RU178364U1 - Детектор амплитудно-модулированных сигналов - Google Patents

Детектор амплитудно-модулированных сигналов Download PDF

Info

Publication number
RU178364U1
RU178364U1 RU2017129200U RU2017129200U RU178364U1 RU 178364 U1 RU178364 U1 RU 178364U1 RU 2017129200 U RU2017129200 U RU 2017129200U RU 2017129200 U RU2017129200 U RU 2017129200U RU 178364 U1 RU178364 U1 RU 178364U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
resistor
terminal
amplitude
transistor
capacitor
Prior art date
Application number
RU2017129200U
Other languages
English (en)
Inventor
Петр Андреевич Землянухин
Original Assignee
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) filed Critical федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет)
Priority to RU2017129200U priority Critical patent/RU178364U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU178364U1 publication Critical patent/RU178364U1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D1/00—Demodulation of amplitude-modulated oscillations
    • H03D1/14—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles
    • H03D1/18—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles of semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G7/00—Volume compression or expansion in amplifiers
    • H03G7/06—Volume compression or expansion in amplifiers having semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00—Modulated-carrier systems
    • H04L27/02—Amplitude-modulated carrier systems, e.g. using on-off keying; Single sideband or vestigial sideband modulation
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/14—Picture signal circuitry for video frequency region
    • H04N5/20—Circuitry for controlling amplitude response
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/14—Picture signal circuitry for video frequency region
    • H04N5/20—Circuitry for controlling amplitude response
    • H04N5/205—Circuitry for controlling amplitude response for correcting amplitude versus frequency characteristic
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N7/00—Television systems
    • H04N7/16—Analogue secrecy systems; Analogue subscription systems
    • H04N7/167—Systems rendering the television signal unintelligible and subsequently intelligible
    • H04N7/171—Systems operating in the amplitude domain of the television signal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplitude Modulation (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к технике формирования радиосигналов и может быть использована в радиоприемных устройствах, радиолокации, системах защищенной связи и т.п. Технический результат полезной модели заключается в повышении достоверности преобразования амплитудно-модулированного сигнала при выделении как непрерывных, так и дискретных видеосигналов в ходе детектирования. Это достигается тем, что в детектор амплитудно-модулированных сигналов дополнительно введены первый, четвертый и пятый резисторы, при этом сигнал от входа детектора к его выходу не проходит через транзистор, а проходит через линейные элементы: первый, второй и пятый резисторы и конденсатор.

Description

Предполагаемая полезная модель относится к радиотехнике и может быть использована в радиоприемных устройствах, системах электрической связи и т.п.
Известно устройство детектора амплитудно-модулированных сигналов (Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы / учебник для вузов. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 2000. - С. 297). В этом устройстве имеются диод, резистор и конденсатор. При этом катод диода соединен с первыми выводами резистора и конденсатора. Вторые выводы резистора и конденсатора соединены с общей шиной. Амплитудно-модулированный сигнал прикладывается между анодом диода и общей шиной. Выходной сигнал снимается с узла соединения катода диода и первых выводов резистора и конденсатора.
Признаками аналога, совпадающими с признаками заявляемого технического решения, является наличие резистора и конденсатора.
К недостаткам аналога можно отнести следующее. Вольт-амперная характеристика диода носит явно выраженный нелинейный характер. При работе диода в нелинейной области уровень нелинейных искажений может иметь существенную величину и достигать 25%.
Нелинейный характер вольт-амперной характеристики диода и высокий уровень нелинейных искажений и то, что амплитудно-модулированный сигнал от входа устройства к его выходу проходит через диод, приводит к снижению достоверности преобразования амплитудно-модулированного сигнала с целью выделения как непрерывных, так и дискретных видеосигналов.
Известно устройство амплитудного детектора (Авторское свидетельство 564707 SU, МПК H05D 1/18, Гуренко B.C., Вахрушев С.В., Аристархов Г.М., опубликивано 05.07.77, БИ №25). Амплитудный детектор имеет основной и стабилизирующий транзисторы n-p-n-типа, пять резисторов и конденсатор. Первые выводы первого и пятого резисторов соединены с шиной источника напряжения питания. Второй вывод первого резистора соединен с первым выводом второго роезистора и с базой стабилизирующего транзистора. Второй вывод второго резистора соединен с коллектором стабилизирующего транзистора и с первым выводом третьего резистора, второй вывод третьего резистора соединен с первым выводом четвертого резистора и базой основного транзистора. Этот узел соединения элементов является входом устройства. Второй вывод пятого резистора соединен с коллектором основного транзистора и первым выводом конденсатора. Этот узел соединения элементов является выходом устройства. Эмиттеры основного и стабилизирующего транзисторов, второй вывод четвертого резистора и второй вывод конденсатора соединены с общей шиной.
Признаками аналога, совпадающими с признаками заявляемого технического решения, являются биполярный транзистор n-p-n-типа, пять резисторов и конденсатор, где первый вывод четвертого резистора соединен с базой транзистора, второй вывод этого резистора и второй вывод конденсатора соединены с общей шиной. Первый вывод конденсатора соединен со вторым выводом пятого резистора
К недостаткам аналога необходимо отнести следующее. В амплитудном детекторе напряжение на коллекторе стабилизирующего транзистора выбирается таким образом, чтобы основной транзистор работал в режиме отсечки коллекторного тока в течение отрицательной полуволны входного амплитудно-модулированного сигнала. Режим отсечки коллекторного тока (ток коллектора транзистора стремится к нулю) транзистора достигается при напряжении база-эмиттер транзистора стремящемся к нулю вольт. В этом случае основной транзистор в устройстве работает на явно выраженном нелинейном участке проходной характеристики транзистора. В результате этого, из-за нелинейности проходной характеристики транзистора, растет уровень нелинейных искажений выходного сигнала, соответственно, форма сигнала на выходе детектора будет искажаться. Это приводит к тому, что достоверность преобразования амплитудно-модулированного сигнала при выделении как непрерывных, так и дискретных видеосигналов в ходе детектирования снижается из-за роста уровня нелинейных искажений.
Из известных технических решений наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является детектор амплитудно-модулированных сигналов (Авторское свидетельство 1596429 Al SU, МПК H03D 1/18, Кириллов А.А., опубликивано 30.09.90, БИ №36). В этом устройстве имеются биполярный транзистор n-p-n-типа, трансформатор, резистор смещения, блокировочный конденсатор, резистор нагрузки и сглаживающий конденсатор. В устройстве первый вывод первичной обмотки трансформатора соединен с коллектором транзистора. Этот узел соединения является входом устройства. Второй вывод первичной обмотки трансформатора соединен с общей шиной. Первый вывод вторичной обмотки трансформатора соединен с базой транзистора, а второй вывод этой обмотки соединен с первыми выводами резистора смещения и блокировочного конденсатора. К второму выводу резистора смещения прикладывается напряжение смещения. Второй вывод блокировочного конденсатора соединен с общей шиной. Первые выводы резистора нагрузки и сглаживающего конденсатора соединены с эмиттером транзистора. Этот узел соединения является выходом устройства. Вторые выводы резистора нагрузки и сглаживающего конденсатора соединены с общей шиной.
Признаками прототипа, совпадающими с признаками заявляемого технического решения, являются биполярный транзистор n-p-n-типа, два резистора и конденсатор, где первый вывод резистора нагрузки соединен с эмиттером транзистора, второй вывод сглаживающего конденсатора соединены с общей шиной.
Прототипу свойственны следующие недостатки.
Использование трансформатора с коэффициентом трансформации равным единице в цепях управления транзистора (база и коллектор транзистора), приводит тому, что при приложении ко входу устройства амплитудно-модулированного сигнала, на p-n-переходе коллектор-база транзистора мгновенное напряжения входного сигнала равно нулю. Это приводит к тому, что p-n-переход коллектор-база транзистора в детектировании амплитудно-модулированного сигнала не участвует. Детектирование осуществляется с помощью p-n-перехода база-эмиттер транзистора. Однако, в этом случае, относительно амплитудно-модулированного сигнала, p-n-переход база-эмиттер транзистора может рассматриваться как диод. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода база-эмиттер транзистора имеет явно выраженный нелинейный характер. Кроме этого амплитудно-модулированный сигнал при детектировании проходит через p-n-переход база-эмиттер транзистора, вольт-амперная характеристика которого имеет нелинейную зависимость. Это приводит к росту уровня нелинейных искажений выходного сигнала при малых амплитудах входного сигнала.
Таким образом, то, что спектральные составляющие амплитудно-модулированного сигнала проходят к выходу устройства через р-n-переход база-эмиттер транзистора, и нелинейный характер вольт-амперной характеристики p-n-перехода база-эмиттер транзистора, приводит к снижению достоверности преобразования амплитудно-модулированного сигнала при выделении как непрерывных, так и дискретных видеосигналов в ходе детектирования.
Задачей предлагаемого устройства является повышение достоверности преобразования амплитудно-модулированного сигнала при выделении как непрерывных, так и дискретных видеосигналов в ходе детектирования.
Технический результат достигается тем, что в детектор амплитудно-модулированных сигналов, содержащий биполярный транзистор n-р-n-типа, два резистора и конденсатор, где первый вывод второго резистора соединен с эмиттером транзистора, первый вывод третьего резистора соединен с шиной источника напряжения питания, второй вывод конденсатора соединен с общей шиной, введены первый, четвертый и пятый резисторы, причем коллектор биполярного транзистора соединен с шиной источника положительного напряжения питания, первый вывод первого резистора является входом устройства, второй вывод первого резистора соединен с первым выводом пятого резистора и узлом соединения эмиттера биполярного транзистора и первого вывода второго резистора, второй вывод второго резисторасоединен с шиной источника отрицательного напряжения питания, второй вывод третьего резистора и первый вывод четвертого резистора соединены с базой биполярного транзистора, второй вывод четвертого резистора соединен с общей шиной, второй вывод пятого резистора соединен с первым выводом конденсатора и является выходом устройства.
Анализ существенных признаков аналогов, прототипа и заявляемого технического решения выявил то, что в заявляемом техническом решении, биполярный транзистор n-p-n-типа включен по схеме с общей базой. Входной амплитудно-модулированный сигнал через первый резистор прикладывается к эмиттеру транзистора. На базе транзистора поддерживается постоянное напряжение. В этом случае транзистор выполняет роль ограничителя напряжения. При ограничении напряжения отрицательные полуволны амплитудно-модулированного сигнала отсекаются. К первому выводу пятого резистора, не проходя через транзистор, поступают только положительные полуволны амплитудно-модулированного сигнала, содержащие как высокочастотные, так и низкочастотные спектральные составляющие амплитудно-модулированного сигнала. Высокочастотные спектральные составляющие через конденсатор замкнутся на общую шину, а на выход устройства пройдут низкочастотные спектральные составляющие, обеспечивая формирование выходного видеосигнала. Таким образом, сигнал к выходу устройства проходит через линейные элементы: первый, второй и пятый резисторы и конденсатор. Прохождение сигналов через линейные электрические цепи исключает возникновение нелинейных искажений сигнала и соответственно исключает искажение выходного видеосигнала за счет присутствия нелинейных искажений. Это позволяет повысить достоверность преобразования амплитудно-модулированного сигнала при выделении как непрерывных, так и дискретных видеосигналов в ходе детектирования.
Доказательство наличия причинно-следственной связи между заявляемой совокупностью признаков и достигаемым техническим результатом приводится далее.
Сущность предлагаемого устройства поясняется чертежами.
На фиг. 1 представлена схема электрическая принципиальная детектора амплитудно-модулированных сигналов.
На фиг. 2 представлена форма амплитудно-модулированного сигнала (верхняя диаграмма) и видеосигнал на выходе детектора амплитудно-модулированных сигналов (нижняя диаграмма), когда модулирующий сигнал имеет одну спектральную составляющую, изменяющуюся по гармоническому закону.
На фиг. 3 представлена форма амплитудно-модулированного сигнала (верхняя диаграмма) и видеосигнал на выходе детектора амплитудно-модулированных сигналов (нижняя диаграмма), когда модулирующий сигнал имеет две спектральные составляющие, изменяющиеся по гармоническому закону.
Диаграммы, представленные на фиг. 2 - фиг. 3, получены моделированием детектора амплитудно-модулированных сигналов (фиг. 1) с использованием программы схемотехнического моделирования Micro-Cap 9.
Детектор амплитудно-модулированных сигналов (фиг. 1) содержит биполярный транзистор n-р-n-типа (2), первый резистор (1), второй резистор (3), третий резистор (4), четвертый резистор (5) и пятый резистор (6), конденсатор (7). Первый вывод первого резистора (1) служит входом (8) детектора, на который подается амплитудно-модулированный сигнал uвх(t). Второй вывод первого резистора (1), первый вывод второго резистора (3), первый вывод пятого резистора (6) и эмиттер транзистора (2) соединены между собой. Коллектор транзистора (2) и первый вывод третьего резистора (4) соединены с шиной источника положительного напряжения питания +Еп (9). Второй вывод третьего резистора (4), первый вывод четвертого резистора (5) и база транзистора (2) соединены между собой. Второй вывод пятого резистора (6) и первый вывод конденсатора (7) соединены между собой. Этот узел соединения является выходом (10) детектора. Второй вывод второго резистора (3) соединен с шиной источника отрицательного напряжения питания (12), второй вывод четвертого резистора (5) и второй вывод конденсатора (7) соединены с общей шиной (11).
Работает детектор амплитудно-модулированных сигналов (фиг. 1) следующим образом.
На постоянном токе на эмиттере биполярного транзистора n-р-n-типа (2) поддерживается потенциал близкий к нулю вольт:
Figure 00000001
где Еп - величина напряжения источника питания; R4 и RS - величины сопротивлений третьего (4) и четвертого (5) резисторов; V0 – напряжение, падающее на прямо смещенном p-n-переходе база-эмиттер транзистора (2).
При поступлении отрицательной полуволны амплитудно-модулированного сигнала на вход (8) детектора на эмиттере транзистора (2) потенциал будет поддерживаться близким к нулю вольт, поскольку транзистор (2) работает как ограничитель напряжения. При поступлении положительной полуволны амплитудно-модулированного сигнала на вход (8) детектора потенциал эмиттера транзистора (2) будет повышаться, переводя транзистор (2) в режим отсечки. В результате этого в узле соединения второго вывода первого резистора (1), первого вывода второго резистора (3), первого вывода пятого резистора (6) и эмиттера транзистора (2) сформируется поток положительных полуволн амплитудно-модулированного сигнала. Поток положительных полуволн амплитудно-модулированного сигнала представляет собой поток положительных полуволн высокочастотного несущего колебания амплитудно-модулированного сигнала. Низкочастотная составляющая представляет собой огибающую амплитудно-модулированного сигнала, определяя интенсивность каждой полуволны высокочастотного сигнала. Полное сопротивление конденсатора (7) зависит от частоты сигнала, который прикладывается к конденсатору (7), и емкости конденсатора
Figure 00000002
где ƒ - электрическая частота сигнала; С - емкость конденсатора.
При формировании амплитудно-модулированного сигнала несущее колебание выбирается с частотой на несколько порядков больше, чем верхняя частота модулирующего сигнала. Соответственно величина емкости конденсатора выбирается такой, чтобы полное сопротивление конденсатора относительно высокочастотного несущего колебания имело бы весьма малую величину. В этом случае полное сопротивление конденсатора относительно частоты изменения модулирующего сигнала будет иметь высокое сопротивление. Это приводит к тому, что высокочастотные составляющие несущего колебания будут подавляться, а на выходе детектора появится непрерывный или импульсный видеосигнал, характеризующие модулирующий сигнал.
В предлагаемой заявке на полезную модель детектора амплитудно-модулированных сигналов при детектировании амплитудно-модулированный сигнал не проходит к выходу устройства через транзистор, а проходит через линейные элементы: первый резистор (1), второй резистор (3), пятый резистор (6) и конденсатор (7). Поэтому видеосигнал, который появляется на выходе детектора, не подвергается нелинейным искажениям. Это позволяет повысить достоверность преобразования амплитудно-модулированного сигнала при выделении как непрерывных, так и дискретных видеосигналов на выходе устройства в ходе детектирования.
Таким образом, доказана практическая реализуемость заявляемого устройства детектора амплитудно-модулированных сигналов.

Claims (1)

  1. Детектор амплитудно-модулированных сигналов, содержащий биполярный транзистор n-p-n-типа, два резистора и конденсатор, где первый вывод второго резистора соединен с эмиттером транзистора, первый вывод третьего резистора соединен с шиной источника напряжения питания, второй вывод конденсатора соединен с общей шиной, отличающийся тем, что в него дополнительно введены первый, четвертый и пятый резисторы, причем коллектор биполярного транзистора соединен с шиной источника положительного напряжения питания, первый вывод первого резистора является входом устройства, второй вывод первого резистора соединен с первым выводом пятого резистора и узлом соединения эмиттера биполярного транзистора и первого вывода второго резистора, второй вывод третьего резистора и первый вывод четвертого резистора соединены с базой биполярного транзистора, второй вывод второго резистора соединен с шиной источника отрицательного напряжения питания, второй вывод четвертого резистора соединен с общей шиной, второй вывод пятого резистора соединен с первым выводом конденсатора и является выходом устройства.
RU2017129200U 2017-08-15 2017-08-15 Детектор амплитудно-модулированных сигналов RU178364U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017129200U RU178364U1 (ru) 2017-08-15 2017-08-15 Детектор амплитудно-модулированных сигналов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017129200U RU178364U1 (ru) 2017-08-15 2017-08-15 Детектор амплитудно-модулированных сигналов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU178364U1 true RU178364U1 (ru) 2018-03-30

Family

ID=61867819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017129200U RU178364U1 (ru) 2017-08-15 2017-08-15 Детектор амплитудно-модулированных сигналов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU178364U1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2814736C1 (ru) * 2023-05-25 2024-03-04 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" Оптоэлектронный детектор амплитудно-модулированных сигналов

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU564707A1 (ru) * 1976-03-24 1977-07-05 Войсковая Часть 44388-Р/1 Амплитудный детектор
US4342005A (en) * 1980-06-26 1982-07-27 Rca Corporation Television intermediate frequency amplifier with feedback stabilization
SU1596429A1 (ru) * 1988-09-05 1990-09-30 Предприятие П/Я М-5783 Детектор амплитудно-модулированных сигналов
US5491681A (en) * 1993-12-13 1996-02-13 I M P, Inc. Peak detector for amplitude modulated signals
RU2124276C1 (ru) * 1993-06-24 1998-12-27 Самсунг Электроникс Ко., Лтд Комбинация детектора и частотно-избирательного фильтра
RU2365923C1 (ru) * 2008-07-03 2009-08-27 Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Устройство для распознавания радиосигналов

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU564707A1 (ru) * 1976-03-24 1977-07-05 Войсковая Часть 44388-Р/1 Амплитудный детектор
US4342005A (en) * 1980-06-26 1982-07-27 Rca Corporation Television intermediate frequency amplifier with feedback stabilization
SU1596429A1 (ru) * 1988-09-05 1990-09-30 Предприятие П/Я М-5783 Детектор амплитудно-модулированных сигналов
RU2124276C1 (ru) * 1993-06-24 1998-12-27 Самсунг Электроникс Ко., Лтд Комбинация детектора и частотно-избирательного фильтра
US5491681A (en) * 1993-12-13 1996-02-13 I M P, Inc. Peak detector for amplitude modulated signals
RU2365923C1 (ru) * 2008-07-03 2009-08-27 Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Устройство для распознавания радиосигналов

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2814736C1 (ru) * 2023-05-25 2024-03-04 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва" Оптоэлектронный детектор амплитудно-модулированных сигналов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH053166B2 (ru)
US3649929A (en) Sinusoidal and square wave oscillator with automatic gain control
US3092779A (en) Circuits for converting electric signals logarithmically for detectors and the like
RU178364U1 (ru) Детектор амплитудно-модулированных сигналов
US2937342A (en) Phase modulation or detection circuit
US2873387A (en) Controllable transistor clipping circuit
US3109992A (en) Temperature-stabilized and distortionless diode detector
US3031624A (en) Transistor detector
US3163828A (en) Gain compressed amplifier
RU192802U1 (ru) Амплитудный модулятор
US3096492A (en) Carrier-suppressed modulator
US2980806A (en) Corrected diode
US2920189A (en) Semiconductor signal translating circuit
RU192630U1 (ru) Амплитудный модулятор
US4048571A (en) Frequency doubler
RU206024U1 (ru) Синхронный детектор
ES294962A3 (es) Mejoras introducidas en los circuitos electricos
US3961206A (en) Non linear network converting bipolar sawtooth signal into sinewave signal
US3068421A (en) Transistorized pulse modulation converter and demodulator
RU2783621C1 (ru) Модулятор амплитудно-модулированных сигналов
US2424830A (en) Frequency modulation
US2846652A (en) Transistor modulator
US3218575A (en) Constant amplitude pilot signal source
US3117288A (en) Constant amplitude oscillator
US4608544A (en) Oscillator circuit

Legal Events

Date Code Title Description
MM9K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20190816