RU172271U1 - Installation for dynamic measurement of current-voltage characteristics of tunnel diodes - Google Patents

Installation for dynamic measurement of current-voltage characteristics of tunnel diodes Download PDF

Info

Publication number
RU172271U1
RU172271U1 RU2016145141U RU2016145141U RU172271U1 RU 172271 U1 RU172271 U1 RU 172271U1 RU 2016145141 U RU2016145141 U RU 2016145141U RU 2016145141 U RU2016145141 U RU 2016145141U RU 172271 U1 RU172271 U1 RU 172271U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diode
current
output
load
installation
Prior art date
Application number
RU2016145141U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Дин Чер Ким
Сергей Григорьевич Саяпин
Павел Семенович Татаринов
Кирилл Олегович Томский
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова"
Priority to RU2016145141U priority Critical patent/RU172271U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU172271U1 publication Critical patent/RU172271U1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Использование: для динамического измерения вольт-амперной характеристики туннельных диодов. Сущность полезной модели заключается в том, что установка для измерения вольт-амперной характеристики туннельного диода в динамическом режиме содержит генератор пилообразного напряжения, основную измерительную цепь, состоящую из исследуемого туннельного диода и балластного сопротивления, выполнена в виде независимого модульного блока, в нагрузку генератора пилообразного сигнала включен резистивный регулируемый делитель, выход делителя соединен с входом буферного усилителя, на выходе которого подключен двухтактный эмиттерный повторитель на комплементарной паре транзисторов, в нагрузку которого включена основная измерительная цепь, то есть исследуемый диод и балластное сопротивление, параллельно каждому из которых соединены высокоомные входные цепи разностных усилителей. Технический результат: обеспечение возможности получения хорошо воспроизводимого результата. 3 ил.Usage: for dynamic measurement of current-voltage characteristics of tunnel diodes. The essence of the utility model is that the installation for measuring the current-voltage characteristics of the tunneling diode in dynamic mode contains a sawtooth voltage generator, the main measuring circuit, consisting of the studied tunneling diode and ballast resistance, is made in the form of an independent modular unit, into the load of the sawtooth signal generator a resistive adjustable divider is turned on, the output of the divider is connected to the input of the buffer amplifier, at the output of which a push-pull emitter repeat is connected an ejector on a complementary pair of transistors, the load of which includes the main measuring circuit, that is, the studied diode and ballast, parallel to each of which are connected high-resistance input circuits of difference amplifiers. Technical result: providing the possibility of obtaining a well reproducible result. 3 ill.

Description

Полезная модель относится к измерительной технике и учебно-научному лабораторному оборудованию в области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводниковых туннельных диодов различной конструкции и изучения квантово-механических физических процессов, лежащих в основе его работы. Установка может быть использована для измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) любых туннельных диодов в научных и учебных целях. The utility model relates to measuring equipment and educational and scientific laboratory equipment in the field of measuring and monitoring the electrophysical parameters of semiconductor tunnel diodes of various designs and studying the quantum-mechanical physical processes underlying its work. The setup can be used to measure the current-voltage characteristics (I – V) of any tunnel diodes for scientific and educational purposes.

Известен способ измерения параметров вольт-амперной характеристики туннельного диода (см. патент SU №151724, МПК G01R 31/26, опубл. 01.01.1962), которые определяются в способе как границы самовозбуждения. Недостатком известного решения является то, что результатом измерения является не сама кривая ВАХ, а его частные параметры, такие как напряжение, при котором ток через диод имеет максимальное и минимальное значения.A known method of measuring the current-voltage characteristics of the tunneling diode (see patent SU No. 151724, IPC G01R 31/26, publ. 01.01.1962), which are defined in the method as the boundaries of self-excitation. A disadvantage of the known solution is that the measurement result is not the I – V curve itself, but its particular parameters, such as the voltage at which the current through the diode has maximum and minimum values.

В известном способе (см. патент US №3292055, МПК G05F 3/16; G05F 3/08; H01L 29/00; H01L 21/00; H03F 3/04; H03K 3/00; H03F 3/12; H01L 27/00; H03K 3/315, опубл. 13.12.1966) измерение статической характеристики туннельного диода осуществляется путем шунтирования диода емкостью, причем емкость расположена конструктивно в самом корпусе диода. Однако подобное решение, возможно, ухудшает высокочастотные свойства туннельных диодов в процессе его эксплуатации. In a known method (see US patent No. 3292055, IPC G05F 3/16; G05F 3/08; H01L 29/00; H01L 21/00; H03F 3/04; H03K 3/00; H03F 3/12; H01L 27 / 00; H03K 3/315, published December 13, 1966) the static characteristic of a tunnel diode is measured by shunting the diode with a capacitance, the capacitance being located structurally in the diode housing itself. However, such a solution may worsen the high-frequency properties of tunnel diodes during its operation.

Известен способ измерения статической характеристики туннельного диода, зашунтированного емкостью, путем погружения в электропроводящую жидкость (см. патент SU №568912, МПК G01R 31/26, опубл. 05.12.1977). Недостатком технического решения является необходимость применения электропроводящей жидкости, что отрицательно сказывается на эксплуатационных качествах прибора.A known method of measuring the static characteristics of a tunneling diode, shunted by capacity, by immersion in an electrically conductive liquid (see patent SU No. 569812, IPC G01R 31/26, publ. 05.12.1977). The disadvantage of the technical solution is the need to use an electrically conductive liquid, which negatively affects the performance of the device.

Кроме того, известна установка (см. Глушков В.В. Туннелирование электронов в вырожденном p-n-переходе. Лабораторная работа №18 // М.: Московский физико-технический институт 2008. - 30 с.), в которой измерение ВАХ туннельного диода осуществляется при помощи двухканального вольтметра, реализованного на базе 16-битных аналого-цифровых преобразователей. In addition, the installation is known (see Glushkov VV Electron tunneling in a degenerate pn junction. Laboratory work No. 18 // Moscow: Moscow Institute of Physics and Technology 2008. - 30 p.), In which the I – V characteristic of the tunnel diode is measured using a two-channel voltmeter, implemented on the basis of 16-bit analog-to-digital converters.

В учебном пособии Московского государственного института радиоэлектроники и автоматики (см. Батоврин В.К., Бессонов А.С., Мошкин В.В., LabVIEW: Аналоговая и цифровая электроника. Практические лабораторные работы // ФГБОУ ВПО «Московский технологический университет» - М., 2009. - 132 с. ISBN 978-5-7339-0660-7) описана лабораторная работа «Исследование вольт-амперной характеристики туннельного диода», в которой практическая реализация осуществляется в программной среде LabVIEW с помощью инструментальных средств компании National Instruments. In the textbook of the Moscow State Institute of Radio Electronics and Automatics (see Batrovrin V.K., Bessonov A.S., Moshkin V.V., LabVIEW: Analog and Digital Electronics. Practical Laboratory Work // FSBEI HPE "Moscow Technological University" - Moscow, 2009. - 132 pp. ISBN 978-5-7339-0660-7) describes the laboratory work "Study of the current-voltage characteristics of the tunnel diode", in which practical implementation is carried out in the LabVIEW software environment using National Instruments tools.

Известно также устройство для измерения вольт-амперных характеристик германиевого туннельного диода (ФКЛ-5. Лабораторная работа. Изучение туннельного эффекта с помощью полупроводникового туннельного диода // НПО образовательного оборудования «ТулаНаучприбор». Тула, 2011. 28 c.), разработанное НПО Учебной техники «ТУЛАНАУЧПРИБОР». There is also a device for measuring the current-voltage characteristics of a germanium tunnel diode (FKL-5. Laboratory work. The study of the tunnel effect using a semiconductor tunnel diode // Scientific Educational Equipment "TulaNauchpribor". Tula, 2011. 28 p.), Developed by the Educational Equipment NGO TULANAUCHPRIBOR.

Недостатками известных устройств является то, что измерения снимаются посредством цифровых устройств, таким образом, лабораторные установки становятся зависимыми от необходимости наличия специфического дорогостоящего оборудования.The disadvantages of the known devices is that the measurements are taken by means of digital devices, thus, laboratory settings become dependent on the need for specific expensive equipment.

Задача, на решение которой направлено заявленное техническое решение, выражается в создании простого и надежного устройства лабораторной установки для изучения проявления туннельного эффекта в туннельном диоде, характеризующегося улучшенным подавлением самовозбуждения туннельного диода.The problem to which the claimed technical solution is directed is expressed in the creation of a simple and reliable laboratory apparatus for studying the manifestation of the tunneling effect in the tunneling diode, characterized by improved suppression of self-excitation of the tunneling diode.

Технический эффект, получаемый при решении поставленной задачи, выражается в устранении измерений, не касающихся туннельного эффекта артефактов, и получении хорошо воспроизводимого экспериментального результата.The technical effect obtained by solving the problem is expressed in the elimination of measurements not related to the tunnel effect of artifacts, and in obtaining a well reproducible experimental result.

Для решения поставленной задачи лабораторная установка для измерения вольт-амперной характеристики туннельного диода в динамическом режиме, содержащая генератор пилообразного напряжения, основную измерительную цепь, состоящую исследуемого туннельного диода и балластного сопротивления, выполненный в виде независимого модульного блока, отличается тем, что в нагрузку генератора пилообразного сигнала включен резистивный регулируемый делитель, выход делителя соединен с входом буферного усилителя, на выходе которого подключен двухтактный эмиттерный повторитель на комплементарной паре транзисторов, в нагрузку которого включена основная измерительная цепь, то есть исследуемый диод и балластное сопротивление, параллельно каждому из которых соединены высокоомные входные цепи разностных усилителей.To solve this problem, a laboratory installation for measuring the current-voltage characteristics of the tunneling diode in dynamic mode, containing a sawtooth voltage generator, the main measuring circuit, consisting of the studied tunneling diode and ballast resistance, made in the form of an independent modular unit, characterized in that the sawtooth generator load signal, a resistive adjustable divider is turned on, the output of the divider is connected to the input of the buffer amplifier, the output of which is connected in two ny emitter follower on the complementary pair of transistors, a load which enabled the main measurement circuit, i.e. the monitoring diode and the ballast resistance, in parallel with each of which are connected to high-impedance differential amplifier input circuits.

Сопоставительный анализ признаков заявленного решения с признаками аналогов свидетельствует о соответствии заявленного решения критерию «новизна».A comparative analysis of the characteristics of the claimed solution with the signs of analogues indicates the conformity of the claimed solution to the criterion of "novelty."

Совокупность признаков обеспечивает решение заявленной технической задачи, а именно, создание простой по конструкции в сочетании с оригинальными схемотехническими решениями установки, отличающейся компактностью выполнения в виде автономного модульного блока, действующего независимо от наличия внешних измерительных приборов.The combination of features provides a solution to the stated technical problem, namely, the creation of a simple design in combination with the original circuitry of the installation, characterized by its compact design in the form of an autonomous modular unit, operating regardless of the presence of external measuring devices.

Устройство иллюстрируется чертежами, где на фиг. 1 показана функциональная блок-схема устройства, фиг. 2 - осциллограмма ВАХ туннельного диода АИ306К, снятая с помощью установки заявляемого устройства, фиг. 3 – вольт-амперная характеристика туннельного диода типа АИ101, снятая с помощью инструментальных средств компании National Instruments.The device is illustrated by drawings, where in FIG. 1 shows a functional block diagram of a device, FIG. 2 is a waveform of the I – V characteristic of the tunnel diode AI306K, taken by installing the inventive device, FIG. 3 - current-voltage characteristic of the tunnel diode type AI101, taken using tools of National Instruments.

Установка работает следующим образом. Нагрузкой генератора пилообразного сигнала 1 является регулируемый резистивный делитель (см. фиг. 1), состоящий из резистора R1 и потенциометра R2. С делителя выбранная амплитуда пилообразного напряжения поступает на буферный согласующий усилитель 3, охваченный обратной связью. С него на двухтактный эмиттерный повторитель 2 на комплементарной паре транзисторов, в нагрузку которого включена основная измерительная цепь, то есть последовательно соединенные исследуемый диод VD и балластное сопротивление R3. Напряжение на диоде и напряжение на балластном сопротивлении, которое пропорционально току через диод, измеряются инструментальными усилителями 4 и 5, а с их выходов поступают на Х и Y входы осциллографа. Высокоомные входы этих усилителей не шунтируют измерительную цепь, что приводит к эффективному подавлению самогенерации. Installation works as follows. The load of the sawtooth signal generator 1 is an adjustable resistive divider (see Fig. 1), consisting of a resistor R 1 and a potentiometer R 2 . From the divider, the selected amplitude of the sawtooth voltage is supplied to the buffer matching amplifier 3, covered by feedback. From it to a push-pull emitter follower 2 on a complementary pair of transistors, the load of which includes the main measuring circuit, that is, the VD diode under study and the ballast resistance R 3 are connected in series. The voltage at the diode and the voltage at the ballast resistance, which is proportional to the current through the diode, are measured by instrumental amplifiers 4 and 5, and from their outputs are fed to the X and Y inputs of the oscilloscope. The high-impedance inputs of these amplifiers do not bypass the measuring circuit, which effectively suppresses self-generation.

Тот факт, что в нагрузку генератора пилообразного сигнала 1 включен резистивный регулируемый делитель, а не основная измерительная цепь, приводит к стабильной работе генератора пилообразного сигнала, поскольку нагрузка его меняется не сильно, и избавляет от необходимости регулировки уровня выходного пилообразного сигнала непосредственно на выходе генератора. Регулировка уровня сигнала осуществляется с помощью делителя. В аналогах не непосредственное соединение в нагрузку основную измерительную цепь с дифференциальными резистивными характеристиками не всегда дает воспроизводимый результат.The fact that the load of the sawtooth signal generator 1 includes a resistive adjustable divider, and not the main measuring circuit, leads to the stable operation of the sawtooth signal generator, since its load does not change much, and eliminates the need to adjust the level of the output sawtooth signal directly at the output of the generator. The signal level is adjusted using a divider. In analogues, not directly connecting the main measuring circuit with differential resistive characteristics to the load does not always give a reproducible result.

Малый сигнал от делителя усиливается буферным предварительным усилителем 3 малой мощности, выход которого соединен к входу эмиттерного повторителя 2 с малым выходным сопротивлением, в нагрузку которого включена основная измерительная цепь, то есть исследуемый диод и балластное сопротивление. Поскольку малое выходное сопротивление эмиттерного повторителя малокритично к переменной нагрузке основной измерительной цепи, нет самовозбуждения диода с отрицательным дифференциальным сопротивлением. В аналогах очень часто не применены такие меры предосторожности, что приводит к самовозбуждению туннельного диода в измерительной цепи и генерации помех во всей цепи, включая генераторные и усилительные цепи.The small signal from the divider is amplified by a low-power buffer pre-amplifier 3, the output of which is connected to the input of the emitter follower 2 with a low output resistance, the load of which includes the main measuring circuit, that is, the studied diode and ballast resistance. Since the low output impedance of the emitter follower is not critical to the variable load of the main measuring circuit, there is no self-excitation of the diode with negative differential resistance. In analogs, such precautions are very often not applied, which leads to the self-excitation of the tunneling diode in the measuring circuit and the generation of noise in the entire circuit, including generator and amplifier circuits.

В стандартных цепях измерения ВАХ нелинейных элементов параллельно исследуемому нелинейному элементу и балластному сопротивлению с линейными характеристиками соединяют X и Y входы осциллографа. В аналогах тоже применена такая схема соединения, и иногда это даже работает, поскольку входные сопротивления осциллографов довольно велики, но очень часто такое соединение шунтирует цепь, что тоже приводит к отрицательному итогу, либо самовозбуждению, либо к нивелированию туннельного эффекта. Поэтому в заявляемой установке предприняты дополнительные меры предосторожности, параллельно исследуемому туннельному диоду и балластному сопротивлению соединены еще более высокоомные входные цепи разностных усилителей с полевыми транзисторами на входе. In standard measurement circuits of the I – V characteristics of nonlinear elements, the X and Y inputs of the oscilloscope are connected in parallel with the nonlinear element under study and ballast with linear characteristics. In analogs, such a connection scheme is also used, and sometimes it even works, since the input resistances of the oscilloscopes are quite large, but very often such a connection shunts the circuit, which also leads to a negative result, or self-excitation, or to level the tunneling effect. Therefore, in the inventive installation, additional precautions were taken, parallel to the investigated tunnel diode and ballast resistance connected even more high-impedance input circuits of difference amplifiers with field effect transistors at the input.

Напряжение на диоде и напряжение на балластном сопротивлении, которое пропорционально току через диод, измеряются разностными усилителями на ОУ и поступают на Х и Y входы осциллографа. Усилители на ОУ препятствуют проникновению наводки с выхода ОУ в измерительную цепь с туннельным диодом. Кроме того, это способствует увеличению отношения сигнал-шум.The voltage at the diode and the voltage at the ballast resistance, which is proportional to the current through the diode, are measured by difference amplifiers on the op amp and fed to the X and Y inputs of the oscilloscope. Amplifiers on the op-amp prevent the penetration of pickup from the output of the op-amp into the measuring circuit with a tunnel diode. In addition, it helps to increase the signal-to-noise ratio.

Таким образом, установка по заявленному решению является практически безотказным прибором для исследования характеристик туннельного диода для применения в прикладных научных исследованиях и для учебных исследовательских и лабораторных работ со студентами. Простота конструкции приводит к максимальному удешевлению и надежности устройства. Выполнение прибора в виде отдельного модульного блока позволит добиться независимости от внешних измерительных приборов: достаточно иметь обычный осциллограф, чтобы прибор давал результаты измерений. Thus, the installation according to the claimed solution is an almost trouble-free device for studying the characteristics of a tunnel diode for use in applied scientific research and for educational research and laboratory work with students. Simplicity of design leads to maximum cost reduction and reliability of the device. The implementation of the device in the form of a separate modular unit will allow achieving independence from external measuring devices: it is enough to have a conventional oscilloscope so that the device gives measurement results.

Тестирование работы установки и сравнение с результатами, полученными с помощью прототиповTesting the operation of the installation and comparison with the results obtained using prototypes

На фиг. 2 приведена осциллограмма ВАХ туннельного диода в режиме внутренней развертки по времени. Напряжение с диода (выход Х усилителя) подается на канал 1, напряжение с балластного сопротивления (выход Y усилителя) на канал 2. In FIG. Figure 2 shows the waveform of the I – V characteristic of the tunnel diode in the internal time scan mode. The voltage from the diode (output X of the amplifier) is supplied to channel 1, the voltage from the ballast resistance (output Y of the amplifier) to channel 2.

Из этой осциллограммы следует, что в установке заявленного устройства подавлен высокочастотный скачок и существенно уменьшилась амплитуда низкочастотного скачка. Величина скачка тока равна 0,78 мА, что составляет 15% от максимума тока и практически не заметна на осциллограммах. From this waveform it follows that in the installation of the claimed device, a high-frequency jump was suppressed and the amplitude of the low-frequency jump was significantly reduced. The magnitude of the current jump is 0.78 mA, which is 15% of the current maximum and is practically not noticeable on the oscillograms.

Сравним наши результаты с результатами, полученными на прототипах (см. фиг. 3). Compare our results with the results obtained on the prototypes (see Fig. 3).

Отметим, что здесь присутствуют оба скачка тока. Первый скачок равен 0.5 мА, второй - 0.7 мА. Второй скачек составляет 33% от максимума.Note that both current surges are present here. The first jump is 0.5 mA, the second - 0.7 mA. The second jump is 33% of the maximum.

Полученные на заявленной установке ВАХ количественно и качественно превосходит измеренную ВАХ на аналоге с помощью инструментальных средств компании National Instruments и последующей их обработки в виртуальном приборе лабораторной станции NI ELVIS.The I – V characteristics obtained at the claimed facility are quantitatively and qualitatively superior to the measured I – V characteristics on the analog using National Instruments tools and their subsequent processing in the virtual instrument of the NI ELVIS laboratory station.

Claims (1)

Установка для измерения вольт-амперной характеристики туннельного диода в динамическом режиме, содержащая генератор пилообразного напряжения, основную измерительную цепь, состоящую из исследуемого туннельного диода и балластного сопротивления, выполненная в виде независимого модульного блока, отличающаяся тем, что в нагрузку генератора пилообразного сигнала включен резистивный регулируемый делитель, при этом выход делителя соединен с входом буферного усилителя, на выходе которого включен двухтактный эмиттерный повторитель на комплементарной паре транзисторов, а в нагрузку повторителя включена основная измерительная цепь, причем параллельно исследуемому диоду и балластному сопротивлению соединены высокоомные входные цепи разностных усилителей. Installation for measuring the current-voltage characteristics of the tunneling diode in dynamic mode, containing a sawtooth voltage generator, the main measuring circuit, consisting of the studied tunneling diode and ballast resistance, made in the form of an independent modular unit, characterized in that a resistive adjustable voltage is included in the load of the sawtooth signal generator a divider, while the output of the divider is connected to the input of the buffer amplifier, the output of which includes a push-pull emitter follower on an elementary pair of transistors, and a main repeater load included measuring circuit, wherein the parallel to the diode and the ballast resistance connected high-impedance differential amplifier input circuits.
RU2016145141U 2016-11-18 2016-11-18 Installation for dynamic measurement of current-voltage characteristics of tunnel diodes RU172271U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016145141U RU172271U1 (en) 2016-11-18 2016-11-18 Installation for dynamic measurement of current-voltage characteristics of tunnel diodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016145141U RU172271U1 (en) 2016-11-18 2016-11-18 Installation for dynamic measurement of current-voltage characteristics of tunnel diodes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU172271U1 true RU172271U1 (en) 2017-07-03

Family

ID=59310121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016145141U RU172271U1 (en) 2016-11-18 2016-11-18 Installation for dynamic measurement of current-voltage characteristics of tunnel diodes

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU172271U1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU178673U1 (en) * 2017-07-17 2018-04-17 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Diode Capacitance Measurement Device
CN116008731A (en) * 2023-02-15 2023-04-25 重庆大学 Power distribution network high-resistance fault identification method and device and electronic equipment

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU181195A1 (en) * ХКЯ Ц. КИК. ИОТККл METHOD FOR MEASURING VOLT-AMPERAL CHARACTERISTICS OF NONLINEAR ELEMENTS
SU151724A1 (en) * 1962-02-02 1962-11-30 А.С. Сидоров Method for measuring parameters of current-voltage characteristics of a tunnel diode
US3292055A (en) * 1960-07-30 1966-12-13 Siemens Ag Tunnel diode with parallel capacitance
SU568912A1 (en) * 1973-05-14 1977-08-15 Московский Институт Электронного Машиностроения Method of evaluation of static characteristics of tunnel diode
SU744387A1 (en) * 1978-05-03 1980-06-30 Предприятие П/Я Г-4367 Apparatus for measuring characteristical resistance of tunnel diodes

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU181195A1 (en) * ХКЯ Ц. КИК. ИОТККл METHOD FOR MEASURING VOLT-AMPERAL CHARACTERISTICS OF NONLINEAR ELEMENTS
US3292055A (en) * 1960-07-30 1966-12-13 Siemens Ag Tunnel diode with parallel capacitance
SU151724A1 (en) * 1962-02-02 1962-11-30 А.С. Сидоров Method for measuring parameters of current-voltage characteristics of a tunnel diode
SU568912A1 (en) * 1973-05-14 1977-08-15 Московский Институт Электронного Машиностроения Method of evaluation of static characteristics of tunnel diode
SU744387A1 (en) * 1978-05-03 1980-06-30 Предприятие П/Я Г-4367 Apparatus for measuring characteristical resistance of tunnel diodes

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU178673U1 (en) * 2017-07-17 2018-04-17 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет" Diode Capacitance Measurement Device
CN116008731A (en) * 2023-02-15 2023-04-25 重庆大学 Power distribution network high-resistance fault identification method and device and electronic equipment
CN116008731B (en) * 2023-02-15 2023-08-25 重庆大学 Power distribution network high-resistance fault identification method and device and electronic equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9935598B2 (en) Differential amplifier design as the preamp of DMM
JP6744695B2 (en) Active shunt ammeter
US9829520B2 (en) Low frequency impedance measurement with source measure units
US9671427B2 (en) Dual output high voltage active probe with output clamping and associated methods
RU172271U1 (en) Installation for dynamic measurement of current-voltage characteristics of tunnel diodes
Rajapaksha et al. Development of portable electronic reader for picoampere detection for two-electrode based amperometric biosensor applications
US11668733B2 (en) Multi-stage current measurement architecture
US11320398B2 (en) Sensor arrangement for voltammetry
JP7357462B2 (en) Ammeter and current measurement method
CN105510674A (en) Microcurrent measuring circuit
CN103969263A (en) Minority carrier lifetime tester based on high-frequency photoconduction attenuation
Scandurra et al. Configurable low noise amplifier for voltage noise measurements
CN205484500U (en) Portable current measurement circuit that declines
Yusuf et al. Analysis of single excitation signal for high speed ECVT data acquisition system
RU96430U1 (en) DEVICE FOR EXPRESS DIAGNOSTICS OF IDENTITY OF TRANSISTORS
Pop A flexible high input impedance AFE for measurement purposes
CN108685572A (en) Multichannel electrical impedance tomography circuit and system
RU219375U1 (en) Device for measuring the parameter of the static current transfer coefficient of bipolar transistors
Wati et al. Noise characterization of MOSFET current mirror circuit on high impedance application using DAQ card PCI-6221
Ma et al. Differential difference amplifier based parametric measurement unit with digital calibration
RU2639622C2 (en) Weber-ampere characteristics measuring device for electrical devices
Malmbekk et al. Calibrating a Voltmeter with a PJVS Using a DAC as a Real-Time Calibrated Transfer Standard
Tilekar et al. Synthesis of AMS Based System-on-Chip for Measurement of Physicochemical Parameters of Water
Misurec Non-linear circuits with CCII+/-current conveyors
Ojarand et al. Compact Multichannel Device for Differential Impedance Spectroscopy of Microfluidic Sensors