PL96204B1 - Rezystory cienkowarstwowe - Google Patents
Rezystory cienkowarstwowe Download PDFInfo
- Publication number
- PL96204B1 PL96204B1 PL18465775A PL18465775A PL96204B1 PL 96204 B1 PL96204 B1 PL 96204B1 PL 18465775 A PL18465775 A PL 18465775A PL 18465775 A PL18465775 A PL 18465775A PL 96204 B1 PL96204 B1 PL 96204B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- resistance
- aluminum
- thin
- titanium
- resistor
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical group [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest rezystor cienkowarstwowy o rezystancji od 1 do 20 omów na kwadrat, stosowany w precyzyjnych ukladach pomiarowych i zminiaturyzowanej aparaturze pomiarowo-kontrolnej, opartej na elementach dyskretnych lub mikroelektronicznych scalonych obwodach hybrydowych.Znane z polskiego opisu patentowego patentu tymczasowego nr 84646 rezystory cienkowarstwowe, o rezystancji powierzchniowej od 1 do 3 omów na kwadrat, skladaja sie z podloza izolacyjnego, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna ze stopu zlota z chromem. Stop ten ma sklad wagowy od 97% do 90% zlota i od 3% do 10% chromu albo od 2% do 10% zlota i od 98% do 90% chromu.Zasadnicza niedogodnoscia techniczna rezystorów cienkowarstwowych opartych na stopach zlota z chromem jest mala stabilnosc termiczna rezystancji. Parametr ten jest stabilny tylko do temperatury okolo 155°C.Ponadto korekcja wartosci rezystancji gotowych rezystorów moze odbywac sie jedynie metodami mechanicznymi.Istota wynalazku polega na tym, ze warstwe rezystywna rezystora stanowi stop aluminium z tytanem o skladzie wagowym od 10% do 30% aluminium i od 90% do 70% tytanu.Rezystory cienkowarstwowe wedlug wynalazku charakteryzuja sie duza stabilnoscia termiczna rezystancji, wynoszaca ponizej 0,5% na 1000 h/125°C. Parametr ten jest stabilny do temperatury rzedu kilkaset stopni Celsjusza. Wartosc rezystancji rezystorów wedlug wynalazku mozna korygowac metoda utleniania elektrochemicznego.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladach wykonania rezystorów cienKowarstwowych z warstwa rezystywna o róznych skladach wagowych stopu aluminium z tytanem.Przyklad I. Rezystor cienkowarstwowy wedlug wynalazku sklada sie z podloza izolacyjnego, wykonanego ze szkla o malym przewodnictwie jonowym, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna o grubosci 100 nm . Warstwe rezystywna stanowi stop aluminium z tytanem o skladzie wagowym 10% aluminium i 90% tytanu. Rezystor ten wykonuje sie metoda odparowania mieszaniny aluminium i tytanu w prózni o cisnieniu 3X 10"5Tr. temperatura podloza wynosi 240°C, a predkosc parowania powyzej 1 nm/s.2 96 204 Tak wykonany rezystor ma rezystancje wlasciwa 260 X 10~8 £2m, temperaturowy wspólczynnik rezystancji w zakresie od — 260 X 10~6/deg do —40 X 10"6/deg. Zmiana rezystancji po starzeniu rezystora w temperaturze 300°C przez 46 godzin wynosi 20%, a stabilnosc termiczna rezystancji wynosi 0,5% na 1000 h/125°C.Przyklad II. Rezystor cienkowarstwowy wedlug wynalazku sklada sie z podloza izolacyjnego, wykonanego ze szkla, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna o grubosci 100 nm ze stopu o skladzie wagowym 20% aluminium i 80% tytanu. Rezystor ten wykonano metoda katodowego rozpylania stopu aluminium z tytanem w atmosferze argonu. Tak wykonany rezystor ma rezystancje wlasciwa 120X 10~8 J2rn, temperaturowy wspólczynnik rezystancji w zakresie od —100 X 10"6/deg do +650 X 10~6/deg, w zaleznosci od parametrów procesu rozpylania. Zmiana rezystancji po starzeniu rezystora w temperaturze 300°C przez 46 godzin wynosi 3,5%, a stabilnosc termiczna rezystancji wynosi 0,1% na 1000 h/125°C.Przyklad III. Rezystor cienkowarstwowy wedlug wynalazku sklada sie z podloza izolacyjnego, wykonanego z ceramiki alundowej, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna o grubosci 100 nm, ze stopu o skladzie wagowym 30% aluminium i 70% tytanu. Na podloze nanosi sie metoda prózniowa warstwe tytanu, a nastepnie aluminium i calosc wygrzewa sie w temperaturze 400°C przez 5 godzin, w wyniku czego zachodzi calkowita dyfuzja jednej warstwy w druga. Tak wykonany rezystor ma rezystancje wlasciwa 97 X 10~8 firn, temperaturowy wspólczynnik rezystancji w zakresie od 300 X 10"6/deg do 500 X 10"^/deg. Zmiana rezystancji rezystora po starzeniu w temperaturze 300°C przez 46 godzin wynosi 7%. Stabilnosc termiczna rezystancji wynosi 0,2% na 1000 h/125°C. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Rezystor cienkowarstwowy, skladajacy sie z podloza izolacyjnego, na którym umieszczona jest warstwa rezystywna, znamienny tym, ze warstwe rezystywna stanowi stop aluminium z tytanem o skladzie wagowym od 10% do 30% aluminium i od 90% do 70% tytanu. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18465775A PL96204B1 (pl) | 1975-11-11 | 1975-11-11 | Rezystory cienkowarstwowe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18465775A PL96204B1 (pl) | 1975-11-11 | 1975-11-11 | Rezystory cienkowarstwowe |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL96204B1 true PL96204B1 (pl) | 1977-12-31 |
Family
ID=19974217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL18465775A PL96204B1 (pl) | 1975-11-11 | 1975-11-11 | Rezystory cienkowarstwowe |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL96204B1 (pl) |
-
1975
- 1975-11-11 PL PL18465775A patent/PL96204B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ramadan et al. | On the Van der Pauw method of resistivity measurements | |
| US4298505A (en) | Resistor composition and method of manufacture thereof | |
| Gulbransen et al. | High temperature oxidation of high purity nickel between 750 and 1050 C | |
| US4063211A (en) | Method for manufacturing stable metal thin film resistors comprising sputtered alloy of tantalum and silicon and product resulting therefrom | |
| JPS5955001A (ja) | 抵抗およびその製造方法 | |
| PL96204B1 (pl) | Rezystory cienkowarstwowe | |
| Obieta et al. | Sputtered silicon thin films for piezoresistive pressure microsensors | |
| US4205298A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| JP4622522B2 (ja) | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 | |
| Schabowska et al. | Electrical conduction in Cr-SiO cermet thin films | |
| Sylwestrowicz | Oxidation of titanium thin films | |
| JP4622946B2 (ja) | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 | |
| KR920000530B1 (ko) | 전기 저항체 및 그 제조방법과 이 전기 저항체용 도체로서 사용되는 합금 | |
| US4908185A (en) | Nichrome resistive element and method of making same | |
| CN207663866U (zh) | 一种低电阻温度系数的复合薄膜电阻 | |
| JP3664655B2 (ja) | 高比抵抗材料とその製造方法 | |
| Brückner et al. | Degradation of NiCr/CuNiMn/NiCr films on alumina substrates | |
| RU2028682C1 (ru) | Способ получения тонких резистивных пленок на основе сплава тантал - алюминий | |
| JPS6236622B2 (pl) | ||
| JPH0577321B2 (pl) | ||
| JP4073658B2 (ja) | 3元合金材料 | |
| Au | Postdeposition annealing study of tantalum nitride thin-film resistors. | |
| Nayak et al. | Electrical and strain-sensitive behaviour of sputtered gold films | |
| US4693843A (en) | Resistance paste | |
| Guntherodt et al. | The electrical resistivity of liquid barium |