PL89710B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL89710B1
PL89710B1 PL16949174A PL16949174A PL89710B1 PL 89710 B1 PL89710 B1 PL 89710B1 PL 16949174 A PL16949174 A PL 16949174A PL 16949174 A PL16949174 A PL 16949174A PL 89710 B1 PL89710 B1 PL 89710B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
pressure
resistor
core
changes
sensors
Prior art date
Application number
PL16949174A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16949174A priority Critical patent/PL89710B1/pl
Publication of PL89710B1 publication Critical patent/PL89710B1/pl

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest rezystorowy czujnik do pomiaru cisnienia, zwlaszcza w zakresie ponizej 1000 atmosfer, zaliczony do grupy czujników elektrycznych przeznaczonych do mierzenia na podstawie zmian rezystancji przetwornika metalowego wzglednie pólprzewodnika.
Znane dotychczas rezystorowe czujniki metalowe, dzialajace na zasadzie zmian rezystancji przewodnika metalowego lub pólprzewodnika, wywolanych odksztalceniem siatki krystalicznej materialu pod wplywem zmian otaczajacego cisnienia, na przyklad manganinowe lub zloto-chrom, stosowane sa do pomiaru wysokich cisnien hydrostatycznych. Czujniki te praktycznie stosowane sa w zakresie 1000* 100 000 atmosfer.
Konstrukcje tego typu czujników róznia sie glównie sposobem wprowadzenia elektrody oraz sposobem wykonania rezystora. Rezystory tych czujników sa nawiniete przewodem o malej srednicy w luzny sposób na rdzeniach teflonowych, steatytowych, porcelanowych lub nawiniete na szkielet wykonany z parafinowanego papieru. W ten sposób nawiniety rezystor stanowi czujnik, który wprowadza sie do osrodka o mierzonym cisnieniu. Przykladowe konstrukcje tych czujników omówione w literaturze D.S. Clklla „Technika badan fizyko-chemicznych pod wysokim cisnieniem" strona 91-93, oraz III Krajowa Narada Techniki Wysokich Cisnien - Warszawa luty 1969 r., strona 23-24. Znane sa równiez czujniki zwane tenzometrami, gdzie drut jest nawiniety na rurke stalowa, w której wytwarza sie cisnienie. Cisnienie to jest mierzone na podstawie zmian rezystancji rozciaganego przez scianki rurki drutu, odksztalcajacej sie pod dzialaniem panujacego w rurce cisnienia. V ' ' Dotychczasowe konstrukcje czujników rezystorowych charakteryzuja sie duzymi gabarytami, Jak równiez wyrh*oaja utrzymywania stalej temperatury osrodka, a tymjamym nie^pewijaj^okladnosci pomiaru. _ Czujnik wedlug wynalazku zostal "zminiaturyzowany i pozwala na dokonywanie pomiarów cisnienia stalego I dynamicznego zwlaszcza w zakresie ponizej 1000 atmosfer, ze zmniejszonymi wplywami zmian sredniej temperatury na wynik pomiaru. Czujnik posiada co najmniej Jeden rezystor umieszczony w osrodku dzialajacego cisnienia z przewodnika metalowego lub pólprzewodnika, zamocowany na zewnatrz wydrazonego wewnatrz2 89 710 rdzenia. W rdzeniu znajduje sie co najmniej jeden rezystor pod dzialaniem cisnienia odniesienia, sluzacy do zmniejszania wplywów zmian sredniej temperatury osrodka na wynik pomiaru. Rdzen oraz jego wnetrze stanowia substancje przewodzace cieplo.
Przedmiot wynalazku jest przedstawiony na rysunku schematycznie w przykladzie wykonania. Czujnik wyposazony jest w co najmniej jeden rezystor 1 zainstalowany na zewnatrz wydrazonego wewnatrz rdzenia 2, w którym znajduje sie co najmniej jeden rezystor odniesienia 3. Rdzen 2 umieszczony jest w korpusie, umozliwiajacym zamocowanie go w miejscu mierzonego cisnienia A. Czesc zewnetrzna rdzenia wraz z rezystorami od których odchodza przewody A obszaru pomiarowego A sa oddzielone od obszaru cisnienia B jednym ze znanych sposobów uszczelnien.
Rezystorowy czujnik wedlug wynalazku dziala na zasadzie zmiany rezystancji przewodnika metalowego lub pólprzewodnika, w wyniku odksztalcenia ich siatki krystalicznej na skutek dzialania cisnienia otaczajacego oraz automatycznej kompensacji wplywów zmian sredniej temperatury, dzieki rezystorowi o wartosci rezystancji równej rezySapcji rezystora 1, poddanego dzialaniu cisnienia mierzonego A, umieszczonemu wewnatrz rdzenia 2 I poddanemu "dzialaniu cisnienia odniesienia B. Pomiar przyrostu cisnienia przy zmniejszonym wplywie zmian temperatury na wynik uzyskuje sie przy wykonaniu polaczen elektrycznych rezystorów w uklad mostkowy Wheatstone'a. Zmiany rezystancji wywolane zmianami cisnienia mierzone sa przy pomocy znanych ukladów wzmacniaczytensometrycznych. *

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Rezystorowy czujnik do pomiaru cisnienia, zwlaszcza w zakresie ponizej 1000 atmosfer, znamienny tym, ze posiada co najmniej jeden rezystor (1) umieszczony w osrodku dzialajacego cisnienia, wykonany z przewodnika metalowego lub pólprzewodnika, zamocowany na zewnatrz wydrazonego wewnatrz rdzenia (2), w którym znajduje sie co najmniej jeden rezystor (3) pod dzialaniem cisnienia odniesienia, sluzacy do zmniejszania wplywów zmian sredniej temperatury osrodka na wynik pomiaru, przy czym rdzen (2) oraz jego wnetrze stanowia substancje przewodzace cieplo. Prac. Poligraf. UP PRL. Naklad 120+18 Cena 10 zl
PL16949174A 1974-03-07 1974-03-07 PL89710B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16949174A PL89710B1 (pl) 1974-03-07 1974-03-07

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16949174A PL89710B1 (pl) 1974-03-07 1974-03-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL89710B1 true PL89710B1 (pl) 1976-12-31

Family

ID=19966449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16949174A PL89710B1 (pl) 1974-03-07 1974-03-07

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL89710B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2634721A (en) Pressure transducer
US4366714A (en) Pressure/temperature probe
DE3104177A1 (de) Korrosionsmessung mit sekundaerer temperaturkompensation
US4021707A (en) Compensated probe for capacitive level measurement
US3962919A (en) Temperature compensated inductive liquid metal level detection system
KR100424025B1 (ko) 기계 전기적 트랜스듀서
US4541496A (en) Measurement circuit for load cell mass comparator
US3948100A (en) Probe for measuring the level of a liquid
US3234491A (en) Transducer having coil sections of varying inside and outside diameter
DE60034496T2 (de) Kontakt-Temperatursensor mit thermischer Entkopplung zwischen Sensorkopf und Hitzeschild der elektrischen Zuleitungen
US2981911A (en) Pressure measuring apparatus
US2679642A (en) Liquid level indicator
USRE32631E (en) Measurement circuit for load cell
PL89710B1 (pl)
US3964314A (en) Temperature-measuring instrument
US5105146A (en) Current sensor and method for determining the current flow in conductors to be evaluated
US4388267A (en) Temperature profile detector
US2826625A (en) Thermo-couple
US2948872A (en) Sensing means
Sharpe Jr Strain gages for long-term high-temperature strain measurement: Resistance and capacitance strain gages for measuring strains in the temperature range 1100–1400° F for durations up to 10,000 hours are reviewed
US2477026A (en) Electric fluid pressure gauge
DE69935302T2 (de) Verfahren zur Messung der Dichte eines dielektrischen Gases in einer erdverlegten gekapselten Leitung
US2982127A (en) Strain gage
US3084542A (en) Load cell
US4890084A (en) Inductance strain gauge