RU1503346C - Process for growing lithium iodate crystals of hexagonal modification - Google Patents

Process for growing lithium iodate crystals of hexagonal modification Download PDF

Info

Publication number
RU1503346C
RU1503346C SU4288630A RU1503346C RU 1503346 C RU1503346 C RU 1503346C SU 4288630 A SU4288630 A SU 4288630A RU 1503346 C RU1503346 C RU 1503346C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
lithium iodate
crystals
aqueous solution
ratio
seed
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
А.А. Блистанов
В.В. Гераськин
Н.С. Козлова
О.Г. Портнов
К.М. Розин
Original Assignee
Институт стали и сплавов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт стали и сплавов filed Critical Институт стали и сплавов
Priority to SU4288630 priority Critical patent/RU1503346C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1503346C publication Critical patent/RU1503346C/en

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

FIELD: process for growing monocrystals, particularly, lithium iodate crystals from aqueous solutions. SUBSTANCE: this process prescribes preparing aqueous solution of lithium iodate, immersing Z-section rectangular seed crystal having
Figure 00000006
and
Figure 00000007
facets around its periphery, ratio of planes
Figure 00000008
and
Figure 00000009
being at least 1 to

Description

Изобретение относится к способам получения монокристаллов из водных растворов и может быть использовано в области лазерной физики, акустоэлектроники и акустооптики для получения пьезоэлектрического и нелинейно-оптического материала. The invention relates to methods for producing single crystals from aqueous solutions and can be used in the field of laser physics, acoustoelectronics and acousto-optics to obtain piezoelectric and nonlinear optical material.

Целью изобретения является повышение выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области. The aim of the invention is to increase yield by reducing the volume of the phantom region.

П р и м е р 1. Монокристалл иодата лития гексагональной модификации выращивают из водного раствора LiIO3 при постоянной температуре 40оС испарением раствора при контролируемом отборе конденсата в кислой среде рН 2.EXAMPLE EXAMPLE 1. A single crystal of lithium iodate hexagonal grown from an aqueous solution LiIO 3 at a constant temperature of 40 ° C by evaporation of the solution at a controlled selection condensation in an acidic medium of pH 2.

Воду в термостатах нагревают с помощью кварцевого нагревателя. Рабочую температуру задают на контактном термометре типа ТПК, помещенном в термостат. Поддерживают температуру постоянной с точностью до градуса. Water in thermostats is heated using a quartz heater. The operating temperature is set on a TPK type contact thermometer placed in a thermostat. Keep the temperature constant accurate to a degree.

Мешалки, помещенные в рабочий объем и термостат, приводят в движение двумя электродвигателями. Постоянное пересыщение раствора поддерживают нормированным отбором конденсата из сборника под крышкой кристаллизатора. Agitators placed in the displacement and thermostat are driven by two electric motors. Constant supersaturation of the solution is supported by normalized selection of condensate from the collector under the mold cover.

Для приготовления растворов используют тридистиллированную воду, в которой растворяют сырье LiIO3 марки "ОСЧ". При этом получают раствор с рН 2. Затравки приклеивают к кристаллодержателю. Скорость роста поддерживают 0,5 мм/с. Перемешивание раствора осуществляют двумя мешалками, которые вращают в противоположных направлениях со скоростью 60 об/мин. Для предотвращения растрескивания температуру понижают со скоростью не более 0,5о в 1 ч. В растворе при комнатной температуре кристаллы выдерживают несколько часов и только после этого извлекают из кристаллизатора.For the preparation of solutions using distilled water in which dissolve raw materials LiIO 3 brand "OSCH". In this case, a solution with pH 2 is obtained. The seeds are glued to the crystal holder. The growth rate is maintained at 0.5 mm / s. Mixing the solution is carried out by two mixers, which rotate in opposite directions at a speed of 60 rpm To prevent cracking, the temperature is lowered at a speed of no more than 0.5 about 1 hour. In a solution at room temperature, the crystals are kept for several hours and only then removed from the crystallizer.

В качестве затравки берут пластину Z-среза толщиной 2 мм , прямоугольной формы, ограненной по периметру гранями {10

Figure 00000011
0} и {11
Figure 00000012
0}. Соотношение сторон затравки по граням {10
Figure 00000013
0} и {11
Figure 00000014
0} выдерживают ровным 1/
Figure 00000015
. Выращивают кристалл с соотношением высоты фантомной области к высоте кристалла, равным 23%, и соотношением объема фантомной области к объему кристалла, равным 8,5%. У кристалла, выращенного в таких же условиях по способу-прототипу, эти величины равны соответственно 26% и 11%.As a seed, take a Z-slice plate with a thickness of 2 mm, rectangular, faceted along the perimeter with faces {10
Figure 00000011
0} and {11
Figure 00000012
0}. The ratio of the sides of the seed along the edges {10
Figure 00000013
0} and {11
Figure 00000014
0} keep level 1 /
Figure 00000015
. A crystal is grown with a ratio of the height of the phantom region to the height of the crystal equal to 23% and a ratio of the volume of the phantom region to the volume of the crystal equal to 8.5%. In a crystal grown under the same conditions by the prototype method, these values are equal to 26% and 11%, respectively.

П р и м е р 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют соотношение сторон затравки. Соотношение размеров выращенного кристалла и его фантомной области приведены в таблице. PRI me R 2. The process is carried out as in example 1, but change the aspect ratio of the seed. The size ratio of the grown crystal and its phantom region is shown in the table.

Из примеров видно, что способ по изобретению позволяет уменьшить объем фантомной области до 5 раз. It can be seen from the examples that the method according to the invention reduces the volume of the phantom region up to 5 times.

Claims (2)

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ, включающий приготовление водного раствора иодата лития и кристаллизацию на затравку Z-среза заданной формы изотермическим испарением раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области кристалла, затравку берут прямоугольной формы, ограниченной по периметру гранями {1010} и {1120} с соотношением сторон по плоскости {1010} и {1120} не менее 1/
Figure 00000016
. .
1. METHOD FOR GROWING CRYSTALS OF LITHIUM IODATE HEXAGONAL MODIFICATION, including the preparation of an aqueous solution of lithium iodate and crystallization by seed Z-section of a given shape by isothermal evaporation of the solution, characterized in that, in order to increase the yield due to the reduction of the volume of the phantom square of the crystal, a shape bounded around the perimeter by the {1010} and {1120} faces with an aspect ratio of {1010} and {1120} of at least 1 /
Figure 00000016
. .
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов в виде пластин, затравку берут с соотношением сторон по плоскости {1010} и { 1120} более 1,5. 2. The method according to claim 1, characterized in that, in order to obtain crystals in the form of plates, the seed is taken with an aspect ratio of {1010} and {1120} of more than 1.5.
SU4288630 1987-07-22 1987-07-22 Process for growing lithium iodate crystals of hexagonal modification RU1503346C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4288630 RU1503346C (en) 1987-07-22 1987-07-22 Process for growing lithium iodate crystals of hexagonal modification

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4288630 RU1503346C (en) 1987-07-22 1987-07-22 Process for growing lithium iodate crystals of hexagonal modification

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1503346C true RU1503346C (en) 1994-11-30

Family

ID=30440749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4288630 RU1503346C (en) 1987-07-22 1987-07-22 Process for growing lithium iodate crystals of hexagonal modification

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1503346C (en)

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Азаров В.В. Наследование растущим кристаллом дефектов затравки иодата лития. - Сб.научных трудов ВНИИ монокристаллов сцинциляционных материалов и особо чистых веществ. - Харьков, 1981, с.78-83. *
Шархатуян Р.О. Выращивание монокристаллов иодата лития. - Известия АН Арм.ССР, сер.Физика, 1974, N 9, с.224-228. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Feigelson The relevance of small molecule crystal growth theories and techniques to the growth of biological macromolecules
US4761202A (en) Process for crystal growth of KTiOPO4 from solution
RU1503346C (en) Process for growing lithium iodate crystals of hexagonal modification
van Kreveld et al. Measurement of crystal growth of α-lactose
EP1201793A4 (en) PROCESS AND APPARATUS FOR MANUFACTURING HIGH QUALITY MONOCRYSTALS
US1906757A (en) Method of producing piezo-electric crystals
CN109748256A (en) Preparation method and application of rubidium lead bismuth phosphate and its nonlinear optical crystal
Izrael et al. X-ray topographic study of growth defects in triglycine sulphate crystals in relation to their growth conditions
CN102618924A (en) Rapid lateral growing method of KDP (Potassium Dihydrogen Phosphate) crystals
US2047252A (en) Piezoelectric element
Březina et al. Crystal growth of ferroelectric langbeinites (NH4) 2Cd2 (SO4) 3 and Tl2Cd2 (SO4) 3
US3941648A (en) Crystal growth on Hg3 TeO6
JPH10259094A (en) Production of calcite-type calcium carbonate single crystal
DE3915053A1 (en) Single crystal silicon carbide growth - with modification type controlled by seed crystal crystallographic orientation
Lee et al. The seeding effects on the phase transformation of sol-gel derived PZT powder
EP0239146B1 (en) Method of producing crystals of l-arginine phosphate monohydrate
US3748102A (en) Cesium dideuterium arsenate crystallization process and solution
Fuith et al. Solution growth of large, high quality KSCN crystals
SU117452A1 (en) The method of growing single crystals of quartz
RU2194806C1 (en) Method of producing optical calcite single crystals
SU1701755A1 (en) Method of growing single crystals of aromatic compound
SU810673A1 (en) Method of preparing optically active isomers of n-acetyl-alpha-aminobenzylacetic acid ammonium salt
SU932853A1 (en) Method of obt fluorophosphate of bivalent europium
JP2686462B2 (en) Artificial crystal manufacturing method
Pillai et al. Observations on the growth of single crystals of lead molybdate from gels