RU160523U1 - PLANAR MULTI-SILICON SILICON PHOTODIO - Google Patents

PLANAR MULTI-SILICON SILICON PHOTODIO Download PDF

Info

Publication number
RU160523U1
RU160523U1 RU2015149352/28U RU2015149352U RU160523U1 RU 160523 U1 RU160523 U1 RU 160523U1 RU 2015149352/28 U RU2015149352/28 U RU 2015149352/28U RU 2015149352 U RU2015149352 U RU 2015149352U RU 160523 U1 RU160523 U1 RU 160523U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
regions
planar
site
contact
guard ring
Prior art date
Application number
RU2015149352/28U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Владимир Петрович Астахов
Наталья Игоревна Евстафьева
Елена Федоровна Карпенко
Владимир Владимирович Карпов
Геннадий Михайлович Лихачев
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы" filed Critical Открытое акционерное общество "Швабе-Фотосистемы"
Priority to RU2015149352/28U priority Critical patent/RU160523U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU160523U1 publication Critical patent/RU160523U1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод, содержащий кремниевую подложку n-типа проводимости, в которой на рабочей стороне выполнены планарные p- n-переходы, образующие отдельные фоточувствительные площадки, и охранное кольцо, окружающее каждую площадку, планарные n-области омических контактов к базе, электрически соединенные с p-областью охранного кольца, на поверхности планарной структуры сформирована пленка SiO, в которой выполнены окна к p-областям площадок и охранного кольца и n-областям омического контакта для обеспечения электрического контакта этих областей со слоем алюминия, нанесенным на пленку SiOи формирующим контактную систему, состоящую из контактов к каждой площадке и участков, закорачивающих n-области омических контактов к базе и p-области охранного кольца, отличающийся тем, что толщина слоя алюминия на 0,5÷2,0 мкм превышает толщину пленки SiOв месте наиболее глубокого контактного окна.A planar multi-site silicon photodiode containing an n-type silicon substrate in which planar p-n junctions are made on the working side, forming separate photosensitive sites, and a guard ring surrounding each site, planar n-areas of ohmic contacts to the base, are electrically connected with the p-region of the guard ring, a SiO film is formed on the surface of the planar structure, in which windows are made to the p-regions of the sites and the guard ring and n-regions of the ohmic contact to provide electrical contact of these regions with an aluminum layer deposited on a SiO film and forming a contact system consisting of contacts to each site and sections shorting the n-regions of ohmic contacts to the base and the p-region of the guard ring, characterized in that the aluminum layer thickness is 0, 5 ÷ 2.0 μm exceeds the thickness of the SiO film at the site of the deepest contact window.

Description

Заявляемый планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод (ФД) относится к полупроводниковым приборам, чувствительным в диапазоне длин волн (0,4-1,2)мкм и применяемым в фотовольтаическом режиме включения в системах отображения рельефа при низких уровнях засветки. К таким приборам предъявляются требования квантовой эффективности не ниже (50÷60)% при низких уровнях шумового напряжения, которое определяется соотношением Найквиста:The inventive planar multi-site silicon photodiode (PD) refers to semiconductor devices that are sensitive in the wavelength range (0.4-1.2) microns and are used in the photovoltaic switching mode in terrain display systems at low levels of illumination. The requirements of quantum efficiency of at least (50 ÷ 60)% are imposed on such devices at low noise voltage levels, which is determined by the Nyquist relation:

Figure 00000002
Figure 00000002

где R - сопротивление контактной системы,where R is the resistance of the contact system,

Δf - полоса частот измерения,Δf is the measurement frequency band,

Т - абсолютная температура,T is the absolute temperature

k - постоянная Больцмана.k is the Boltzmann constant.

К таким приборам предъявляются также требования работоспособности в нормальных условиях (НУ) и при повышенной (до +70°С) температуре среды с незначительным ухудшением параметров во втором случае.Such devices are also required to operate under normal conditions (NU) and at elevated (up to + 70 ° C) ambient temperature with a slight deterioration in the second case.

При этом, одним из важнейших требований является крайне незначительный разброс по площадкам значений Uш при каждой из заданных температур среды.At the same time, one of the most important requirements is an extremely insignificant scatter on the sites of the values of U W for each of the given medium temperatures.

Известны планарные кремниевые ФД (см. ж. Прикладная физика №3, 2003 г., с. 115-121) на подложках кремния n-типа проводимости с удельным сопротивлением 20 и 130 Ом·см, содержащие планарные р+-области фоточувствительных площадок с дефектной периферийной областью, созданной имплантацией ионов

Figure 00000003
, уменьшающей поверхностные утечки, и омический контакт n+-n типа на обратной стороне подложки. Недостатком таких ФД является сложность создания периферийной дефектной области. Дополнительным недостатком ФД на подложках с удельным сопротивлением 20 Ом см является повышенный уровень шумового тока (Iт) и в НУ, и при Т=+70°С, а ФД на подложках с удельным сопротивлением 130 Ом·см - особенно высокий уровень Iт при Т=+70°С.Known planar silicon PDs (see J. Applied Physics No. 3, 2003, pp. 115-121) on n-type silicon substrates with resistivities of 20 and 130 Ohm · cm, containing planar p + regions of photosensitive sites with defective peripheral region created by implantation of ions
Figure 00000003
that reduces surface leakage and ohmic contact n + -n type on the back of the substrate. The disadvantage of such PD is the difficulty of creating a peripheral defective region. An additional disadvantage of PD on substrates with a resistivity of 20 Ω cm is the increased noise current level (I t ) both in NU and at Т = + 70 ° С, and PD on substrates with a resistivity of 130 Ω cm is a particularly high level of I t at Т = + 70 ° С.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемой полезной модели и принятым за прототип является планарный ФД на подложках кремния n-типа проводимости с удельным сопротивлением (90-100) Ом·см (см. ж. Прикладная физика, №1, 2002 г., с. 48-55). Характерной особенностью таких ФД является наличие охранного кольца (OK) - дополнительного замкнутого на базу планарного p+-n перехода, окружающего планарный p+-n переход фоточувствительной площадки и отстоящий от нее на расстояние не больше диффузионной длины дырок в базе. На поверхности рабочей стороны имеется защитная и просветляющая пленка SiO2 с окнами для контактов. На обратной стороне подложки имеется омический контакт к базе n+-n-типа. Контактная система сформирована на основе слоя Аl. Недостатком прототипа является повышенный уровень Uш и в НУ и при повышенных температурах, а также большой разброс значений этого параметра в многоплощадочных ФД.The closest in technical essence to the claimed utility model and adopted as a prototype is a planar PD on n-type silicon substrates of conductivity with a resistivity of (90-100) Ohm · cm (see J. Applied Physics, No. 1, 2002, p. . 48-55). A characteristic feature of such PDs is the presence of a guard ring (OK) - an additional planar p + -n junction closed to the base, surrounding the planar p + -n junction of the photosensitive area and at a distance no more than the diffusion length of holes in the base. On the surface of the working side there is a protective and antireflection film SiO 2 with windows for contacts. On the back of the substrate there is an ohmic contact to the n + -n-type base. The contact system is formed on the basis of the Al layer. The disadvantage of the prototype is the increased level of U W and in the NU and at elevated temperatures, as well as a large variation in the values of this parameter in multi-site PD.

Заявляемая полезная модель решает задачу снижения шумового напряжения в НУ и при повышенных температурах, и увеличения равномерности этих параметров по площадкам ФД, что является техническим результатом при использовании устройства.The inventive utility model solves the problem of reducing noise voltage in the NU and at elevated temperatures, and increasing the uniformity of these parameters across the PD areas, which is a technical result when using the device.

Указанный технический результат достигается тем, что слой алюминия, обеспечивающий контакт к p+-областям площадок и ОК и n+-областям планарных омических контактов к базе через контактные окна в пленке SiO2, имеет толщину на (0,5-2,0) мкм превосходящую толщину пленки SiO2 в области наиболее глубокого контактного окна.The specified technical result is achieved in that the aluminum layer providing contact to the p + regions of the sites and the OC and n + regions of the planar ohmic contacts to the base through the contact windows in the SiO 2 film has a thickness of (0.5-2.0) μm superior to the thickness of the SiO 2 film in the region of the deepest contact window.

Такая толщина слоя алюминия обеспечивает отсутствие избыточных значений Uш, источником которых и в НУ и при повышенных температурах являются флуктуации сопротивления алюминиевых контактов в области границ контактного окна. Левая граница указанного интервала толщин определяет минимальную толщину, при которой флуктуации сопротивления контактов не создают избыточного расшумливания и достигается высокая равномерность значений Uш по площадкам, а правая граница определяет толщины, при которых происходит подтравливание контактов под фоторезистом при формировании контактной системы.This thickness of the aluminum layer ensures the absence of excess values of U W , the source of which both in the OHC and at elevated temperatures are fluctuations in the resistance of aluminum contacts in the region of the boundaries of the contact window. The left boundary of the indicated thickness range determines the minimum thickness at which fluctuations of the contact resistance do not create excessive noise and achieve a high uniformity of the values of U w across the sites, and the right boundary determines the thickness at which the contacts are etched under the photoresist during the formation of the contact system.

Сущность предлагаемой полезной модели поясняется чертежами фиг. 1 и фиг. 2, на которых схематически изображены кристалл ФД (вид сверху фиг.1a и в разрезе фиг. 1б) и фрагмент области глубокого контактного окна Б, поясняющий возможность генерации флуктуаций сопротивления контакта при толщине слоя алюминия меньше глубины контактного окна или при его небольшом превышении (фиг. 2).The essence of the proposed utility model is illustrated by drawings of FIG. 1 and FIG. 2, which schematically depicts a PD crystal (top view of FIG. 1a and a sectional view of FIG. 1b) and a fragment of the deep contact window region B, explaining the possibility of generating fluctuations of the contact resistance when the thickness of the aluminum layer is less than the depth of the contact window or if it is slightly exceeded (FIG. . 2).

Согласно фиг.1a и формуле полезной модели, на рабочей стороне пластины кремния n-типа проводимости 1 расположены рабочие фоточувствительные площадки 2 и единое ОК 3 (p+-слой). Рядом с ОК, а в зазоре между площадками - в разрыве между участками ОК, близлежащими к соседним площадкам, расположены участки n+-типа омического контакта 4. Планарная поверхность защищена пленкой SiO2 5 с окнами для обеспечения контактов 6 ко всем рабочим площадкам и контактов 7 к n+-областям омических контактов к базе и соседним участкам ОК, обеспечивая их электрическое соединение. Контактная система 6, 7 обеспечивается слоем Аl, толщина которого превышает толщину пленки SiO2 в области самого глубокого контактного окна на (0,5÷2,0) мкм. На обратной стороне имеется слой n+-типа 9 (омический контакт к базе) с поверхностным слоем Аl 8.According to Fig.1a and the utility model, on the working side of the n-type silicon wafer 1 there are working photosensitive pads 2 and a single OK 3 (p + layer). Near the OK, and in the gap between the sites, in the gap between the OK sites adjacent to the adjacent sites, there are n + -type contacts 4. The planar surface is protected by a SiO 2 5 film with windows to provide contacts 6 to all work sites and contacts 7 to the n + -regions of ohmic contacts to the base and neighboring OK sections, providing their electrical connection. The contact system 6, 7 is provided by an Al layer, the thickness of which exceeds the thickness of the SiO 2 film in the region of the deepest contact window by (0.5 ÷ 2.0) μm. On the reverse side there is a layer of n + -type 9 (ohmic contact to the base) with a surface layer of Al 8.

Фиг. 2 показывает, что на краях контактных окон имеются «перешейки» 10 между участком Аl, расположенным в глубине окна и участком, расположенным на граничной области SiO2. При одной и той же толщине слоя Аl наиболее тонкий перешеек имеет место на границах именно наиболее глубокого контактного окна. В случае, когда толщина слоя Al (dA1) и толщина пленки SiO2 (dSiO2) находятся в соотношении dA1<dSiO2 (фиг. 2a) перешеек 10 является наиболее тонким и он образован подпылением за счет отклонения подложки от нормального положения относительно пучка распыляемых атомов алюминия или за счет миграции этих атомов при подогреве подложки. За счет механических напряжений на краях окна, показанных на чертеже и вызванных разницей в температурных коэффициентах линейного расширения Аl и SiO2, перешеек 10 в этом случае пронизан трещинами 11, являющимися источниками генерации шума при флуктуациях тока и температуры.FIG. 2 shows that at the edges of the contact windows there are “isthmuses” 10 between the portion Al located in the depth of the window and the portion located on the boundary region of SiO 2 . With the same thickness of the Al layer, the thinnest isthmus takes place at the borders of precisely the deepest contact window. In the case where the Al layer thickness (d A1 ) and the SiO 2 film thickness (d SiO2 ) are in the ratio d A1 <d SiO2 (Fig. 2a), the isthmus 10 is the thinnest and is formed by dusting due to the deviation of the substrate from the normal position relative to beam of atomized aluminum atoms or due to the migration of these atoms when the substrate is heated. Due to mechanical stresses at the window edges shown in the drawing and caused by the difference in the temperature coefficients of linear expansion of Al and SiO 2 , the isthmus 10 in this case is pierced by cracks 11, which are sources of noise generation under current and temperature fluctuations.

При (dA1-dSiO2)<0,5 мкм (фиг. 2б) трещины 11 также могут играть заметную роль в модуляции сопротивления перешейка и генерации шумов. При условии (dA1-dSiO2)>0,5 мкм (фиг. 2в) шумовой ток, обусловленный флуктуациями сопротивления трещин перешейка, эффективно шунтируется достаточно толстым слоем структурно совершенного алюминия, который «гасит» шумовые проявления в перешейке и в контакте в целом.For (d A1 -d SiO2 ) <0.5 μm (Fig. 2b), cracks 11 can also play a significant role in modulating the resistance of the isthmus and generating noise. Under the condition (d A1 -d SiO2 )> 0.5 μm (Fig. 2c), the noise current caused by fluctuations in the resistance of cracks in the isthmus is effectively shunted by a sufficiently thick layer of structurally perfect aluminum, which “dampens” the noise manifestations in the isthmus and in the contact as a whole .

При фотовольтаическом включении предлагаемого ФД в отсутствие засветки происходит генерация напряжения шума, которое уменьшено за счет применения контактных слоев Аl с толщиной, превосходящей на (0,5÷2,0) мкм толщину защитной пленки SiO2 в месте наиболее глубокого контактного окна.When the proposed PD is switched on in the absence of illumination, a noise voltage is generated, which is reduced due to the use of Al contact layers with a thickness exceeding (0.5 ÷ 2.0) μm the thickness of the SiO 2 protective film at the site of the deepest contact window.

Были изготовлены 16-площадочные ФД на рабочую длину волны 0,53 мкм с площадками размером 1,4×1,4 мм, расположенными в линию, с зазором между площадками 150 мкм в соответствии с предложением, с отступлениями от предложения, а также без закороченного ОК и по прототипу с толщиной контактного слоя Al dA1 ~0,75 мкм.16-platform PDs were manufactured for a working wavelength of 0.53 μm with pads of 1.4 × 1.4 mm in size, with a gap between the pads of 150 μm in accordance with the proposal, with deviations from the offer, and also without shorted OK and on the prototype with the thickness of the contact layer Al d A1 ~ 0.75 μm.

Изготовлена партия из 30 пластин n-Si толщиной 0,4 мм с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см по следующему технологическому маршруту:A batch of 30 n-Si plates with a thickness of 0.4 mm with a specific resistance of 4.5 Ohm · cm was manufactured using the following technological route:

1 - окисление при температуре 1150°С (сухой-влажный-сухой кислород) до толщины пленки SiO2 dSiO2=0,6 мкм;1 - oxidation at a temperature of 1150 ° C (dry-wet-dry oxygen) to a film thickness of SiO 2 d SiO2 = 0.6 μm;

2 - загонка и разгонка атомов бора с окислением для создания p+-областей площадок и ОК толщиной ~1,5 мкм и поверхностной окисной пленки толщиной ~0,3 мкм;2 - flashing and acceleration of boron atoms with oxidation to create p + -regions of sites and OK with a thickness of ~ 1.5 μm and a surface oxide film with a thickness of ~ 0.3 μm;

3 - имплантация ионов фосфора с энергией 60 кэВ и дозой 2·1015 см-2 с последующим отжигом в атмосфере азота при T1=600°С (1 час) и Т2=900°С (1 час) для создания n+-области вокруг каждой площадки и на обратной стороне пластины;3 - implantation of phosphorus ions with an energy of 60 keV and a dose of 2 · 10 15 cm -2 followed by annealing in a nitrogen atmosphere at T 1 = 600 ° C (1 hour) and T 2 = 900 ° C (1 hour) to create n + -areas around each site and on the back of the plate;

4 - вскрытие контактных окон в областях толстой (0,6 мкм) и тонкой (0,3 мкм) окисной пленки, нанесение слоя Аl толщиной 0,15; 0,35; 0,75; 1,2; 2,5 и 2,9 мкм по 5 пластин каждого варианта исполнения и формирование контактной системы с применением фотолитографии.4 - opening of contact windows in the areas of a thick (0.6 μm) and thin (0.3 μm) oxide film, applying an Al layer with a thickness of 0.15; 0.35; 0.75; 1,2; 2.5 and 2.9 μm, 5 plates of each embodiment and the formation of a contact system using photolithography.

После изготовления и разрезания пластин на ЧИПы (16 площадок с двумя планарными омическими контактами) последние приклеивались на ситалловый растр, на который разваривались все планарные контакты кристалла.After the plates were fabricated and cut into ChIPs (16 pads with two planar ohmic contacts), the latter were glued to a sitallic raster onto which all planar crystal contacts were welded.

Кристаллы на растре последовательно стыковали с одной и той же группой усилителей с полосой частот Δf=70 Гц и на них вольтметром В3-54 измеряли значения напряжения шума при температурах (20±2)°С и (70±2)°С соответственно

Figure 00000004
и
Figure 00000005
.The crystals on the raster were sequentially docked with the same group of amplifiers with a frequency band Δf = 70 Hz, and the noise voltage was measured on them with a B3-54 voltmeter at temperatures of (20 ± 2) ° С and (70 ± 2) ° С, respectively
Figure 00000004
and
Figure 00000005
.

Средние значения измеренных параметров и их неравномерности для каждого из вариантов исполнения кристаллов представлены в таблице. При этом неравномерность каждого параметра ΔП рассчитывалась по формуле:The average values of the measured parameters and their non-uniformity for each of the crystal designs are presented in the table. In this case, the non-uniformity of each parameter ΔP was calculated by the formula:

Figure 00000006
Figure 00000006

где Пmax, Пmin,

Figure 00000007
- соответственно максимальное, минимальное и среднее значение рассматриваемого параметра по данному варианту исполнения.where P max P min
Figure 00000007
- respectively, the maximum, minimum and average value of the parameter in question for this embodiment.

Figure 00000008
Figure 00000008

Figure 00000009
Figure 00000009

В таблице жирным шрифтом выделены позиции, не отвечающие установленным нормам.The table in bold indicates the positions that do not meet the established standards.

Как следует из данных таблицы, при уменьшении толщины слоя Аl ниже заявленного значения происходит заметное ухудшение параметров

Figure 00000004
и
Figure 00000005
и их равномерности. При этом последовательное уменьшение толщины этого слоя ухудшает сначала параметры
Figure 00000005
и
Figure 00000010
, а затем и
Figure 00000004
и
Figure 00000011
ниже нормы. При превышении заявленного значения толщины слоя Аl происходит заметное подтравливание контактов.As follows from the data in the table, with a decrease in the layer thickness Al below the declared value, a noticeable deterioration of the parameters
Figure 00000004
and
Figure 00000005
and their uniformity. In this case, a sequential decrease in the thickness of this layer first worsens the parameters
Figure 00000005
and
Figure 00000010
and then
Figure 00000004
and
Figure 00000011
below normal. If the declared value of the Al layer thickness is exceeded, a noticeable etching of the contacts occurs.

Таким образом, предлагаемый планарный многоплощадочный ФД при фотовольтаическом включении в нормальных условиях и при повышенных температурах обеспечивает улучшение таких параметров как напряжение шума и его равномерность по площадкам.Thus, the proposed planar multi-site PD with photovoltaic inclusion under normal conditions and at elevated temperatures provides an improvement in such parameters as noise voltage and its uniformity across the sites.

Claims (1)

Планарный многоплощадочный кремниевый фотодиод, содержащий кремниевую подложку n-типа проводимости, в которой на рабочей стороне выполнены планарные p+- n-переходы, образующие отдельные фоточувствительные площадки, и охранное кольцо, окружающее каждую площадку, планарные n+-области омических контактов к базе, электрически соединенные с p+-областью охранного кольца, на поверхности планарной структуры сформирована пленка SiO2, в которой выполнены окна к p+-областям площадок и охранного кольца и n+-областям омического контакта для обеспечения электрического контакта этих областей со слоем алюминия, нанесенным на пленку SiO2 и формирующим контактную систему, состоящую из контактов к каждой площадке и участков, закорачивающих n+-области омических контактов к базе и p+-области охранного кольца, отличающийся тем, что толщина слоя алюминия на 0,5÷2,0 мкм превышает толщину пленки SiO2 в месте наиболее глубокого контактного окна.
Figure 00000001
A planar multi-site silicon photodiode containing an n-type silicon substrate, in which planar p + - n-junctions are formed on the working side, forming separate photosensitive sites, and a guard ring surrounding each site, planar n + -regions of ohmic contacts to the base, electrically connected to the p + region of the guard ring, a SiO 2 film is formed on the surface of the planar structure, in which windows are made to the p + regions of the sites and the guard ring and n + regions of the ohmic contact to ensure the electrical contact of these areas with an aluminum layer deposited on the SiO 2 film and forming a contact system consisting of contacts to each site and sections shorting the n + regions of ohmic contacts to the base and the p + regions of the guard ring, characterized in that the thickness the aluminum layer by 0.5 ÷ 2.0 μm exceeds the thickness of the SiO 2 film in place of the deepest contact window.
Figure 00000001
RU2015149352/28U 2015-11-18 2015-11-18 PLANAR MULTI-SILICON SILICON PHOTODIO RU160523U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015149352/28U RU160523U1 (en) 2015-11-18 2015-11-18 PLANAR MULTI-SILICON SILICON PHOTODIO

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015149352/28U RU160523U1 (en) 2015-11-18 2015-11-18 PLANAR MULTI-SILICON SILICON PHOTODIO

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014151141/28U Division RU158474U1 (en) 2014-12-17 2014-12-17 PLANAR MULTI-SILICON SILICON PHOTODIO

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU160523U1 true RU160523U1 (en) 2016-03-20

Family

ID=55660943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015149352/28U RU160523U1 (en) 2015-11-18 2015-11-18 PLANAR MULTI-SILICON SILICON PHOTODIO

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU160523U1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174468U1 (en) * 2016-11-02 2017-10-16 Акционерное общество "НПО "Орион" Multi-site silicon pin-photosensitive element
RU181785U1 (en) * 2018-02-19 2018-07-26 Акционерное общество "НПО "Орион" Multi-site silicon pin photodiode

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174468U1 (en) * 2016-11-02 2017-10-16 Акционерное общество "НПО "Орион" Multi-site silicon pin-photosensitive element
RU181785U1 (en) * 2018-02-19 2018-07-26 Акционерное общество "НПО "Орион" Multi-site silicon pin photodiode

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU158474U1 (en) PLANAR MULTI-SILICON SILICON PHOTODIO
US9893211B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
US9236519B2 (en) Geiger-mode avalanche photodiode with high signal-to-noise ratio, and corresponding manufacturing process
US7759623B2 (en) Silicon photoelectric multiplier (variants) and a cell for silicon photoelectric multiplier
JP6402773B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8664691B2 (en) Silicon photomultiplier with trench isolation
RU126195U1 (en) MULTI-PLAN PLANAR SILICON PIN PHOTODIO
JP2010536165A (en) Avalanche photodiode
GB2593354A (en) PN-junction phase modulator in a large silicon waveguide platform
WO2013107508A1 (en) Bipolar junction transistor with spacer layer and method of manufacturing the same
RU160523U1 (en) PLANAR MULTI-SILICON SILICON PHOTODIO
TWI521217B (en) An evaluation method for a semiconductor substrate, a semiconductor substrate for evaluation, and a semiconductor device
US8901601B2 (en) Vertical power component
US10868122B2 (en) Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device
JP2012174895A (en) High breakdown voltage semiconductor device
KR101016183B1 (en) TVS grade Zener diode and Fabrication Method thereof
US9245944B2 (en) Silicon carbide device and a method for manufacturing a silicon carbide device
US20170271158A1 (en) Method for manufacturing a wide bandgap junction barrier schottky diode
JP6594296B2 (en) Zener diode with polysilicon layer with improved reverse surge capability and reduced leakage current
US20180158963A1 (en) Semiconductor device
RU168495U1 (en) Silicon p-i-n low dark current photodiode
RU121102U1 (en) InSb-Based Photoresistor
JP2004047825A (en) Solar cell
US11764236B2 (en) Method for manufacturing back surface incident type semiconductor photo detection element
US11276794B2 (en) Backside illuminated semiconductor photodetection element

Legal Events

Date Code Title Description
PD1K Correction of name of utility model owner