PL97703B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL97703B2
PL97703B2 PL187677A PL18767776A PL97703B2 PL 97703 B2 PL97703 B2 PL 97703B2 PL 187677 A PL187677 A PL 187677A PL 18767776 A PL18767776 A PL 18767776A PL 97703 B2 PL97703 B2 PL 97703B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
flat spring
spring
longitudinal axis
clamping
semiconductor elements
Prior art date
Application number
PL187677A
Other languages
English (en)
Other versions
PL97703B1 (pl
Original Assignee
Ckd Praha
Filing date
Publication date
Priority claimed from CS259575A external-priority patent/CS176735B1/cs
Application filed by Ckd Praha filed Critical Ckd Praha
Publication of PL97703B1 publication Critical patent/PL97703B1/pl
Publication of PL97703B2 publication Critical patent/PL97703B2/pl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L5/00Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
    • G01L5/0057Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes measuring forces due to spring-shaped elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do wskazywania wielkosci sily dociskowej, wywieranej przez plaska sprezyne lub uklad sprezynowy, przeznaczone zwlaszcza dla elementów pólprzewodnikowych.W zespolach elektronicznych skladajacych sie z elementów pólprzewodnikowych mocy, przykladowo tyrystorów i diod, te tarczowe elementy sa umieszczane miedzy plytkami stykowymi przy zastosowaniu sily dociskowej, w celu zapewnienia dobrego styku elektrycznego glównych elektrod tych elementów. Lutowanie tarcz krzemowych o duzej powierzchni jest czesto zwiazane z licznymi trudnosciami. Przy zespolach zestawia¬ nych z zastosowaniem techniki dociskania jest bezwarunkowo wymagane by zapewnie zadany docisk w mozliwie najwezszych granicach tolerancji, i to w ten sposób zeby sila dociskowa byla rozlozona równomiernie na calej powierzchni glównych elektrod elementów pólprzewodnikowych. Tylkow ten sposób mozna uzyskac optymal¬ ne warunki przeplywu pradu elektrycznego przez element wykonany z materialu pólprzewodnikowego oraz dla przenoszenia ciepla z powierzchni czolowych elementu pólprzewodnikowego do plytek docisnietych do tego elementu, które w ten sposób sluza do odprowadzania wzglednie rozpraszania ciepla wytworzonego w strukturze pólprzewodnika przcz przeplyw pradu elektrycznego o duzym natezeniu, Rozmaite znane zespoly montazowe, w których element pólprzewodnikowy zamocowany jest przez do¬ cisk pomiedzy odpowiednimi plytkami zawieraja rózne kombinacje elementów skladowych, takich jak sruby zaciskowe, poprzeczki, sprezyny i inne elementy pomocnicze. Wada tych znanych ukladów dociskowych jest fakt, ze nie mozna przy nich ustalic czy sila dociskowa jest równomiernie rozlozona na elemencie pólprzewodni¬ kowym, lub czy zostala rzeczywiscie osiagnieta zalozona wielkosc docisku potrzebna dla zapewnienia wlasciwe¬ go kontaktu. Jedna z przyczyn jest mozliwosc wystepowania znacznego tarcia pomiedzy poszczególnymi sprezynami zespolu konstrukcyjnego. Ponadto w trakcie konserwacji jest w najlepszym razie bardzo trudne, jesli nie zupelnie niemozliwe, ustalenie sily dociskowej wywieranej przez plytki stykowe lub tez sprawdzenie czy ma ona zadana wielkosc.97 703 Celem wynalazku jest wyeliminowanie tej niedogodnosci. Dla osiagniecia tego celu skonstruowano taki uklad niocowania dociskowego, zwlaszcza dla elementów pólprzewodnikowych, w którym byloby mozliwe uzyskanie wskazania wielkosci sily dociskowej wywolywanej plaska sprezyna lub przez uklad sprezyn.Zadanie to rozwiazano wedlug wynalazku w ten sposób, ze plaska sprezyna tworzaca czesc skladowa ukladu sprezyn jest zaopatrzona w co najmniej jedno naciecie skierowane od elementów mocujacych do czlonu podporowego wzglednie równolegle do laczacej je linii, lub tez w wyciety otwór. Czesc brzegowa plaskiej sprezyny jest rozdzielona na dlugosci wynoszacej co najmniej 65% jej dlugosci w kierunku osi wzdluznej tej sprezyny. Czesc sprezyny plaskiej jest odgieta prostopadle do osi wzdluznej tej sprezyny. Czesc brzegowa tej sprezyny jest rozdzielona w kierunku jej osi wzdluznej tak, ze tworzy ona dwa skierowane ku sobie jezyczki.Sprezyna plaska jest co najmniej w trzech miejscach tak przecieta, ze utworzone sa dwa skierowane ku sobie jezyczki.Urzadzenie wedlug wynalazku do wskazywania wielkosci sily dociskowej umozliwia, wedlug uprzedniego wywzorcowania, dokladne nastawianie wielkosci sily dociskowej, wyregulowanie zadanego docisku elementu pólprzewodnikowego przy biezacej konserwacji urzadzen lub zespolów, w których znajduje sie taki element pólprzewodnikowy, jesli uprzednio nastawiony docisk ulegl zmianie. Te czynnosci moga byc wykonywane przez kazdego uzytkownika i w zasadzie nie wymagaja zadnego kwalifikowanego personelu. Zespoly dociskowe zaopa¬ trzone w urzadzenie wedlug wynalazku moga byc stosowane dla wielu rozmaitych typów tarczowych elementów pólprzewodnikowych mocy. Poprzez dokladne nastawienie sily dociskowej przy uzyciu urzadzenia wedlug wynalazku, uzyskuje sie wysoki stopien niezawodnosci i dluga zywotnosc drogich elementów pólprzewodniko¬ wych.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedsta¬ wia jeden z przykladów wykonania wynalazku w rzucie pionowym, fig. 2 - przyklad z fig. 1 w rzucie pozio mym, fig. 3 - inny przyklad wykonania wynalazków rzucie pionowym, a fig. 4 - przyklad z fig. 3 w rzucie poziomym.Tarczowy element pólprzewodnikowy 1 spoczywa swa dolna elektroda glówna na wykonanym przyklado¬ wo z aluminium, elemencie chlodzacym II, pomiedzy ta dolna elektroda i elementem chlodzacym 11 jest umieszczony doprowadnik pradowy 4, wykonany przykladowo z tasmy miedzianej, przy czym pomiedzy pier¬ wszym doprowadnikiem 4 i dolna elektroda elementu pólprzewodnikowego 1, wzglednie czescia chlodzaca; 11, moze sie znajdowac warstwa metalowa, która podczas pracy elementu pólprzewodnikowego 1 znajduje sie wstanie plynnym i umozliwia znaczne obnizenie opornosci cieplnej na tych powierzchniach podzialu. Warstwa ta sklada sie korzystnie ze stopu zawierajacego bizmut, olów, cyne i kadm, majacego temperature topnienia 70°C, przy czym zwykle nadaja sie do tego stopy o zwartosci 48 do 55% bizmutu, 18 do 40% olowiu, 2-15% cyny i do 10% kadmu. Sa to stopy eutektyczne o niskiej temperaturze topnienia i wykazuja przy przechodzeniu ze stanu stalego w ciekly tylko niewielkie zmianyobjetosci. l Górna elektroda elementu pólprzewodnikowego I przylega do drugiego doprowadnika 3, który ewentual¬ nie moze byc utworzony przez druga czesc chlodzaca, do której z drugiej strony przylega czlon izolacyjny 6, na którym umieszczona jest podpora 7 o wypuklej powierzchni. O ta wypukla powierzchnie podpory 7 opiera sie plaska sprezyna 8, wzglednie ule lad sprezyn, która jest zaopatrzona na koncach w otwory, przez które przecho¬ dza elementy mocujace, na przyklad w postaci srub dwustronnych 2, 2\ wkreconych w czesc chlodzaca 11.Poprzez dokrecanie nakretek 3, X na srubach 2, 2' wytwarza sie sile dociskowa dzialajaca na element pólprze¬ wodnikowy 1, na przyklad w postaci diody, tyrystora, itp.Znajdujaca sie na ukladzie sprezynowym 8 i stanowiaca jego czesc skladowa sprezyna plaska 12, jak to widac na fig..2, ma naciecie lub otwór o przebiegu równoleglym do linii laczacej elementy mocujace 2, T tak, ze jej czesc brzegowa ° jest oddzielona od reszty na co najmniej 65% jej dlugosci. Czesc 10 sprezyny plaskiej 12 jest odgieta i tworzy wystep wskaznikowy. Przy dokrecaniu nakretek 3, X na srubach 2, T nastepuje samo przez sie odchylenie czesci brzegowej 9 sprezyny plaskiej 12, przy czym wielkosc tego odchylenia jest proporcjonalna do wielkosci docisku i moze byc odczytana na wystepie wskaznikowym utworzonym przez czesc 10 plaskiej sprezyny 12.Na figurach 3 i 4 czesc brzegowa sprezyny plaskiej 12 jest tak oddzielona w kierunku jej osi wzdluznej, ze tworzy ona dwa skierowane ku sobie jezyczki 9\ 9", które przez wychylanie sie przy dokrecaniu nakretek 3, 3' na srubach 2, T wskazuja uzyskana sile dociskowa.Pokazane na fig. 1 do 4 przyklady wykonania urzadzenia do wskazywania wielkosci docisku dotycza zespolów dociskowych z dwoma elementami mocujacymi, na przyklad srubami 2, 2\ niemniej jednak urzadzenie to moze byc zastosowane takze w zespolach dociskowych z trzema, czterema lub wieksza liczba elementów97 703 3 dociskowych, które moga wystepowac w przypadku elementów pólprzewodnikowych mocy przetwarzajacych wyjatkowo duze moce. W takich przypadkach plaska sprezyna 12 jest zaopatrzona w wieksza liczbe otworów, które tworza wzajemnie ku sobie zwrócone jezyczki, a ich odchylenie wskazuje uzyskiwana sile dociskowa.Urzadzenie wedlug wynalazku umozliwia, po uprzednim wyskalowaniu, dokladne nastawianie wielkosci sily dociskowej i regulowanie tej sily przy konserwacji urzadzen z elementami pólprzewodnikowymi oraz przyczynia sie do zwiekszenia niezawodnosci i zywotnosci elementów pólprzewodnikowych lub innych elemen¬ tów skladowych, dla których wymagana jest dokladna sila docisku, wzglednie równomierne dociskanie. PL

Claims (5)

  1. Z a.s t rzezenia patentowe 1. Urzadzenie do wskazywania wielkosci sily dociskowej, wywieranej przez plaska sprezyne lub uklad sprezynowy, przeznaczone zwlaszcza dla elementów pólprzewodnikowych, znamienne t y m, ze sprezyna plaska (1 2) stanowiaca czesc skladowa ukladu sprezynowego (8), jest zaopatrzona w co najmniej jedno naciecie przebiegajace od elementu mocujacego (2) do czlonu podporowego (7) wzglednie równolegle do laczacej je linii, albo tez w wyciety otwór.
  2. 2. Urzadzenie wedlug zastrz. 1,znamienne t y m, ze czesc brzegowa (9) plaskiej sprezyny (12) jest oddzielona w kierunku jej osi wzdluznej na co najmniej 65% jej dlugosci od sasiadujacej z nia czesci sprezyny plaskiej (12).
  3. 3. Urzadzenie wedlug zastrz. I albo 2, znamie nn e tym, ze czesc (10) sprezyny plaskiej (12) jest odgieta prostopadle do jej osi wzdluznej.
  4. 4. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, z n a m i e n n e ty ni, ze czesc brzegowa (9) sprezyny plaskiej (12) jest rozdzielona w kierunku jej osi wzdluznej tak, ze powstaja dwa skierowane wzajemnie ku sobie jezyczki (9\ 9").
  5. 5. Urzadzenie wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze plaska sprezyna (12) ma co najmniej trzy wyciete otwory, które tworza wzajemnie ku sobie skierowane jezyczki.97 703 3- 9 10- a- 5 2'" 10 FIG 2 9 9 7 6 i, 11 FIG 3 W "IL 9 9 nr, i Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120 + 18 Cena 45 zl PL
PL18767776A 1975-04-15 1976-03-03 Urzadzenie do wskazywania wielkosci sily dociskowej PL97703B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS259575A CS176735B1 (pl) 1975-04-15 1975-04-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL97703B1 PL97703B1 (pl) 1978-03-30
PL97703B2 true PL97703B2 (pl) 1978-03-31

Family

ID=5363529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18767776A PL97703B1 (pl) 1975-04-15 1976-03-03 Urzadzenie do wskazywania wielkosci sily dociskowej

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH607007A5 (pl)
CS (1) CS176735B1 (pl)
DD (1) DD127774A1 (pl)
DE (1) DE2607243C3 (pl)
PL (1) PL97703B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4448240A (en) Telescoping thermal conduction element for cooling semiconductor devices
EP0071709B1 (en) Flexible thermal conduction element for cooling semiconductor devices
US3447118A (en) Stacking module for flat packaged electrical devices
US4415025A (en) Thermal conduction element for semiconductor devices
US4047197A (en) Housing and lead structure for a series connected semiconductor rectifier arrangement
EP0097782B1 (en) Thermal conduction bridge element for semiconductor device packages
US5339519A (en) Method of cooling an electrical device using a heat sink attached to a circuit board containing heat conductive layers and channels
US4707726A (en) Heat sink mounting arrangement for a semiconductor
US5329426A (en) Clip-on heat sink
US5402313A (en) Electronic component heat sink attachment using a canted coil spring
TWI424801B (zh) 表面裝設電路保護裝置與電池保護電路總成
US4079410A (en) Semiconductor rectifier device with improved cooling arrangement
CZ108093A3 (en) Assembly system of a heat collector for a semiconductor device and assembly process thereof
JP6694551B2 (ja) バッテリセルを接続するための基板
US4853762A (en) Semi-conductor modules
JP6739642B2 (ja) バッテリセルの電気的に固定された接続のための基板およびバッテリ
US5091712A (en) Thin film fusible element
PL97703B2 (pl)
US6873028B2 (en) Surge current chip resistor
EP0324766A1 (en) SEMICONDUCTOR ASSEMBLY.
EP0124715A1 (en) Clip-fastening of a solid state device to a heatsink
EP0474396B1 (en) Electronic component packaging assembly
GB1594141A (en) Semiconductor assemblies
JP4409385B2 (ja) 抵抗器及びその製造方法
US2414471A (en) High current rectifier