PL92598B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL92598B1
PL92598B1 PL17602774A PL17602774A PL92598B1 PL 92598 B1 PL92598 B1 PL 92598B1 PL 17602774 A PL17602774 A PL 17602774A PL 17602774 A PL17602774 A PL 17602774A PL 92598 B1 PL92598 B1 PL 92598B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
resistor
circuit
base
photoresistor
Prior art date
Application number
PL17602774A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL17602774A priority Critical patent/PL92598B1/pl
Publication of PL92598B1 publication Critical patent/PL92598B1/pl

Links

Landscapes

  • Regulation And Control Of Combustion (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad z samokontrola, reagujacy na luminancje, przy czym nadaje sie do zastosowania zwlaszcza w urzadzeniach grzewczych opalanych paliwem cieklym. Uklad ten kontroluje prace urzadzenia grzewczego niedopuszczajac do powstawania niepozadanych ubocznych wplywów prowadzacych do blednego uruchomienia, jak równiez dokonuje samokontroli poprzez zakwalifikowanie zaistnialej przerwy lub zwarcia w obwodzie fotorezystora do stanu niedzialania ukladu.Stan techniki. W znanych ukladach kontrolujacych proces spalania za pomoca fotorezystora, obwód wyko¬ nawczy stanowi cewka przekaznika polaczona z obwodem emiter-kolektor tranzystora. Obwód bazy tego tran¬ zystora moze byc polaczony bezposrednio z fotorezystorem, lub posrednio poprzez dodatkowy stopien wzmoc¬ nienia w celu uzyskania wiekszej czulosci. Zmiana rezystancji fotorezystora wplywa wiec bezposrednio, lub posrednio na zmiane wielkosci pradu bazy tranzystora obwodu wykonawczego. Przy zmniejszaniu sie rezystancji fotorezystora nastepuje moment, w którym wzrost pradu bazy spowoduje przejscie tranzystora obwodu wyko¬ nawczego w stan przewodzenia i wówczas prad plynacy przez cewke przekaznika spowoduje jego zadzialanie.Dalsze jednak zmniejszanie rezystancji fotorezystora nawet do stanu jego zwarcia, nie spowoduje juz zmiany w pracy ukladu, gdyz tranzystor bedzie niezmiennie znajdowac sie w stanie przewodzenia, a tym samym prze¬ kaznik wykonawczy w stanie dzialania.Ponadto istnieja uklady, którymi realizuje sie informacje o zwarciu badz rozwarciu w obwodzie fotorezys¬ tora, lecz sa one oparte na odmiennych, nietranzystorowych ukladach jak na przyklad transformatorowy czujnik plomienia.Istota wynalazku. Uklad wedlug wynalazku umozliwia rozszerzenie zakresu kontroli pracy palnika urza¬ dzenia grzewczego dzieki czemu reaguje zarówno w przypadku zamierzonego badz niezamierzonego zwarcia zacisków fotorezystora, jak równiez nie przekroczenie dopuszczalnej swiatlosci spalonego paliwa zwlaszcza przecieków w przestrzeni poza palnikiem. W celu uzyskania zamierzonego dzialania ukladu, emiter tranzystora o przewodnictwie pnp jest polaczony 'z plusem zródla zasilania natomiast emiter tranzystora o przewodnictwie npn z minusem zródla zasilania. Miedzy kolektory wymienionych tranzystorów jest wlaczona cewka przekazni¬ ka wykonawczego. Takie wiec polaczenie powyzszych elementów umozliwia przeplyw pradu przez cewke2 92S98 przekaznika tylko w przypadku przewodzenia obydwu tranzystorów. Napiecia obwodów emlter-baza tych tran¬ zystorów sa Jednoznacznie okreslone przez odpowiednie dobranie I uklad trzech rezystorów oraz fotorezystora.Napiecie na rezystorze polaczonym z plusem zródla zasilania okresla napiecie obwodu emlter-baza tranzystora O przewodnictwie pnp, zas napiecie na zaciskach fotorezystora okresla napiecie emlter-baza tranzystora o prze¬ wodnictwie npnw zaleznosci od wartosci znajdujacego sie w tym obwodzie rezystora.Przy niezmiennym napieciu na zaciskach fotorezystora zwiekszenie rezystancji w obwodzie bazy tranzysto¬ ra o przewodnictwie npn powoduje zmniejszenie napiecia na zaciskach emlter-baza tego tranzystora.Rezystor laczacy baze tranzystora o przewodnictwie pnp iobwód przy tranzystorze o przewodnictwie npn% wplywa na wielkosci napiec obwodu emlter-baza obydwóch tranzystorów w zaleznosci od zmian rezystancji fotorezystora.Diody umieszczone w obwodach baz obydwóch tranzystorów poprawiaja prace ich zlacz emlter-baza.Uklad wedlug wynalazku zapewnia poprawna prace przekaznika .obwodu wykonawczego w calym zakresie zmian rezystancji fotorezystora wlaczajac w to równiez stany zwarcia i rozwarcia jego obwodu. Uzyskana samo¬ kontrola ukladu nie dopuszcza do nieprawidlowego wysterowania elementu wykonawczego. Pozadana kontrola nadmiernej swiatlosci lub zwarcia zacisków fotorezystora jest istotna z punktu widzenia bezpieczenstwa pracy urzadzenia grzewczego, poniewaz zaistnienie tych stanów poprzedza zapalenie sie nadmiernych Ilosci paliwa, co moze doprowadzic tez do wybuchu.Wyjasnienie rysunku. Przedmiotem wynalazku jest uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku przedstawiajacym schemat ideowy ukladu.Przyklad wykonania. Zasadniczymi elementami ukladu sa dwa tranzystory, z których tranzystor Tl jest typu przewodzenia pnp natomiast tranzystor T2 jest typu przewodzenia npn. Emiter tranzystora Tl jest polaczo¬ ny z plusem a emiter tranzystora T2 z minusem zródla zasilania. Do kolektorów wymienionych tranzystorów jest wlaczona cewka przekaznika PR spelniajacego funkcje elementu wykonawczego ukladu. Przekaznik PR zadzia¬ la z chwila przeplyniecia przez jego cewke pradu o okreslonej wartosci, lecz tylko wówczas, gdy obydwa traiy. zystory beda sie znajdowac w stanie przewodzenia. Stad przeplyw pradu w cewce przekaznika jest logiczna koniunkcja stanów przewodzenia obydwóch tranzystorów. Przewodzenie wymienionych tranzystorów osiaga sie przez uzyskanie pradów w bazach o odpowiedniej wielkosci i polaryzacji. Wielkosc pradu bazy tranzystora JJ jest ustalona napieciem na rezystorze R3, a bazy tranzystora T2 - napieciem na rezystorze DP oraz wielkoscia rezystancji rezystora Rl. Przy okreslonym napieciu na fotorezystorze DP, zwiekszenie rezystancji rezystora Rl zmniejsza prad bazy tranzystora T2, dzieki czemu istnieje mozliwosc ustalenia momentu jego przejscia w jtan przewodzenia. Odpowiedni dobór rezystancji fotorezystora DP i rezystorów R2 i R3 okresla zakres sterowala tranzystorami Tl i T2.Dioda Dl poprawia prace przejscia baza-emiter tranzystora Tl, natomiast dioda D2 poprawia prtef pój¬ scia baza-emiter tranzystora T2. Dioda D3 przylaczona równolegle do zacisków cewki przekaznika PR imni^jwA ewentualne przepiecia oraz opóznia w pewnym stopniu jego zwalnianie czyniac uklad niewrazliwym na wystepu¬ jace szybkie zmiany swiatlosci odbieranej przez fotorezystor DP.Dzialanie ukladu. W przypadku przerwy w przeplywie pradu na zaciskach A i B lub duzej rezyitancjjl fotorezystora DP ze wzgledu na brak lub niewielka swiatlosc zródla luminancji, na przyklad brak plopilenla z palnika urzadzenia grzewczego, w obwodzie baza-emiter tranzystora T2 plynie prad powodujacy jego przewo¬ dzenie. Jednoczesnie na rezystorze R3 wielkosc napiecia jest zbyt niska, aby nastapilo przewodzenie tranzystora Tl. W zwiazku z tym przez przekaznik PR prad nie plynie. Przy wzroscie swiatlosci, rezystancja fotore?yatora zmniejsza sie, co powoduje wzrost napiecia na rezystorze R3 i przy ustalonej jego wartosci tranzystor Tl zaczyna przewodzic umozliwiajac tym samym przeplyw pradu przez cewke przekaznika PR i jego zadzialanie.W przypadku nadmiernej swiatlosci lub zwarcia zacisków A iB, na skutek czego napiecie na nich jest bliskie lub równe zeru, wówczas tranzystor Tl jest w stanie przewodzenia. Przez cewke przekaznika PR prad juz jednak nie przeplywa, wobec czego przechodzi on w stan niedzialania. PL

Claims (4)

1. Zastrzezenia patentowe 1.
2. Uklad z samokontrola reagujacy na luminancje, w którym element wykonawczy jest uruchamiany bez¬ posrednio przez element sterujacy pólprzewodnikowy znajdujacy sie wstanie przewodzenia, znamien¬ ny t y m, ze obwód wykonawczy polaczony z zaciskami plus i minus zródla zasilania stanowia obwody emi- ter-kolektor dwóch tranzystorów (Tl) i (T2) o przeciwnych typach przewodzenia pnp i npn% polaczonych szere¬ gowo z cewka przekaznika wykonawczego (PR), znajdujaca sie miedzy nimi, przy czym stan przewodzenia lub blokowania kazdego z tych tranzystorów wynika ze zmiany napiecia w ukladzie rezystorów (R3) i (R2) oraz fotorezystora (DP) z korekcja napiecia obwodu emlter-baza tranzystora (T2) rezystorem (Rl).92398 3 1 Uklad, wedlug zaitrz. 1,znamienny tym, ze obwód emlter-baza tranzystora (Tl) Jeat polaczony z rezyitorem (R3) poprzez diode (Dl).
3. Uklad, wedlug zaitrz. I,znamienny tym,ie obwód emlter-baza tranzyitora (T2) Jeit polaczony poprzez rezystor (Rl) z fotorezyitorem (DP), przy czym w obwodzie bazy wymienionego tranzyitora (T2) znajduje ilf dioda (D2).
4. Uklad, wedlug zaitrz. I,znamienny tym,ie rezyitor (R2)Jeit polaczony z Jednej itrony z rezys¬ torem (R3) oraz z baza tranzyitora (Tl) poprzez diode (Dl), a z drugiej itrony z fotorezyitorem (DP) 1 rezyito- rem(RI).02B98 T1 PR CZ T2 Prac. Potlgraf. UP PRL naklad 120+18 CanalOzl PL
PL17602774A 1974-11-28 1974-11-28 PL92598B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL17602774A PL92598B1 (pl) 1974-11-28 1974-11-28

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL17602774A PL92598B1 (pl) 1974-11-28 1974-11-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL92598B1 true PL92598B1 (pl) 1977-04-30

Family

ID=19969856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL17602774A PL92598B1 (pl) 1974-11-28 1974-11-28

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL92598B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0310383B1 (en) Drive circuit device for inductive load
KR930006304B1 (ko) 온도검출회로
US3416032A (en) Lamp dimming circuit
KR920000680B1 (ko) 과부하 및 단락전류에 대한 집적회로 보호장치
US3988643A (en) Latch circuit
US4086503A (en) Control circuit initiating conduction of an opto-isolator unit
US4291357A (en) Short circuit protection circuit
US5099381A (en) Enable circuit with embedded thermal turn-off
US4841164A (en) Light-sensitive switch structure and method with inverse off/on ratio
US4539492A (en) Darlington transistor circuit
PL92598B1 (pl)
US2973456A (en) Lamp flasher with daylight-responsive inhibiting means
CA1334679C (en) Light-sensitive switch structure and method with inverse off/on ratio
US4086565A (en) Automotive electronic flasher unit
US3944860A (en) Radiation-sensitive switching circuits
KR940002861B1 (ko) 히스테리시스회로
US3938939A (en) Burner control system with secondary safety switch
EP0343731A2 (en) Unity-gain current-limiting circuit
US4186713A (en) Ignition systems for internal combustion engine
US4572927A (en) Current limiter for telephone office signalling
CN108575014B (zh) 运用热敏电阻ptc随温度升高提升电流至稳定的电路
US4162439A (en) Rapid-charging circuit
CN220210638U (zh) 一种带限流保护功能的系统状态指示灯控制电路
CN223625570U (zh) 一种带有过流保护自锁与检测功能的供电控制电路
KR900000728Y1 (ko) 조명장치 자동개폐회로