PL93896B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL93896B1
PL93896B1 PL1974174745A PL17474574A PL93896B1 PL 93896 B1 PL93896 B1 PL 93896B1 PL 1974174745 A PL1974174745 A PL 1974174745A PL 17474574 A PL17474574 A PL 17474574A PL 93896 B1 PL93896 B1 PL 93896B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
cadmium fluoride
manganese
electroluminescent
elements
semiconductor
Prior art date
Application number
PL1974174745A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL1974174745A priority Critical patent/PL93896B1/pl
Priority to SU752176942A priority patent/SU649344A3/ru
Priority to GB40905/75A priority patent/GB1496372A/en
Priority to DE19752544861 priority patent/DE2544861A1/de
Priority to DD188751A priority patent/DD122596A5/xx
Priority to FR7531115A priority patent/FR2287777A1/fr
Priority to JP50122826A priority patent/JPS5164888A/ja
Publication of PL93896B1 publication Critical patent/PL93896B1/pl
Priority to US05/947,335 priority patent/US4194141A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/822Materials of the light-emitting regions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H05B33/145Arrangements of the electroluminescent material
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/052Light-emitting semiconductor devices having Schottky type light-emitting regions; Light emitting semiconductor devices having Metal-Insulator-Semiconductor type light-emitting regions

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku sa elementy elektroluminescen¬ cyjne majace zastosowanie przy wszelkich urzadzeniach swietlnych pracujacych przy zminimalizowanym poborze mocy. Gwaltowny wzrost zapotrzebowania na miniaturowe, wysokowydajne zródla swiatla przyczynil sie do intensywnego rozwoju badan pólprzewodnikowych zródel swiatla. Pro¬ dukowane obecnie urzadzenia elektroluminescencyjne oparte sa przede wszystkim na zwiazkach typu A111 Bv i A11 BVI. Produkcje ich znamionuje duzy deficyt materialów wyj¬ sciowych (szczególnie galu) i kosztowna ich technologia. W zwiazku z tym prowadzone sa badania majace na celu konstrukcje urzadzen elektroluminescencyjnych opartych na innych materialach pólprzewodnikowych. Takim materialem, który moze byc uzyty do konstrukcji elementów elektroluminescencyjnych jest fluorek kadmu. Wynika to z nastepujacych jego wlasnosci: 1. Obszar przezroczystosci krysztalu (Transmisja^90%) rozciaga sie od bliskiego nadfioletu (200 mm) do sredniej podczerwieni (10 000 nm). 2. Istnieje mozliwosc otrzymania przewodzacych krysz¬ talów typu n (S^1Q cm) przez domieszkowanie trójwar¬ tosciowymi metalami. 3. Fluorek kadmu charakteryzuje sie malym wspólczyn¬ nikiem odbicia R 6 %. 4. Istnieje mozliwosc wprowadzenia domieszek o duzej koncentracji. . Krysztaly fluorku kadmu otrzymuje sie w stosunkowo prostym procesie technologicznym (T topnienia 1050°C). 6. Niska cena materialów wyjsciowych pozwala na otrzy¬ mywanie tanich elementów swiecacych o duzej powierz¬ chni. Znane sa prace dotyczace obserwacji elektrolumines- cencji w krysztalach fluorku kadmu: (1) J. Lambe, D.K. Donald, W.C. Vassel, T. Cole —Appl. Phys. Lett. 8, 16 (1966), (2) B.S. Skorobogatov, M.F. Dubovik, W.W. Azarov, L.B. Kolner — Optika i Spektroskopija 22, 981 (1967), (3) M.F. Dubovik, Ju.B. Petrenko, B.S. Skorobo- gatov „Spektroskopija kristalow" Wyd. Nauka (ZSRR) (1970) str. 232, (4) P.P. Yaney, M.A. Bafico — J. Appl. Phys. Lett. 44, 5029 (1973). We wszystkich przypadkach centrami swiecacymi byly domieszki ziem rzadkich dostar¬ czajace jednoczesnie elektronów przewodnictwa. Uzyteczna wydajnosc otrzymano wylacznie przy uzyciu komórki elektrolitycznej, w której swiecenie otrzymywano na granicy styku pólprzewodnika z elektrolitem, co zostalo opubliko¬ wane przez autorów (1) J. Lambe, D.K. Donald, W.C. Vassel, T. Cole — Appl. Phys. Lett. 8, 16 (1966). Opisane w pozostalych cytowanych powyzej pracach, swiecenie diod elektroluminescencyjnych typu Schottky^go cechowala niska wydajnosc wykluczajaca praktyczne zasto¬ sowanie. Celem wynalazku jest skonstruowanie wysoko wydajnego elementu elektroluminescencyjnego na fluorku kadmu pozbawionego opisanych poprzednio niedogodnosci, tzn. wytworzenie elementu charakteryzujacego sie duza wydaj¬ noscia swiecenia. Z prac autorów niniejszego opracowania nad fotolumi- nescencja krysztalów fluorku kadmu domieszkowanych 93 89693 896 manganem (5) J.M. Langer, T. Langer, G.L. Pearson, B. Kmkowska-Fulde—Phys. Stat. Sol. (A), 25,K61 (1974) wynikalo ze bardzo efektywnymi centrami luminescencji da¬ jacymi zielone swiecenie sa domieszki manganu. Ze wzgledu nawysoka opornosckrysztalów fluorku kadmu domieszkowa¬ nych manganem, w celu otrzymania wydajnej elektrolumines- cencji wykorzystano faktprzewodnictwaelektronowegofluor¬ ku kadmu przy domieszkowaniu go pierwiastkami trój¬ wartosciowymi jak np. ziemie rzadkie, skand, itr, gal lub ind, dajacymi plytkie poziomy donorowe w tym materiale. Istota wynalazku jest podwójne domieszkowanie fluorku kadmu dwoma rodzajami domieszek. Jedna grupe domie¬ szek stanowia jony manganu zapewniajace istnienie centrów swiecacych, zas druga grupa sa pierwiastki bedace plytkimi donorami w tym materiale. Krysztaly fluorku kadmu domieszkowane podwójnie zarówno manganem jak i jednym z trójwartosciowych pierwiastków spelniaja podstawowe dwa kryteriamaterialu elektroluminescencyjnego, tzn. dobre przewodnictwo elek¬ tronowe jak i obecnosc centrów wydajnej rekombinacji promienistej. Poniewaz przewodnictwo krysztalów fluorku kadmu ma charakter monopolarny (elektronowy), elektroluminescencja zwiazana z manganem moze zachodzic na drodze joniza¬ cji badz ekscytacji zderzeniowej. Znane ze stanu techniki, uzycie kontaktu metal — pólprzewodnik, zapewniajacego uzyskanie obszaru silnego pola elektrycznego, niezbednego do przyspieszania elektronów, nie zapewnia dostatecznej wydajnosci swiecenia. W celu rozwiazania tej trudnosci krysztal fluorku kadmu oddzielono od elektrody blokujacej warstwa izolatora (struktura typu metal — izolator — pól¬ przewodnik). Warstwa ta zapobiega ekstrakcji elektronów z pólprzewodnika i umozliwia ich akumulacje przy pola¬ ryzacji dodatniej elektrody blokujacej. Przy takiej konstrukcji element elektroluminescencyjny jest zasilany pradem przemiennym. Elementy elektroluminescencyjne o konstrukcji opisanej powyzej daja silne swiecenie zielone w temperaturze po¬ kojowej z wydajnoscia kwantowa powyzej 10 ~3 i widmo elektroluminescencji pokrywa sie z widmem fotolumines- cencji i jego maksimum przypada przy A max^=^520 nm Stwierdzono, ze uzyteczne parametry pracy osiaga sie jesli do konstrukcji elementów elektroluminescencyjnych uzyte sa przewodzace krysztaly fluorku kadmu z koncentracji elektronów powyzej 1015 cm ~3, domieszkowane manganem o koncentracji Nj^ zawartej w granicach: 0,1 % mol. Powierzchnia swiecenia jest ograniczona jedynie mozli¬ wosciami technologicznymi i w konstruowanych przez autorów elementach siegala 1 cm2. Uzyteczne jasnosci swiecenia otrzymuje sie przy mocy zasilania ponizej 100 mW/cm2. PL PL PL PL PL PL PL PL

Claims (1)

1.
PL1974174745A 1974-10-10 1974-10-10 PL93896B1 (pl)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL1974174745A PL93896B1 (pl) 1974-10-10 1974-10-10
SU752176942A SU649344A3 (ru) 1974-10-10 1975-10-01 Электролюминесцентный элемент
GB40905/75A GB1496372A (en) 1974-10-10 1975-10-07 Electroluminescent device
DE19752544861 DE2544861A1 (de) 1974-10-10 1975-10-07 Elektrolumineszenz-element
DD188751A DD122596A5 (pl) 1974-10-10 1975-10-08
FR7531115A FR2287777A1 (fr) 1974-10-10 1975-10-10 Element electroluminescent
JP50122826A JPS5164888A (en) 1974-10-10 1975-10-11 Erekutororuminesensusochi
US05/947,335 US4194141A (en) 1974-10-10 1978-09-28 Electroluminescent unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL1974174745A PL93896B1 (pl) 1974-10-10 1974-10-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL93896B1 true PL93896B1 (pl) 1977-06-30

Family

ID=19969236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1974174745A PL93896B1 (pl) 1974-10-10 1974-10-10

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS5164888A (pl)
DD (1) DD122596A5 (pl)
DE (1) DE2544861A1 (pl)
FR (1) FR2287777A1 (pl)
GB (1) GB1496372A (pl)
PL (1) PL93896B1 (pl)
SU (1) SU649344A3 (pl)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0625359B2 (ja) * 1984-03-16 1994-04-06 日亜化学工業株式会社 デイスプレイ用長残光螢光体
US4719386A (en) * 1984-11-24 1988-01-12 Matsushita Electric Works, Ltd. Photoconverter and lamp utilizing multi-quantum emission
JP2739803B2 (ja) * 1992-12-25 1998-04-15 富士ゼロックス株式会社 無機薄膜el素子

Also Published As

Publication number Publication date
GB1496372A (en) 1977-12-30
JPS5164888A (en) 1976-06-04
SU649344A3 (ru) 1979-02-25
FR2287777B1 (pl) 1979-04-27
DE2544861A1 (de) 1976-04-15
DD122596A5 (pl) 1976-10-12
FR2287777A1 (fr) 1976-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wang et al. Advances in alternating current electroluminescent devices
Benko et al. Opto-electronic properties of p-and n-type delafossite, CuFeO2
Gaponik et al. A light-emitting device based on a CdTe nanocrystal/polyaniline composite
Kido et al. Bright red light‐emitting organic electroluminescent devices having a europium complex as an emitter
Karg et al. Electrical and optical characterization of poly (phenylene-vinylene) light emitting diodes
Morteani et al. Barrier‐free electron–hole capture in polymer blend heterojunction light‐emitting diodes
Lu et al. ZnO-based deep-ultraviolet light-emitting devices
CN104124316B (zh) 一种无机电致发光器件及其制备方法
Chen et al. Phosphorescent light-emitting electrochemical cell
Brütting et al. Control of impurities in PPV light-emitting devices
He et al. White stacked OLED with 38 lm/W and 100,000‐hour lifetime at 1000 cd/m2 for display and lighting applications
Jayaraj et al. AC thin film electroluminescent devices with rare earth doped ZnS
PL93896B1 (pl)
CN102800780B (zh) 一种电致红外发光器件及其制备方法
Wang et al. Fabrication and characterization of alternating-current-driven ZnO-based ultraviolet light-emitting diodes
CN101217838B (zh) 基于强关联电子体系的有机电致发光器件及其制备方法
US4194141A (en) Electroluminescent unit
Shimada et al. Effect of MgZnO-bilayer/BA-CH3 combination interlayer on emission characteristics of MoO3/F8BT/ZnO hybrid light emitting diodes fabricated on ZnO/Ag/ZnO transparent cathode
CN219437503U (zh) 一种基于稀土氧化物的光电子器件
Li et al. Highly efficient and stable organic light-emitting diodes employing MoO3-doped perylene-3, 4, 9, 10-tetracarboxylic dianhydride as hole injection layer
Niu et al. Highly efficient bipolar connecting layers for tandem organic light-emitting devices
Alahbakhshi et al. Bright perovskite light-emitting electrochemical cell utilizing CNT sheets as a tunable charge injector
Huang et al. 36‐1: Invited Paper: 2nd Generation Organics: High Power Efficiency, Ultra Long Life, and Low‐Cost OLED Devices
Woo et al. Light emitting diodes based on p-phenylene vinylene oligomer
Wenzl et al. Self-absorption effects in a LEC with low Stokes shift