RU1130158C - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device Download PDF

Info

Publication number
RU1130158C
RU1130158C SU3509227A RU1130158C RU 1130158 C RU1130158 C RU 1130158C SU 3509227 A SU3509227 A SU 3509227A RU 1130158 C RU1130158 C RU 1130158C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
slots
conductive screen
apodized
surface acoustic
width
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Д.В. Карпеев
С.Н. Кондратьев
В.И. Речицкий
Original Assignee
Научно-исследовательский институт "Фотон"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт "Фотон" filed Critical Научно-исследовательский институт "Фотон"
Priority to SU3509227 priority Critical patent/RU1130158C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1130158C publication Critical patent/RU1130158C/en

Links

Images

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к устройствам обработки сигналов на поверхностных акустических волнах (ПАВ). The invention relates to the field of electronics, in particular to signal processing devices for surface acoustic waves (SAW).

Известны устройства на ПАВ, содержащие расположенные в общем акустическом потоке входной и выходной встречно-штыревые преобразователи (ВШП). Недостатком известных устройств являются искажения электрических характеристик устройства, обусловленные большей величиной прямого прохождения (наводки) входного сигнала за счет электростатической индукции непосредственно на выходной преобразователь. Known devices for surfactants containing located in the common acoustic stream of the input and output interdigital transducers (IDT). A disadvantage of the known devices is the distortion of the electrical characteristics of the device, due to the large amount of direct passage (pickup) of the input signal due to electrostatic induction directly to the output converter.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство на ПАВ, содержащее размещенные в общем акустическом потоке широкополосные и аподизованные с переменным перекрытием полосозадающие преобразователи ПАВ и расположенный между ними проводящий экран. С помощью проводящего экрана величина прямого прохождения сигнала значительно уменьшается. The closest in technical essence to the invention is a device for a surfactant, containing broadband and apodized with variable overlapping bandpass transducers of the surfactant placed in a common acoustic stream and a conductive screen located between them. Using a conductive screen, the magnitude of the direct signal passage is significantly reduced.

Недостатком известного устройства являются искажения заданной амплитудно-частотной характеристики (АЧХ), связанные с дифракцией ПАВ, излучаемой или принимаемой участками аподизованного преобразователя с малым покрытием штырей, что приводит в полосовых фильтрах к уменьшению уровня подавления сигнала вне полосы пропускания и увеличению коэффициента прямоугольности, а в фильтрах с АЧХ произвольной формы - еще и к искажению их фазочастотных характеристик (ФЧХ). A disadvantage of the known device is the distortion of a given amplitude-frequency characteristic (AFC) associated with diffraction of a surfactant emitted or received by portions of an apodized converter with a small coating of pins, which leads to a reduction in the level of signal suppression outside the passband and an increase in the squareness coefficient in filters with arbitrary frequency response - also to the distortion of their phase-frequency characteristics (phase response).

Целью изобретения является повышение точности воспроизведения АЧХ путем уменьшения дифракционных искажений. The aim of the invention is to increase the accuracy of reproduction of the frequency response by reducing diffraction distortion.

Цель достигается тем, что в устройстве на ПАВ, содержащем звукопровод и размещенные на нем в общем акустическом канале широкополосный и аподизованный с переменным перекрытием электродов полосозадающий ВШП и расположенный между ними токопроводящий экран, в токопроводящем экране со стороны аподизованного преобразователя вдоль направления распространения акустической волны выполнены прорези, пространственный шаг которых монотонно возрастает от центра токопроводящего экрана к его периферии, причем
аi/L ≅ 1, ac/W ≅ 0,02-0,08, где ai - ширина прорези;
L - пространственный период аподизованного преобразователя;
ас - суммарная ширина прорезей;
W - максимальная апертура аподизиванного преобразователя ПАВ.
The goal is achieved by the fact that in a device on a SAW containing a sound duct and a broadband IDT and a conductive screen located between them and alternating between the electrodes placed on it in a common acoustic channel and a conductive screen located between them, slots are made in the conductive screen from the side of the apodized transducer along the acoustic wave propagation direction whose spatial step monotonically increases from the center of the conductive screen to its periphery, and
and i / L ≅ 1, a c / W ≅ 0.02-0.08, where a i is the width of the slot;
L is the spatial period of the apodized transducer;
and c is the total width of the slots;
W is the maximum aperture of the apodized surfactant converter.

На чертеже представлена структурная схема устройства на ПАВ. Устройство на ПАВ содержит полосозадающий ВШП 1, аподизованный изменением перекрытия. В общем с ним акустическом потоке расположен широкополосный ВШП 2. Между ВШП размещен токопроводящий экран 3. В токопроводящем экране 3 со стороны аподизованного ВШП 1 вдоль направления распространения ПАВ выполнены прорези 4 шириной аi при расстоянии между ними bi. Ширина каждой из прорезей составляет не более одного пространственного периода L преобразователей на центральной частоте. Суммарная ширина прорезей ас по крайней мере в 12-50 раз меньше максимальной апертуры W преобразователей 1, 2. Пространственный шаг прорезей 4 монотонно возрастает от центра токопроводящего экрана 3 к его периферии.The drawing shows a structural diagram of a device for a surfactant. The device on the surfactant contains stripe IDT 1, apodized by a change in overlap. A broadband IDT 2 is located in common with it. A conductive screen 3 is located between the IDT 3. In the conductive screen 3, slots 4 of width a i are made along the SAW propagation direction along the direction of SAW propagation at a distance between them of b i . The width of each of the slots is not more than one spatial period L of the transducers at the center frequency. The total width of the slots a with at least 12-50 times less than the maximum aperture W of the converters 1, 2. The spatial step of the slots 4 monotonically increases from the center of the conductive screen 3 to its periphery.

Устройство работает следующим образом. The device operates as follows.

При подаче сигнала на один из преобразователей (1, 2) устройства возбужденные им ПАВ распространяются в зоне звукопровода, в которой между ВШП расположен проводящий экран 3. За счет наличия прорезей 4 происходит канализирование ПАВ и вследствие этого уменьшение дифракционных искажений. Расположение прорезей 4 в проводящем экране 3 со стороны аподизованного преобразователя 1 приближает зону локализации волны к аподизованному преобразователю 1. When a signal is applied to one of the converters (1, 2) of the device, the surfactants excited by it propagate in the zone of the sound duct, in which a conductive screen 3 is located between the IDTs. Due to the presence of slots 4, the surfactant is canalized and, as a result, the diffraction distortion is reduced. The location of the slots 4 in the conductive screen 3 from the side of the apodized transducer 1 brings the zone of localization of the wave to the apodized transducer 1.

Отношение суммарной ширины прорезей 4 к апертуре ВШП выбирается из условия фазовых искажений на уровне 5-10о и амплитудных искажений на уровне 1-4% , которые практически не оказывают влияния на точность воспроизведения АЧХ. Данный уровень искажений обеспечивается в том случае, когда суммарная ширина прорезей не превышает 2-8% от максимальной апертуры преобразователя.The ratio of the total width of the slots 4 to the aperture of the IDTs is chosen from the condition of phase distortion at the level of about 5-10 and amplitude distortions at the level of 1-4%, which practically does not affect the frequency response fidelity. This level of distortion is provided when the total width of the slots does not exceed 2-8% of the maximum aperture of the converter.

Закон изменения шага прорезей 4 выбирается из условия увеличения канализирующих свойств в области акустического потока, образованной электродами с минимальной апертурой перекрытия. Уменьшение дифракционных искажений достигается при монотонном увеличении шага прорезей вдоль фронта волны от участков экрана 3, лежащих в центре акустического потока к его периферии, поскольку в наиболее распространенных конструкциях аподизованного преобразователя 1 участки с малым перекрытием лежат в центральной части акустического потока. The law of changing the pitch of the slots 4 is selected from the condition of increasing the channeling properties in the region of the acoustic flow formed by electrodes with a minimum aperture of overlap. A reduction in diffraction distortion is achieved with a monotonic increase in the step of the slits along the wave front from the screen sections 3 lying in the center of the acoustic stream to its periphery, since in the most common constructions of the apodized transducer 1, sections with a small overlap lie in the central part of the acoustic stream.

Таким образом, использование прорезей в токопроводящем экране в данном устройстве на ПАВ позволяет обеспечить направленное распространение волны путем коррекции ее траектории с помощью указанных прорезей и тем самым позволяет увеличить затухание вне полосы пропускания, уменьшить коэффициент прямоугольности, т. е. повысить точность воспроизведения заданной АЧХ. (56) Речицкий В. И. Акустоэлектронные радиокомпоненты. М. : Советское радио, 1980, с. 113. Thus, the use of slots in the conductive screen in this device for a surfactant allows for the directed propagation of the wave by correcting its trajectory with the help of these slots and thereby allows to increase attenuation outside the passband, reduce the squareness coefficient, i.e., increase the accuracy of the reproduction of the given frequency response. (56) Rechitsky V.I. Acoustoelectronic radio components. M.: Soviet Radio, 1980, p. 113.

ТИИЭР, N 5, 1976, с. 130, рис. 4. TIIER, N 5, 1976, p. 130, fig. 4.

Claims (1)

УСТРОЙСТВО НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащее звукопровод и размещенные на нем в общем акустическом канале широкополосный и аподизованный с переменным перекрытием электродов полосозадающий встречно-штыревые преобразователи и расположенные между ними токопроводящий экран, отличающееся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения амплитудно-частотной характеристики путем уменьшения дифракционных искажений, в токопроводящем экране со стороны аподизованного преобразователя вдоль направления распространения акустической волны выполнены прорези, пространственный шаг L которых монотонно возрастает от центра токопроводящего экрана к его периферии, причем
ai/L ≅ 1; aс/W ≅ 0,02 - 0,08,
где ai - ширина прорези;
aс - суммарная ширина прорезей;
W - максимальная апертура аподизованного преобразователя.
SURFACE ACOUSTIC WAVES DEVICE, comprising a sound guide and broadband and apodized with variable overlapping of electrodes placed on it in a common acoustic channel, alternating interdigital transducers and conductive screen located between them, characterized in that, in order to improve the accuracy of reproducing the amplitude-frequency characteristics by reduction of diffraction distortions in the conductive screen from the apodized transducer along the propagation direction a slots, the spatial step L of which monotonically increases from the center of the conductive screen to its periphery,
a i / L ≅ 1; a s / W ≅ 0.02 - 0.08,
where a i is the width of the slot;
a with - the total width of the slots;
W is the maximum aperture of the apodized transducer.
SU3509227 1983-11-02 1983-11-02 Surface acoustic wave device RU1130158C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3509227 RU1130158C (en) 1983-11-02 1983-11-02 Surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3509227 RU1130158C (en) 1983-11-02 1983-11-02 Surface acoustic wave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1130158C true RU1130158C (en) 1994-04-15

Family

ID=30439993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3509227 RU1130158C (en) 1983-11-02 1983-11-02 Surface acoustic wave device

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1130158C (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62115A (en) Surface acoustic wave filter
US4144508A (en) Surface acoustic wave filters
KR900008524B1 (en) S.a.w. filter of satellite receiver for removing interference
US3990023A (en) Elastic surface wave device
US4126838A (en) Uniform surface acoustic wave transducer configuration having improved frequency selectivity
RU1130158C (en) Surface acoustic wave device
US5818310A (en) Series-block and line-width weighted saw filter device
JPS5931890B2 (en) surface acoustic wave filter
US4539502A (en) Magnetic feedthrough cancelling surface acoustic wave device
US5781083A (en) Surface wave resonator having a plurality of resonance frequencies
JP2685537B2 (en) Surface acoustic wave device, manufacturing method thereof, adjusting method thereof, and communication device using the same
JPS6221286B2 (en)
JP2590347B2 (en) Surface acoustic wave device
SU1039017A1 (en) Filter using surface acoustic waves
SU1721789A1 (en) Device on surface acoustic waves
SU650664A1 (en) Frequency-selective device on elastic surface waves
RU2157046C2 (en) Filter on superficial acoustic waves
JPS6114688B2 (en)
JPH038122B2 (en)
SU892659A1 (en) Surface acoustic wave filter
SU1762384A1 (en) Surface acoustic wave recursive filter
JP3191551B2 (en) Piezoelectric resonator
JPS5936414A (en) Surface acoustic wave device
JP2574828B2 (en) Surface acoustic wave device
JP3456810B2 (en) Surface acoustic wave filter