RU1292622C - Способ изготовления источников диффузии фосфора - Google Patents

Способ изготовления источников диффузии фосфора Download PDF

Info

Publication number
RU1292622C
RU1292622C SU3889874A RU1292622C RU 1292622 C RU1292622 C RU 1292622C SU 3889874 A SU3889874 A SU 3889874A RU 1292622 C RU1292622 C RU 1292622C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diffusant
sources
sintering
silicon
phosphorus diffusion
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
В.А. Денисюк
В.С. Пих
Original Assignee
Денисюк Владимир Антонович
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Денисюк Владимир Антонович filed Critical Денисюк Владимир Антонович
Priority to SU3889874 priority Critical patent/RU1292622C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1292622C publication Critical patent/RU1292622C/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению твердых источников диффузии фосфора в кремниевые пластины диаметром 76 мм и выше.
Целью изобретения является повышение срока службы источников диффузии фосфора на термостойкой кремниевой подложке из кремния.
Сущность изобретения состоит в том, что при спекании таких источников в области границы раздела диффузант - кремний возникают механические напряжения значительно меньшей величины по сравнению с прототипом. Это обусловлено тем, что спекание диффузанта с кремниевой подложкой и самого диффузанта происходит благодаря образованию фосфорно-силикатного стекла (ФСС), которое при температурах спекания и эксплуатации находится в размягченном состоянии, а также проведению процесса спекания при более низких температурах (1000-1090оС) по сравнению с прототипом. ФСС возникает в процессе спекания по всей зернистой массе диффузанта на поверхности порошка кремния и кремниевой подложки вследствие разложения метафосфата алюминия, выделения Р2О5 и его взаимодействия с порошком кремния и кремниевой пластиной.
Приготовляя диффузант, смешивая 80 мас.ч. порошка метафосфата алюминия с 15 мас.ч. порошка кремния. Приготовляют пасту диффузанта, добавляя к смеси порошков 5%-ный раствор поливинилового спирта. Наносят пасту диффузанта толщиной 0,7 мм на обе стороны пластин кремния диаметром 100 мм методом сеткографии, а затем сушат пластины в течение 30-45 мин при 200оС. Затем пластины загружают вертикально в кварцевую кассету и проводят спекание при 1000оС в течение 35 мин.
Источники, изготовленные по предлагаемому способу, более термостойки и долговечны. Предлагаемый способ обеспечивает возможность нанесения диффузанта по всей поверхности пластины методом сеткографии, что улучшает воспроизводимость удельного поверхностного сопротивления легированных слоев в кремниевых пластинах, при длительном сроке эксплуатации источников.

Claims (2)

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА на основе метафосфата алюминия, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков метафосфата алюминия и наполнителя, нанесение диффузанта на термостойкую подложку и их спекание в инертной или окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы источников на термостойкой подложке из кремния, в диффузанте в качестве наполнителя используют порошок кремния в количестве 15-40 мас.ч., а спекание проводят при 1000-1090°С.
2.Способ по п.1, отличающийся тем, что размер зерен порошка кремния составляет 5-70 мкм.
SU3889874 1985-04-22 1985-04-22 Способ изготовления источников диффузии фосфора RU1292622C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3889874 RU1292622C (ru) 1985-04-22 1985-04-22 Способ изготовления источников диффузии фосфора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3889874 RU1292622C (ru) 1985-04-22 1985-04-22 Способ изготовления источников диффузии фосфора

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1292622C true RU1292622C (ru) 1995-03-20

Family

ID=30440251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3889874 RU1292622C (ru) 1985-04-22 1985-04-22 Способ изготовления источников диффузии фосфора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1292622C (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9196486B2 (en) 2012-10-26 2015-11-24 Innovalight, Inc. Inorganic phosphate containing doping compositions

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 714954, кл.H 01L 21/22, 1978. *
Авторское свидетельство СССР N 755085, кл. H 01L 21/22, 1980. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9196486B2 (en) 2012-10-26 2015-11-24 Innovalight, Inc. Inorganic phosphate containing doping compositions

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2515708B2 (ja) 大面積の電力用電子デバイスを基板上に固定する方法
US3909332A (en) Bonding process for dielectric isolation of single crystal semiconductor structures
CA1211342A (en) Semiconductor devices having dielectrically isolated semiconductor areas
US3650778A (en) Low-expansion, low-melting zinc phosphovanadate glass compositions
RU1292622C (ru) Способ изготовления источников диффузии фосфора
US4556598A (en) Porcelain tape for producing porcelainized metal substrates
US3856472A (en) Apparatus for the gettering of semiconductors
JPH01223738A (ja) 銀充填ガラス
EP0151851B1 (en) Porous semiconductor dopant carriers
GB2205092A (en) Doping compositions and their use
JPS6120132B2 (ru)
US3900330A (en) Zno-b' 2'o' 3'-sio' 2 'glass coating compositions containing ta' 2'o' 5 'and a semiconductor device coated with the same
US3474718A (en) Photosensitive method for depositing thin uniform glass films on substrates
GB2218699A (en) Solid diffusion source
RU1454157C (ru) Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора
RU1591753C (ru) Способ изготовления твердых планарных источников для диффузии фосфора
US3248261A (en) Photoconducting layers
JP3482580B2 (ja) 高放熱性金属複合板材及びそれを用いた高放熱性金属基板
SU1479973A1 (ru) Способ изготовлени твердого источника диффузии бора
US4194643A (en) Method and apparatus for frit-sealing high temperature CRT faceplate to conventional CRT envelope
JPH11176764A (ja) 拡散用フィルムとその製造方法および半導体基板の不純物拡散方法
US3704265A (en) Sintered inorganic photoconductive elements and their method of preparation
JPH04302419A (ja) 拡散ウエーハの製造方法
JPS5933869A (ja) 半導体装置用電極材料
JP3490596B2 (ja) 拡散用フイルムおよびその作成方法ならびに半導体基板の不純物拡散方法