Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie symetryczne do próbkowania sygnalów elektrycznych stosowane w szerokopasmowych synchroskopach stroboskopowych, cyfrowych miernikach czestotliwosci, woltomierzach stroboskopowych itp.Znane jest rozwiazanie urzadzenia symetrycznego przeznaczonego do próbkowania sygnalów elektrycz¬ nych przedstawione w czasopismie Solid State Circuits February 1972 pod tytulem "Broad-Band Thin — Film Signal Sampler". Urzadzenie to zawiera po jednej stronie plytki izolacyjnej linie paskowa dla sygnalu badanego, natomiast po drugiej stronie plvtki pod linia paskowa znajduje sie linia szczelinowa zwarta na swych koncach.W srodku linii szczelinowej umieszczone sa dwie diody oraz kondensatory magazynujace. Srodek linii paskowej poprzez plytke izolacyjna polaczony jest z diodami. Impuls sterujacy dolaczony jest do srodkowej czesci linii szczelinowej.Zasada dzialania urzadzenia jest nastepujaca. Impuls sterujacy rozchodzi sie w linii szczelinowej w obie strony i po osiagnieciu zwarc odbija sie w przeciwnej fazie i wraca do miejsca doprowadzenia. W wyniku tego na diodach otrzymuje sie waski impuls próbkujacy. W czasie trwania impulsu próbkujacego diody przewodza a pra¬ dy plynace przez nie laduja kondensatory magazynujace do napiecia proporcjonalnego do chwilowej wartosci napiecia sygnalu badanego, które to napiecie stanowi sygnal wyjsciowy z urzadzenia próbkujacego.Powyzsze rozwiazanie urzadzenia do próbkowania sygnalów elektrycznych nastrecza pewne trudnosci konstrukcyjne i technologiczne. Pierwsza trudnosc konstrukcyjna wynika z tego, ze tor transmisyjny dla sygnalu badanego i uklad ksztaltujacy impuls próbkujacy znajduje sie w róznych plaszczyznach, co ^technice hybrydo¬ wej jest duzym utrudnieniem konstrukcyjnym i technologicznym. Dodatkowa wada urzadzenia jest koniecznosc precyzyjnego polaczenia srodka linii transmisyjnej dla sygnalu badanego z diodami umieszczonymi w linii szczeli¬ nowej, która znajduje sie po drugiej stronie plytki. Dla skonczonej grubosci plytki izolacyjnej powyzsze polacze¬ nie jest szkodliwa indukcyjnoscia ograniczajaca pasmo czestotliwosci urzadzenia. Ponadto urzadzenie trudno wykonac technika monolityczna.2 99 389 Celem wynalazku jest wyeliminowanie powyzszych niedogodnosci konstrukcyjnych i technologicznych. Cel ten zostal osiagniety za pomoca urzadzenia symetrycznego do próbkowania sygnalów elektrycznych, które sklada sie z trzech pasków przewodzacych. Pasek wewnetrzny wraz z dwoma paskami zewnetrznymi tworzy odcinek toru transmisyjnego dla sygnalu badanego, natomiast dwa paski zewnetrzne zwarte na swych koncach tworza uklad ksztaltujacy impuls próbkujacy.Pomiedzy paskiem wewnetrznym a paskami zewnetrznymi na ich dlugosci wlaczone sa szeregowo dwa elementy prostownicze korzystnie diody pólprzewodnikowe oraz dwa kondensatory magazynujace. Do pasków zewnetrznych, do których dolaczone sa diody i kondensatory magazy¬ nujace doprowadza sie impuls w postaci skoku napiecia. Sygnal ten rozchodzi sie w obie strony miedzy paskami zewnetrznymi i po osiagnieciu zwarcia odbija sie w przeciwnej fazie i wraca do miejsca doprowadzenia. W ten sposób powstaje miedzy paskami zewnetrznymi impuls próbkujacy, który otwiera diody na przeciag krótkiego okresu czasu. W czasie kiedy diody przewodza, kondensatory magazynujace laduja sie do chwilowej wartosci napiecia sygnalu badanego.Zaleta powyzszego rozwiazania jest prostota konstrukcji oraz latwosc projektowania urzadzenia. Nastepna zaleta wynika z tego, ze wszystkie trzy paski przewodzace leza na jednej plaszczyznie, pozwala to na dolaczenie dyskretnych elementów bez koniecznosci wykonywania otworów w podlozu i tym samym wyeliminowanie in- dukcyjnosci polaczen. W zwiazku z tym, szerokosc pasma urzadzenia moze byc wieksza. Uklad ten moze byc wykonany technika monolityczna.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedsta¬ wia urzadzenie symetryczne do próbkowania sygnalów elektrycznych w widoku z góry, natomiast fig. 2 przedsta¬ wia przekrój poprzeczny urzadzenia.Urzadzenie symetryczne pokazane na fig. 1 i fig. 2 sklada sie z dwóch pasków przewodzacych zewne¬ trznych 2, 2' oraz paska przewodzacego wewnetrznego 1, które wraz z gniazdami 8, 8' tworza odcinek toru transmisyjnego dla sygnalu badanego. Paski zewnetrzne 2, 2' zwarte na swych koncach zworami 9, 9' tworza uklad formujacy impuls próbkujacy. Wszystkie trzy paski przewodzace leza po jednej stronie plytki izolacyjnej 7. W polowie odcinka linii transmisyjnej pomiedzy zewnetrznymi paskami 2, 2' a wewnetrznym paskiem 1 wlaczone sa dwie diody pólprzewodnikowe 3, 3' oraz kondensatory magazynujace 4, 4'. Miedzy dioda 3 i kondensatorem magazynujacym 4 oraz dioda 3' i kondensatorem magazynujacym 4' znajduja sie wyjscia z ukla¬ du próbkujacego 6, 6', które polaczone sa z daisza czescia ukladu elektronicznego. Do punktów 5, 5' doprowa¬ dzony jest skok napiecia, z którego ksztaltowany jest impuls próbkujacy.Dzialanie urzadzenia jest nastepujace. Impuls w postaci skoku napiecia doprowadzony jest do punktów 5, ' lezacych na wewnetrznych krawedziach pasków zewnetrznych 2, 2\ Impuls wedruje miedzy paskami do zwarc 9, 9' po czym odbija sie i wraca w przeciwnej fazie do punktów 5, 5' po czasie równym czasowi propagacji impulsu na odcinku ksztaltowania. Powoduje to uksztaltowanie miedzy punktami 5, 5' impulsu próbkujacego, który powoduje przewodzenie diod 3, 3' na przeciag krótkiego okresu czasu. Prad plynacy przez diody laduje kondensatory magazynujace 4, 4' do napiecia, które jest proporcjonalne do chwilowej wartosci sygnalu badane¬ go. PL