PL98358B1 - Sposob wytwarzania spektrometrycznego detektora cdte - Google Patents
Sposob wytwarzania spektrometrycznego detektora cdte Download PDFInfo
- Publication number
- PL98358B1 PL98358B1 PL19329176A PL19329176A PL98358B1 PL 98358 B1 PL98358 B1 PL 98358B1 PL 19329176 A PL19329176 A PL 19329176A PL 19329176 A PL19329176 A PL 19329176A PL 98358 B1 PL98358 B1 PL 98358B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- solution
- cdte
- spectrometric
- bromine
- methanol
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania spektrometrycznego detektora CdTe, szczególnie przy¬ datnego do spektrometrii promieniowania X i niskoenergetycznego promieniowania gamma.Znany stan techniki. Znany jest sposób wytwarzania spektrometrycznego detektora CdTe z niskooporowe- go tellurku kadmu typu n opisany przez AJ.Dabrowskiego, J.Chwaszczewska, J.Iwanczyka, R.Tribaulefa, J.Mar- taing'a „Spektrometer Performance of n-Type Cadmium Telluride X and 7-Ray Detectors" (I.EEE Transactions on Nuclear Science Vol. NS—23 No 1 (1976) 171). W opisanym sposobie wycina sie plytke z krysztalu CdTe, która po oszlifowaniu i wypolerowaniu i dokladnym oczyszczeniu mechanicznym i chemicznym wytrawia sie w roztworze bromu w metanolu. Po wytrawieniu plytke umieszcza sie w atmosferze gazu obojetnego a nastepnie napyla sie ja jednostronnie warstewka zlota i zaopatruje sie ja w kontakty.Istota wynalazku. Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze jako material wyjsciowy do wytwarzania detektora stosuje sie ziarno monokrystaliczne tellurku kadmu a wytrawianie w roztworze bromu w metalach prowadzi sie dwustopniowo, w ciagu 1—2 minut w roztworze o stezeniu 5-10% a nastepnie w roztworze o steze¬ niu do 5% w ciagu 20-300 sek.Korzystne skutki techniczne wynalazku. Sposób wedlug wynalazku pozwala uzyskac detektory o wysokiej zdolnosci rozdzielczej ponizej 3 KeV dla promieniowania gamma o energii 20 KeV — 100 KeV i ponizej 2 KeV dla promieniowania gamma o energii ponizej 20 KeV.Przyklad wykonania wynalazku. Ze sztabki krysztalu CdTe wycina sie plytke o zadanej grubosci, a na¬ stepnie po obróbce mechanicznej wycina sie ziarna monokrystaliczne. Plytke wykonana z ziarna monokrystalicz- engo poddaje sie szlifowaniu, polerowaniu i oczyszczaniu mechanicznie i chemicznie w wannie ultradzwiekowej.Plytke wytrawia sie w 8% roztworze bromu w metanolu w ciagu 90 sekund a nastepnie w roztworze o stezeniu 3% w ciagu 30 sekund. Po wytrawieniu plytke wyjmuje sie w atmosferze azotu w której przechowuje sie ja przez kilka godzin. Tak przygotowana plytke napyla sie jednostronnie warstewka zlota i zaopatruje sie w kontakty znanymi sposobami.2 98 358 PL
Claims (1)
1. Zastrzezeniepatentowe Sposób wytwarzania spektrometrycznego detektora CdTe, w którym z krysztalu CdTe typu n wycina sie plytke i szlifuje sieja i poleruje, a nastepnie poddaje sie dokladnemu oczyszczaniu mechanicznemu i chemiczne¬ mu po czym wytrawia sie ja w roztworze bromu w metanolu i umieszcza sie w atmosferze gazu obojetnego a nastepnie napyla sie ja jednostronnie warstewka zlota i zaopatruje sie w kontakty, znamienny ty m, ze jako material wyjsciowy stosuje sie ziarno monokrystaliczne CdTe a wytrawianie w roztworze bromu w metano¬ lu prowadzi sie dwustopniowo, wciagu 1—2 minut w roztworze o stezeniu 5—10% a nastepnie w roztworze o stezeniu do 5% w ciagu 20—30 sek. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+13 Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL19329176A PL98358B1 (pl) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | Sposob wytwarzania spektrometrycznego detektora cdte |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL19329176A PL98358B1 (pl) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | Sposob wytwarzania spektrometrycznego detektora cdte |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL98358B1 true PL98358B1 (pl) | 1978-04-29 |
Family
ID=19979114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL19329176A PL98358B1 (pl) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | Sposob wytwarzania spektrometrycznego detektora cdte |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL98358B1 (pl) |
-
1976
- 1976-10-26 PL PL19329176A patent/PL98358B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3783049A (en) | Method of platinum diffusion | |
| Kemmer et al. | Performance and applications of passivated ion-implanted silicon detectors | |
| US20030121885A1 (en) | Ionizing radiation detector | |
| PL98358B1 (pl) | Sposob wytwarzania spektrometrycznego detektora cdte | |
| Chu et al. | Photovoltaic properties of CdTe p‐n junctions produced by ion implantation | |
| US3264707A (en) | Method of fabricating semiconductor devices | |
| Meek et al. | Silicon surface contamination: polishing and cleaning | |
| US3947304A (en) | Etching of group III-V semiconductors | |
| Buck et al. | Silicon pn junction radiation detectors for the Telstar® satellite | |
| Marsh et al. | The electrical behavior of implanted bismuth in silicon | |
| Billig et al. | Transmission of electrons and holes across a twin boundary in germanium | |
| Ponpon et al. | Recent advances in γ-and X-ray spectrometry by means of mercuric iodide detectors | |
| LoVecchio et al. | PLANAR Pb0· 8Sn0· 2Te PHOTODIODE ARRAY DEVELOPMENT AT THE NIGHT VISION LABORATORY | |
| Amendolia et al. | Germanium microstrip detectors with 50 and 100 μm pitch | |
| Falster et al. | Effective gettering of gold in silicon at 900° C by low‐current corona discharge | |
| Protic et al. | Development of transmission Si (Li) detectors | |
| JPS6151931A (ja) | 半導体放射線検出素子の製造方法 | |
| Tomlinson et al. | Large area silicon surface-barrier detector for beta-ray spectroscopy | |
| Asoka-Kumar et al. | Characterization of defects in Si and SiO {sub 2}-Si using positrons | |
| EP0171801A2 (en) | Method for processing a backside illuminated detector assembly | |
| Van Scyoc et al. | Incorporation of Extrinsic Defects in HgI2 During Detector Fabrication | |
| Livi et al. | Electrical Contact and Adhesion Modification Produced by High Energy Heavy Ion Bombardment of Au Films on GaAsa | |
| Sharma | Development of high resolution silicon surface barrier detectors | |
| Brown | The Unique Electronic Properties of the Silver Halides | |
| JPS5474387A (en) | Infrared-ray detector |