RU162815U1 - INSTALLATION FOR LASER PROCESSING - Google Patents

INSTALLATION FOR LASER PROCESSING Download PDF

Info

Publication number
RU162815U1
RU162815U1 RU2016104097/02U RU2016104097U RU162815U1 RU 162815 U1 RU162815 U1 RU 162815U1 RU 2016104097/02 U RU2016104097/02 U RU 2016104097/02U RU 2016104097 U RU2016104097 U RU 2016104097U RU 162815 U1 RU162815 U1 RU 162815U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
lens
dielectric mirror
conical
laser
angle
Prior art date
Application number
RU2016104097/02U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Фёдорович Коваленко
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА")
Priority to RU2016104097/02U priority Critical patent/RU162815U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU162815U1 publication Critical patent/RU162815U1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

Установка для лазерной обработки, содержащая лазер и расположенные на оси лазерного пучка телескопический преобразователь диаметра пучка, состоящий из положительной линзы и отрицательной линзы, поворотное диэлектрическое зеркало, установленное под углом к оси пучка, и две идентичные конические линзы, отличающаяся тем, что перед диэлектрическим зеркалом установлена диафрагма, диаметр отверстия в которой равенd=3,2r,где r- радиус, при котором плотность мощности по сечению гауссова пучка уменьшается в «е» раз;е - основание натурального логарифма,коэффициент отражения первого диэлектрического зеркала равенгде R- коэффициент отражения от обеих поверхностей каждой конической линзы,а расстояние L между первой и второй коническими линзами равногде β - угол у основания конической линзы;n - показатель преломления материала конической линзы,а второе диэлектрическое зеркало с коэффициентом отражения 0,999 расположено под углом к оси пучка, отраженного первым диэлектрическим зеркалом, обеспечивающим его совмещение на поверхности обрабатываемой пластины с пучком, прошедшим конические линзы.A laser processing installation comprising a laser and a telescopic beam diameter transmitter located on the axis of the laser beam, consisting of a positive lens and a negative lens, a rotatable dielectric mirror mounted at an angle to the beam axis, and two identical conical lenses, characterized in that in front of the dielectric mirror a diaphragm is installed, the diameter of the hole in which is d = 3.2r, where r is the radius at which the power density along the Gaussian beam cross section decreases by an “e” time; e is the base of the natural log ifma, the reflection coefficient of the first dielectric mirror is Ravangde R is the reflection coefficient from both surfaces of each conical lens, and the distance L between the first and second conical lenses is equal to β is the angle at the base of the conical lens; n is the refractive index of the material of the conical lens and the second dielectric mirror with a reflection coefficient of 0.999 is located at an angle to the axis of the beam reflected by the first dielectric mirror, ensuring its combination on the surface of the processed plate with a beam that has passed conically th lens.

Description

Полезная модель относится к области машиностроения и может быть использована для высокотемпературного лазерного отжига полупроводниковых пластин, в частности для улучшения характеристик приборов и выхода годных деталей при использовании технологии ионной имплантации.The invention relates to the field of mechanical engineering and can be used for high-temperature laser annealing of semiconductor wafers, in particular, to improve the characteristics of devices and the yield of suitable parts using ion implantation technology.

Известна установка для лазерной обработки материалов, содержащая источник лазерного излучения и фокусирующую линзу. Патент US №7863544, МПК В23К 26/03, 2009 г.A known installation for laser processing of materials containing a source of laser radiation and a focusing lens. US patent No. 7863544, IPC B23K 26/03, 2009

Известна также установка для лазерной обработки материалов, включающая источник лазерного излучения, вдоль оптической оси которого размещены сканирующее устройство и фокусирующая линза. Патент на полезную модель РФ №94892, МПК В23К 26/06, 2010 г.There is also known an apparatus for laser processing of materials, including a laser source, along the optical axis of which a scanning device and a focusing lens are placed. Utility Model Patent of the Russian Federation No. 94892, IPC V23K 26/06, 2010

Известна также установка для лазерной обработки материалов, содержащая источник лазерного излучения, вдоль оптической оси которого расположены сканирующее устройство и фокусирующая линза. Патент на полезную модель РФ №116393, МПК В23К 26/02. Опубликован 27.05.2012.There is also known an apparatus for laser processing of materials, containing a laser source, along the optical axis of which are located a scanning device and a focusing lens. Patent for utility model of the Russian Federation No. 116393, IPC V23K 26/02. Published on May 27, 2012.

Недостатком перечисленных аналогов является неравномерное распределение энергии лазерного излучения по поперечному сечению пучка. Как правило, плотность мощности технологических лазеров, работающих на моде ТЕМ00, и имеющих минимально возможную расходимость лазерного пучка, распределена по сечению пучка по закону Гаусса. Известно (Григорьянц А.Г., Шиганов И.Н., Мисюров А.И. Технологические процессы лазерной обработки. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2008 - 664 с. Стр. 605.), что изменение концентрации имплантата по толщине полупроводника существенно зависит от плотности энергии лазерного излучения, воздействующей на полупроводник. Отклонение плотности мощности при непрерывном режиме воздействия или плотности энергии при импульсном режиме воздействия более чем на 8% приводит к дефектам отжига. Чтобы уменьшить появление дефектов осуществляют лазерный отжиг полупроводников, вырезая центральную часть лазерного пучка диафрагмой, что приводит к потере до 40% энергии излучения, или реализуют многопроходный режим воздействия с перекрытием площадей воздействия лазерных пучков, что увеличивает время обработки. Григорьянц А.Г., Шиганов И.Н., Мисюров А.И. Технологические процессы лазерной обработки. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2008 - 664 с. Стр. 604-607.The disadvantage of these analogues is the uneven distribution of the energy of laser radiation over the cross section of the beam. As a rule, the power density of technological lasers operating on the TEM 00 mode and having the minimum possible laser beam divergence is distributed over the beam cross section according to the Gauss law. It is known (Grigoryants A.G., Shiganov I.N., Misyurov A.I. Technological processes of laser processing. M: Publishing house of MGTU named after NE Bauman, 2008 - 664 p. 605.), that the change in implant concentration over the semiconductor thickness substantially depends on the energy density of laser radiation acting on the semiconductor. Deviation of power density during continuous exposure or energy density during pulsed exposure by more than 8% leads to annealing defects. To reduce the appearance of defects, laser annealing of semiconductors is performed by cutting out the central part of the laser beam with a diaphragm, which leads to a loss of up to 40% of the radiation energy, or implements a multi-pass exposure mode with overlapping areas of laser beam exposure, which increases the processing time. Grigoryants A.G., Shiganov I.N., Misyurov A.I. Technological processes of laser processing. M.: Publishing House of MSTU. N.E. Bauman, 2008 - 664 p. Page 604-607.

Наиболее близкой к заявляемой полезной модели по составу элементов является установка для лазерной обработки кольцевым пучком. Патент РФ №2068328 МПК В23К 26/00. Опубликован 27.10.1996. Установка содержит лазер, телескопическую систему с отрицательной и положительной линзами, две конические линзы, поворотное интерференционное зеркало и фокусирующую систему. Установка предназначена для пробития кольцевых отверстий в пластинах и не может быть использована для лазерного отжига полупроводниковых материалов, так как обладает теми же недостатками, что и аналоги.Closest to the claimed utility model for the composition of the elements is an installation for laser processing of an annular beam. RF patent No. 2068328 IPC V23K 26/00. Published October 27, 1996. The setup contains a laser, a telescopic system with a negative and a positive lens, two conical lenses, a rotary interference mirror and a focusing system. The installation is designed to break through the ring holes in the plates and cannot be used for laser annealing of semiconductor materials, as it has the same disadvantages as its analogues.

Техническим результатом полезной модели, совпадающим с задачей, на решение которой она направлена, является увеличения выхода годной продукции при лазерном отжиге полупроводников с имплантатом за счет распределения плотности мощности на поверхности обрабатываемых пластин, близкой к равномерной.The technical result of the utility model, which coincides with the task to which it is directed, is to increase the yield of products during laser annealing of semiconductors with an implant due to the distribution of the power density on the surface of the wafers being processed, which is close to uniform.

Технический результат достигается тем, что в установке для лазерной обработки, содержащей лазер и расположенные на оси лазерного пучка телескопический преобразователь диаметра пучка, состоящий из положительной линзы и отрицательной линзы, поворотное диэлектрическое зеркало, установленное под углом к оси пучка, и две идентичные конические линзы, перед первым диэлектрическим зеркалом устанавливают диафрагму, диаметр отверстия в которой определяют по уравнениюThe technical result is achieved by the fact that in the installation for laser processing, containing a laser and located on the axis of the laser beam, a telescopic beam diameter converter consisting of a positive lens and a negative lens, a rotary dielectric mirror mounted at an angle to the beam axis, and two identical conical lenses, in front of the first dielectric mirror, a diaphragm is installed, the diameter of the hole in which is determined by the equation

dotv=3,2re,d otv = 3,2r e ,

где re - радиус, при котором плотность мощности по сечению гауссова пучка уменьшается в «е» раз;where r e is the radius at which the power density over the cross section of the Gaussian beam decreases by "e"times;

е - основание натурального логарифма,e is the base of the natural logarithm,

коэффициент отражения первого диэлектрического зеркала определяют по уравнениюthe reflection coefficient of the first dielectric mirror is determined by the equation

Figure 00000004
Figure 00000004

где R2 - коэффициент отражения от обеих поверхностей каждой конической линзы,where R 2 is the reflection coefficient from both surfaces of each conical lens,

расстояние L между первой и второй коническими линзами устанавливают равнымthe distance L between the first and second conical lenses is set equal

Figure 00000005
Figure 00000005

где β - угол у основания конической линзы;where β is the angle at the base of the conical lens;

n - показатель преломления материала конической линзы,n is the refractive index of the material of the conical lens,

а второе диэлектрическое зеркало с коэффициентом отражения ~0,999 располагают под углом к оси пучка, отраженного первым диэлектрическим зеркалом, обеспечивающим его совмещение на поверхности обрабатываемой пластины с пучком, прошедшим конические линзы.and the second dielectric mirror with a reflection coefficient of ~ 0.999 is placed at an angle to the axis of the beam reflected by the first dielectric mirror, which ensures its combination on the surface of the processed plate with a beam that has passed through conical lenses.

Сущность полезной модели поясняется фиг. 1-3.The essence of the utility model is illustrated in FIG. 1-3.

На фиг. 1 представлена установка для лазерной обработки, содержащая лазер 1, телескопическую систему преобразования диаметра лазерного пучка, образованную положительной линзой 2 и отрицательной линзой 3, диафрагму 4, диэлектрическое зеркало 5, делящее лазерный пучок на два пучка равной мощности, диэлектрическое зеркало 6 с коэффициентом отражения R~0,999, которое направляет отраженный зеркалом 5 лазерный пучок на обрабатываемую полупроводниковую пластину 7, две конические линзы 8 и 9, расположенные на расстоянии L друг от друга и преобразующие прошедший через диэлектрическое зеркало 5 лазерный пучок таким образом, что периферийные лучи оказываются в центре пучка, а центральные лучи - на периферии. На обрабатываемой пластине 7 лазерный пучок, прошедший через конические линзы 8 и 9 складывается с пучком, отраженным зеркалом 6.In FIG. 1 shows a laser processing installation comprising a laser 1, a telescopic system for converting the diameter of a laser beam formed by a positive lens 2 and a negative lens 3, an aperture 4, a dielectric mirror 5, dividing the laser beam into two beams of equal power, a dielectric mirror 6 with a reflection coefficient R ~ 0.999, which directs the laser beam reflected by mirror 5 to the semiconductor wafer 7 being processed, two conical lenses 8 and 9 located at a distance L from each other and transforming the transmitted th through the dielectric mirror 5, the laser beam so that the peripheral rays are in the center of the beam and the central rays - at the periphery. On the processed plate 7, the laser beam passing through the conical lenses 8 and 9 is added to the beam reflected by the mirror 6.

Установка для лазерной обработки работает следующим образом.Installation for laser processing works as follows.

Лазер 1 излучает пучок с распределением плотности мощности по его сечению в соответствии с функцией ГауссаLaser 1 emits a beam with a power density distribution over its cross section in accordance with the Gaussian function

Figure 00000006
Figure 00000006

где r - текущий радиус;where r is the current radius;

q0 - плотность мощности лазерного излучения на оси пучка;q 0 is the power density of laser radiation on the axis of the beam;

re - радиус, при котором плотность мощности уменьшается в «е» раз;r e is the radius at which the power density decreases by "e"times;

е - основание натурального логарифма.e is the base of the natural logarithm.

Телескопическим преобразователем, образованным положительной линзой 2 и отрицательной линзой 3 осуществляется уменьшения диаметра пучка излучения для повышения плотности мощности в нем. При этом закон распределения плотности мощности по сечению пучка сохраняется. На фиг. 2 показано в относительных единицах распределение плотности мощности по сечению пучка А-А. Диафрагмой 4 из Гауссова пучка вырезается пучок требуемого диаметра. Затем диэлектрическим зеркалом 5 лазерный пучок делится на два пучка. Коэффициент отражения зеркала 5 определяют из условия равенства мощностей двух пучков на обрабатываемой пластине 7 и рассчитывают по уравнениюA telescopic converter formed by a positive lens 2 and a negative lens 3 reduces the diameter of the radiation beam to increase the power density in it. In this case, the law of distribution of power density over the beam cross section is preserved. In FIG. 2 shows in relative units the distribution of power density over the beam cross section AA. Aperture 4 from the Gaussian beam cuts the beam of the desired diameter. Then, with a dielectric mirror 5, the laser beam is divided into two beams. The reflection coefficient of the mirror 5 is determined from the condition of equality of power of two beams on the processed plate 7 and calculated by the equation

Figure 00000007
Figure 00000007

где R2 - коэффициент отражения от обеих поверхностей каждой конической линзы, определяемый по уравнениюwhere R 2 is the reflection coefficient from both surfaces of each conical lens, determined by the equation

Figure 00000008
Figure 00000008

где n - показатель преломления материала конической линзы.where n is the refractive index of the material of the conical lens.

Например, если конические линзы изготовлены из оптического стекла К8 с показателем преломления n=1,5, то R2=0,08 и R1=0,458. Предполагается, что конические линзы 8 и 9 изготовлены из одного материала и имеют одинаковый угол β у основания. Далее конической линзой 8 лазерный пучок отклоняется от первоначального направления к оси линзы на угол, определяемый по уравнениюFor example, if conical lenses are made of K8 optical glass with a refractive index of n = 1.5, then R 2 = 0.08 and R 1 = 0.458. It is assumed that the conical lenses 8 and 9 are made of the same material and have the same angle β at the base. Further, with a conical lens 8, the laser beam deviates from the initial direction to the axis of the lens by an angle determined by the equation

Figure 00000009
Figure 00000009

На расстоянии L, определяемом по уравнениюAt a distance L defined by the equation

Figure 00000010
Figure 00000010

где dotv - диаметр отверстия в диафрагме 4,where d otv is the diameter of the hole in the diaphragm 4,

устанавливают вторую коническую линзу 9, которая преобразует расходящийся под углом φ лазерный пучок в параллельный пучок таким образом, что периферийные лучи оказываются в центре пучка, а центральные - на периферии. На фиг. 3 показано в относительных единицах распределение плотности мощности в пучках в сечениях В-В (ряд 1), С-С (ряд 2) и в D-D (ряд 3) на поверхности обрабатываемой пластины 7 при диаметре отверстия в диафрагме dotv=3,2re, то есть при r/re=1,6. Распределение плотности мощности на поверхности пластины получают суммированием плотностей мощности двух пучков при совмещении их центров. Видно, что распределение плотности мощности лазерного излучения на обрабатываемой пластине близко к равномерному. Расчеты показывают, что отношение максимальной плотности мощности qmax на поверхности пластины к минимальной плотности мощности qmin составляют не более 1,05. В таблице приведены результаты расчетов для различных значений dotv.a second conical lens 9 is installed, which converts the laser beam diverging at an angle φ into a parallel beam so that the peripheral rays are in the center of the beam, and the central ones on the periphery. In FIG. 3 shows in relative units the distribution of power density in the beams in sections BB (row 1), CC (row 2) and DD (row 3) on the surface of the plate 7 being machined with the diameter of the hole in the diaphragm d otv = 3,2r e , i.e., at r / r e = 1.6. The distribution of power density on the surface of the plate is obtained by summing the power densities of two beams when combining their centers. It can be seen that the distribution of the power density of the laser radiation on the processed plate is close to uniform. Calculations show that the ratio of the maximum power density q max on the plate surface to the minimum power density q min is not more than 1.05. The table shows the calculation results for various values of d otv .

Figure 00000011
Figure 00000011

Видно, что при dotv=3,2re распределение плотности мощности лазерного излучения на обрабатываемой пластине наиболее близко к равномерному, что уменьшает возможность образования дефектов отжига и повышает выход годной продукции. Кроме того, в предложенной установке полезно используется почти вся площадь гауссова пучка, что приводит к уменьшению энергетических затрат на обработку по сравнению с известными методами.It can be seen that at d otv = 3,2r e the distribution of the laser radiation power density on the plate being processed is closest to uniform, which reduces the possibility of annealing defects and increases the yield. In addition, in the proposed installation, it is useful to use almost the entire area of the Gaussian beam, which leads to a reduction in the energy cost of processing in comparison with the known methods.

Таким образом, решается поставленная задача и достигается заявленный технический эффект, выражающийся в увеличении выхода годной продукции за счет равномерного распределения плотности мощности лазерного излучения на поверхности обрабатываемой полупроводниковой пластины с имплантатом.Thus, the task is solved and the claimed technical effect is achieved, which is expressed in increasing the yield of products due to the uniform distribution of the laser radiation power density on the surface of the treated semiconductor wafer with an implant.

Claims (1)

Установка для лазерной обработки, содержащая лазер и расположенные на оси лазерного пучка телескопический преобразователь диаметра пучка, состоящий из положительной линзы и отрицательной линзы, поворотное диэлектрическое зеркало, установленное под углом к оси пучка, и две идентичные конические линзы, отличающаяся тем, что перед диэлектрическим зеркалом установлена диафрагма, диаметр отверстия в которой равенA laser processing installation comprising a laser and a telescopic beam diameter transmitter located on the axis of the laser beam, consisting of a positive lens and a negative lens, a rotatable dielectric mirror mounted at an angle to the beam axis, and two identical conical lenses, characterized in that in front of the dielectric mirror a diaphragm is installed, the diameter of the hole in which is equal to dotv=3,2re,d otv = 3,2r e , где re - радиус, при котором плотность мощности по сечению гауссова пучка уменьшается в «е» раз;where r e is the radius at which the power density over the cross section of the Gaussian beam decreases by "e"times; е - основание натурального логарифма,e is the base of the natural logarithm, коэффициент отражения первого диэлектрического зеркала равенthe reflection coefficient of the first dielectric mirror is
Figure 00000001
Figure 00000001
 где R2 - коэффициент отражения от обеих поверхностей каждой конической линзы, where R 2 is the reflection coefficient from both surfaces of each conical lens, а расстояние L между первой и второй коническими линзами равноand the distance L between the first and second conical lenses is
Figure 00000002
Figure 00000002
 где β - угол у основания конической линзы;where β is the angle at the base of the conical lens; n - показатель преломления материала конической линзы,n is the refractive index of the material of the conical lens, а второе диэлектрическое зеркало с коэффициентом отражения 0,999 расположено под углом к оси пучка, отраженного первым диэлектрическим зеркалом, обеспечивающим его совмещение на поверхности обрабатываемой пластины с пучком, прошедшим конические линзы.
Figure 00000003
and the second dielectric mirror with a reflection coefficient of 0.999 is located at an angle to the axis of the beam reflected by the first dielectric mirror, ensuring its combination on the surface of the processed plate with a beam that has passed through conical lenses.
Figure 00000003
RU2016104097/02U 2016-02-09 2016-02-09 INSTALLATION FOR LASER PROCESSING RU162815U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016104097/02U RU162815U1 (en) 2016-02-09 2016-02-09 INSTALLATION FOR LASER PROCESSING

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016104097/02U RU162815U1 (en) 2016-02-09 2016-02-09 INSTALLATION FOR LASER PROCESSING

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU162815U1 true RU162815U1 (en) 2016-06-27

Family

ID=56195628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016104097/02U RU162815U1 (en) 2016-02-09 2016-02-09 INSTALLATION FOR LASER PROCESSING

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU162815U1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174838U1 (en) * 2017-04-12 2017-11-03 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") Laser processing unit
WO2021130727A1 (en) * 2019-12-27 2021-07-01 Дмитрий ЧУХЛАНЦЕВ Device for laser build-up welding, and optical head

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174838U1 (en) * 2017-04-12 2017-11-03 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") Laser processing unit
WO2021130727A1 (en) * 2019-12-27 2021-07-01 Дмитрий ЧУХЛАНЦЕВ Device for laser build-up welding, and optical head

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106291950B (en) Multiple beam combiner for laser processing apparatus
RU162815U1 (en) INSTALLATION FOR LASER PROCESSING
CN1665637A (en) Beam formation unit comprising two axicon lenses, and device comprising one such beam formation unit for introducing radiation energy into a workpiece consisting of a weakly-absorbent material
CN103934576A (en) Method for inducting two-dimensional periodic structure on surface of material through femtosecond laser
CN106526872B (en) Transmission-type laser beam shaping system
EP2643120A1 (en) Beam shaper and method for laser treating workpiece
JPS5641088A (en) Monitoring device for laser light axis
RU174838U1 (en) Laser processing unit
RU187729U1 (en) Laser processing unit
Nosov et al. Investigation of the spatial structure of a high-power fiber laser beam
CN111715624A (en) Laser cleaning device
CN113253470B (en) Collimating annular light beam generating device, laser communication system and laser processing system
US20210146476A1 (en) Stealth dicing apparatus and stealth dicing method
CN108897075B (en) Sub-wavelength imaging device based on silicon ball and photonic crystal negative refraction effect
Baranova et al. Diffraction and self-focusing during amplification of high-power light pulses. I. Development of diffraction and self-focusing in an amplifier
TW202023728A (en) Laser machining device and a machining method which beam diameter is reduced to allow a laser beam to emit into a cone lens
US11982841B2 (en) Laser beam delivery system
KR101733434B1 (en) Method for cutting substrate using spherical aberration
Zhao et al. Double-distance propagation of Gaussian beams passing through a tilted cat-eye optical lens in a turbulent atmosphere
CN111975215A (en) Laser processing apparatus and method
US20140307323A1 (en) Optical lens and apparatus for producing uniform beam using same
CN109273864B (en) Device for generating millimeter wave Bessel wave beam by using double-fed source
CN109346849B (en) Device for generating millimeter wave Bessel wave beam
CN111975216B (en) Multi-beam laser processing device and method
Currie et al. Customised low-angle refractive diffusers for high power laser applications