RU1602279C - Method for making contacts to silicon substrate - Google Patents

Method for making contacts to silicon substrate

Info

Publication number
RU1602279C
RU1602279C SU2272943A RU1602279C RU 1602279 C RU1602279 C RU 1602279C SU 2272943 A SU2272943 A SU 2272943A RU 1602279 C RU1602279 C RU 1602279C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon substrate
contacts
contact pad
gold
aluminium
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Г.К. Абрамян
А.М. Мелкумян
С.О. Мкртчян
Э.А. Петросян
Original Assignee
Ереванский политехнический институт им.К.Маркса
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ереванский политехнический институт им.К.Маркса filed Critical Ереванский политехнический институт им.К.Маркса
Priority to SU2272943 priority Critical patent/RU1602279C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1602279C publication Critical patent/RU1602279C/en

Links

Abstract

FIELD: electronic engineering. SUBSTANCE: aluminium film is deposited in vacuum onto aluminium layer surface; still maintaining vacuum, copper layer,

Description

Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. The invention relates to the electronics industry and can be used in the manufacture of semiconductor devices and integrated circuits.

Целью изобретения является повышение надежности контактов золото-алюминий на кремниевой подложке. The aim of the invention is to increase the reliability of gold-aluminum contacts on a silicon substrate.

Данным способом были получены в условиях производства 360 диодных матриц, что соответствует 1440 контактам. Матрицы были разделены на три партии. После напыления алюминия на подложку, не нарушая вакуума, напыляли медь. Толщина слоя для первой партии 500

Figure 00000003
, для второй 2000
Figure 00000004
, для третьей 3000
Figure 00000005
. Все остальные операции изготовления диодных матриц, в том числе и режимы микросварки золотых выводов с контактными площадками, остались без изменения.This method was obtained under the conditions of production of 360 diode arrays, which corresponds to 1440 contacts. Matrices were divided into three batches. After spraying aluminum onto the substrate, without breaking the vacuum, copper was sprayed. Layer thickness for the first batch of 500
Figure 00000003
for the second 2000
Figure 00000004
for the third 3000
Figure 00000005
. All other manufacturing operations of diode arrays, including micro-welding modes of gold leads with contact pads, remained unchanged.

Эксперименты показали, что в трех партиях матриц не оказалось ни одного негодного контакта. Полученные контакты были подвергнуты сравнительному испытанию при помощи граммометра. Результаты испытаний показали, что из 100 контактов, полученных предложенным способом, усилие 50 г выдержали все до единого, в то время как из того же количества контактов, полученных по известной технологии, усилие 50 г выдержали 90 контактов. При этом ни в одном из контактов, полученных предлагаемым способом, омическое сопротивление не было выше, чем у контакта, полученного известным способом. The experiments showed that in three batches of matrices there was not a single worthless contact. The contacts obtained were subjected to a comparative test using a gramometer. The test results showed that out of 100 contacts obtained by the proposed method, the force of 50 g withstood all to a single, while from the same number of contacts obtained by known technology, the force of 50 g withstood 90 contacts. In this case, in none of the contacts obtained by the proposed method, the ohmic resistance was higher than that of the contact obtained in a known manner.

Claims (1)

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий вакуумное напыление алюминиевой пленки, формирование контактной площадки и термокомпрессионную сварку золотого микропровода с контактной площадкой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, на поверхность алюминиевого слоя напыляют слой меди толщиной 500 3000
Figure 00000006
.METHOD FOR PRODUCING CONTACTS TO SILICON SUBSTRATE, including vacuum deposition of aluminum film, formation of a contact pad and thermal compression welding of a gold microwire with a contact pad, characterized in that, in order to increase the reliability of contacts, after spraying aluminum without breaking the vacuum, a layer is sprayed onto the surface of the aluminum layer 500,000 thick copper
Figure 00000006
.
SU2272943 1980-02-18 1980-02-18 Method for making contacts to silicon substrate RU1602279C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2272943 RU1602279C (en) 1980-02-18 1980-02-18 Method for making contacts to silicon substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2272943 RU1602279C (en) 1980-02-18 1980-02-18 Method for making contacts to silicon substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1602279C true RU1602279C (en) 1995-08-27

Family

ID=20640795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2272943 RU1602279C (en) 1980-02-18 1980-02-18 Method for making contacts to silicon substrate

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1602279C (en)

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 587533, кл. H 01L 21/00, 1974. *
Физические основы надежности интегральных схем. М.: Советское радио, 1972, с.209. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7253090B2 (en) Chip scale surface mounted device and process of manufacture
US3760238A (en) Fabrication of beam leads
US4005472A (en) Method for gold plating of metallic layers on semiconductive devices
US4268849A (en) Raised bonding pad
EP0935286A4 (en) Copper circuit junction substrate and method of producing the same
US3632436A (en) Contact system for semiconductor devices
US7030496B2 (en) Semiconductor device having aluminum and metal electrodes and method for manufacturing the same
KR100365166B1 (en) Method and apparatus for capping metallization layer
JPH11500581A (en) Semiconductor device having a roughened semiconductor surface
GB1510294A (en) Passivated and encapsulated semiconductors and method of making same
US2989578A (en) Electrical terminals for semiconductor devices
US5298793A (en) Semiconductor device including an electrode
US3266137A (en) Metal ball connection to crystals
US3436615A (en) Contact metal system of an allayer adjacent to semi-conductor and a layer of au-al intermetallics adjacent to the conductive metal
RU1602279C (en) Method for making contacts to silicon substrate
US3669734A (en) Method of making electrical connections to a glass-encapsulated semiconductor device
US3579375A (en) Method of making ohmic contact to semiconductor devices
US4132813A (en) Method for producing solderable metallized layer on a semiconducting or insulating substrate
JPS61214444A (en) Semiconductor device
US3714521A (en) Semiconductor device or monolithic integrated circuit with tungsten interconnections
JPS56148857A (en) Semiconductor device
JPS56105660A (en) Semiconductor device
US3949120A (en) Method of making high speed silicon switching diodes
US3772077A (en) Semiconductor devices
US8497578B2 (en) Terminal face contact structure and method of making same