RU147920U1 - ULTRA-THIN MEMBRANE FOR RESEARCH OF OBJECTS IN THE CLEARING ELECTRONIC MICROSCOPE - Google Patents
ULTRA-THIN MEMBRANE FOR RESEARCH OF OBJECTS IN THE CLEARING ELECTRONIC MICROSCOPE Download PDFInfo
- Publication number
- RU147920U1 RU147920U1 RU2014105180/05U RU2014105180U RU147920U1 RU 147920 U1 RU147920 U1 RU 147920U1 RU 2014105180/05 U RU2014105180/05 U RU 2014105180/05U RU 2014105180 U RU2014105180 U RU 2014105180U RU 147920 U1 RU147920 U1 RU 147920U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- ultra
- sio
- membranes
- objects
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
1. Ультратонкая мембрана для исследования объектов в просвечивающем электронном микроскопе, содержащая медную сетку и закрепленную на ней пленку из прозрачного для электронов материала, закрывающую, по крайней мере, одну из ячеек сетки, отличающаяся тем, что прозрачный для электронов материал выбран из ряда: SiO, SiN, AlO, MgO, а пленка закреплена непосредственно на медной сетке.2. Ультратонкая мембрана по п.1, отличающаяся тем, что толщина пленки составляет 20-100 нм.1. An ultra-thin membrane for studying objects in a transmission electron microscope, containing a copper grid and a film of a transparent material for electrons attached to it, covering at least one of the grid cells, characterized in that the material transparent for electrons is selected from the series: SiO , SiN, AlO, MgO, and the film is fixed directly to the copper grid. 2. The ultra-thin membrane according to claim 1, characterized in that the film thickness is 20-100 nm.
Description
К заявке № 2014105180/05To application No. 2014105180/05
УЛЬТРАТОНКАЯ МЕМБРАНА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБЪЕКТОВ В ПРОСВЕЧИВАЮЩЕМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕULTRA-THIN MEMBRANE FOR RESEARCH OF OBJECTS IN THE CLEARING ELECTRONIC MICROSCOPE
Полезная модель относится к области микроэлектроники и может быть использована для исследования различных объектов в просвечивающем электроном микроскопе.The utility model relates to the field of microelectronics and can be used to study various objects in a transmission electron microscope.
Известны ультратонкие углеродные мембраны для исследования различных объектов в ПЭМ. (Sample Preparation Handbook for Transmission Electron Microscopy / J. Ayache, L. Beaunier, J. Boumendil, G. Ehret, D. Laub. - Springer, 2010-338 p.), представляющая собой медную сетку с нанесенным на нее слоем углерода. Такие мембраны изготавливаются следующим образом. Тонкая пленка углерода осаждается методом вакуумно-дугового испарения графита на монокристаллы NaCl или слюды. Эти монокристаллы затем помещаются в дистиллированную воду. При этом нанесенная пленка отделяется от них и оказывается на поверхности воды. Затем эту пленку помещают на стандартные медные сетки для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).Ultrathin carbon membranes are known for studying various objects in TEM. (Sample Preparation Handbook for Transmission Electron Microscopy / J. Ayache, L. Beaunier, J. Boumendil, G. Ehret, D. Laub. - Springer, 2010-338 p.), Which is a copper grid coated with a layer of carbon. Such membranes are made as follows. A thin carbon film is deposited by vacuum-arc evaporation of graphite onto NaCl single crystals or mica. These single crystals are then placed in distilled water. In this case, the applied film is separated from them and is on the surface of the water. This film is then placed on standard copper grids for transmission electron microscopy (TEM).
Недостатком таких мембран является ограниченная область их применения, так как очень часто необходимо исследовать объекты, нанесенные на другие типы подложек (например, в нанотехнологии, где основным материалом подложки является SiO2), а тип подложки оказывает существенное влияние на структуру наносимых объектов (например, тонких пленок).The disadvantage of such membranes is the limited scope of their application, since it is often necessary to study objects deposited on other types of substrates (for example, in nanotechnology, where the main substrate material is SiO 2 ), and the type of substrate has a significant effect on the structure of the applied objects (for example, thin films).
Для устранения этого недостатка были предложены ультратонкие мембраны для исследования различных объектов в высокоразрешающем просвечивающем электроном микроскопе (ПЭМ), в которых подложки изготавливают в виде кремниевых сеток с прозрачными для электронов окнами SiO2. При этом поверхности SiO2, изготовлены методом формирования оксидного слоя на кремниевой подложке и толщина пленки SiO2 составляет не менее 50 нм. Окно в кремниевой подложке задается травлением подложки до оксидного слоя. Одна подложка может содержать множество окон, каждое из которых находится в своей рамке, состоящей из кремниевых дорожек. Рамки крепятся к подложке с помощью выступов, которые можно легко сломать, чтобы отделить одну рамку с окном от подложки. Проводящие или иные слои могут быть нанесены на рамку перед ее отделением от подложки, (заявка WO 2006127736 A2, МПК G06K 9/00, опуб. 2006-11-30).To eliminate this drawback, ultrathin membranes have been proposed for studying various objects in a high-resolution transmission electron microscope (TEM), in which the substrates are made in the form of silicon networks with SiO 2 windows transparent for electrons. In this case, SiO 2 surfaces are made by the method of forming an oxide layer on a silicon substrate and the SiO 2 film thickness is at least 50 nm. A window in a silicon substrate is defined by etching the substrate to an oxide layer. One substrate can contain many windows, each of which is in its frame, consisting of silicon tracks. Frames are attached to the substrate using protrusions that can be easily broken to separate one window frame from the substrate. Conductive or other layers can be applied to the frame before it is separated from the substrate (application WO 2006127736 A2, IPC G06K 9/00, publ. 2006-11-30).
Недостатком таких мембран является затрудненность исследования структур сверхмалой толщины (например, поликристаллических пленок средневзвешенной толщины порядка нескольких ангстрем), что требует современный уровень техники. Кроме того, в отдельных случаях использование SiO2 в качестве окна нежелательно (например, при элементном анализе Si-содержащих структур). Еще одним недостатком таких мембран является трудоемкость их изготовления, т.к. для получения готовых окон требуется более 10 технологических операций.The disadvantage of such membranes is the difficulty in studying the structures of ultra-small thickness (for example, polycrystalline films of average weighted thickness of the order of several angstroms), which requires modern technology. In addition, in some cases, the use of SiO 2 as a window is undesirable (for example, in the elemental analysis of Si-containing structures). Another disadvantage of such membranes is the complexity of their manufacture, because more than 10 technological operations are required to obtain finished windows.
Предлагаемая полезная модель решает задачу получения простым и технологичным способом ультратонких мембран для исследования различных объектов в высокоразрешающем ПЭМ, позволяющих расширить круг исследуемых структур.The proposed utility model solves the problem of obtaining ultrathin membranes in a simple and technologically advanced way for studying various objects in high-resolution TEM, which allows expanding the range of structures under study.
Поставленная задача достигается конструкцией ультратонкой мембраны для исследования объектов в просвечивающем электроном микроскопе, содержащей медную сетку и закрепленную на ней тонкую пленку из прозрачного для электронов материала, новизна которой заключена в том, что прозрачный для электронов материал выбран из ряда: SiO2, Al2O3, MgO, Si3N4 а пленка прозрачного для электронов материала закреплена непосредственно на медной сетке.The task is achieved by the design of an ultra-thin membrane for studying objects in a transmission electron microscope containing a copper grid and a thin film of transparent material for electrons attached to it, the novelty of which is that the material transparent to electrons is selected from the series: SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, Si 3 N 4 a film of an electron-transparent material is fixed directly to a copper grid.
Наиболее технологично изготавливать мембрану с толщиной пленки 20-100 нм.It is most technologically advanced to produce a membrane with a film thickness of 20-100 nm.
Закрепление прозрачной пленки непосредственно на медной сетке исключает нанесение дополнительных слоев, которые могут затруднять исследования структур сверхмалой толщины.Fastening the transparent film directly to the copper mesh eliminates the application of additional layers, which may complicate the study of ultra-small thickness structures.
Использование в качестве прозрачного для элетронов материала, выбранного из ряда: SiO2, Al2O3, MgO, Si3N4 дает возможность исследовать в просвечивающем электронном микроскопе взаимодействие наносимых объектов именно с той подложкой, на которую их планируется наносить.The use of a material selected from the range of as transparent for elecrons: SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, Si 3 N 4 makes it possible to study the interaction of the applied objects with the transmission electron microscope precisely with the substrate on which they are planned to be applied.
Исследуемую структуру можно наносить на полученную ультратонкую мембрану любым известным в микро- и нанотехнологии методом: золь-гель методом, электронно-лучевым испарением, лазерной абляцией, ВЧ-диодным распылением.The investigated structure can be applied to the obtained ultrathin membrane by any method known in micro- and nanotechnology: sol-gel method, electron beam evaporation, laser ablation, and RF diode sputtering.
Предлагаемая нами мембрана позволяет сразу же после нанесения на нее исследуемых структур изучать их в просвечивающем электронном микроскопе.The membrane we propose allows us to immediately study them in a transmission electron microscope immediately after applying the studied structures to it.
На фиг. 1 изображен общий вид мембраны вид сверху, где 1 медная сетка,In FIG. 1 shows a General view of the membrane top view, where 1 copper mesh,
2 - закрепленная на ней пленка из прозрачного для электронов материала.2 - a film of a transparent material for electrons attached to it.
На фиг. 2 поэтапные действия получения ультратонких мембран для исследования различных объектов в высокоразрешающем ПЭМ, гдеIn FIG. 2 phased steps for producing ultrathin membranes for the study of various objects in high-resolution TEM, where
a - стандартные медные сетки для просвечивающего микроскопа;a - standard copper grids for transmission microscope;
в - кристаллы NaCl с тонкой пленкой SiO2, осажденной электронно-лучевым испарением;c — NaCl crystals with a thin SiO 2 film deposited by electron beam evaporation;
с - погружение NaCl в воду, всплытие пленки SiO2 на поверхность воды в емкости для растворения NaCl;C - immersion of NaCl in water, the emergence of a film of SiO 2 on the surface of the water in a tank for dissolving NaCl;
d - захват SiO2 для помещения его на сетку с помощью пинцета.d - capture of SiO 2 to place it on the grid with tweezers.
В таблице 1 приведены данные, подтверждающие влияние толщины пленки SiO2 на контрастность изображения островка пленки на фоне получаемой мембраны.Table 1 shows the data confirming the influence of the thickness of the SiO 2 film on the contrast of the image of the island of the film against the background of the obtained membrane.
Приведенные ниже примеры подтверждают, но не ограничивают предлагаемую полезную модель:The examples below confirm, but do not limit, the proposed utility model:
Предлагаемая ультратонкая мембрана (фиг. 1) состоит из медной сетки 1 на которой закреплена пленка 2 из прозрачного для электронов материала, закрывающая, по крайней мере, одну из ячеек сетки. Пленка может быть выполнена из материала, выбранного из ряда: SiO2, Si3N4, Al2O3, MgO.The proposed ultrathin membrane (Fig. 1) consists of a
Пример 1. Получение ультратонких мембран, состоящих из медной сетки и закрепленных на ней пленок SiO2 Example 1. Obtaining ultrathin membranes consisting of a copper mesh and SiO 2 films fixed on it
Тонкая пленка SiO2 осаждалась методом электронно-лучевого испарения кварца на монокристаллы NaCl размером 5×5 мм и толщиной ~1 мм. Толщина наносимой пленки контролировалась при помощи кварцевого резонатора. После растворения кристалла NaCl в воде на поверхности воды оставалась пленка SiO2. Затем пленку SiO2 помещали на стандартные медные сетки для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), на которой она держалась благодаря возникающим силам Ван-дер-Ваальса. Достоинством таких мембран является возможность их создания с контролируемой толщиной слоя SiO2, в том числе, очень тонкого (~20 нм).A thin SiO 2 film was deposited by electron beam evaporation of quartz onto NaCl single crystals 5 × 5 mm in size and ~ 1 mm thick. The thickness of the applied film was controlled using a quartz resonator. After the NaCl crystal was dissolved in water, a SiO 2 film remained on the surface of the water. Then, the SiO 2 film was placed on standard copper grids for transmission electron microscopy (TEM), on which it was held due to the emerging van der Waals forces. The advantage of such membranes is the possibility of their creation with a controlled SiO 2 layer thickness, including very thin (~ 20 nm).
В последующем на эти мембраны наносились сверхтонкие плeнки различных металлов - Fe, Ni, Pd, и т.д. На плeнках Fe выполнялся рост углеродных нанотрубок. Pd наносился для исследования начальных стадий роста тонких пленок. Во всех случаях изготовленные предлагаемым методом мембраны имеют большую возможность по контрасту, чем мембраны на основе кремниевых подложек с окнами SiO2 большей толщины, а именно за счет малой толщины слоя SiO2 удалось уверенно визуализировать монокристаллические островки пленки Pd средневзвешенной толщины 3 ангстрема, а также однослойные углеродные нанотрубки диаметром до 1 нм, лежащие на мембране. В режиме электронной дифракции тонкий слой SiO2 на мембранах, изготовленных предлагаемым методом, давал значительно более слабое гало, чем на мембранах на основе кремниевых подложек с окнами SiO2, что позволило записать картины электронной дифракции на сверхтонких пленках Ni.Subsequently, ultrathin films of various metals — Fe, Ni, Pd, etc., were deposited on these membranes. The growth of carbon nanotubes was performed on Fe films. Pd was applied to study the initial stages of thin film growth. In all cases, the membranes fabricated by the proposed method have a greater possibility of contrast than membranes based on silicon substrates with SiO 2 windows of greater thickness, namely, due to the small thickness of the SiO 2 layer, it was possible to confidently visualize single-crystal islands of the Pd film with a weighted average thickness of 3 angstroms, as well as single-layer carbon nanotubes with a diameter of up to 1 nm lying on the membrane. In the electron diffraction mode, a thin SiO 2 layer on membranes fabricated by the proposed method gave a much weaker halo than on membranes based on silicon substrates with SiO 2 windows, which allowed us to record electron diffraction patterns on ultrathin Ni films.
Влияние толщины пленки SiO2 на получаемый результат были исследованы при измерении контрастности изображения островка пленки на фоне получаемой мембраны (см. Таблицу 1). Контрастность рассчитывалась как отношение разности яркости фона и яркости объекта к яркости фона. Как видно из приведенной таблицы, снижение толщины пленки ниже заявляемого интервала значений (до 15 нм) не приводит к получению заявляемой мембраны из-за разрушения пленки при осаждении на медную сетку. При увеличении толщины пленки выше 100 мк изображение плохо различимо. Наиболее контрастные изображения получают при минимальной толщине пленки в 20 нмThe effect of the thickness of the SiO 2 film on the obtained result was investigated by measuring the contrast of the image of the film island against the background of the obtained membrane (see Table 1). Contrast was calculated as the ratio of the difference between the brightness of the background and the brightness of the object to the brightness of the background. As can be seen from the table, a decrease in the film thickness below the claimed range of values (up to 15 nm) does not lead to the production of the claimed membrane due to the destruction of the film during deposition on a copper mesh. If the film thickness increases above 100 microns, the image is poorly distinguishable. The most contrasting images are obtained with a minimum film thickness of 20 nm
Пример 2. Получение ультратонких мембран, состоящих из медной сетки и закрепленных на ней пленок Al2O3.Example 2. Obtaining ultrathin membranes consisting of a copper mesh and Al 2 O 3 films fixed on it.
Тонкая пленка Al2O3 осаждалась методом электронно-лучевого испарения сапфира на монокристаллы NaCl размером 5*5 мм и толщиной ~1 мм. После растворения кристалла NaCl в воде на поверхности воды оставалась пленка Al2O3. Затем пленку Al2O3 помещали на стандартные медные сетки для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Ранее такие мембраны не изготавливались. Имеется возможность нанесения слоя Al2O3 легко контролируемой толщины, в том числе, очень тонкого (~20 нм). Al2O3 является хорошим буферным слоем для нанесения катализатора и синтеза углеродных нанотрубок, поэтому с помощью таких мембран можно выполнять исследование структуры нанотрубок в ПЭМ без применения дополнительных поддерживающих слоев, а значит без снижения контраста.A thin Al 2 O 3 film was deposited by electron beam evaporation of sapphire onto NaCl single crystals 5 * 5 mm in size and ~ 1 mm thick. After the NaCl crystal was dissolved in water, an Al 2 O 3 film remained on the water surface. Then the Al 2 O 3 film was placed on standard copper grids for transmission electron microscopy (TEM). Previously, such membranes were not manufactured. It is possible to apply an Al 2 O 3 layer of easily controlled thickness, including very thin (~ 20 nm). Al 2 O 3 is a good buffer layer for catalyst deposition and synthesis of carbon nanotubes, therefore, using these membranes, it is possible to study the structure of nanotubes in TEM without the use of additional support layers, and therefore without reducing the contrast.
Пример 3. Получение ультратонких мембран, состоящих из медной сетки и закрепленных на ней пленок MgO.Example 3. Obtaining ultrathin membranes consisting of a copper mesh and MgO films fixed on it.
Тонкая пленка MgO осаждалась методом электронно-лучевого испарения спрессованных таблеток из порошка MgO на монокристалы NaCl размером 5*5 мм и толщиной ~1 мм. После растворения кристала NaCl в воде на поверхности воды оставалась пленка MgO. Затем пленку MgO помещали на стандартные медные сетки для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). До сих пор такие мембраны не получали. MgO в настоящее время является популярным буферным слоем для нанесения сегнетоэлектрических пленок. Применение предлагаемых мембран позволит проводить исследование этих пленок в ПЭМ без применения дополнительных поддерживающих слоев, а значит без снижения контраста, при этом имеется возможность нанесения слоя MgO легко контролируемой толщины, в том числе, очень тонкого (~20 нм).A thin MgO film was deposited by electron beam evaporation of pressed pellets from MgO powder onto NaCl single crystals measuring 5 * 5 mm and a thickness of ~ 1 mm. After dissolution of the NaCl crystal in water, an MgO film remained on the surface of the water. Then the MgO film was placed on standard copper grids for transmission electron microscopy (TEM). Until now, such membranes have not been obtained. MgO is currently a popular buffer layer for applying ferroelectric films. The use of the proposed membranes will allow the study of these films in TEM without the use of additional supporting layers, which means without reducing the contrast, while it is possible to deposit an MgO layer of easily controlled thickness, including very thin (~ 20 nm).
Пример 4. Получение ультратонких мембран, состоящих из медной сетки и закрепленных на ней пленок Si3N4.Example 4. Obtaining ultrathin membranes consisting of a copper mesh and Si 3 N 4 films fixed on it.
Тонкая пленка Si3N4 осаждалась методом ВЧ-диодного распыления в плазме аргона с добавлением азота из мишени Si3N4 на монокристаллы NaCl размером 5*5 мм и толщиной ~1 мм. После растворения кристалла NaCl в воде на поверхности воды оставалась пленка Si3N4. Затем пленку Si3N4 помещали на стандартные медные сетки для просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Достоинством таких мембран является возможность нанесения слоя Si3N4 легко контролируемой толщины, в том числе, очень тонкого (~20 нм).A thin Si 3 N 4 film was deposited by RF diode sputtering in argon plasma with the addition of nitrogen from a Si 3 N 4 target onto 5 × 5 mm NaCl single crystals and ~ 1 mm thick. After the NaCl crystal was dissolved in water, a Si 3 N 4 film remained on the water surface. Then the Si 3 N 4 film was placed on standard copper grids for transmission electron microscopy (TEM). The advantage of such membranes is the possibility of applying a Si 3 N 4 layer of easily controlled thickness, including very thin (~ 20 nm).
Как видно из приведенных примеров, предлагаемая кострукция ультратонких мембран позволяет исследовать структуры сверхмалой толщины на различных буферных слоях, что раньше было невозможным, т.к. буферные слои наносились на поддерживающий слой большой толщины, значительно ухудшавший контраст изображения в ПЭМ. Вышеперечисленные мембраны могут использоваться для изучения различных химических и биологических объектов методом ПЭМ в зависимости от степени их химической активности.As can be seen from the above examples, the proposed construction of ultrathin membranes allows us to study the structure of ultra-small thickness on different buffer layers, which was previously impossible, because buffer layers were applied to the support layer of large thickness, significantly worsening the contrast of the image in TEM. The above membranes can be used to study various chemical and biological objects by TEM, depending on the degree of their chemical activity.
Кроме того, способ их изготовления не требует сложного и дорогостоящего оборудования и является простым и технологичным.In addition, the method of their manufacture does not require complex and expensive equipment and is simple and technological.
УЛЬТРАТОНКАЯ МЕМБРАНА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБЪЕКТОВ В ПРОСВЕЧИВАЮЩЕМ ЭЛЕКТРОНОМ МИКРОСКОПЕ.ULTRA-THIN MEMBRANE FOR RESEARCH OF OBJECTS IN THE CLEARING ELECTRONIC MICROSCOPE.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014105180/05U RU147920U1 (en) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | ULTRA-THIN MEMBRANE FOR RESEARCH OF OBJECTS IN THE CLEARING ELECTRONIC MICROSCOPE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014105180/05U RU147920U1 (en) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | ULTRA-THIN MEMBRANE FOR RESEARCH OF OBJECTS IN THE CLEARING ELECTRONIC MICROSCOPE |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU147920U1 true RU147920U1 (en) | 2014-11-20 |
Family
ID=53385024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014105180/05U RU147920U1 (en) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | ULTRA-THIN MEMBRANE FOR RESEARCH OF OBJECTS IN THE CLEARING ELECTRONIC MICROSCOPE |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU147920U1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110010434A (en) * | 2019-03-19 | 2019-07-12 | 中国科学院高能物理研究所 | It is a kind of for immunoelectron microscopy-compound support grid of X-ray micro-imaging-nanoparticle probe technique and preparation method thereof |
-
2014
- 2014-02-13 RU RU2014105180/05U patent/RU147920U1/en active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110010434A (en) * | 2019-03-19 | 2019-07-12 | 中国科学院高能物理研究所 | It is a kind of for immunoelectron microscopy-compound support grid of X-ray micro-imaging-nanoparticle probe technique and preparation method thereof |
| CN110010434B (en) * | 2019-03-19 | 2020-07-10 | 中国科学院高能物理研究所 | Composite net and preparation method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Huang et al. | Grains and grain boundaries in single-layer graphene atomic patchwork quilts | |
| KR101614322B1 (en) | Method for preparing graphene having controled layer number and method for fabricating electronic device using the same | |
| TWI526559B (en) | Process for forming carbon film or inorganic material film on substrate by physical vapor deposition | |
| WO2017036729A1 (en) | Method for fabricating high aspect ratio gratings for phase contrast imaging | |
| CN106681081A (en) | Efficient and nonlinear light polarization modulator based on metasurface and two-dimensional material and preparation method thereof | |
| Chen-Wiegart et al. | Evolution of dealloying induced strain in nanoporous gold crystals | |
| Chappanda et al. | Site-specific and patterned growth of TiO2 nanotube arrays from e-beam evaporated thin titanium film on Si wafer | |
| Harraz et al. | Electrochemically deposited cobalt/platinum (Co/Pt) film into porous silicon: Structural investigation and magnetic properties | |
| Shen et al. | Pyramid-shaped single-crystalline nanostructure of molybdenum with excellent mechanical, electrical, and optical properties | |
| CN110205587A (en) | A kind of method of template annealing preparation large area regular array gold nano grain array | |
| Kiselev et al. | Effect of annealing on the structure and phase composition of thin electro-optical lithium niobate films | |
| Luo et al. | Sputtering an exterior metal coating on copper enclosure for large-scale growth of single-crystalline graphene | |
| Krupinski et al. | Fabrication of flexible highly ordered porous alumina templates by combined nanosphere lithography and anodization | |
| RU147920U1 (en) | ULTRA-THIN MEMBRANE FOR RESEARCH OF OBJECTS IN THE CLEARING ELECTRONIC MICROSCOPE | |
| Imai et al. | Facile synthesis of size-and shape-controlled freestanding Au nanohole arrays by sputter deposition using anodic porous alumina templates | |
| US11286551B2 (en) | Multimodal microstructure material and methods of forming same | |
| Shimizu et al. | Epitaxial growth of Cu nanodot arrays using an AAO template on a Si substrate | |
| Siahaan et al. | Cleaved thin-film probes for scanning tunneling microscopy | |
| Lv et al. | Preparation and analysis of porous anodic alumina template on silicon substrate | |
| Fukutani et al. | Nanowire array fabricated by Al–Ge phase separation | |
| Yan et al. | Locally enhanced surface plasmons and modulated “hot-spots” in nanoporous gold patterns on atomically thin MoS2 with a comparison to SiO2 substrate | |
| Beaini et al. | ZnO deposition on metal substrates: Relating fabrication, morphology, and wettability | |
| Yamin et al. | Patterning of epitaxial VO2 microstructures by a high-temperature lift-off process | |
| Tian et al. | Coexistence and competition of surface diffusion and geometric shielding in the growth of 1D bismuth nanostructures and their ohmic contact | |
| RU2628220C1 (en) | METHOD OF NANOWIRES ARRAY ON STEPPED SURFACE Cu2Si FORMATION |