first end of which is connected to a varactor diode, and a dielectric resonator 8. A hole is made in the dielectric substrate 4, the first and third strip segments 5 and 7 are placed along its edge, and in the metal base 1, in the area under the hole and the first and third segments 5 and 7, a rectangular recess 10 with a flat bottom is made on which a dielectric resonator 8 is mounted on the inserted dielectric plate 11, the dimensions of the recess 10 and the thickness dielectric plate 11 is selected in accordance with the above recommendations. 1 C.p. f-ls, 2 ill. (L C

Description

VV

v4 00 00 СЛ Оv4 00 00 CL ON

Изобретение относитс  к радиотехнике и предназначено дл  создани  автогенераторов малого и среднего уровн  мощности в коротковолновой части СВЧ диапазона, обладающих электрической перестройкой частоты и предназначенных дл  использовани  в РЭА различного функционального назначени .The invention relates to radio engineering and is intended for the creation of low and medium power level oscillators in the short-wave part of the microwave range, which are electrically tuned for frequency and intended for use in REA for various functional purposes.

Целью предлагаемого изобретени   вл етс  повышение рабочей частоты.The aim of the invention is to increase the operating frequency.

На фиг. 1 представлен генератор СВЧ; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.In FIG. 1 shows a microwave generator; in FIG. 2 is a section AA in FIG. 1.

Генератор СВЧ содержит металлическое основание 1, на котором установлены транзистор 2 и варакторный диод 3 и диэлектрическа  подложка 4, на лицевой стороне которой размещены первый полосковый отрезок 5, первый конец которого подключен к входному электроду транзистора 2, второй полосковый отрезок 6, первый конец которого подключен к выходному электроду транзистора 2, а второй конец -  вл етс  выходом генератора, третий полосковый отрезок 7, первый конец которого подключен ко второму электроду варакторного диода 3, диэлектрический резонатор 8, отверстие 9 в диэлектрической подложке 4, пр моугольна  выемка 10 с плоским дном в металлическом основании 1, на котором на диэлектрической пластине 11 установлен диэлектрический резонатор 8.The microwave generator contains a metal base 1 on which a transistor 2 and a varactor diode 3 and a dielectric substrate 4 are mounted, on the front side of which there is a first strip segment 5, the first end of which is connected to the input electrode of the transistor 2, a second strip segment 6, the first end of which is connected to the output electrode of transistor 2, and the second end is the output of the generator, the third strip segment 7, the first end of which is connected to the second electrode of the varactor diode 3, a dielectric resonator 8, an opening 9 in the dielectric substrate 4, a rectangular recess 10 with a flat bottom in the metal base 1, on which a dielectric resonator 8 is mounted on the dielectric plate 11.

Генератор СВЧ работает следующим образом.. The microwave generator operates as follows ..

При подаче питани  на транзистор 2 в нем возникают электромагнитные колебани , контролируемые резонансной частотой диэлектрического резонатора 9, электромагнитно св занного с первым полосковым отрезком 5. При этом реализуетс  автогенератор с последовательной обратной св зью. Резонансна  частота диэлектрического резонатора 8 электрически перестраиваетс  варакторным диодом 3 через третий полосковый отрезок 7. Выполнение в диэлектрической подложке 4 отверсти  9, размещение первого и третьего отрезков 5 и 7 вдоль его кромки, выполнение пр моугольной выемки 10 с плоским дном в металлическом основании 1 под отверстием в первой диэлектрической подложке 4 и первым и третьим отрезками 5 и 7 обеспечивает сильную электромагнитную св зь диэлектрического резонатора 8 с транзистором 2 и варакторным диодом 3, так как диэлектрический резонатор 8 помещен в область сильных полей линий передачи, образованных первым и третьим отрезками 5 и 7, первой диэлектрической подложкой 4, воздушным зазором, определ емым пр моугольной выемкой 10 и ее плоским дном. Удаление диэлектрического резонатора 8 от металлического основани  1 за счет выемки 10 и диэлектрической пластины 11 дополнительно повышает указанную электромагнитнуюWhen power is applied to the transistor 2, electromagnetic oscillations occur in it, controlled by the resonant frequency of the dielectric resonator 9, electromagnetically coupled to the first strip segment 5. In this case, a self-oscillator with sequential feedback is realized. The resonant frequency of the dielectric resonator 8 is electrically tuned by a varactor diode 3 through the third strip section 7. Making holes 9 in the dielectric substrate 4, arranging the first and third segments 5 and 7 along its edge, making a rectangular notch 10 with a flat bottom in the metal base 1 under the hole in the first dielectric substrate 4 and the first and third segments 5 and 7 provides a strong electromagnetic coupling of the dielectric resonator 8 with the transistor 2 and the varactor diode 3, since the dielectric A tric resonator 8 is placed in the region of strong fields of the transmission lines formed by the first and third segments 5 and 7, the first dielectric substrate 4, the air gap defined by the rectangular recess 10 and its flat bottom. The removal of the dielectric resonator 8 from the metal base 1 due to the recess 10 and the dielectric plate 11 further increases the specified electromagnetic

св зь за счет увеличени  эффективной добротности диэлектрического резонатора 8, Это обеспечивает достижение поставленной цели. . - .coupling by increasing the effective quality factor of the dielectric resonator 8. This ensures the achievement of the goal. . -.

Выбор размеров пр моугольной выемки 10 в металлическом основании 1 от одной до п ти толщин диэлектрической подложки 4 и пределов толщины диэлектрической пластины 11 от половины до четырех толщин диэлектрической подложки 4 установленThe choice of the dimensions of the rectangular recess 10 in the metal base 1 from one to five thicknesses of the dielectric substrate 4 and the thickness limits of the dielectric plate 11 from half to four thicknesses of the dielectric substrate 4 is set

экспериментально в соответствии с пределами диапазона наиболее эффективного регулировани  величины электромагнитной св зи диэлектрического резонатора 8 с образованным типом линии передачи.experimentally in accordance with the limits of the range of the most effective regulation of the magnitude of the electromagnetic coupling of the dielectric resonator 8 with the formed transmission line type.

На основе предложени  создан генератор СВЧ на базе транзистора ЗП-603 с рабочей частотой 13700 МГц, выходной мощностью 150 мВт и диапазоном электрической перестройки 0,5%, КПД 10%, что наBased on the proposal, a microwave generator was created on the basis of the ZP-603 transistor with an operating frequency of 13700 MHz, an output power of 150 mW and an electrical tuning range of 0.5%, an efficiency of 10%, which

2 ГГц выше, чем у прототипа, а выходна  мощность при этом в 1,2-1,3 раза больше, диапазон электрической перестройки в 1,5- 2,5 раза. Перва  и втора  диэлектрические пластины - 0,5 мм, поликоровое углубление2 GHz is higher than that of the prototype, and the output power is 1.2-1.3 times larger, the range of electrical tuning is 1.5-2.5 times. The first and second dielectric plates - 0.5 mm, polycrust recess

- 2,5 мм.- 2.5 mm.

Использование предложени  позвол ет качественно улучшить характеристики РЭА вследствие замены диодных СВЧ-генерато- ров на транзисторные. В сравнении с промышленно освоенным аналогом на диоде Ганна созданный транзисторный аналог имеет на пор док лучший КПД.The use of the proposal makes it possible to qualitatively improve the REA characteristics due to the replacement of diode microwave generators by transistor ones. In comparison with the industrially developed analog on the Gunn diode, the created transistor analog has by far the best efficiency.

4040

Claims (2)

1. Генератор СВЧ, содержащий металлическое основание, на котором установлены транзистор, диэлектрическа  подложка с размещенными на ее лицевой стороне пер5 вым и вторым полосковыми отрезками, подключенными к входному и выходному электродам транзистора соответственно, и диэлектрический резонатор, размещенный в пр моугольном отверстии, выполненном в1. A microwave generator containing a metal base on which a transistor is mounted, a dielectric substrate with first and second strip segments placed on its front side connected to the input and output electrodes of the transistor, respectively, and a dielectric resonator located in a rectangular hole made in 0 металлическом основании, при этом второй полосковый отрезок расположен вдоль одной кромки пр моугольного отверсти , отличающийс  тем, что, с целью повышени  рабочей частоты и выходной мощности, в0 metal base, while the second strip segment is located along one edge of the rectangular hole, characterized in that, in order to increase the operating frequency and output power, 5 металлическом основании в области расположени  диэлектрического резонатора выполнена пр моугольна  выемка, между плоским дном которой и дном диэлектрического резонатора установлена введенна  диэлектрическа  пластина, при этом поперечный размер пр моугольной выемки больше суммы поперечного размера пр моугольного отверсти  и ширины второго поло- скового проводника, ее глуЬина Н и толщина h диэлектрической пластины выбраны из услови 5, a metal base in the region where the dielectric resonator is located has a rectangular recess, an inserted dielectric plate is inserted between the flat bottom of which and the bottom of the dielectric resonator, while the transverse dimension of the rectangular recess is greater than the sum of the transverse size of the rectangular hole and the width of the second strip conductor, its depth H and the thickness h of the dielectric plate are selected from the condition H(1-5)d,H (1-5) d, h (1 /2-4)d. где d - толщина диэлектрической подложки.h (1 / 2-4) d. where d is the thickness of the dielectric substrate. 2. Генератор по п. 1,отличающий- с   тем, что, с целью обеспечени  широкого диапазона электрической перестройки частоты , введены варакторный диод и подключенный к нему третий полосковый отрезок, который расположен вдоль другой кромки пр моугольного отверсти , а поперечный размер пр моугольной выемки увеличен на ширину третьего полоскового отрезка.2. The generator according to claim 1, characterized in that, in order to provide a wide range of electrical frequency tuning, a varactor diode and a third strip segment connected to it are introduced, which is located along the other edge of the rectangular hole, and the transverse dimension of the rectangular recess increased by the width of the third strip segment.   Ц 9 78Ts 9 78 ° I . / /° I. ///
SU904848585A 1990-07-05 1990-07-05 Shf generator RU1788564C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904848585A RU1788564C (en) 1990-07-05 1990-07-05 Shf generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU904848585A RU1788564C (en) 1990-07-05 1990-07-05 Shf generator

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1788564C true RU1788564C (en) 1993-01-15

Family

ID=21526099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904848585A RU1788564C (en) 1990-07-05 1990-07-05 Shf generator

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1788564C (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент US Ms 4307352, кл. Н 03 В 5/18, 1981. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3913035A (en) Negative resistance high-q-microwave oscillator
US3639857A (en) Planar-type resonator circuit
Wu et al. A C-band tunable oscillator based on complementary coupled resonator using substrate integrated waveguide cavity
KR20010049186A (en) Orthogonally mounted substrate based resonator
KR970019144A (en) DIELECTRIC RESONATOR CAPABLE OF VARYING RESONANT FREQUENCY
US6580331B2 (en) Voltage controlled oscillator for oscillating signals with high C/N ratio
EP0090414B1 (en) Transistorized microwave oscillator of oscillation frequency multiplying type
RU1788564C (en) Shf generator
US4814729A (en) Precisely tunable impatt diode module for weather radar apparatus
US4083016A (en) Coupled-cavity microwave oscillator
US3919666A (en) Solid state microwave cavity oscillator operating below cavity cutoff frequency
US3659222A (en) High efficiency mode avalanche diode oscillator
US5262736A (en) Compact voltage controlled microwave oscillator with dielectric resonator
CA1121006A (en) Broadband frequency divider
EP0231391B1 (en) Dielectric-resonator-controlled oscillator with frequency multiplication
KR100358983B1 (en) NRD Guide FM Transmitter with FM Modulator in rear of Gunn Oscillator
CA1253222A (en) Dielectrically stabilized gaas fet oscillator with two power output terminals
US4728909A (en) Linearly frequency-modulated high-frequency oscillator with high external Q factor
US6545552B2 (en) Local oscillator using non-radiative dielectric waveguide
US7049897B2 (en) High frequency band oscillator
US3603896A (en) Microwave printed circuit negative resistance oscillator
RU2239938C1 (en) Microwave transistor oscillator
JPH07154141A (en) Nrd guide oscillator
RU2727277C1 (en) Transistor microwave generator with electronic frequency tuning
CA1144613A (en) Waveguide device