RU169300U1 - Матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения - Google Patents
Матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU169300U1 RU169300U1 RU2016127375U RU2016127375U RU169300U1 RU 169300 U1 RU169300 U1 RU 169300U1 RU 2016127375 U RU2016127375 U RU 2016127375U RU 2016127375 U RU2016127375 U RU 2016127375U RU 169300 U1 RU169300 U1 RU 169300U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electromagnetic radiation
- receiving element
- matrix
- microcomponents
- quasi
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012800 visualization Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 3
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920004936 Lavsan® Polymers 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000007170 pathology Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000012732 spatial analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Использование: для систем визуализации. Сущность полезной модели заключается в том, что матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения содержит подложку и размещенные на ней один или несколько приемных элементов, чувствительных к электромагнитному излучению, и микрокомпонентов, выполненных из диэлектрических или полупроводниковых материалов с коэффициентом преломления материала, лежащим в диапазоне от 1.4 до примерно 2, расположенных рядом с каждым приемным элементом со стороны падающего электромагнитного излучения и центрированных с ним, формирующих и направляющих фотонные струи в соответствующий приемный элемент, при этом характерный размер микрокомпонентов составляет более характерного размера приемного элемента, микрокомпоненты выполнены в форме кубика с величиной ребра не менее 0.5λ. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения габаритов матричного квазиоптического приемника с одновременным повышением чувствительности и разрешающей способности. 3 ил.
Description
Полезная модель относится к системам обработки изображений в электромагнитном диапазоне, включая миллиметровый, терагерцовый и инфракрасный (ИК) диапазоны длин волн, и может быть предназначена для систем визуализации. Более конкретно, данная полезная модель направлена на решение проблемы конструирования матричного квазиоптического приемника электромагнитного излучения, способного обнаруживать низкоуровневые изображения в электромагнитном диапазоне длин волн с высоким пространственным разрешением.
В настоящее время интенсивно осваивается электромагнитный диапазон длин волн, включая миллиметровый, терагерцовый (0.1-10 ТГц) и инфракрасный диапазоны. Развитие и освоение этого диапазона стимулировано как вследствие расширения технологий, так и благодаря перспективам использования его для фундаментальных и прикладных исследований, например для интроскопии объектов, включая неинвазивную медицинскую диагностику (выявление новообразований и патологий под кожей, стоматология, хирургия и др.) и системы безопасности (обнаружение скрытого под одеждой оружия, взрывчатки и др.), в астрофизических исследованиях, видения в оптически непрозрачных средах и т.д.
В значительной степени это обусловлено тремя факторами (М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, А.Л. Асеев, Б.А. Князев, Г.Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров. Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов // "Оптический журнал", 76, 12, 2009, с. 5-11). Неметаллические и неполярные материалы прозрачны для терагерцового излучения, что позволяет оперативно выявлять потенциально опасные вещества через скрывающую одежду, обувь, багажные сумки, пластиковые и картонные упаковки. Материалы, важные с точки зрения безопасности, имеют характерные спектры пропускания и отражения в терагерцовом диапазоне, что дает возможность проводить их идентификацию с высокой степенью достоверности. Терагерцовое излучение малой интенсивности не представляет угрозу для здоровья живых организмов, что позволяет их сканирование без нанесения вреда.
Для этих и других применений, для регистрации электромагнитного излучения требуются двумерные матричные приемники электромагнитного излучения. Матричные приемники электромагнитного излучения позволяют, в принципе, упростить системы сканирования в таких устройствах, либо вообще отказаться от них.
Известны определенные матричные приемники, которые имеют ряд существенных ограничений и недостатков.
Можно отметить, что одним из основных направлений в конструкции матричных приемников электромагнитного излучения является уменьшение размера пикселя. Меньшие пиксели обеспечивают более высокое разрешение, повышение частотных характеристик отдельных пикселей за счет уменьшения емкости, снижение темного тока, уменьшение габаритов и массы устройства в целом. Размеры пикселей в настоящее время приближаются к пределу разрешения обычной оптики.
Так, матричные приемники для инфракрасной и субмиллиметровой области спектра (И.Г. Неизвестный, А.Э. Климов, В.Н. Шумский. Матричные фотонные приемники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра // УФН, 2015, т. 185, №10, с. 1031-1042) разрабатываются и созданы на основе приемных элементов, в основе которых лежат болометры, в которых под действием излучения происходит нагрев поглощающего слоя, изменяется сопротивление активного слоя и в цепи изменяется электрический ток, сверхпроводниковые сенсоры на краю перехода (TES болометры), болометры с горячими электронами (HEB болометры), а также детекторы со сверхпроводящим туннельным переходом (STJ детектор), детекторы на основе SIS структуры, полупроводниковые примесные фотоприемники, фоторезисторы, фотоприемники на основе монокристаллических объемных образцов легированного индием твердого раствора PbSnTe:In, фотоприемники на основе внутреннего фотоэффекта, гетеродинные матричные детекторы на основе терагерцовых диодов Шотки и т.д.
Однако известные матричные приемники имеют низкие пространственное разрешение и чувствительность.
Известен матричный приемник терагерцового излучения (Патент РФ 2414688) на основе ячеек Голея.
Однако данный матричный приемник имеет размер одиночного пикселя (размер одиночного приемника) порядка длины волны используемого излучения и имеет низкое пространственное разрешение.
Известные матричные приемники не позволяют эффективно собрать и направить электромагнитное излучение на каждый приемный элемент, уменьшить размеры приемного элемента, уменьшить шум и повысить чувствительность приемного элемента.
Известно устройство 100 элементного матричного приемника 8-миллиметрового диапазона длин волн (В.И. Матвеев. Из истории развития неразрушающего контроля. - Контроль. Диагностика. - 2005, №2, с. 71-76.).
Пространственное разбиение анализируемого поля осуществлялось с помощью плоской 100-элементной антенной решетки, выполненной в двух вариантах: в первом элементарными антеннами были пирамидальные рупоры, расположенные в виде шестигранной решетки Браве на площади 400 см2; во втором - открытые концы волновода сечением 7,2×3,4 мм в виде прямоугольной решетки на площади 36 см2.
Такой матричный приемник имел низкие чувствительность и разрешение, большие габариты и сложное устройство.
В работе (Xuecou Tu, Lin Kang, Chao Wan, Lei Xu, Qingkai Mao, Peng Xiao, Xiaoqing Jia, Wenbin Dou, Jian Chen, and Peiheng Wu. Diffractive microlens integrated into Nb5N6 microbolometers for THz detection // Optics Express, 2015, Vol. 23, No. 11, pp. 13795-13803) приведено описание устройства матричного приемника электромагнитного излучения, в котором падающее электромагнитное излучение фокусируется массивом кремниевых дифракционных линз на каждый элемент приемной матрицы. Этим достигается повышение чувствительности приемного элемента по сравнению с приемной матрицей без массива линз.
Однако оптические линзы не обеспечивают достаточной концентрации электромагнитной энергии на приемном элементе, имеют большие продольные и поперечные размеры (характерный поперечный размер линзы более длины волны используемого излучения и фокусное расстояние порядка поперечного размера линзы). Такие устройства принципиально не могут сфокусировать электромагнитное излучение в область, ограниченную дифракционным пределом (Борн М., Вольф Э. Основы оптики -М.: Мир, 1978). Кроме того, такие устройства имеют сложную структуру - форма поверхности линзы имеет ступенчатую форму или сферическую, гиперболическую, параболическую или иные формы поверхности.
Уменьшение размеров элементов изображения снижает чувствительность матричного приемника. Кроме того, снижается коэффициент заполнения матричного приемника приемными устройствами из-за больших их размеров.
В качестве прототипа выбрано устройство матричного квазиоптического приемника электромагнитного излучения по патенту США №9362324 B1, «Photodetector Focal Plane Array Systems and Methods)), от 7 июня 2016 г, МПК B05D 3/12, H01L 27/146, содержащего подложку с размещенными на ней приемными элементами, чувствительными к электромагнитному излучению, и микрокомпонентами, выполненными в форме диэлектрических или полупроводниковых сфер диаметром от λ до 100λ, где λ - длина волны падающего излучения, и с коэффициентом преломления материала, лежащим в диапазоне от 1.4 до 3.5, расположенными рядом с каждым приемным элементом со стороны падающего электромагнитного излучения и центрированными с ним, формирующими и направляющими фотонные струи в соответствующий приемный элемент, при этом характерный размер микрокомпонентов более характерного размера приемного элемента.
Микрокомпоненты, расположенные рядом с каждым приемным элементом со стороны падающего электромагнитного излучения и центрированные с ними, формирующие и направляющие фотонные струи в соответствующий приемный элемент, позволяют более эффективно собрать и направить электромагнитное излучение на приемный элемент, уменьшить размеры приемного элемента, уменьшить шум и повысить чувствительность приемного элемента.
Фотонная струя (Chen Z., Taflove A., Backman V. Photonic nanojet enhancement of backscattering of light by nanoparticles: a potential novel visiblelight ultramicroscopy technique // Optics Express, 12, №7, pp. 1214-1220, 2004; И.В. Минин, O.B. Минин Квазиоптика: современные тенденции развития - Новосибирск: СГУГиТ, 2015, 163 с.) возникает в области теневой поверхности диэлектрических частиц и характеризуется сильной пространственной локализацией и высокой интенсивностью электромагнитного поля в области фокусировки, при этом достижимо пространственное разрешение ниже дифракционного предела.
Достоинством устройства является возможность фокусировки электромагнитного излучения на приемное устройство с размерами порядка λ/3 непосредственно за микрокомпонентом, формирующим фотонную струю.
Недостатком устройства является большой размер микрокомпонента, формирующего фотонную струю, не менее λ.
Задача полезной модели - создание матричного квазиоптического приемника электромагнитного излучения с высокими разрешающей способностью и чувствительностью.
Техническим результатом заявляемой полезной модели является уменьшение габаритов матричного квазиоптического приемника с одновременным повышением чувствительности и разрешающей способности.
Указанный технический результат достигается за счет того, что в матричном квазиоптический приемнике электромагнитного излучения, содержащем подложку и размещенные на ней один или несколько приемных элементов, чувствительных к электромагнитному излучению, и микрокомпонентов, выполненных из диэлектрических или полупроводниковых материалов с коэффициентом преломления материала, лежащим в диапазоне от 1.4 до примерно 2, расположенных рядом с каждым приемным элементом со стороны падающего электромагнитного излучения и центрированных с ним, формирующих и направляющих фотонные струи в соответствующий приемный элемент, при этом характерный размер микрокомпонентов составляет более характерного размера приемного элемента, новым является то, что микрокомпоненты выполнены в форме кубика с величиной ребра не менее 0.5λ.
Проведенный сравнительный анализ заявленного устройства и прототипа показывает, что заявленное устройство отличается тем, что:
- микроэлемент, формирующий и направляющий фотонные струи в соответствующий приемный элемент, имеет форму кубика (в прототипе микроэлемент имеет сферическую форму);
- характерная размер величины ребра кубика составляет не менее 0.5λ, где λ - длина волны используемого излучения (в прототипе минимальный размер микроэлемента не менее λ).
Сочетание отличительных признаков и свойства предлагаемого квазиоптического матричного приемника электромагнитной энергии из литературы не известно, поэтому она соответствует критериям новизны и изобретательского уровня.
На фиг. 1 приведена структура отдельного приемного элемента (пикселя).
На фиг. 2 приведена схема квазиоптического матричного приемника.
На фиг. 3 приведено сравнение микрокомпонентов в форме кубика и сферы с характерными размерами λ/2 и λ/4.
Квазиоптический матричный приемник состоит из подложки 2, на которой размещены приемные устройства электромагнитного излучения 4 и микрокомпоненты 3 в форме кубика, расположенного непосредственно на приемном устройстве 4 со стороны освещающего электромагнитного излучения 1.
Устройство работает следующим образом. Электромагнитное излучение 1 освещает микрокомпонент в виде кубика 3, формирующий и направляющий фотонные струи в соответствующий приемный элемент 4.
Эффективность сбора и фокусировки на приемный элемент 4 повышается из-за того, что характерный размер диэлектрического или полупроводникового кубика 3 может быть больше характерного размера приемного элемента 4 (пикселя) и кубики с величиной ребра λ/2 (менее дифракционного предела) обеспечивают более сильную фокусировку электромагнитного излучения, чем сферы такого же диаметра. Кроме того, микрокомпонентные устройства кубической формы 3 позволяют достичь более высокой степени заполнения матричного приемника приемными устройствами, по сравнению со микрокомпонентами сферической формы.
В результате проведенных исследований было установлено, что локализация поля типа «фотонная струя» у кубика начинается с размера грани 0.5 длины волны используемого излучения, фиг. 3. В то время как у сферы при таком диаметре на одной поляризации локализация поля еще не выделена. При этом максимальная интенсивность поля на оси у кубика выше, чем у сферы, в 1.4 раза.
Для характерных размеров кубика и сферы менее λ/2 фотонная струя не формируется, фиг. 3.
Микрокомпоненты могут изготавливаться из диэлектриков с коэффициентом преломления, лежащим в диапазоне от 1.4 до примерно 2, таких как, например (O.V. Minin, I.V. Minin. Diffractional Optics of Millimetre Waves - IoP, Bristol and Philadelphia, 2004, 396 p., pp. 369-373): полистирол, акрил, полиэтилен, полипропилен, поли-4-метилпентен, фторопласт, плавленый кварц, лавсан и других материалов и из полупроводниковых материалов, например кремния, германия, арсенида галлия и других материалов.
Изготовить матрицу микрокомпонентов, формирующих фотонную струю, можно, например, методом печати на 3D принтере (Kyoung Youl Park, Nophadon Wiwatcharagoses, Premjeet Chahal. Wafer-level Integration of Micro-Lens for THz Focal Plane Array Application // Electronic Components & Technology Conference, 2013, pp. 1912-1919), используя термопластичные материалы, такие как, например, полиэтилен, акрил и т.д. Например, акрил в диапазоне частот от 0.1 до 0.8 ТГц имеет коэффициент преломления 1.65-1.68 и малые потери электромагнитной энергии в материале (тангенс угла потерь изменяется от 0.012 до 0.05).
Для изготовления матрицы микрокомпонентов, формирующих фотонную струю, возможно использование методов фотолитографии с последующим травлением (N. Llombart, C. Lee, M. Alonso-delPino, G. Chattopadhyay, C. Jung-Kubiak, L. Jofre, I. Mehdi. Silicon Micromachined Lens Antenna for THz Integrated Heterodyne Arrays // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Vol. 3, №5, September 2013, pp. 515-523), применяя в качестве материала микрокомпонентов, например, кремний.
Экспериментальные исследования предлагаемого квазиоптического матричного приемника подтверждают расчетные данные.
Claims (1)
- Матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения, содержащий подложку и размещенные на ней один или несколько приемных элементов, чувствительных к электромагнитному излучению, и микрокомпонентов, выполненных из диэлектрических или полупроводниковых материалов с коэффициентом преломления материала, лежащим в диапазоне от 1.4 до примерно 2, расположенных рядом с каждым приемным элементом со стороны падающего электромагнитного излучения и центрированных с ним, формирующих и направляющих фотонные струи в соответствующий приемный элемент, при этом характерный размер микрокомпонентов составляет более характерного размера приемного элемента, отличающийся тем, что микрокомпоненты выполнены в форме кубика с величиной ребра не менее 0.5λ.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016127375U RU169300U1 (ru) | 2016-11-08 | 2016-11-08 | Матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016127375U RU169300U1 (ru) | 2016-11-08 | 2016-11-08 | Матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU169300U1 true RU169300U1 (ru) | 2017-03-14 |
Family
ID=58450102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016127375U RU169300U1 (ru) | 2016-11-08 | 2016-11-08 | Матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU169300U1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002084340A1 (en) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | President And Fellows Of Harvard College | Microlens for projection lithography and method of preparation thereof |
US20120060913A1 (en) * | 2010-09-13 | 2012-03-15 | California Institute Of Technology | Whispering gallery solar cells |
RU153686U1 (ru) * | 2014-12-30 | 2015-07-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Устройство для формирования фотонной струи с увеличенной глубиной фокуса |
RU153680U1 (ru) * | 2014-12-16 | 2015-07-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Малогабаритный спектрометрический датчик излучения |
RU155915U1 (ru) * | 2014-12-30 | 2015-10-20 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий " (ФГБОУ ВО "СГУГИТ") | Устройство для формирования фотонной струи |
-
2016
- 2016-11-08 RU RU2016127375U patent/RU169300U1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002084340A1 (en) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | President And Fellows Of Harvard College | Microlens for projection lithography and method of preparation thereof |
US20120060913A1 (en) * | 2010-09-13 | 2012-03-15 | California Institute Of Technology | Whispering gallery solar cells |
RU153680U1 (ru) * | 2014-12-16 | 2015-07-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Малогабаритный спектрометрический датчик излучения |
RU153686U1 (ru) * | 2014-12-30 | 2015-07-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Устройство для формирования фотонной струи с увеличенной глубиной фокуса |
RU155915U1 (ru) * | 2014-12-30 | 2015-10-20 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий " (ФГБОУ ВО "СГУГИТ") | Устройство для формирования фотонной струи |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU2021203465B2 (en) | Limitation of noise on light detectors using an aperture | |
EP3896746B1 (en) | Single-photon avalanche diode and manufacturing method, detector array, and image sensor | |
Hadfield et al. | Single-photon detection for long-range imaging and sensing | |
JP2022506487A (ja) | 高感度光子混合構造を含む高量子効率ガイガモード・アバランシェ・ダイオード及びそのアレイ | |
US10585238B2 (en) | Photodetector focal plane array systems and methods based on microcomponents with arbitrary shapes | |
CN105890769A (zh) | 太赫兹焦平面阵列及其设计方法 | |
RU169300U1 (ru) | Матричный квазиоптический приемник электромагнитного излучения | |
Sizov | Detectors and Sources for THz and IR | |
JP6368894B1 (ja) | 光電変換素子及び光学測定装置 | |
Schmelz et al. | Black-silicon-structured back-illuminated Ge-on-Si photodiode arrays | |
Atkinson et al. | Observatory deployment and characterization of SAPHIRA HgCdTe APD arrays | |
CN212363424U (zh) | 弱光光谱检测芯片 | |
Ahamed et al. | Controlling light penetration depth to amplify the gain in ultra-fast silicon APDs and SPADs using photon-trapping nanostructures | |
AU2017330180A1 (en) | Optical system for collecting distance information within a field | |
Liu et al. | Novel infrared focal plane array technology | |
Paulish et al. | Terahertz Imager Based on a THz-to-IR Converter | |
Mizuno et al. | Novel high performance multispectral photodetector and its performance | |
US3348058A (en) | Radiation detection system having wide field of view | |
Ji et al. | Nonlocal optoelectronic detection of the orbital angular momentum of light | |
Xiaokai et al. | Application and frontier trend of infrared-terahertz photoelectric detector | |
Shashkin et al. | The detector array system for 3-mm wavelength video imaging | |
RU173871U1 (ru) | Датчик изображения | |
RU155174U1 (ru) | Интегрированный датчик терагерцового диапазона | |
Aoki et al. | Condensing efficiency of the truncated cone condenser and its comparison with the Winston cone condenser in terahertz region | |
Vystavkin | The overcoming diffraction restrictions to achieve superhigh NEP and sub-diffraction resolution in terahertz frequency range receiving systems |