PL96792B1 - Dioda w obudowie szklanej - Google Patents
Dioda w obudowie szklanej Download PDFInfo
- Publication number
- PL96792B1 PL96792B1 PL16543073A PL16543073A PL96792B1 PL 96792 B1 PL96792 B1 PL 96792B1 PL 16543073 A PL16543073 A PL 16543073A PL 16543073 A PL16543073 A PL 16543073A PL 96792 B1 PL96792 B1 PL 96792B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- lead
- glass
- diode
- metal
- flat
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009428 plumbing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest dioda w obudowie szklanej ze struktura pólprzewodnikowa o obu¬ stronnie plaskich kontaktach omowych.Znane diody w obudowie szklanej, w sklad któ¬ rych wchodza pólprzewodnikowe struktury z kon¬ taktami omowymi obustronnie plaskimi, posiada¬ ja doprowadzenie metalowe anody zlozone z dwu lub wiecej róznych czesci np. opis patentowy RFN nr 1948895.Doprowadzenie to sklada sie z doprowadzenia metalowego wlasciwego i czesci sprezynujacej, la¬ czacej doprowadzenie wlasciwe z plaskim kontak¬ tem omowym struktury pólprzewodnikowej. Czesc sprezynujaca wykonywana jest najczesciej ze szlachetnego metalu, lub powlekana tym meta¬ lem, wymaga odrebnego wykonania, a nastepnie laczenia z doprowadzeniem metalowym wlasciwym przy pomocy spawania, przewaznie elektrycznego.Tak wykonane doprowadzenie laczy sie z plaskim kontaktem omowym anody struktury pólprzewodni¬ kowej w jeden wspólny zestaw z obudowa, pod¬ kladka lutownicza i doprowadzeniem metalowym katody. Takie rozwiazanie wymaga duzej ilosci operacji technologicznych, róznorodnych urzadzen montazowych i drogich uzytych materialów. Kon¬ strukcje te sa trudne do zminiaturyzowania i ko¬ sztowne w produkcji.Celem wynalazku jest wyeliminowanie opisa¬ nych niedogodnosci poprzez uproszczenie konstru¬ kcji doprowadzenia metalowego anody laczonego ze struktura pólprzewodnikowa o obustronnie pla¬ skich kontaktach omowych.Zgodnie z rozwiazaniem postawionego zagadnie¬ nia technicznego doprowadzenie metalowe anody wedlug wynalazku wykonuje sie jako jednoczes¬ ciowe z lekko zaokraglonym koncem laczonym z plaskim kontaktem omowym struktury pólprze¬ wodnikowej.Na podstawie praktycznych wyników w diodach w obudowie szklanej wykonywanych wedlug wy¬ nalazku nie stwierdzono negatywnych zjawisk w stosunku do rozwiazan tradycyjnych.Rozwiazanie wedlug wynalazku upraszcza wy¬ konanie konstrukcji doprowadzenia metalowego anody, w wyniku czego wyeliminowano operacje technologiczne zwiazane z wykonaniem elementu sprezynujacego, wyeliminowano urzadzenia sluza¬ ce do jego wykrawania, krepowania, spawania, zlocenia; wyeliminowano kosztowny material ja¬ kim jest najczesciej zloto, z którego wykonywano uprzednio czesc sprezynujaca doprowadzenia. Po¬ nadto konstrukcja diody wedlug wynalazku umozliwia miniaturyzacje wyrobu oraz poprawia jego jakosc pod wzgledem parametrów elektrycz¬ nych, cieplnych i wytrzymalosciowych.Konstrukcja diody wedlug wynalazku jest uwi¬ doczniona na przykladzie wykonania, na którym fig. 1 przedstawia fragment diody, a fig. 2 diode w obudowie szklanej. 96 79296 792 3 Fragment diody z doprowadzeniem metalowym anody 2 stykajacym sie swym zaokraglonym kon¬ cem z plaskim kontaktem omowym 5 struktury pólprzewodnikowej skladajacej sie z pólprzewod¬ nika o dwu obszarach rózniacych sie typami prze¬ wodnictwa 7 i 8 i pokrytych warstwa pasywuja- ca 6. Struktura ta swoim dolnym plaskim kontak¬ tem 9 jest polaczona z doprowadzeniem katody 1, za posrednictwem podkladki lutowniczej 4. Calosc konstrukcji diody w obudowie szklanej pokazano na fig. 2, gdzie struktura pólprzewodnikowa 3 zamknieta jest w obudowie szklanej 10. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Dioda w obudowie szklanej ze struktura pól¬ przewodnikowa o obustronnie plaskich kontaktach omowych, znamienna tym, ze doprowadzenie me¬ talowe (2) anody jest jednoczesciowe z lekko za¬ okraglonym koncem laczonym bezposrednio z pla¬ skim kontaktem omowym (5) anody struktury pól¬ przewodnikowej (3). Fiq. I Fig. Z GWP Druk. Zam. 396 — 78 — 115 Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16543073A PL96792B1 (pl) | 1973-09-25 | 1973-09-25 | Dioda w obudowie szklanej |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16543073A PL96792B1 (pl) | 1973-09-25 | 1973-09-25 | Dioda w obudowie szklanej |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL96792B1 true PL96792B1 (pl) | 1978-01-31 |
Family
ID=19964184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16543073A PL96792B1 (pl) | 1973-09-25 | 1973-09-25 | Dioda w obudowie szklanej |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL96792B1 (pl) |
-
1973
- 1973-09-25 PL PL16543073A patent/PL96792B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0129118B1 (ko) | 부식이 감소된 리드 프레임 및 이의 제조 방법 | |
| EP0935286A4 (en) | COPPER CIRCUIT CONNECTING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURE | |
| KR960002495B1 (ko) | 개량된 리드를 갖는 반도체장치 | |
| KR890702161A (ko) | 집적회로 장치 및 그 제조방법 | |
| US5197804A (en) | Resistance temperature sensor | |
| KR960030391A (ko) | 전자적 패키지 | |
| JP4771135B2 (ja) | プリント配線板、それを使用したｌｅｄ装置及びプリント配線板の製造方法 | |
| US2728835A (en) | Radiation-sensitive resistor | |
| KR850008557A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR920001695A (ko) | 플로트 전원을 구비한 밀봉형 다이 팩키지 | |
| PL96792B1 (pl) | Dioda w obudowie szklanej | |
| US4925522A (en) | Printed circuit assembly with contact dot | |
| US4068205A (en) | Resistance element for a resistance thermometer | |
| US2763752A (en) | Electric fuse for retarded or rapid operation | |
| US3257537A (en) | Circuit panel with contact pads | |
| JP4969522B2 (ja) | 電子素子キャリア | |
| JPS6334968A (ja) | 半導体装置 | |
| KR810001417Y1 (ko) | 반도체장치 | |
| JP2862132B2 (ja) | 温度ヒューズの製造方法 | |
| JPS6158259A (ja) | チツプキヤリア | |
| KR900008730A (ko) | 전기접촉 단자 및 그 제조방법 | |
| US2944236A (en) | Electrical temperature measuring device | |
| EP0336173A2 (en) | Molded component package isolating interior substrate by recesses containing exposed breakoffs | |
| JPH075642Y2 (ja) | 固定部材付集積回路パッケージ | |
| US5274204A (en) | Pressure actuated electrical contact switch |