Przedmiotem wynalazku jest uklad forsowania pradu o malym czasie regeneracji, stosowany w pamieciach maszyn matematycznych.Znany i stosowany sposób forsowania pradu po¬ lega miedzy innymi na forsowaniu pradu w oparciu o mozliwosc gromadzenia ladunku w kondensatorze.Stosowany dotychczas kondensator jest wlaczony równolegle do pierwszego rezystora, który jednym koncem jest dolaczony do dodatniego bieguna zró¬ dla zasilania, a drugim koncem do pierwszej kon¬ cówki uzwojenia elektromagnesu. Druga koncówka uzwojenia elektromagnesu jest dolaczona do ko¬ lektora tranzystora typu n-p-n. Równolegle do uzwojenia elektromagnesu sa dolaczone drugi re¬ zystor i dioda pólprzewodnikowa, które maja na celu zabezpieczenie tranzystora przed przepieciem, przy czym drugi rezystor i dioda pólprzewodnikowa sa polaczone ze soba szeregowo.Stosowany kondensator powinien posiadac duza wartosc pojemnosci, a to pociaga za soba duze gabaryty tego kondensatora. Czas regeneracji ukla¬ du jest stosunkowo duzy, poniewaz do stalej cza¬ sowej, okreslajacej czas regeneracji, wchodzi war¬ tosc pojemnosci stosowanego kondensatora.Istota wynalazku jest to, ze uklad forsowania pradu o malym czasie regeneracji, skladajacy sie z ukladu przelaczajacego, zbudowanego na pierw¬ szym tranzystorze, w którego obwód kolektorowy jest wlaczone uzwojenie elektromagnesu, zboczni- kowane pierwsza dioda i drugim rezystorem pola- czonych ze soba szeregowo, oraz z pierwszego rezy¬ stora, wlaczonego pomiedzy biegun zródla zasilania i uklad przelaczajacy, ma dwójnik aktywny, dola¬ czony do punktu polaczenia pierwszego rezystora i uzwojenia elektromagnesu, majacy w przyblizeniu charakter kondensatora o pojemnosci zaleznej od kierunku przeplywu pradu. Dwójnik aktywny jest zmodyfikowanym ukladem znanego integratora Mullera, który zawiera druga diode pólprzewodni¬ kowa, wlaczona miedzy baze i emiter drugiego tranzystora, przy czym kierunki przewodzenia zlacza baza-emiter drugiego tranzystora i zlacza drugiej diody pólprzewodnikowej sa przeciwne.Uklad wedlug wynalazku zostanie dokladniej omówiony na przykladzie wykonania, którego schemat zostal przedstawiony na rysunku dla do¬ datnich wartosci napiec zródla zasilania.Równolegle do pierwszego rezystora Ri, wlaczo¬ nego jednym koncem do dodatniego bieguna zródla zasilania, a drugim koncem do pierwszej koncówki uzwojenia L elektromagnesu, jest wlaczony dwój¬ nik I aktywny. Uzwojenie L elektromagnesu jest wlaczone w obwód kolektorowy pierwszego tran¬ zystora Ti typu n-p-n, na którym jest zbudowany uklad przelaczajacy. Uzwojenie L jest zboczniko- wane drugim rezystorem R2 i pierwsza dioda pól¬ przewodnikowa Di, polaczonymi szeregowo. Dwój¬ nik I jest zmodyfikowanym ukladem integratora Mullera. Sklada sie on z drugiego tranzystora T* typu n-p-n, pierwszego kondensatora Ci, trzeciego 99 8203 •9 820 4 rezystora R3, drugiego kondensatora C2 i drugiej diody pólprzewodnikowej D2. Kolektor drugiego tranzystora T2 jest dolaczony do dodatniego bieguna zródla zasilania, a emiter tego tranzystora T2 jest dolaczony do drugiej koncówki pierwszego rezy¬ stora Ri. Miedzy kolektor i baze drugiego tranzy¬ stora T2 jest wlaczony pierwszy kondensator Ci.Miedzy baze i emiter tego tranzystora T2 sa wla¬ czone równolegle nastepujace elementy: drugi kon¬ densator C2, trzeci rezystor R3 i druga dioda pól¬ przewodnikowa D2, przy czym katoda tej diody jest dolaczona do bazy drugiego tranzystora T2.Pierwsza koncówka uzwojenia L elektromagnesu jest polaczona w wezle W z druga koncówka pierw¬ szego rezystora Ri, a tym samym jest ona polaczona z emiterem drugiego tranzystora T2, z anoda dru¬ giej diody pólprzewodnikowej D2 i odpowiednio z drugim kondensatorem C2 i trzecim rezystorem R3.Druga koncówka uzwojenia L elektromagnesu jest polaczona z kolektorem pierwszego tranzystora Ti.Równolegle do uzwojenia L elektromagnesu sa wlaczone pierwsza dioda pólprzewodnikowa Di i drugi rezystor R2, polaczone szeregowo.Z chwila podania na baze pierwszego tranzysto¬ ra Ti impulsu, wprowadzajacego ten tranzystor Ti w stan nasycenia, poplynie prad przez uzwojenie L elektromagnesu pod wplywem napiecia w wezle W.Napiecie to jest zalezne od pradu plynacego przez pierwszy rezystor Ri oraz od pradu dostarczanego przez dwójnik I. Na prad dwójnika I sklada sie glównie prad dostarczany przez pierwszy kondensa¬ tor Ci, wplywajacy do bazy drugiego tranzystora Ta i prad kolektora tego tranzystora T2. Prad kolek¬ tom drugiego tranzystora T2 jest okolo I121E — razy wiekszy od pradu plynacego przez pierwszy kon¬ densator Ci, przy czym I121E jest wspólczynnikiem wzmocnienia pradowego drugiego tranzystora Ti.Napiecie w wezle W utrzymuje sie w stosunkowo dlugim czasie na dosc wysokim poziomie dzieki zastosowaniu dwójnika I, powodujac forsowanie pradu w elektromagnesie. Czas ten zalezy od po¬ jemnosci, jaka reprezentuje soba dwójnik I dla kierunku przeplywu pradu.W przypadku, gdy na baze pierwszego tranzy¬ stora Ti jest podawany impuls zatykajacy ge,, to wówczas prad przepiecia z elektromagnesu zamyka sie w obwodzie L, R2, Di zabezpieczajac pierwszy tranzystor Ti przed uszkodzeniem, jednoczesnie na¬ piecie w 1wezle W wzrasta dazac w przyblizeniu wykladniczo do wartosci napiecia zródla zasilania, regenerujac ladunek na pierwszym kondensatorze Ci glównie w obwodzie Ri, D2, Ci. Dwójnik I, w przy- padku przeplywu pradu regeneracji, reprezentuje soba duzo mniejsza pojemnosc niz w przypadku forsowania pradu w uzwojeniu L elektromagnesu, co wystepuje wówczas, gdy na baze pierwszego tranzystora Ti jest podawany impuls wprowadza¬ jacy go w stan przewodzenia. Dzieki malej pojem¬ nosci jaka reprezentuje soba dwójnik I dla pradu regeneracji czas powrotu ukladu do warunków wyjsciowych jest krótki, czyli czas regeneracji ukladu jest maly.Rezystor R3 i kondensator C2 zabezpieczaja wa¬ runki normalnej pracy ukladu. Dodatkowa cecha ukladu, oprócz skrócenia czasu regeneracji jest mozliwosc stosowania kondensatora Ci o stosunko¬ wo malej wartosci pojemnosci, a wiec i o malym gabarycie, co umozliwia montowanie go bezposre¬ dnio na pakiecie pamieci. PL