PL96204B1 - Rezystory cienkowarstwowe - Google Patents

Rezystory cienkowarstwowe Download PDF

Info

Publication number
PL96204B1
PL96204B1 PL18465775A PL18465775A PL96204B1 PL 96204 B1 PL96204 B1 PL 96204B1 PL 18465775 A PL18465775 A PL 18465775A PL 18465775 A PL18465775 A PL 18465775A PL 96204 B1 PL96204 B1 PL 96204B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
resistance
aluminum
thin
titanium
resistor
Prior art date
Application number
PL18465775A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL18465775A priority Critical patent/PL96204B1/pl
Publication of PL96204B1 publication Critical patent/PL96204B1/pl

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest rezystor cienkowarstwowy o rezystancji od 1 do 20 omów na kwadrat, stosowany w precyzyjnych ukladach pomiarowych i zminiaturyzowanej aparaturze pomiarowo-kontrolnej, opartej na elementach dyskretnych lub mikroelektronicznych scalonych obwodach hybrydowych.Znane z polskiego opisu patentowego patentu tymczasowego nr 84646 rezystory cienkowarstwowe, o rezystancji powierzchniowej od 1 do 3 omów na kwadrat, skladaja sie z podloza izolacyjnego, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna ze stopu zlota z chromem. Stop ten ma sklad wagowy od 97% do 90% zlota i od 3% do 10% chromu albo od 2% do 10% zlota i od 98% do 90% chromu.Zasadnicza niedogodnoscia techniczna rezystorów cienkowarstwowych opartych na stopach zlota z chromem jest mala stabilnosc termiczna rezystancji. Parametr ten jest stabilny tylko do temperatury okolo 155°C.Ponadto korekcja wartosci rezystancji gotowych rezystorów moze odbywac sie jedynie metodami mechanicznymi.Istota wynalazku polega na tym, ze warstwe rezystywna rezystora stanowi stop aluminium z tytanem o skladzie wagowym od 10% do 30% aluminium i od 90% do 70% tytanu.Rezystory cienkowarstwowe wedlug wynalazku charakteryzuja sie duza stabilnoscia termiczna rezystancji, wynoszaca ponizej 0,5% na 1000 h/125°C. Parametr ten jest stabilny do temperatury rzedu kilkaset stopni Celsjusza. Wartosc rezystancji rezystorów wedlug wynalazku mozna korygowac metoda utleniania elektrochemicznego.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladach wykonania rezystorów cienKowarstwowych z warstwa rezystywna o róznych skladach wagowych stopu aluminium z tytanem.Przyklad I. Rezystor cienkowarstwowy wedlug wynalazku sklada sie z podloza izolacyjnego, wykonanego ze szkla o malym przewodnictwie jonowym, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna o grubosci 100 nm . Warstwe rezystywna stanowi stop aluminium z tytanem o skladzie wagowym 10% aluminium i 90% tytanu. Rezystor ten wykonuje sie metoda odparowania mieszaniny aluminium i tytanu w prózni o cisnieniu 3X 10"5Tr. temperatura podloza wynosi 240°C, a predkosc parowania powyzej 1 nm/s.2 96 204 Tak wykonany rezystor ma rezystancje wlasciwa 260 X 10~8 £2m, temperaturowy wspólczynnik rezystancji w zakresie od — 260 X 10~6/deg do —40 X 10"6/deg. Zmiana rezystancji po starzeniu rezystora w temperaturze 300°C przez 46 godzin wynosi 20%, a stabilnosc termiczna rezystancji wynosi 0,5% na 1000 h/125°C.Przyklad II. Rezystor cienkowarstwowy wedlug wynalazku sklada sie z podloza izolacyjnego, wykonanego ze szkla, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna o grubosci 100 nm ze stopu o skladzie wagowym 20% aluminium i 80% tytanu. Rezystor ten wykonano metoda katodowego rozpylania stopu aluminium z tytanem w atmosferze argonu. Tak wykonany rezystor ma rezystancje wlasciwa 120X 10~8 J2rn, temperaturowy wspólczynnik rezystancji w zakresie od —100 X 10"6/deg do +650 X 10~6/deg, w zaleznosci od parametrów procesu rozpylania. Zmiana rezystancji po starzeniu rezystora w temperaturze 300°C przez 46 godzin wynosi 3,5%, a stabilnosc termiczna rezystancji wynosi 0,1% na 1000 h/125°C.Przyklad III. Rezystor cienkowarstwowy wedlug wynalazku sklada sie z podloza izolacyjnego, wykonanego z ceramiki alundowej, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna o grubosci 100 nm, ze stopu o skladzie wagowym 30% aluminium i 70% tytanu. Na podloze nanosi sie metoda prózniowa warstwe tytanu, a nastepnie aluminium i calosc wygrzewa sie w temperaturze 400°C przez 5 godzin, w wyniku czego zachodzi calkowita dyfuzja jednej warstwy w druga. Tak wykonany rezystor ma rezystancje wlasciwa 97 X 10~8 firn, temperaturowy wspólczynnik rezystancji w zakresie od 300 X 10"6/deg do 500 X 10"^/deg. Zmiana rezystancji rezystora po starzeniu w temperaturze 300°C przez 46 godzin wynosi 7%. Stabilnosc termiczna rezystancji wynosi 0,2% na 1000 h/125°C. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Rezystor cienkowarstwowy, skladajacy sie z podloza izolacyjnego, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna, znamienny tym, ze warstwe rezystywna stanowi stop aluminium z tytanem o skladzie wagowym od 10% do 30% aluminium i od 90% do 70% tytanu. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 45 zl PL
PL18465775A 1975-11-11 1975-11-11 Rezystory cienkowarstwowe PL96204B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18465775A PL96204B1 (pl) 1975-11-11 1975-11-11 Rezystory cienkowarstwowe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18465775A PL96204B1 (pl) 1975-11-11 1975-11-11 Rezystory cienkowarstwowe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL96204B1 true PL96204B1 (pl) 1977-12-31

Family

ID=19974217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18465775A PL96204B1 (pl) 1975-11-11 1975-11-11 Rezystory cienkowarstwowe

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL96204B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ramadan et al. On the Van der Pauw method of resistivity measurements
US4298505A (en) Resistor composition and method of manufacture thereof
Gulbransen et al. High temperature oxidation of high purity nickel between 750 and 1050 C
US4063211A (en) Method for manufacturing stable metal thin film resistors comprising sputtered alloy of tantalum and silicon and product resulting therefrom
JPS5955001A (ja) 抵抗およびその製造方法
PL96204B1 (pl) Rezystory cienkowarstwowe
Obieta et al. Sputtered silicon thin films for piezoresistive pressure microsensors
US4205298A (en) Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
JP4622522B2 (ja) 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法
Schabowska et al. Electrical conduction in Cr-SiO cermet thin films
Sylwestrowicz Oxidation of titanium thin films
JP4622946B2 (ja) 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。
KR920000530B1 (ko) 전기 저항체 및 그 제조방법과 이 전기 저항체용 도체로서 사용되는 합금
US4908185A (en) Nichrome resistive element and method of making same
CN207663866U (zh) 一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻
JP3664655B2 (ja) 高比抵抗材料とその製造方法
Brückner et al. Degradation of NiCr/CuNiMn/NiCr films on alumina substrates
RU2028682C1 (ru) Способ получения тонких резистивных пленок на основе сплава тантал - алюминий
JPS6236622B2 (pl)
JPH0577321B2 (pl)
JP4073658B2 (ja) 3元合金材料
Au Postdeposition annealing study of tantalum nitride thin-film resistors.
Nayak et al. Electrical and strain-sensitive behaviour of sputtered gold films
US4693843A (en) Resistance paste
Guntherodt et al. The electrical resistivity of liquid barium