RU124436U1 - POWERFUL SILICON MICROWAVE TRANSISTOR OF L-RANGE OF FREQUENCY - Google Patents
POWERFUL SILICON MICROWAVE TRANSISTOR OF L-RANGE OF FREQUENCY Download PDFInfo
- Publication number
- RU124436U1 RU124436U1 RU2012139047/28U RU2012139047U RU124436U1 RU 124436 U1 RU124436 U1 RU 124436U1 RU 2012139047/28 U RU2012139047/28 U RU 2012139047/28U RU 2012139047 U RU2012139047 U RU 2012139047U RU 124436 U1 RU124436 U1 RU 124436U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- base
- transistor
- metallization
- emitter
- level
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
Мощный кремниевый биполярный СВЧ-транзистор L-диапазона частот, включающий в себя корпус с теплопроводным металлическим фланцем, являющийся базовым электродом, напаянное на фланец высокотеплопроводное диэлектрическое основание, покрытое металлизацией, включающей в себя изолированную от базы область коллектора с напаянными на нее встык транзисторными кристаллами, две металлические контактные площадки на диэлектрическом основании, изолированные от области коллектора, соединенные с базой сквозь отверстия в основании, с размещенными на них конденсаторами для формирования входной и выходной цепей согласования и две изолированные от базы области металлизации с напаянными на них эмиттерными и коллекторными полосковыми выводами, отличающийся тем, что на транзисторном кристалле шириной 1,05 мм сформированы четыре ряда транзисторных структур, содержащих п+-эмиттерные и р+-базовые области длиной по 80 мкм, при шаге транзисторной структуры 6 мкм с разделяющими их областями шириной по 165 мкм и расстоянием от краев указанных структур до края транзисторного кристалла не менее 90 мкм, сформированы три уровня Ti-Pt-Au металлизации с двумя уровнями диэлектрической изоляции между ними, образованной из высокотемпературного фотополимера, и толщиной первого уровня изоляции 3 мкм, а второго уровня изоляции 1,5 мкм, второй уровень металлизации представляет собой объединение по эмиттеру между двумя парами крайних транзисторных рядов, содержащих контактные площадки шириной по 60 мкм как эмиттерные, так и базовые, с помощью дополнительных полосков объединения той же ширины между контактными рядами при толщине Au всех элементов метPowerful silicon bipolar microwave transistor of the L-frequency range, which includes a housing with a heat-conducting metal flange, which is the base electrode, a highly conductive dielectric base soldered to the flange, coated with metallization, including a collector region isolated from the base with transistor crystals butt-welded onto it, two metal pads on a dielectric base, isolated from the collector area, connected to the base through holes in the base, with and them with capacitors for forming the input and output matching circuits and two metallization areas isolated from the base with emitter and collector strip terminals soldered to them, characterized in that four rows of transistor structures containing n + emitter are formed on a transistor crystal 1.05 mm wide and p + -base regions with a length of 80 μm, with a step of a transistor structure of 6 μm with regions separating them with a width of 165 μm and a distance from the edges of these structures to the edge of the transistor crystal of at least 90 μm m, three levels of Ti-Pt-Au metallization are formed with two levels of dielectric insulation between them, formed from a high-temperature photopolymer, and a thickness of the first insulation level of 3 μm, and the second insulation level of 1.5 μm, the second metallization level is a combination of the emitter between with two pairs of extreme transistor rows containing contact pads 60 μm wide both emitter and base, with the help of additional strips combining the same width between the contact rows with the thickness Au of all elements met
Description
Полезная модель относится к области производства полупроводниковых приборов, в частности транзисторов, применяемых в передающих устройствах СВЧ диапазона, и может быть использована для улучшения параметров таких транзисторов и упрощения их изготовления.The utility model relates to the production of semiconductor devices, in particular transistors used in microwave transmitters, and can be used to improve the parameters of such transistors and simplify their manufacture.
Аналогом предлагаемого транзистора является транзистор L-диапазона фирмы «Philips» RX 1214В350 Y (1). Его данные: полоса частот 1,2-1,4 ГГц, τи=130 мкс; Q=18, Рвых≥280 Вт при Кур≥7,5 дБ, ηк≥40% при работе в классе С. Это транзистор с однорядной структурой, о чем свидетельствует относительно низкое значение ηк.An analogue of the proposed transistor is the L-band transistor of the Philips company RX 1214В350 Y (1). Its data: frequency band 1.2-1.4 GHz, τi = 130 μs; Q = 18, Рvyh≥280 W at Chur≥7.5 dB, ηк≥40% when working in class C. This is a single-row transistor, as evidenced by the relatively low value of ηк.
Прототипом предложенной полезной модели является транзистор фирмы «Advanced Power Technology RF» (2). Этот двухрядный транзистор с длиной эмиттера в каждом ряду по 120 мкм при шаге структуры равном 6 мкм с параметрами в полосе частот 1,21-1,4 ГГц в радиоимпульсном режиме с τи=330 мкс; Q=10 отдает в нагрузку Рвых≥370-375 Вт. Тепловое сопротивление Rт для него составляет ≈0,26-0,27°С/Вт при напайке встык транзисторных кристаллов на длине коллекторного электрода равной 12 мм.The prototype of the proposed utility model is a transistor manufactured by Advanced Power Technology RF (2). This two-row transistor with an emitter length of 120 μm in each row with a structure step of 6 μm with parameters in the frequency band 1.21-1.4 GHz in the radio-pulse mode with τи = 330 μs; Q = 10 gives to the load Rvykh ≥370-375 watts. The thermal resistance RT for it is ≈0.26-0.27 ° C / W when brazing butt transistor crystals along the length of the collector electrode equal to 12 mm.
В предлагаемой конструкции транзистора был выбран путь увеличения количества рядов транзисторных структур при длине п+- и р+-областей в каждом ряду равной 80 мкм.In the proposed transistor design, a way was chosen to increase the number of rows of transistor structures with a length of p + and p + regions in each row equal to 80 μm.
Анализ величины Rт двухрядных структур показал, что при используемой обычно толщине транзисторного кристалла ≈100 мкм превышение взаимного расстояния над величиной 165-170 мкм практически не влияет на величину теплового сопротивления транзисторов, то есть на транзисторном кристалле можно разместить большее количество транзисторных рядов.An analysis of the value of Rt of double-row structures showed that when the thickness of the transistor crystal is usually used ≈100 μm, the excess of the mutual distance over the value of 165-170 μm practically does not affect the thermal resistance of the transistors, i.e., a larger number of transistor rows can be placed on the transistor crystal.
Технический результат полезной модели - создание конструкции более мощного транзистора, работающего в режиме работы прототипа, а также позволяющего работать в режиме с большей длительностью радиоимпульса и/или с меньшей скважностью.The technical result of the utility model is the creation of a design of a more powerful transistor operating in the prototype operation mode, as well as allowing to work in a mode with a longer radio pulse duration and / or with a lower duty cycle.
Технический результат достигается за счет того, что, сужая ширину ряда за счет сокращения длины эмиттеров до 80 мкм, можно сформировать четырехрядную структуру транзисторного кристалла с тем же периметром эмиттера, что у аналога, получив выигрыш в величине теплового сопротивления прежде всего за счет рассредоточения источников выделения тепла, которое происходит под п+-областями эмиттера, а также за счет более равномерного распределения рассеиваемого тепла под более короткой п+-областью. Расчет величины Rт для четырехрядной структуры с той же длиной транзисторного ряда, что у аналога (12 мм) дает выигрыш в тепловом сопротивлении в 1,62 раза против двухрядной структуры аналога, т.е. Rт≈0,16°C/Вт. Однако при этом емкость транзисторных рядов на длине коллектора равной 12 мм будет в 1,33 раза выше, чем у аналога. Это может быть чревато проявлением так называемого поперечного резонанса, частота которого обратно пропорциональна √LкCк. На полной длине коллекторного ряда кристаллов, собранных встык, при одинаковой индуктивности коллекторной области вдоль ряда транзисторных кристаллов резонансную частоту примерно в 1,33 раза ниже, чем у аналога, у которого не наблюдается поперечный резонанс.The technical result is achieved due to the fact that, by narrowing the width of the series by reducing the length of the emitters to 80 μm, it is possible to form a four-row structure of a transistor crystal with the same emitter perimeter as that of an analog, gaining in the value of thermal resistance primarily due to the dispersion of the sources of emission heat that occurs under the n + regions of the emitter, as well as due to a more uniform distribution of the dissipated heat under the shorter n + region. The calculation of the value of Rt for a four-row structure with the same transistor row length as that of the analog (12 mm) gives a gain in thermal resistance of 1.62 times against the double-row structure of the analog, i.e. Rt≈0.16 ° C / W. However, the capacitance of the transistor rows along a collector length of 12 mm will be 1.33 times higher than that of the analogue. This may be fraught with the manifestation of the so-called transverse resonance, the frequency of which is inversely proportional to √ LкCк. For the full length of the collector row of crystals, assembled end-to-end, with the same inductance of the collector region along a series of transistor crystals, the resonant frequency is approximately 1.33 times lower than that of an analog that does not exhibit transverse resonance.
Расчет показывает, что, если сократить длину ряда транзисторных кристаллов с четырехрядной структурой в √1,33 раз, т.е. с 12 мм до 10,4 мм, то резонансные частоты для обоих вариантов будут равны, т.е. в таком четырехрядном варианте не должно быть поперечного резонанса. При этом расчет величины Rт дает для такого 4-х рядного транзистора Rт≈0,185°С/Вт вместо 0,26°С/Вт для прототипа. Соответственно величина выходной мощности, фактически ограничиваемая разогревом транзисторной структуры, вырастет в 1,4 раза и составит 520 Вт.The calculation shows that if we reduce the length of a series of transistor crystals with a four-row structure by √1.33 times, i.e. from 12 mm to 10.4 mm, then the resonant frequencies for both options will be equal, i.e. in such a four-row version there should be no transverse resonance. In this case, the calculation of the value of RT gives for such a 4-row transistor RT≈0.185 ° C / W instead of 0.26 ° C / W for the prototype. Accordingly, the value of the output power, which is actually limited by the heating of the transistor structure, will increase by 1.4 times and amount to 520 watts.
При осуществлении трехуровневой металлизации Ti-Pt-Au и двухуровневой изоляции, позволяющей осуществить малоиндуктивное объединение 4-х транзисторных рядов по эмиттеру на первом уровне изоляции, а по базе на втором уровне изоляции, индуктивности объединения настолько малы по сравнению с величинами Lэ, Lб вх и Lб вых, что действующие значения этих индуктивностей практически не отличаются от того на какой контактный ряд они собираются. Это позволяет собирать проволочные элементы Lэ и Lб вх на 1-ый контактный ряд, a Lб вых на 2-ой контактный ряд.When performing three-level metallization of Ti-Pt-Au and two-level insulation, which allows for a low-inductance combination of 4 transistor rows in the emitter at the first insulation level, and in the base at the second insulation level, the coupling inductances are so small compared to the values of Le, Lb I and Lb out, that the effective values of these inductances practically do not differ from what contact row they are going to. This allows you to collect the wire elements Le and Lb in on the 1st contact row, and Lb out on the 2nd contact row.
Кроме того, использование фотополимера гарантирует отсутствие растрескивания диэлектрических изолирующих слоев.In addition, the use of photopolymer guarantees the absence of cracking of the dielectric insulating layers.
Малое переходное сопротивление на границах 1-го и 2-го уровней металлизации и 2-го и 3-го уровней металлизации обеспечивается прослойками Pt между поверхностью Au каждого нижнего уровня металлизации и слоем Ti соответствующего верхнего слоя металлизации.A low transition resistance at the boundaries of the 1st and 2nd metallization levels and the 2nd and 3rd metallization levels is provided by the Pt layers between the Au surface of each lower metallization level and the Ti layer of the corresponding upper metallization layer.
Новизна полезной модели подтверждена тем, что снижение теплового сопротивления в предлагаемой модели транзистора СВЧ диапазона обеспечивается не только путем раздвигания тепловыделяющих частей транзистора, но и за счет малоиндуктивного объединения рядов транзисторных структур, когда их более двух. Подобное конструктивное решение не было реализовано в известных конструкциях мощных СВЧ транзисторов из-за трудности обеспечения однородной работы транзисторов, возникающих при этом.The novelty of the utility model is confirmed by the fact that the decrease in thermal resistance in the proposed model of the microwave transistor is ensured not only by pushing apart the heat-generating parts of the transistor, but also due to the low-inductance combination of the rows of transistor structures when there are more than two of them. Such a constructive solution was not implemented in the known designs of high-power microwave transistors due to the difficulty in ensuring the uniform operation of the transistors that arise in this case.
Достоверность предлагаемой конструкции транзистора подтверждается следующими выводами:The reliability of the proposed transistor design is confirmed by the following conclusions:
- возможность использования высокотемпературного фотополимера проверкой на предварительной разработке транзистора с Рвых≥200 Вт [1] в указанной полосе частот при Uип=40 В и с использованием двухрядной структуры с длиной эмиттеров равной 80 мкм вместо 120 мкм. Результаты оказались соответствующими в пересчете на результаты прототипа, в котором раскачка по напряжению была в 1,25 раз больше, а по току в 1,5 раза больше.- the possibility of using a high-temperature photopolymer by testing the preliminary development of a transistor with Pout ≥200 W [1] in the indicated frequency band at Uyp = 40 V and using a two-row structure with emitter length equal to 80 μm instead of 120 μm. The results turned out to be appropriate in terms of the results of the prototype, in which the buildup in voltage was 1.25 times more, and in current 1.5 times more.
- температурная устойчивость отечественного фотополимера оказалась достаточной для реализации технологии, а его устойчивость при хранении в нормальных условиях, то есть без охлаждения выше, чем для зарубежного прототипа.- the temperature stability of the domestic photopolymer turned out to be sufficient for the implementation of the technology, and its stability during storage under normal conditions, that is, without cooling, is higher than for a foreign prototype.
Достоверность расчета Rт была проверена сравнением расчетных данных для аналога с приведенными для него данными.The reliability of the calculation of RT was verified by comparing the calculated data for the analog with the data given for it.
Важнейшей проблемой создания транзистора с четырехрядной структурой является проблема обеспечения одинаковой работы всех четырех рядов транзисторной структуры, что требует такого малоиндуктивного объединения четырех транзисторных рядов, которое обеспечило бы их одинаковую работу, поскольку при двух контактных рядах элементы согласования по входу Lэ и Lб вх оказались близкими к 1-ому контактному ряду, но удаленными от 2-го контактного ряда, a Lб вых наоборот близок ко 2-ому контактному ряду, но удален от 1-го контактного ряда. Единственный выход - создание настолько малоиндуктивного объединения, чтобы можно было этим различием пренебречь.The most important problem of creating a transistor with a four-row structure is the problem of ensuring the identical operation of all four rows of the transistor structure, which requires such a low inductance combining of the four transistor rows that would ensure their identical operation, since with two contact rows the matching elements at the input of Le and Lb in were close to To the 1st contact row, but remote from the 2nd contact row, and Lb o, on the contrary, is close to the 2nd contact row, but removed from the 1st contact row. The only way out is to create such a low-inductance association that this difference can be neglected.
В расчете на один объединяющий полосок, т.е. и на один проволочный элемент согласования, принято индуктивность Lэ1=1,8 нГн; Lбвх1≈Lбвых1≈0,45 нГн.Based on one uniting strip, i.e. and for one wire matching element, the inductance Le 1 = 1.8 nH is assumed; Lbvh 1 ≈Lbout 1 ≈0.45 nH.
Длина объединения эмиттерными полосками lэ≈200 мкм при ширине полосков αэ=60 мкм.The length of the combination of emitter strips le≈200 μm with a strip width αe = 60 μm.
Длина объединения базовыми полосками lа≈330 мкм при ширине полосков аб=215 мкм.The length of the combination of base strips l a ≈330 μm with a strip width a b = 215 μm.
Расчет индуктивности полоска Lп проведен по формуле:The calculation of the inductance of the strip Lp is carried out according to the formula:
где w - расстояние полосков от поверхности п+-коллектора, равное 12,5 мкм (толщина высокоомной части коллектора - 8 мкм, суммарная толщина фотополимера - 4,5 мкм).where w is the distance of the strips from the surface of the n + collector, equal to 12.5 μm (the thickness of the high-resistance part of the collector is 8 μm, the total thickness of the photopolymer is 4.5 μm).
По расчету индуктивностей эммитерного и базового полосков в соответствии с [1]According to the calculation of the inductances of the emitter and base strips in accordance with [1]
Lпэ1=0,037 нГнLpe 1 = 0.037 nH
Lпб1=0,017 нГнLpb 1 = 0.017 nH
то есть Lпэ1/Lэ1≈2%; Lпб1/Lб1≈3,8%.that is, Lpe 1 / Le 1 ≈2%; Lпб 1 / Lб 1 ≈3.8%.
Эти величины малы и находятся в пределах возможных колебаний величины Lэ1 и Lб1, т.е. несущественны.These values are small and are within the range of possible fluctuations of the quantities Le 1 and L 1 , i.e. inconsequential.
На рис 1 приведено относительное расположение транзисторных структур в четырех транзисторных рядах, где на первом уровне металлизации:Figure 1 shows the relative arrangement of transistor structures in four transistor rows, where at the first metallization level:
а - область эмиттерной шины;a - region of the emitter bus;
b - область стабилизирующих резисторов;b is the region of stabilizing resistors;
с - область расположения п+-эмиттерных и р+-базовых контактов;c is the location region of the n + emitter and p + base contacts;
d - область базовой шины.d is the area of the base bus.
На рис 2 приведена геометрия изоляции 2-го уровня металлизации от 1-го уровня.Figure 2 shows the insulation geometry of the 2nd level of metallization from the 1st level.
Объединение первой и второй пар транзисторных рядов по эмиттеру проводится на втором уровне металлизации между контактными областями «α» 2-го и 3-го транзисторных рядов через сплошные щели в изолирующем слое металлизированными полосками шириной 60 мкм соосными с эмиттерными контактными площадками.The first and second pairs of transistor rows along the emitter are combined at the second metallization level between the contact areas “α” of the 2nd and 3rd transistor rows through continuous slots in the insulating layer with metallic strips 60 μm wide coaxial with the emitter pads.
Объединение тех же рядов по базе проводится на 3-м уровне металлизации, расположенном на 2-ом уровне изоляции полосками шириной 215 мкм. При этом окна в этом изолирующем слое не должны выходить за пределы базовой металлизации 2-го уровня так, чтобы их взаимное расстояние для двух контактных рядов было по возможности минимальным.Combining the same rows in the base is carried out at the 3rd metallization level, located at the 2nd insulation level with strips 215 microns wide. In this case, the windows in this insulating layer should not go beyond the base metallization of the 2nd level so that their mutual distance for the two contact rows is as small as possible.
Эффективность предлагаемой полезной модели заключена в том, что требования к конструкции таких транзисторов менее жесткие, чем для создания американских аналогов и прототипа как в части планаризации транзисторной структуры, так и в части создания металлизации для транзисторных структур с большой длиной п+-эмиттерных и р+-базовых областей, требующей значительного повышения сечения электродов при одновременном снижении зазоров между ними.The effectiveness of the proposed utility model lies in the fact that the design requirements of such transistors are less stringent than for the creation of American analogs and prototypes both in terms of planarization of the transistor structure and in terms of creating metallization for transistor structures with a large length of n + emitter and p + -basic areas, requiring a significant increase in the cross section of the electrodes while reducing the gaps between them.
Кроме того, эта полезная модель позволяет создавать четырехрядную транзисторную структуру, в которой величина теплового сопротивления уже снижена в 1,4 раза по сравнению с тепловым сопротивлением прототипа при получении величины выходной мощности также превышающей в 1,4 раза этот параметр в прототипе.In addition, this utility model allows you to create a four-row transistor structure in which the value of thermal resistance is already reduced by 1.4 times compared with the thermal resistance of the prototype when the output power also exceeds 1.4 times this parameter in the prototype.
ЛитератураLiterature
1. Техническая информация фирмы «Philips» RX 1214B350Y NPN microwave power transistor, 8 февраля 1997 года1. Philips Technical Information RX 1214B350Y NPN microwave power transistor, February 8, 1997
2. Техническая информация фирмы «Advanced Power Technology RF» 1214-370M, апрель 2005 года2. Technical Information of Advanced Power Technology RF 1214-370M, April 2005
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012139047/28U RU124436U1 (en) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | POWERFUL SILICON MICROWAVE TRANSISTOR OF L-RANGE OF FREQUENCY |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012139047/28U RU124436U1 (en) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | POWERFUL SILICON MICROWAVE TRANSISTOR OF L-RANGE OF FREQUENCY |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU124436U1 true RU124436U1 (en) | 2013-01-20 |
Family
ID=48807987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012139047/28U RU124436U1 (en) | 2012-09-12 | 2012-09-12 | POWERFUL SILICON MICROWAVE TRANSISTOR OF L-RANGE OF FREQUENCY |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU124436U1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114552157A (en) * | 2022-01-28 | 2022-05-27 | 北京航天科工世纪卫星科技有限公司 | Power divider of small-size microstrip of L wave band |
-
2012
- 2012-09-12 RU RU2012139047/28U patent/RU124436U1/en active IP Right Revival
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114552157A (en) * | 2022-01-28 | 2022-05-27 | 北京航天科工世纪卫星科技有限公司 | Power divider of small-size microstrip of L wave band |
| CN114552157B (en) * | 2022-01-28 | 2024-03-08 | 北京航天科工世纪卫星科技有限公司 | L-band small microstrip power distributor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016532321A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US20190172773A1 (en) | Semiconductor apparatus | |
| US11195939B2 (en) | Common-emitter and common-base heterojunction bipolar transistor | |
| EP0723704B1 (en) | Layout for radio frequency power transistors | |
| RU124436U1 (en) | POWERFUL SILICON MICROWAVE TRANSISTOR OF L-RANGE OF FREQUENCY | |
| CN111934562A (en) | Microwave rectification circuit based on transverse gallium nitride Schottky diode | |
| CN104835859B (en) | Class mixing GaAs base Terahertz Schottky diodes can be biased | |
| CN115952764B (en) | Transistor circuit optimization method for improving heat dissipation performance of amplifier chip | |
| US20060081878A1 (en) | Transistor circuit | |
| JP2006313881A (en) | Bipolar transistor and radio frequency amplifier circuit | |
| Limiti et al. | Characterization and modeling of low-cost, high-performance GaN-Si technology | |
| CN216649629U (en) | Power amplifier and radio frequency chip | |
| CN105743451B (en) | A kind of radio-frequency power amplifier domain and radio-frequency power amplifier | |
| JP2017022303A (en) | Transistor | |
| CN110739921B (en) | Power amplifying unit and power amplifier | |
| US20060244012A1 (en) | Heterojunction bipolar transistor power device with efficient heat sinks | |
| TW201608698A (en) | Semiconductor module | |
| US20120218047A1 (en) | Vertical ballast technology for power hbt device | |
| CN103258737B (en) | A kind of two emitter regions ebipolar microwave power transistor and preparation method thereof | |
| TW202113981A (en) | Semiconductor device | |
| CN219759574U (en) | Semiconductor structure | |
| CN202307903U (en) | Radio frequency-lateral double-diffused metal-oxide semiconductor (RF-LDMOS) device structure without epitaxial layer | |
| CN207705195U (en) | A kind of microwave power amplifier improving power cell temperature uniformity | |
| RU128009U1 (en) | POWERFUL BIPOLAR MICROWAVE TRANSISTOR | |
| US11869957B2 (en) | Compound semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20130913 |
|
| NF1K | Reinstatement of utility model |
Effective date: 20141210 |
|
| PC12 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for utility models |
Effective date: 20150928 |