PL90165B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL90165B1
PL90165B1 PL16422473A PL16422473A PL90165B1 PL 90165 B1 PL90165 B1 PL 90165B1 PL 16422473 A PL16422473 A PL 16422473A PL 16422473 A PL16422473 A PL 16422473A PL 90165 B1 PL90165 B1 PL 90165B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
emitter
transistor
diode
value
current
Prior art date
Application number
PL16422473A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16422473A priority Critical patent/PL90165B1/pl
Publication of PL90165B1 publication Critical patent/PL90165B1/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz posredniej czestotliwosci do wzmacniania sygnalów impulsowych o duzej dynamice, majacy zastosowanie szczególnie w odbiornikach radiolokacyjnych morskich radarów nawigacyjnych.Stan techniki. W znanych rozwiazaniach wzmacniaczy posredniej czestotliwosci sluzacych do odbioru sygnalów impulsowych, podczas wysterowywania ich silnymi sygnalami oraz tuz po nich wystepuja stany przejsciowe, powodujace znieksztalcenia przenoszonych przebiegów oraz zmniejszenie wzmocnienia wzmacnia¬ cza po zakonczeniu impulsu.W przypadku wzmacniania sygnalów radiolokacyjnych pochodzacych od blisko polozonych obiektów, w radarach o krótkich zakresach obserwacji, wystepuja znieksztalcenia ech od obiektów w postaci dzielenia ech, mogace doprowadzic do blednej interpretacji zobrazowania radarowego oraz do zmniejszenia czulosci radaru po zakonczeniu silnych sygnalów, powodujacej niewykrycie obiektów o slabych echach.W konwencjonalnym wzmacniaczu rezonansowym z tranzystorami pracujacymi w ukladzie o wspólnym emiterze, podczas dzialania silnego sygnalu impulsowego posredniej czestotliwosci, w obwodzie emiterowym wystepuje detekcja w wyniku której zmienia sie punkt pracy tranzystora. Czas zmiany punktu pracy okresla stala czasowa, która równa sie iloczynowi opornosci ladowania, widzianej od strony emitera tranzystora i pojemnosci kondensatora blokujacego emiter dla posredniej czestotliwosci. Ze wzgledu na to, ze pojemnosc kondensatora blokujacego emiter powinna byc dostatecznie duza, aby zapewnic zwarcie emitera dla czestotliwos¬ ci pracy, narastanie napiecia w obwodzie emitera zachodzi z pewnym opóznieniem wynikajacym ze stalej czasowej, a zatem w czasie trwania impulsu wejsciowego wystepuje znaczna zmiana zespolonej przewodnosci wejsciowej tranzystora. Na poczatku impulsu, gdy przyrost pradu w wyniku silnego przesterowania jest najwiekszy, wzrasta admitancja wejsciowa tranzystora, efektem czego jest rozstrajanie oraz tlumienie obwodu , rezonansowego w bazie tranzystora. Skutkiem niedostrojenia tego obwodu do czestotliwosci drgan wymuszonych jest powstanie modulacji amplitudy przebiegu wejsciowego.Przy dzialaniu silnych sygnalów, w wyniku detekcji emiterowej, wystepuje znaczne przesuniecie punktu pracy tranzystora w kierunku glebokiej klasy C, zatem poglebia sie modulacja przebiegu wzmacnianego.2 90 165 W nastepnych stopniach wzmacniacza wystepuje dalsze poglebienie modulacji, az do powstania kilku oddziel¬ nych impulsów.Zjawisko to jest szczególnie niepozadane przy odbiorze sygnalów radiolokacyjnych w radarach nawigacyj¬ nych pracujacych na bliskich zakresach obserwacji, gdyz prowadzi do falszywej interpretacji zobrazowania radarowego.Istota wynalazku. Celem wynalazku jest opracowanie ukladu elektrycznego wzmacniacza posredniej czestotliwosci, który nie bedzie mial wyzej wymienionych wad.Cel ten osiagnieto przez zbudowanie wzmacniacza posredniej czestotliwosci, w którym w poszczególnych stopniach ukladu nieliniowego zastosowano ujemne sprzezenie zwrotne o wspólczynniku sprzezenia zaleznym od chwilowej wartosci sygnalu wejsciowego. W zwiazku z tym, ze sprzezenie to zwieksza sie ze wzrostem chwilowej wartosci sygnalu wejsciowego, wzmocnienie wzmacniacza maleje zapobiegajac przesterowaniu dal¬ szych stopni, a wiec i wynikajacym stad skutkom przesterowan.Poszczególny stopien ukladu nieliniowego wzmacniacza posredniej czestotliwosci zawiera tranzystor, którego emiter jest polaczony poprzez kondensator stanowiacy zwarcie dla czestotliwosci pracy, do katody diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia, poprzez przylaczony do niej szeregowo rezystor.Wartosci pradu plynacego przez diode sa odpowiednio dobrane do wartosci pradu spoczynkowego tranzystora, przy czym wartosci tych pradów sa w przyblizeniu równe, zas wartosci rezystancji rezystorów emiterowego oraz rezystora polaryzujacego diode sa znacznie wieksze od opornosci dynamicznej diody w punkcie pracy.Przyklad wykonania wynalazku. Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykladzie wykonania na ~ rysunku, który przedstawia schemat ideowy pojedynczego stopnia wzmacniajacego wzmacniacza sygnalów impulsowych.Stopien wzmacniajacy zawiera obwód rezonansowy A polaczony z kolektorem tranzystora T1 poprzednie¬ go stopnia wzmacniajacego z jednej strony, ido bazy tranzystora T2 z drugiej strony, którego prad emiterowy jest wyznaczony wartoscia rezystancji rezystora R1 oraz napiecia zasilania Uz. Rezystor R1 jest wlaczony pomiedzy emiter tranzystora T2 i zródlo zasilania Uz. Równolegle do R1 jest wlaczona dioda D polaryzowana ze zródla Uz poprzez rezystor R2. Dioda D laczy sie z emiterem tranzystora T2 poprzez kondensator C stanowiacy zwarcie dla czestotliwosci posredniej.Podczas wzmacniania slabych sygnalów opornosc dynamiczna diody D okresla wartosc ujemnego sprzezenia zwrotnego stopnia wzmacniacza, a zatem i wielkosc wzmocnienia dawanego przez ten stopien.Przy silnych sygnalach w dodatnich pólokresach napiec wejsciowych wzrasta chwilowa wartosc pradu kolektorowego tranzystora T2. Ze wzgledu na to, ze wartosci rezystancji rezystorów R1 i R2 sa znacznie wieksze od opornosci dynamicznej diody D, skladowa zmienna pradu emitera tranzystora T2 plynie glównie przez diode D. Wzrost chwilowej wartosci pradu tranzystora T2 powoduje zatem zmniejszenie pradu diody D, a wiec wzrost jej opornosci, co jest równoznaczne z poglebieniem ujemnego sprzezenia zwrotnego. Ta dynamiczna regulacja ujemnego sprzezenia zwrotnego, zapobiegajac duzym zmianom zespolonej przewodnosci wejsciowej tranzystora T2 eliminuje omówiona poprzednio pasozytnicza modulacje amplitudy impulsów, jak równiez stabilizuje poziom sygnalu sterujacego nastepne stopnie.Uklad wzmacniacza posredniej czestotliwosci o takiej charakterystyce dynamicznej jest szczególnie przydatny do odbioru sygnalów radiolokacyjnych, zapewniajac przenoszenie tych sygnalów bez znieksztalcen. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Wzmacniacz posredniej czestotliwosci do wzmacniania sygnalów impulsowych o duzej dynamice, skladaja¬ cy sie ze stopni rezonansowych z tranzystorami pracujacymi w ukladzie o wspólnym emiterze, znamienny tym, ze jego poszczególne stopnie zawieraja w obwodach emiterowych tranzystorów (T2), przylaczona przez kondensator (C), diode (D) spolaryzowana w kierunku przewodzenia poprzez przylaczony do niej szeregowo rezystor (R2), którego drugi koniec jest polaczony ze zródlem zasilania (Uz), przy czym wartosc pradu polaryzujacego diode (D) tak dobrano, ze jest ona w przyblizeniu równa wartosci pradu emiterowego tranzystora (T2). Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 10 zl PL
PL16422473A 1973-07-20 1973-07-20 PL90165B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16422473A PL90165B1 (pl) 1973-07-20 1973-07-20

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16422473A PL90165B1 (pl) 1973-07-20 1973-07-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL90165B1 true PL90165B1 (pl) 1977-01-31

Family

ID=19963550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16422473A PL90165B1 (pl) 1973-07-20 1973-07-20

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL90165B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5430765A (en) Digital data receiver having DC offset cancelling preamplifier and dual-mode transimpedance amplifier
US5281925A (en) RF amplifier providing reduced drive response rise times and fall times
US4644293A (en) RF pulse modulated amplifier having conduction angle control
US2982868A (en) Transistorized gating circuit
US4373139A (en) Detectors
US3611174A (en) Electrocardiographic monitoring amplifier
KR950002198A (ko) 전원 회로 및 증폭 회로 및 혼성 집적 회로 장치
US3697781A (en) Frequency to voltage converter
PL90165B1 (pl)
US4307347A (en) Envelope detector using balanced mixer
US3939365A (en) Pulse peak detector
US5677647A (en) High power pulse waveform generator
US4271535A (en) Noise eliminating system
US4258327A (en) Detector circuit with integrating feedback means
US5194825A (en) Protective circuit for the input transistor of a reception amplifier in nuclear magnetic resonance systems
KR890013917A (ko) Fm 수신기
JP3049999B2 (ja) プリアンプ
GB1027080A (en) Improvements in or relating to signal amplifiers
US3437843A (en) Gate circuit with means for inhibiting output signals
US3854136A (en) Circuit for fast recovery from jamming in a radar receiver system with large dynamic range
US4297601A (en) Monostable multivibrator circuit and FM detector circuit employing predetermined load resistance and constant current to increase response rate of differential transistor pair
WO2015048645A1 (en) Microwave voltmeter using fully-linearized diode detector
SU777801A1 (ru) Усилитель с защитой от перегрузки
KR930004651Y1 (ko) 고속동작에 적합한 출력단회로
Rozenstein Design of a logarithmic receiver