RU1772839C - Electron ray tube-polytron - Google Patents
Electron ray tube-polytronInfo
- Publication number
- RU1772839C RU1772839C SU904845808A SU4845808A RU1772839C RU 1772839 C RU1772839 C RU 1772839C SU 904845808 A SU904845808 A SU 904845808A SU 4845808 A SU4845808 A SU 4845808A RU 1772839 C RU1772839 C RU 1772839C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plates
- polytron
- anode
- electron beam
- sensitivity
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Использование: в технике преобразовани электрических сигналов, в устройствах демодул ции и распознавани сигналов Сущность изобретени : в политроне дл повышени чувствительности к микроструктуре сигнала дополнительно введен селектирующий электрод-между развертывающими пластинами и функциональными пластинами в форме рамки, имеющий самосто тельный вывод.Usage: in the technique of converting electrical signals, in demodulation and signal recognition devices Summary of the invention: in the polytron, to increase the sensitivity to the microstructure of the signal, a selection electrode is additionally introduced — between the developing plates and the functional plates in the form of a frame having an independent output.
Description
Изобретение относитс к технике преобразовани электрических сигналов и может быть использовано в устройствах демодул ции и распознавани сигналов.The invention relates to techniques for converting electrical signals and can be used in signal demodulation and recognition devices.
Известны электронные устройства с переменной передаточной характеристикой, реализованные на полупроводниковых либо электровакуумных приборах 1, Однако характеристики этих устройств не обеспечивают чувствительности к микроструктуре электрических сигналов.Known electronic devices with variable transfer characteristic, implemented on semiconductor or electrovacuum devices 1, however, the characteristics of these devices do not provide sensitivity to the microstructure of electrical signals.
Чувствительность устройства к микроструктуре сигналов может быть обеспечена при измерении параметров вторичных электронов , образующихс при рассе нии электронного пучка на поверхности электрода, соединенного с источником сигнала (за вка Me 4403918/09 (051163) от 4.04.88, положительное решение от 31.07.89).The sensitivity of the device to the microstructure of the signals can be ensured by measuring the parameters of the secondary electrons generated by the scattering of an electron beam on the surface of the electrode connected to the signal source (application Me 4403918/09 (051163) from 04/04/88, positive decision from 07/31/89) .
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению вл етс устройство Политрон 2. В политроне электронный пучок, локализованный в телесном угле, охватывающем основанием, коллекторные пластины отклон етс электрическим полем рззйертв;вающих пластинThe closest in technical essence to the present invention is the device Polytron 2. In a polytron, an electron beam localized in a solid angle covering the base, the collector plates are deflected by the electric field of the openers
вдоль коллекторных пластин. Форма передаточной характеристики определ етс геометрией коллекторных пластин и потенциальным рельефом, создаваемым вдоль траектории отклонени пучка функциональными пластинами. Чувствительность политрона к микроструктуре сигнала возникает в момент рассе ни электронного пучка на поверхности одной из развертывающих пластин (за вка № 4403918/09 (051163) от 4.04.88). Дл обеспечени чувствительности к микроструктуре необходимо задавать на развертывающих пластинах политрона отрицательный потенциал, равный по величине 10% величины энергии электронов пучка в электронвольтах, Дополнительно повысить чувствительность на 2-3% можно, подава большой (до 200-ЗООВ) положительный потенциал на крайние функциональные пластины, что вызывав дополнительный отток электронов, эмитти рованных развертывающей пластиной, в направлении коллекторов. Однако существенна часть (40%) эмиттировэнных электронов все же попадает на часть второго анода, размещенную между электроннойalong the collector plates. The shape of the transfer characteristic is determined by the geometry of the collector plates and the potential relief created along the path of beam deflection by the functional plates. The sensitivity of the polytron to the signal microstructure arises at the moment of scattering of the electron beam on the surface of one of the scattering plates (application No. 4403918/09 (051163) of 04.04.88). To ensure sensitivity to the microstructure, it is necessary to set a negative potential on the polytron developing plates equal to 10% of the energy of the beam electrons in electron volts. You can additionally increase the sensitivity by 2-3% by applying a large (up to 200 ° C) positive potential to the extreme functional plates , which caused an additional outflow of electrons emitted by the scattering plate in the direction of the collectors. However, a significant part (40%) of the emitted electrons nevertheless falls on the part of the second anode located between the electron
с/ Сs / s
пушкой и развертывающими пластинами, имеющую положительный потенциал отчо- иигельно развертывающей пластины, что не дает значительно повысить чувствительность политрона к микроструктуре сигнала. Кроме того, подавать столь высокий потенциал на крайние функциональные пластины нежелательно, т. к. чувствительность политрона по отношению к потенциалам центральных функциональных пластин значительно падает.cannon and developing plates, which has a positive potential for an unwanted expanding plate, which does not significantly increase the sensitivity of the polytron to the signal microstructure. In addition, it is undesirable to apply such a high potential to the extreme functional plates, since the sensitivity of the polytron with respect to the potentials of the central functional plates significantly decreases.
Цель устройства - повышение чувствительности устройства к микроструктуре сигнала .The purpose of the device is to increase the sensitivity of the device to the signal microstructure.
Поставленна цель достигаетс тем, что в устройство - электронно лучевую лампу, содержащую катод косвенного накала, модул тор , ускор ющий электрод, первый анод и второй анод, формирующие электронный пучок, корректирующие пластины, развертывающие пластины, функциональные пластины, коллекторные пластины, размещенные внутри вакуумного баллона, поверхность которого изнутри покрыта ак- вадагом, соединенным со вторым анодом, дополнительно введен селектирующий электрод в пространстве между развертывающими пластинами и функциональными пластинами, выполненный в форме рамки, клемма которое вьшеденэ на поверхность баллонаThe goal is achieved in that the device is an electron beam lamp containing an indirect cathode, a modulator, an accelerating electrode, a first anode and a second anode forming an electron beam, correction plates, deployment plates, functional plates, collector plates placed inside a vacuum a cylinder whose surface is internally coated with an aquadag connected to the second anode, a selection electrode is additionally introduced in the space between the developing plates and the functional plates astinami, made in the form of a frame, a terminal that is embedded on the surface of the cylinder
Введение селектирующего электрода позвол ет сохранить чувствительность политропа г,о отношению к потенциалам всех функциональных пластин и обеспечить вдрое более высокую чувствительность по отношению к микроструктуре сигнала за счет оттока всех вторичных электронов от развертывающих пластин в направлении функциональных пластин. Отток вторичных олектронов обеспечиваетс при подаче на селектирующий зпектрод положительного потенциала относительно второго анода и развертывающих пластин.The introduction of a selection electrode makes it possible to preserve the sensitivity of the polytropus r, with respect to the potentials of all functional plates, and to provide twice as high sensitivity with respect to the signal microstructure due to the outflow of all secondary electrons from the developing plates in the direction of the functional plates. The outflow of secondary electrons is ensured when a positive potential is applied to the selective spectrode relative to the second anode and the development plates.
На чертеже схематически изображена электронно-лучева лампа - политрон.The drawing schematically shows an electron beam lamp - polytron.
Политрон содержит катод 1 косвенного накала, ускор ющий электрод 2. модул тор 3, первый анод 4, второй анод 5, корректирующие пластины 6, развертывающие пластины 7, коллекторные пластины 8 и 9, дес ть пар функциональных пластин 10 и 11- (на фиг. 1, с целью упрощени схемы, указаны только п ть пар функциональных пластин ), селектирующий электрод 12., баллон 13.The polytron contains an indirect glow cathode 1, an accelerating electrode 2. a modulator 3, a first anode 4, a second anode 5, correction plates 6, deployment plates 7, collector plates 8 and 9, ten pairs of functional plates 10 and 11- (in FIG. .1, in order to simplify the circuit, only five pairs of functional plates are indicated), selection electrode 12., balloon 13.
Политрон работает следующим образом . Катод 1 (косвенного накала) эмиттирует электроны, ускор емые -электростатическим полем ускор ющего электрода 2. Количество ускор емых электронов ограничиваетс полем модул тора 3. В поле первого анода 4 ускоренные электроны формируютс в пучок с нормальным распределениемPolytron works as follows. The cathode 1 (indirect glow) emits electrons accelerated by the-electrostatic field of the accelerating electrode 2. The number of accelerated electrons is limited by the field of modulator 3. In the field of the first anode 4, accelerated electrons are formed into a beam with a normal distribution
электронов по сечению. Электроды второго анода 5 ограничивают взаимовли ние полей первого анода 4, корректирующих пластин 6, развертывающих пластин 7, Электростатическое поле корректирующихelectrons in cross section. The electrodes of the second anode 5 limit the interaction of the fields of the first anode 4, the correction plates 6, the deployment plates 7, the electrostatic field
0 пластин 6 обеспечивает отклонение электронного пучка в направлении оси Y, поле развертывающих пластин 7 - в направлении оси X. Электронный пучок попадает на первую 8 и вторую 9 коллекторные пласти5 ны, инжекци электронов в которые задает (формирует) ток во внешних цеп х пластин. Количество электронов пучка, попадающих на коллекторные пластины 8 и 9, определ етс формой пучка и его отклонением по оси0 plates 6 provides the deflection of the electron beam in the direction of the Y axis, the field of the developing plates 7 - in the direction of the X axis. The electron beam hits the first 8 and second 9 collector plates5, the injection of electrons into which determines (forms) the current in the external circuits of the plates. The number of beam electrons incident on the collector plates 8 and 9 is determined by the shape of the beam and its deviation along the axis
0 Y. Отклонение по оси Y определ етс также потенциалами пары функциональных пластин 10 и 11, между которыми находитс пучок. Отклонение пучка в поле действи какой-либо пары функциональных пластин0 Y. Deviation along the Y axis is also determined by the potentials of a pair of functional plates 10 and 11, between which there is a beam. Beam deflection in the field of action of any pair of functional plates
5 задаетс разностью потенциалов развертывающих пластин 7-. Электроны рассеиваемые вне коллекторных пластин 8 и 9 и функциональных пластин 10 и 11 инжектируютс в аквадаг. При увеличении разности5 is defined by the potential difference of the deployment plates 7-. Electrons scattered outside the collector plates 8 and 9 and the functional plates 10 and 11 are injected into the aquadag. With increasing difference
0 потенциалов развертывающих пластин 7 возникает режим скольз щего рассе ни электронного пучка на поверхности одной из развертывающих пластин 7. В результате рассе ни в пространстве между развер5 тывающими пластинами 7 выбиваютс вторичные электроны, которые полем селектирующего электрода 12 направл ютс в сторону функциональных пластин 10 и 11 и коллекторных пластин 8 и 9. Задава поло0 жительный потенциал селектирующему электроду 12, можно все вторичные электроды либо их часть направить на коллекторные пластины 8 и 9. функциональные пластины 10 и 11. В результате подбора0 potentials of the development plates 7, a mode of sliding scattering of the electron beam occurs on the surface of one of the development plates 7. As a result of scattering in the space between the development plates 7, secondary electrons are knocked out, which are directed by the field of the selection electrode 12 towards the functional plates 10 and 11 and collector plates 8 and 9. Having set the positive potential of the selecting electrode 12, all secondary electrodes can be directed or some of them can be directed to the collector plates 8 and 9. functional plates astins 10 and 11. As a result of selection
5 потенциалов на селектирующем электроде 12 и функциональных пластинах 10 и 11 можно из потока электронов выделить электроны с определенным энергетическим спектром.With 5 potentials on the selection electrode 12 and functional plates 10 and 11, it is possible to select electrons with a certain energy spectrum from the electron flow.
0 По сравнению с прототипом предлагаема электронно-лучева лампа - политрон обеспечивает более чем вдвое возросшую чувствительность к микроструктуре сигнала , за счет селекции вторичных электронов0 Compared with the prototype of the proposed electron-beam lamp, the polytron provides more than twice the sensitivity to the microstructure of the signal, due to the selection of secondary electrons
5 по энергии в вакуумном пространстве, что влечет за собой улучшение избирательности устройств распознавани сигналов, выполненных на базе политрона, а также снижает веро тность ошибок при распознавании сигналов за счет одновременной демодул ции спектральных и микроструктурных характеристик сигнала.5 in energy in a vacuum space, which entails an improvement in the selectivity of signal recognition devices made on the basis of a polytron, and also reduces the probability of errors in signal recognition due to the simultaneous demodulation of the spectral and microstructural characteristics of the signal.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904845808A RU1772839C (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Electron ray tube-polytron |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904845808A RU1772839C (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Electron ray tube-polytron |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1772839C true RU1772839C (en) | 1992-10-30 |
Family
ID=21524574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904845808A RU1772839C (en) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | Electron ray tube-polytron |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1772839C (en) |
-
1990
- 1990-05-29 RU SU904845808A patent/RU1772839C/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Карпов Е. А. и др. Синтез нелинейных преобразователей. М.: Энергоатомиздат, 1986, с. 125. Путилин А. Б. Политрон (использование в схемах преобразовани информации). М.. Энерги , 1980, с. 15, 65. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4274035A (en) | Field emission electron gun | |
US2234806A (en) | Method of electronoptically enlarging images | |
US3548250A (en) | Apparatus having a television camera tube and television camera tube for use in such an apparatus | |
US6707034B1 (en) | Mass spectrometer and ion detector used therein | |
GB803221A (en) | Improvements relating to electron guns | |
RU1772839C (en) | Electron ray tube-polytron | |
JPS6381743A (en) | Electric field emission type electron gun | |
US2213173A (en) | Television transmitting tube | |
US3854066A (en) | Electron device incorporating a microchannel secondary emitter | |
GB1481814A (en) | Image intensifier tube device | |
JPH03173050A (en) | Streak tube | |
US3441786A (en) | Camera tube having a variable resolving aperture | |
US3883773A (en) | Device comprising a television camera tube | |
US2206713A (en) | Photoelectric apparatus | |
US3234561A (en) | Electrostatic writing tube | |
US3925706A (en) | Field emission electron gun device of the automatic control type | |
US2338036A (en) | Cathode ray device | |
US2903612A (en) | Positive ion trap gun | |
US3202864A (en) | Electron beam device having divergent emission electron gun | |
KR840006554A (en) | Cathode ray tube | |
US3205391A (en) | Negative-lens type deflection magnifying means for electron beam in cathode ray tubes | |
US2933556A (en) | Electrostatic writing tubes | |
US3461340A (en) | Image-translating device | |
US2874328A (en) | Voltage sampling apparatus | |
US4752715A (en) | Television camera tube |