PL93896B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL93896B1 PL93896B1 PL1974174745A PL17474574A PL93896B1 PL 93896 B1 PL93896 B1 PL 93896B1 PL 1974174745 A PL1974174745 A PL 1974174745A PL 17474574 A PL17474574 A PL 17474574A PL 93896 B1 PL93896 B1 PL 93896B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cadmium fluoride
- manganese
- electroluminescent
- elements
- semiconductor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/052—Light-emitting semiconductor devices having Schottky type light-emitting regions; Light emitting semiconductor devices having Metal-Insulator-Semiconductor type light-emitting regions
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku sa elementy elektroluminescen¬ cyjne majace zastosowanie przy wszelkich urzadzeniach swietlnych pracujacych przy zminimalizowanym poborze mocy. Gwaltowny wzrost zapotrzebowania na miniaturowe, wysokowydajne zródla swiatla przyczynil sie do intensywnego rozwoju badan pólprzewodnikowych zródel swiatla. Pro¬ dukowane obecnie urzadzenia elektroluminescencyjne oparte sa przede wszystkim na zwiazkach typu A111 Bv i A11 BVI. Produkcje ich znamionuje duzy deficyt materialów wyj¬ sciowych (szczególnie galu) i kosztowna ich technologia. W zwiazku z tym prowadzone sa badania majace na celu konstrukcje urzadzen elektroluminescencyjnych opartych na innych materialach pólprzewodnikowych. Takim materialem, który moze byc uzyty do konstrukcji elementów elektroluminescencyjnych jest fluorek kadmu. Wynika to z nastepujacych jego wlasnosci: 1. Obszar przezroczystosci krysztalu (Transmisja^90%) rozciaga sie od bliskiego nadfioletu (200 mm) do sredniej podczerwieni (10 000 nm). 2. Istnieje mozliwosc otrzymania przewodzacych krysz¬ talów typu n (S^1Q cm) przez domieszkowanie trójwar¬ tosciowymi metalami. 3. Fluorek kadmu charakteryzuje sie malym wspólczyn¬ nikiem odbicia R 6 %. 4. Istnieje mozliwosc wprowadzenia domieszek o duzej koncentracji. . Krysztaly fluorku kadmu otrzymuje sie w stosunkowo prostym procesie technologicznym (T topnienia 1050°C). 6. Niska cena materialów wyjsciowych pozwala na otrzy¬ mywanie tanich elementów swiecacych o duzej powierz¬ chni. Znane sa prace dotyczace obserwacji elektrolumines- cencji w krysztalach fluorku kadmu: (1) J. Lambe, D.K. Donald, W.C. Vassel, T. Cole —Appl. Phys. Lett. 8, 16 (1966), (2) B.S. Skorobogatov, M.F. Dubovik, W.W. Azarov, L.B. Kolner — Optika i Spektroskopija 22, 981 (1967), (3) M.F. Dubovik, Ju.B. Petrenko, B.S. Skorobo- gatov „Spektroskopija kristalow" Wyd. Nauka (ZSRR) (1970) str. 232, (4) P.P. Yaney, M.A. Bafico — J. Appl. Phys. Lett. 44, 5029 (1973). We wszystkich przypadkach centrami swiecacymi byly domieszki ziem rzadkich dostar¬ czajace jednoczesnie elektronów przewodnictwa. Uzyteczna wydajnosc otrzymano wylacznie przy uzyciu komórki elektrolitycznej, w której swiecenie otrzymywano na granicy styku pólprzewodnika z elektrolitem, co zostalo opubliko¬ wane przez autorów (1) J. Lambe, D.K. Donald, W.C. Vassel, T. Cole — Appl. Phys. Lett. 8, 16 (1966). Opisane w pozostalych cytowanych powyzej pracach, swiecenie diod elektroluminescencyjnych typu Schottky^go cechowala niska wydajnosc wykluczajaca praktyczne zasto¬ sowanie. Celem wynalazku jest skonstruowanie wysoko wydajnego elementu elektroluminescencyjnego na fluorku kadmu pozbawionego opisanych poprzednio niedogodnosci, tzn. wytworzenie elementu charakteryzujacego sie duza wydaj¬ noscia swiecenia. Z prac autorów niniejszego opracowania nad fotolumi- nescencja krysztalów fluorku kadmu domieszkowanych 93 89693 896 manganem (5) J.M. Langer, T. Langer, G.L. Pearson, B. Kmkowska-Fulde—Phys. Stat. Sol. (A), 25,K61 (1974) wynikalo ze bardzo efektywnymi centrami luminescencji da¬ jacymi zielone swiecenie sa domieszki manganu. Ze wzgledu nawysoka opornosckrysztalów fluorku kadmu domieszkowa¬ nych manganem, w celu otrzymania wydajnej elektrolumines- cencji wykorzystano faktprzewodnictwaelektronowegofluor¬ ku kadmu przy domieszkowaniu go pierwiastkami trój¬ wartosciowymi jak np. ziemie rzadkie, skand, itr, gal lub ind, dajacymi plytkie poziomy donorowe w tym materiale. Istota wynalazku jest podwójne domieszkowanie fluorku kadmu dwoma rodzajami domieszek. Jedna grupe domie¬ szek stanowia jony manganu zapewniajace istnienie centrów swiecacych, zas druga grupa sa pierwiastki bedace plytkimi donorami w tym materiale. Krysztaly fluorku kadmu domieszkowane podwójnie zarówno manganem jak i jednym z trójwartosciowych pierwiastków spelniaja podstawowe dwa kryteriamaterialu elektroluminescencyjnego, tzn. dobre przewodnictwo elek¬ tronowe jak i obecnosc centrów wydajnej rekombinacji promienistej. Poniewaz przewodnictwo krysztalów fluorku kadmu ma charakter monopolarny (elektronowy), elektroluminescencja zwiazana z manganem moze zachodzic na drodze joniza¬ cji badz ekscytacji zderzeniowej. Znane ze stanu techniki, uzycie kontaktu metal — pólprzewodnik, zapewniajacego uzyskanie obszaru silnego pola elektrycznego, niezbednego do przyspieszania elektronów, nie zapewnia dostatecznej wydajnosci swiecenia. W celu rozwiazania tej trudnosci krysztal fluorku kadmu oddzielono od elektrody blokujacej warstwa izolatora (struktura typu metal — izolator — pól¬ przewodnik). Warstwa ta zapobiega ekstrakcji elektronów z pólprzewodnika i umozliwia ich akumulacje przy pola¬ ryzacji dodatniej elektrody blokujacej. Przy takiej konstrukcji element elektroluminescencyjny jest zasilany pradem przemiennym. Elementy elektroluminescencyjne o konstrukcji opisanej powyzej daja silne swiecenie zielone w temperaturze po¬ kojowej z wydajnoscia kwantowa powyzej 10 ~3 i widmo elektroluminescencji pokrywa sie z widmem fotolumines- cencji i jego maksimum przypada przy A max^=^520 nm Stwierdzono, ze uzyteczne parametry pracy osiaga sie jesli do konstrukcji elementów elektroluminescencyjnych uzyte sa przewodzace krysztaly fluorku kadmu z koncentracji elektronów powyzej 1015 cm ~3, domieszkowane manganem o koncentracji Nj^ zawartej w granicach: 0,1 % mol. Powierzchnia swiecenia jest ograniczona jedynie mozli¬ wosciami technologicznymi i w konstruowanych przez autorów elementach siegala 1 cm2. Uzyteczne jasnosci swiecenia otrzymuje sie przy mocy zasilania ponizej 100 mW/cm2. PL PL PL PL PL PL PL PL
Claims (1)
1.
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL1974174745A PL93896B1 (pl) | 1974-10-10 | 1974-10-10 | |
| SU752176942A SU649344A3 (ru) | 1974-10-10 | 1975-10-01 | Электролюминесцентный элемент |
| GB40905/75A GB1496372A (en) | 1974-10-10 | 1975-10-07 | Electroluminescent device |
| DE19752544861 DE2544861A1 (de) | 1974-10-10 | 1975-10-07 | Elektrolumineszenz-element |
| DD188751A DD122596A5 (pl) | 1974-10-10 | 1975-10-08 | |
| FR7531115A FR2287777A1 (fr) | 1974-10-10 | 1975-10-10 | Element electroluminescent |
| JP50122826A JPS5164888A (en) | 1974-10-10 | 1975-10-11 | Erekutororuminesensusochi |
| US05/947,335 US4194141A (en) | 1974-10-10 | 1978-09-28 | Electroluminescent unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL1974174745A PL93896B1 (pl) | 1974-10-10 | 1974-10-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL93896B1 true PL93896B1 (pl) | 1977-06-30 |
Family
ID=19969236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1974174745A PL93896B1 (pl) | 1974-10-10 | 1974-10-10 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5164888A (pl) |
| DD (1) | DD122596A5 (pl) |
| DE (1) | DE2544861A1 (pl) |
| FR (1) | FR2287777A1 (pl) |
| GB (1) | GB1496372A (pl) |
| PL (1) | PL93896B1 (pl) |
| SU (1) | SU649344A3 (pl) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0625359B2 (ja) * | 1984-03-16 | 1994-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | デイスプレイ用長残光螢光体 |
| US4719386A (en) * | 1984-11-24 | 1988-01-12 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Photoconverter and lamp utilizing multi-quantum emission |
| JP2739803B2 (ja) * | 1992-12-25 | 1998-04-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 無機薄膜el素子 |
-
1974
- 1974-10-10 PL PL1974174745A patent/PL93896B1/pl unknown
-
1975
- 1975-10-01 SU SU752176942A patent/SU649344A3/ru active
- 1975-10-07 GB GB40905/75A patent/GB1496372A/en not_active Expired
- 1975-10-07 DE DE19752544861 patent/DE2544861A1/de active Pending
- 1975-10-08 DD DD188751A patent/DD122596A5/xx unknown
- 1975-10-10 FR FR7531115A patent/FR2287777A1/fr active Granted
- 1975-10-11 JP JP50122826A patent/JPS5164888A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1496372A (en) | 1977-12-30 |
| JPS5164888A (en) | 1976-06-04 |
| SU649344A3 (ru) | 1979-02-25 |
| FR2287777B1 (pl) | 1979-04-27 |
| DE2544861A1 (de) | 1976-04-15 |
| DD122596A5 (pl) | 1976-10-12 |
| FR2287777A1 (fr) | 1976-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Advances in alternating current electroluminescent devices | |
| Benko et al. | Opto-electronic properties of p-and n-type delafossite, CuFeO2 | |
| Gaponik et al. | A light-emitting device based on a CdTe nanocrystal/polyaniline composite | |
| Kido et al. | Bright red light‐emitting organic electroluminescent devices having a europium complex as an emitter | |
| Karg et al. | Electrical and optical characterization of poly (phenylene-vinylene) light emitting diodes | |
| Morteani et al. | Barrier‐free electron–hole capture in polymer blend heterojunction light‐emitting diodes | |
| Lu et al. | ZnO-based deep-ultraviolet light-emitting devices | |
| CN104124316B (zh) | 一种无机电致发光器件及其制备方法 | |
| Chen et al. | Phosphorescent light-emitting electrochemical cell | |
| Brütting et al. | Control of impurities in PPV light-emitting devices | |
| He et al. | White stacked OLED with 38 lm/W and 100,000‐hour lifetime at 1000 cd/m2 for display and lighting applications | |
| Jayaraj et al. | AC thin film electroluminescent devices with rare earth doped ZnS | |
| PL93896B1 (pl) | ||
| CN102800780B (zh) | 一种电致红外发光器件及其制备方法 | |
| Wang et al. | Fabrication and characterization of alternating-current-driven ZnO-based ultraviolet light-emitting diodes | |
| CN101217838B (zh) | 基于强关联电子体系的有机电致发光器件及其制备方法 | |
| US4194141A (en) | Electroluminescent unit | |
| Shimada et al. | Effect of MgZnO-bilayer/BA-CH3 combination interlayer on emission characteristics of MoO3/F8BT/ZnO hybrid light emitting diodes fabricated on ZnO/Ag/ZnO transparent cathode | |
| CN219437503U (zh) | 一种基于稀土氧化物的光电子器件 | |
| Li et al. | Highly efficient and stable organic light-emitting diodes employing MoO3-doped perylene-3, 4, 9, 10-tetracarboxylic dianhydride as hole injection layer | |
| Niu et al. | Highly efficient bipolar connecting layers for tandem organic light-emitting devices | |
| Alahbakhshi et al. | Bright perovskite light-emitting electrochemical cell utilizing CNT sheets as a tunable charge injector | |
| Huang et al. | 36‐1: Invited Paper: 2nd Generation Organics: High Power Efficiency, Ultra Long Life, and Low‐Cost OLED Devices | |
| Woo et al. | Light emitting diodes based on p-phenylene vinylene oligomer | |
| Wenzl et al. | Self-absorption effects in a LEC with low Stokes shift |