PL93171B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL93171B2 PL93171B2 PL179181A PL17918175A PL93171B2 PL 93171 B2 PL93171 B2 PL 93171B2 PL 179181 A PL179181 A PL 179181A PL 17918175 A PL17918175 A PL 17918175A PL 93171 B2 PL93171 B2 PL 93171B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- silicon
- silicon carbide
- graphite
- hydrogen
- layer
- Prior art date
Links
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical class Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical class [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób impregnowania tworzywa zwegli uszlachetnionych, które znajduja zastosowanie jako elementy urzadzen pracujacych w atmosferze utleniajacej i narazonych na gwaltowne zmiany temperatury- ' Znany z polskiego opisu patentowego nr 65050 sposób uszlachetniania elektrod grafitowych polega na pokrywaniu elektrod cienka warstwa krzemu na drodze redukcji silanów wodorem, przy temperaturze powyzej 900°C. Elektrody pokryte krzemem sa wprawdzie odporne na utlenianie i korozje oraz gwaltowne zmiany temperatury lecz wykazuja bardzo zróznicowana przewodnosc elektryczna i cieplna w róznych miejscach powierzchni, która uwidacznia sie wówczas, gdy wyrób grafitowy pokryty cienka warstwa krzemu, ogrzeje sie do temperatury topnienia krzemu. Przyczyna tego jest duza niejednorodnosc materialu grafitowego, powodujaca wsiakanie krzemu na rózne glebokosci do wnetrza wyrobu, który równoczesnie reaguje z grafitem, tworzac cienka warstwe weglika krzemu. Ze wzgledu na rózne wlasnosci cieplne i elektryczne weglika krzemu i grafitu, tak otrzymany wyrób grafitowy wykazuje niejednorodne wlasnosci cieplne i elektryczne.Celem wynalazku jest uzyskanie tworzyw grafitowych pokrytych cienka warstwa weglika krzemu wykazujacych jednakowe badz zblizone przewodnictwo cieplne i elektryczne na calej powierzchni tworzywa.Istota wynalazku jest sposób impregnowania tworzywa z wegli uszlachetnionych, polegajacy na tym, ze na uprzednio wytworzona, znanym sposobem cienka warstwe weglika krzemu, naklada sie wlasciwa warstwe litego weglika krzemu. Warstwe te otrzymuje sie wskutek redukcji wodorem mieszaniny, zlozonej z chlorków krzemu, lub wodorków krzemu z gazowymi zwiazkami wegla, w temperaturze T200—17Q0°C, przy czym korzystny stosunek molowy wodoru do skladników mieszaniny wynosi powyzej 8:1:1.Impregnacja tworzyw grafitowych sposobem, wedlug wynalazku, zapewnia dobra przyczepnosc warstwy weglika krzemu z podlozem, o prawie jednakowej grubosci na calej powierzchni. Tak otrzymane tworzywo jest odporne na gwaltowne zmiany temperatury, posiada zblizone wlasnosci cieplne i elektryczne na calej powierzchni oraz moze pracowac w atmosferze utleniajacej do okolo 1750°C, a krótkotrwale do temperatury 2400°C. Ponadto wytworzone tworzywo jest odporne na scieranie i erozje gazowa. •2 93171 Przyklad I. Tworzywo grafitowe, pokryte cienka warstwa weglika krzemu, otrzymana w wyniku redukcji czterochlorku krzemu wodorem przy temperaturze 1450°C, chlodzi sie do temperatury 1250°C, po czym do reaktora wprowadza sie obok czystego wodorku, pary czterochlorku krzemu i czterochlorku wegla w stosunku molowym 20 :2,5 :1. Powstajacy w wyniku redukcji, krzem i wegiel reaguja ze soba. Wytworzona warstwa w postaci litego weglika krzemu osadza sie na uprzednio wytworzonej warstwie weglika krzemu po czym wyrób chlodzi sie.Przyklad II. Pret grafitowy z uprzednio wytworzona cienka warstwa weglika krzemu, powstala w reakcji trójchlorosilanu i wodoru w temperaturze 1700°C pokrywa sie wlasciwa warstwa weglika krzemu.W tym celu do reaktora obok czystego wodoru wprowadza sie pary metanu i trójchlorosilanu w stosunku molowym 12:1 :3,5. Powstajacy w wyniku redukcji krzem i wegiel reaguja, tworzac weglik krzemu, który w postaci litej warstwy osadza sie na precie. Nastepnie wyrób chlodzi sie.Przyklad III. Podkladke grafitowa ze wstepnie wytworzona cienka warstwa krzemu, za pomoca naparowania w prózni, pokrywa sie cienka warstwa weglika krzemu przez ogrzewanie podkladki do temperatury 1450°C w atmosferze argonu. Na te warstwe weglika krzemu naklada sie wlasciwa warstwe weglika krzemu w postaci litej, powstala w wyniku redukcji wodorem par taluenu i czterochlorku krzemu, przy stosunku molowym 15:1 : 3. Tak otrzymany wyrób chlodzi sie. » PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób impregnowania tworzywa zwegli uszlachetnionych, pokrytych cienka warstwa weglika krzemu, powstala w wyniku redukcji wodorem silanów w temperaturze powyzej 900°C lub przez naparowanie krzemu w prózni, znamienny tym, ze na uprzednio wytworzonej warstwie weglika krzemu osadza sie warstwe litego weglika krzemu, uzyskana w wyniku redukcji wodorem mieszaniny, zlozonej z chlorków lub wodorków krzemu oraz lotnych zwiazków wegla, w temperaturze 1200-1700°C, przy czym korzystny stosunek molowy wodoru do skladników mieszaniny wynosi powyzej 8:1:1. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 10 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL179181A PL93171B2 (pl) | 1975-03-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL179181A PL93171B2 (pl) | 1975-03-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL93171B1 PL93171B1 (pl) | 1977-05-30 |
| PL93171B2 true PL93171B2 (pl) | 1977-05-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3476586A (en) | Method of coating carbon bodies and the resulting products | |
| US5384167A (en) | Method for the surface treatment of a metal by atmospheric pressure plasma | |
| JPH10508637A (ja) | 保護用組成物とその製造方法 | |
| US3160517A (en) | Method of depositing metals and metallic compounds throughout the pores of a porous body | |
| US3771976A (en) | Metal carbonitride-coated article and method of producing same | |
| GB2266098A (en) | Oxidation resistant carbon and method for making same | |
| EP0176055A1 (en) | Oxidation resistant carbon body and method for making same | |
| Gicquel et al. | Plasma and nitrides: application to the nitriding of titanium | |
| CA1334569C (en) | Oxidation resistant carbon and method for making same | |
| MacKinnon et al. | The synthesis of boron carbide in an RF plasma | |
| US5304397A (en) | Oxidation resistant carbon and method for making same | |
| PL93171B2 (pl) | ||
| US3455745A (en) | Coating of objects with tetraboron silicide | |
| US3724996A (en) | Boron nitride containing vessel having a surface coating of zirconium silicon | |
| US4544412A (en) | Deposition of improved SiC coatings on carbon-base materials | |
| JPS5950011A (ja) | 黒鉛とフッ化アルカリ金属及びフッ素との３成分系黒鉛層間化合物、及びその製造方法ならびにそれから成る電導材料 | |
| Vincent et al. | Thermodynamic and experimental conditions for the fabrication of a boron carbide layer on high-modulus carbon fiber surfaces by RCVD | |
| Christian et al. | Siliconizing of molybdenum metal in indium-silicon melts | |
| Piacente et al. | Study on the thermal decomposition of Ag2S | |
| US4673720A (en) | Electroconductive polymer and process for preparation thereof | |
| EP0022272B1 (en) | Method of anti-corrosion protection of silicon carbide elements and apparatus for carrying out the method | |
| US3620836A (en) | Borocarbon-coated filaments | |
| GB1518416A (en) | Reinforced superalloy member | |
| Matsumura et al. | Structure and electric conductivity of vapor deposition polymerization products of cyanoacetylene | |
| GB2187178A (en) | A method of improving the oxidation resistance of graphites |