PL90092B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL90092B1
PL90092B1 PL16357073A PL16357073A PL90092B1 PL 90092 B1 PL90092 B1 PL 90092B1 PL 16357073 A PL16357073 A PL 16357073A PL 16357073 A PL16357073 A PL 16357073A PL 90092 B1 PL90092 B1 PL 90092B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
demodulator
transistors
circuit
carrier wave
signal
Prior art date
Application number
PL16357073A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16357073A priority Critical patent/PL90092B1/pl
Publication of PL90092B1 publication Critical patent/PL90092B1/pl

Links

Landscapes

  • Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad aktywnego demodulatora AM z fala nosna, zwlaszcza do urzadzen teletransmisyjnych. < Znane dwutrazystorowe uklady demodulatora naleza do klasy demodulatorów sygnalu wielkiej czestotliwosci bez fali nosnej. Zbudowane sa one w ukladzie transformatorowego przeciwsobnego stopnia wzmacniajacego, przy czym tranzystory pracuja w klasie B. Kolektory tych tranzystorów niezaleznie od konfiguracji ukladu (o wspólnej bazie lub wspólnym emiterze) dolaczone sa do poszczególnych polówek róznicowego transformatora wyjsciowego. Dla spelnienia przez ten uklad funkcji demodulatora niezbedne jest doprowadzenie w sposób róznicowy na transformator wejsciowy pradu nosnego z dodatkowego generatora lokalnego. Wady i zalety opisanego wyzej ukladu demodulatora z uwagi na mozliwosc jego wykorzystania wylacznie w systemach telekomunikacyjnych bez przesylania fali nosnej sa nieporównywalne z majacymi znaczenie w systemach z przesylana fala nosna. Znany jest uklad demodulatora przebiegu AM z fala nosna z pojedynczym tranzystorem, pracujacym w ukladzie wzmacniacza klasy AB lub B, na obciazeniu którego otrzymuje sie przebieg zdemoduiowany. Uklad ten posiada wszystkie wady demodulatorów jednopolówkowych takie jak: mala odpornosc na zaklócenia, znaczne znieksztalcenia nieliniowe oraz duza ilosc niepozadanych produktów demodulacji. Ta ostatnia wada ma szczególne znaczenie w systemach, w których czestotliwosc nosna przebiegu nie jest duza w porównaniu z czestotliwoscia modulujaca i powoduje koniecznosc stosowania dokladnej filtracji zdemodulowanego przebiegu. Z kolei uklady dwupolówkowych demodulatorów diodowych i to zarówno dwudiodowy z odwracaczem fazy, jak i czterodiodowy (uklad Graetza) posiadaja takie wady jak: silne obciazenie zródla sygnalu, brak wzmocnienia w ukladzie, duze znieksztalcenia nieliniowe dla malych sygnalów.Celem wynalazku jest opracowanie prostego ukladu demodulatora AM nie posiadajacego wymienionych wad. Cel ten zostal osiagniety w ukladzie zlozonym z dwóch tranzystorów, których bazy przylaczone sa do poszczególnych wyjsc ukladu odwracajacego o 180° faze sygnalu demodulowanego, emitery podlaczone sa przez oporniki ograniczajace wzmocnienie ukladu lub bezposrednio do jednego z biegunów napiecia zasilania, a kolektory tranzystorów sa polaczone ze soba i przylaczone do wspólnego obciazenia demodulatora.Zaleta ukladu jest to, ze posiada on wszystkie pozytywne cechy znanego biernego detektora dwupolówkowego. Na jego wyjsciu nie wystepuja ze wzgledu na symetrie produkty demodulacji nieparzystych2 90 092 rzedów lacznie z pierwszym, a wiec fala nosna i wstegami bocznymi i ich nieparzyste harmoniczne, lecz jedynie drugiego rzedu, z "których najwieksza podwojona nosna mozna znacznie latwiej skutecznie odfiltrowac ze wzgledu na dwukrotnie wiekszy odstep na skali czestotliwosci od sygnalu uzytecznego. Wieksza odpornosc na zaklócenia, których widma sygnalów leza w pasmie czestotliwosci odpowiadajacym pasmu czestotliwosci przebiegu modulujacego polega na kompensacji ich napiec na wyjsciu ze wzgledu na symetrie ukladu demodulatora. Ma to zasadnicze znaczenie przy wspólpracy teletransmisyjnego systemu nosnego z systemem naturalnym ulatwiajac proces filtracji przy rozdzielaniu przestrzennym kanalów przed demodulacja.W porównaniu zas do dwupolówkowego demodulatora diodowego jego zalety to mozliwosc uzyskiwania wzmocnienia w procesie demodulacji, nie obciazanie ukladu sterujacego, a takze separacja od dalszych czlonów lancucha teletransymisyjnego. Cenna zaleta jest takze znacznie mniejszy wspólczynnik znieksztalcen nieliniowych. Porównywalne natomiast ceny diod pólprzewodnikowych i tranzystorów sprawiaja, ze przedstawiony uklad nie jest drozszy od dotychczas stosowanego.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony na przykladzie wykonania przedstawionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia uklad zasadniczy demodulatora a fig. 2 przyklad praktycznego zastosowania ukladu.Zasada dzialania ukladu jest opisana nizej. Napiecie sygnalu AM Uwe przylozone jest do ukladu F, który wytwarza na swych wyjsciach dwa symetryczne, lecz przesuniete w fazie o 180° napiecia sygnalu Ui i U2.Sygnaly te odprowadzone sa bezposrednio do baz poszczególnych tranzystorów T1 i T2, których polaczone obwody kolektorów pracuja na wspólne obciazenie Z wyjscia Wy ukladu. W przykladzie zastosowania podanym na fig. 2, role ukladu wytwarzajacego dwa przesuniete w fazie napiecia pelni transformator Trz uziemionym srodkiem uzwojenia wtórnego. Na srodek tego uzwojenia moze byc podane napiecie wstepnej polaryzacji pracujacych w klasie AB tranzystorów T1 i T2 z dzielnika oporników R3, R4. Szeregowe oporniki R1, R2, przez które polaczone sa emitery tranzystorów do bieguna napiecia zasilajacego Ub uklad ograniczaja do wymaganej wartosci wzmocnienie demodulatora.Dzialanie ukladów jest nastepujace: dodatnie polówki fali nosnej dzieki przesunieciu fazowemu o 180° wprowadzaja w stan przewodzenia na przemian tranzystor T1 i T2 podobnie jak w ukladzie dwupolówkowego detektora zlozonego z dwóch diod. Wejscie demodulatora moze wspólpracowac bezposrednio z wejsciowymi obwodami rezonansowymi bez nadmiernego ich tlumienia i pogorszenia selektywnosci, dzieki wysokiej impedancji wejsciowej tranzystorów i separujacemu dzialaniu od niezbyt duzej impedancji obciazenia Z. Prad kolektorów tranzystorów proporcjonalny do chwilowych wartosci amplitudy napiecia fali nosnej przylozonego do baz tranzystorów odklada na impedancji obciazenia Z wzmocnione jednobiegunowe napiecie sygnalu skladajacego sie z podwojonej czestotliwosci nosnej oraz obwiedni sygnalu modulujacego, z których mozna wydzielic droga filtracji sygnal malej czestotliwosci. Podwajajace dzialanie ukladu wynika z wykorzystania obu polówek przebiegu modulowanego i pozwala uzyskac wszystkie niepozadane produkty demodulacji w podwojonej odleglosci na skali czestotliwosci. Równiez produkty pochodzace od napiec zaklócajacych w polozeniu naturalnym na skali czestotliwosci ze wzgledu na symetrie ukladu kompensuja sie, a ich pozostalosci moga pojawic sie na wyjsciu demodulatora jako produkty sumacyjne i róznicowe dopiero wokól podwojonej czestotliwosci nosnej i moga byc latwo odfiltrowane. Mniejsze znieksztalcenia nieliniowe demodulatora wynikaja z jednej strony z bardziej liniowych charakterystyk tranzystorów w porównaniu do diod pólprzewodnikowych z drugiej zas z bardziej skutecznego dzialania linearyzujacego oporników wlaczonych w obwody emiterów tranzystorów i dzieki wzmacniajacemu dzialaniu demodulatora mozliwosciami pracy mniejszymi sygnalami. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad aktywnego demodulatora AM z fala nosna, zwlaszcza do urzadzen teletransmisyjnych zlozony z dwóch tranzystorów, których bazy przylaczone sa do poszczególnych wyjsc ukladu odwracajacego o 160° faze sygnalu demodulowanego, a emitery polaczone przez oporniki ograniczajace wzmocnienie ukladu lub bezposrednio do jednego z biegunów napiecia zasilania, znamienny tym, ze kolektor tranzystora (T1) jest polaczony z kolektorem innego tranzystora (T2) oraz ze wspólnym obciazeniem (Z) demodulatora.90 092 Fiqd l z Wy A w i Tr Tl -fUa —o Wt O—L- i R4 T2 k2 -o Fig 2 PL
PL16357073A 1973-06-25 1973-06-25 PL90092B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16357073A PL90092B1 (pl) 1973-06-25 1973-06-25

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16357073A PL90092B1 (pl) 1973-06-25 1973-06-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL90092B1 true PL90092B1 (pl) 1976-12-31

Family

ID=19963177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16357073A PL90092B1 (pl) 1973-06-25 1973-06-25

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL90092B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100243489B1 (ko) 주파수 변환기 및 이를 이용한 무선 수신기
JPH04290301A (ja) 周波数倍増装置
US3072854A (en) Artificial reactance elements for use with modulated signals
US2159596A (en) Frequency conversion circuits
US3027522A (en) Double balanced transistor modulator
US2086602A (en) Modulating system
GB1588674A (en) Oscillator circuits
US2873367A (en) Angle modulation detector
US3348157A (en) Quadrature and harmonic signal eliminator for systems using modulated carriers
PL90092B1 (pl)
US2916618A (en) Pulse detector responsive to both pulse amplitude and duty cycle
DE2754268C2 (de) Verstärker für ein impulsbreitenmoduliertes Signal
US3636478A (en) Active balanced modulator circuit
US3122715A (en) Frequency converter systems
US3245006A (en) Phase detector-modulator
US3148335A (en) Gated demodulator apparatus
US3436643A (en) Solid-state d-c to a-c converter
US2811693A (en) Polarity-true impulse scanning of oscillations
Gardiner et al. Distortion performance of single-balanced diode modulators
US3242443A (en) Modulator for producing amplitude variation of a carrier signal
US3793599A (en) Rotating capacitor square wave filter and applications thereof
US3280336A (en) Single resonance photodiode parametric amplifier converter
US3558925A (en) Low ripple double demodulator subject to integration
US3925736A (en) Diode quad modulator with very high dynamic range
US4410979A (en) Multiplexed signal receiver