RU1292622C - Способ изготовления источников диффузии фосфора - Google Patents
Способ изготовления источников диффузии фосфора Download PDFInfo
- Publication number
- RU1292622C RU1292622C SU3889874A RU1292622C RU 1292622 C RU1292622 C RU 1292622C SU 3889874 A SU3889874 A SU 3889874A RU 1292622 C RU1292622 C RU 1292622C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diffusant
- sources
- sintering
- silicon
- phosphorus diffusion
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению твердых источников диффузии фосфора в кремниевые пластины диаметром 76 мм и выше.
Целью изобретения является повышение срока службы источников диффузии фосфора на термостойкой кремниевой подложке из кремния.
Сущность изобретения состоит в том, что при спекании таких источников в области границы раздела диффузант - кремний возникают механические напряжения значительно меньшей величины по сравнению с прототипом. Это обусловлено тем, что спекание диффузанта с кремниевой подложкой и самого диффузанта происходит благодаря образованию фосфорно-силикатного стекла (ФСС), которое при температурах спекания и эксплуатации находится в размягченном состоянии, а также проведению процесса спекания при более низких температурах (1000-1090оС) по сравнению с прототипом. ФСС возникает в процессе спекания по всей зернистой массе диффузанта на поверхности порошка кремния и кремниевой подложки вследствие разложения метафосфата алюминия, выделения Р2О5 и его взаимодействия с порошком кремния и кремниевой пластиной.
Приготовляя диффузант, смешивая 80 мас.ч. порошка метафосфата алюминия с 15 мас.ч. порошка кремния. Приготовляют пасту диффузанта, добавляя к смеси порошков 5%-ный раствор поливинилового спирта. Наносят пасту диффузанта толщиной 0,7 мм на обе стороны пластин кремния диаметром 100 мм методом сеткографии, а затем сушат пластины в течение 30-45 мин при 200оС. Затем пластины загружают вертикально в кварцевую кассету и проводят спекание при 1000оС в течение 35 мин.
Источники, изготовленные по предлагаемому способу, более термостойки и долговечны. Предлагаемый способ обеспечивает возможность нанесения диффузанта по всей поверхности пластины методом сеткографии, что улучшает воспроизводимость удельного поверхностного сопротивления легированных слоев в кремниевых пластинах, при длительном сроке эксплуатации источников.
Claims (2)
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА на основе метафосфата алюминия, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков метафосфата алюминия и наполнителя, нанесение диффузанта на термостойкую подложку и их спекание в инертной или окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы источников на термостойкой подложке из кремния, в диффузанте в качестве наполнителя используют порошок кремния в количестве 15-40 мас.ч., а спекание проводят при 1000-1090°С.
2.Способ по п.1, отличающийся тем, что размер зерен порошка кремния составляет 5-70 мкм.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3889874 RU1292622C (ru) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | Способ изготовления источников диффузии фосфора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3889874 RU1292622C (ru) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | Способ изготовления источников диффузии фосфора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1292622C true RU1292622C (ru) | 1995-03-20 |
Family
ID=30440251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU3889874 RU1292622C (ru) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | Способ изготовления источников диффузии фосфора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1292622C (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9196486B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-11-24 | Innovalight, Inc. | Inorganic phosphate containing doping compositions |
-
1985
- 1985-04-22 RU SU3889874 patent/RU1292622C/ru active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР N 714954, кл.H 01L 21/22, 1978. * |
Авторское свидетельство СССР N 755085, кл. H 01L 21/22, 1980. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9196486B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-11-24 | Innovalight, Inc. | Inorganic phosphate containing doping compositions |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2515708B2 (ja) | 大面積の電力用電子デバイスを基板上に固定する方法 | |
US3909332A (en) | Bonding process for dielectric isolation of single crystal semiconductor structures | |
CA1211342A (en) | Semiconductor devices having dielectrically isolated semiconductor areas | |
US3650778A (en) | Low-expansion, low-melting zinc phosphovanadate glass compositions | |
RU1292622C (ru) | Способ изготовления источников диффузии фосфора | |
US4556598A (en) | Porcelain tape for producing porcelainized metal substrates | |
US3856472A (en) | Apparatus for the gettering of semiconductors | |
JPH01223738A (ja) | 銀充填ガラス | |
EP0151851B1 (en) | Porous semiconductor dopant carriers | |
GB2205092A (en) | Doping compositions and their use | |
JPS6120132B2 (ru) | ||
US3900330A (en) | Zno-b' 2'o' 3'-sio' 2 'glass coating compositions containing ta' 2'o' 5 'and a semiconductor device coated with the same | |
US3474718A (en) | Photosensitive method for depositing thin uniform glass films on substrates | |
GB2218699A (en) | Solid diffusion source | |
RU1454157C (ru) | Способ изготовления твердых планарных источников диффузии бора на основе нитрида бора | |
RU1591753C (ru) | Способ изготовления твердых планарных источников для диффузии фосфора | |
US3248261A (en) | Photoconducting layers | |
JP3482580B2 (ja) | 高放熱性金属複合板材及びそれを用いた高放熱性金属基板 | |
SU1479973A1 (ru) | Способ изготовлени твердого источника диффузии бора | |
US4194643A (en) | Method and apparatus for frit-sealing high temperature CRT faceplate to conventional CRT envelope | |
JPH11176764A (ja) | 拡散用フィルムとその製造方法および半導体基板の不純物拡散方法 | |
US3704265A (en) | Sintered inorganic photoconductive elements and their method of preparation | |
JPH04302419A (ja) | 拡散ウエーハの製造方法 | |
JPS5933869A (ja) | 半導体装置用電極材料 | |
JP3490596B2 (ja) | 拡散用フイルムおよびその作成方法ならびに半導体基板の不純物拡散方法 |