PL89677B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL89677B1
PL89677B1 PL12471568A PL12471568A PL89677B1 PL 89677 B1 PL89677 B1 PL 89677B1 PL 12471568 A PL12471568 A PL 12471568A PL 12471568 A PL12471568 A PL 12471568A PL 89677 B1 PL89677 B1 PL 89677B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
calcium
cab6
melting
temperature
synthesis
Prior art date
Application number
PL12471568A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL12471568A priority Critical patent/PL89677B1/pl
Publication of PL89677B1 publication Critical patent/PL89677B1/pl

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania pretów szescioborku wapnia CaB6.
Szescioborek wapnia jest materialem twardym, trudnotopliwym, odpornym na scieranie, stosunkowo lek¬ kim, a posiadajac wlasnosci korzystniejsze od podobnych materialów twardych, ma zastosowanie jako material scierny dla specjalnych przeznaczen, jest wykorzystywany do produkcji ciagadel, jak równiez, dzieki swoim wlasnosciom pólprzewodnikowym i termo-emisyjnym jest materialem o duzych mozliwosciach perspektywicz¬ nego wykorzystania w przemysle elektronicznym.
Wytwarzanie materialów krystalicznych i monokrysztalów dokonywane jest róznymi sposobami np. meto¬ da wyciagania, lub przez stapianie tyglowe i beztyglowe. W znanych metodach szescioborki metali ziem alkalicz¬ nych — równiez CaB6 uzyskiwano jedynie w formie sprasowanych na goraco pastylek lub ksztaltek, np. w reakcji 2MO+14B = 2MB6 +B202 co opisano w opisie patentowym ZSRR nr 121561, jak równiez w pracy G.W. Samsonowa i J.B. Paderno pt. "Boridy redhoziemielnych metallow" ZSRR Kijów 1961 r. Znany jest rów¬ niez sposób przytoczony w opisie patentowym St. Zjedn. Am. nr 2647061, w którym uzyskuje sie CaB6 przez obróbke termiczna mieszaniny CaO+B+B4C+wegiel przy czym otrzymany szescioborek wapnia CaB6 nie nadaje sie do zastosowania w przemysle elektronicznym.
Topienie CaB6 w pojemnikach — wyzej wzmiankowana metoda tyglowa, prasowanie na goraco jak równiez topienie w luku, mimo szeroko prowadzonych w tym kierunku prac badawczych nie dalo zadowalajacych rezul¬ tatów, przy otrzymywaniu produktu przydatnego do potrzeb przemyslu elektronicznego. W procesie topienia CaB6 nie moga byc uzywane typowe tygle ceramiczne, ze wzgledu na ich niska odpornosc termiczna oraz reaktywnosc. Topienie w luku powoduje zanieczyszczenia, jak równiez nieuniknione jest znaczne, miejscowe przegrzanie materialu, w nastepstwie czego nastepuje dysocjacja i zmiana skladu produktu. Tak wiec mimo licznych i dlugotrwalych prób nie opracowano dotychczas metody wytwarzania, ani nie uzyskano wyzej opisa¬ nymi sposobami czystego szescioborku wapnia CaB6 o wlasnosciach pólprzewodnikowych.
Wobec stale wzrastajacego zapotrzebowania na materialy posiadajace duza emisje, latwe w obróbce i nada¬ jace sie do wykorzystania szczególnie w przemysle elektronicznym, postawiono zadanie wytworzenia odpowied-¦2¦'.'.:'¦ x 89677 niego materialu, któiy charakteryzowalby sie dobrymi wlasnosciami termoemisyjnymi i posiadal wysoka odpof* nosc termiczna. Zaistniala równiez pilna potrzeba pokrycia zapotrzebowania na lekkie, o znacznej twardosci i wysokiej temperaturze topienia materialy pólprzewodnikowe.
Postawione zadanie zrealizowano w ten sposób, ze opracowano sposób wytwarzania materialu odpowiada¬ jacego wyzej wymienionym wymogom usuwajac tym sposobem istniejace dotychczas niedogodnosci.
Istota wynalazku jest uzyskanie metody i opracowanie zgodnie z wynalazkiem sposobu wytwarzania czyste¬ go, stopionego, pretowo uksztaltowanego szescioborku wapnia CaB6 o wlasnosciach pólprzewodnikowych, co uzyskuje sie przez strefowe topienie pretów szescioborku wapnia w pojemnikach chlodzonych wewnatrz ciecza w atmosferze gazu ochronnego.
Proces syntezy CaB6 z materialów proszkowych CaO i B wzietych w stosunku stechiometrycznym prze¬ prowadza sie wg reakcji 2 CaO + 14 B = 2 CaB6 + B2O2 w prózni od 10"1 do 10 "2 mm Hg, w temperaturze 1600°C przy zastosowaniu grzania indukcyjnego w lódce lub tyglu metalowym o podwójnych sciankach chlo¬ dzonych wewnatrz woda. Proces topienia CaB6 prowadzi sie w temperaturze 2300°C w tym samym urzadzeniu i w tych samych pojemnikach wprowadzajac atmosfere ochronna mieszaniny gazów obojetnego i redukujacego 0 skladzie 4 czesci objetosciowe argonu i 1 czesc objetosciowa wodoru. Topienie materialu nastepuje za pomo¬ ca grzania indukcyjnego z zastosowaniem plynnego przesuwu strefy stopionej wzdluz calego materialu wsado¬ wego. W procesie tym nastepuje topienie i jednoczesnie strefowe oczyszczanie materialu.
Przyklad Wysuszone materialy wyjsciowe CaO iB w postaci proszku wprowadza sie w stosunku stechiometrycznym tj. na 20 g boru - 14,8 g tlenku wapnia CaO, miesza sie je bardzo dokladnie i prasuje na zimno w formach stalowych w pastylki o 10-15 mm i grubosci 10-15 mm. Do wnetrza jednej pastylki zapra- sowuje sie kawalek stopionego CaB6 aby zapoczatkowac grzanie indukcyjne sprasowanego CaO i B. Pastylke te umieszcza sie na poczatku lódki miedzianej lub srebrnej chlodzonej wewnatrz woda, a nastepnie za nia umiesz¬ cza sie kolejno dalsze pastylki. Lódki z wsadem umieszcza sie w rurze kwarcowej, na zewnatrz której znajduje sie cewka indukcyjna polaczona z generatorem wysokiej czestotliwosci o mocy 20 KVA i czestotliwosci okolo 2 MHz.
Proces syntezy przeprowadza sie w prózni 10 ' - 10"2 mm Hg w temperaturze 1600°C przez czas okolo 1 godz. Nastepnie do wnetrza urzadzenia wprowadza sie oczyszczony argon i wodór (4 czesci objetosciowe argonu i 1 czesc objetosciowa wodoru) i podnosi sie temperature do okolo 2300°C, tj. az do uzyskania stopionej strefy materialu. Specjalny ksztalt cewki indukcyjnej pozwala na otrzymanie strefy grzejnej o,dlugosci okolo mm. Strefe stopiona przesuwa sie wzdluz calego materialu umieszczonego w lódce w postaci przylegajacych do siebie pastylek. Strefowe topienie wsadu powtarza sie kilkakrotnie w celu uzyskania czystego, jednolitego preta CaB6. Zachodzi tu jednoczesnie topienie i strefowe oczyszczanie materialu, co pozwala na otrzymanie szescioborku wapnia CaB6 o wlasnosciach pólprzewodnikowych.
Otrzymanie maksymalnie czystego, krystalicznego stopionego CaB6 jest tak wazne dlatego, ze jego wlas¬ nosci pólprzewodnikowe polepsza sie wraz ze zwiekszeniem sie stopnia czystosci wytwarzanego materialu.
Zasadnicza róznica miedzy metoda tradycyjna, a sposobem zgodnym z,wynalazkiem polega na tym, ze material otrzymany metoda metalurgii proszków posiada przewodnictwo metaliczne, natomiast material otrzy¬ many wedlug wynalazku posiada pólprzewodnikowy charakter zmiany przewodnictwa z temperatura. Dla przykladu podajemy porównanie niektórych wlasnosci materialu otrzymanego metoda metalurgii proszków (oz¬ naczone *) i otrzymanych metoda opisana wedlug wynalazku (oznaczone **). * ** p = 222X 10"6cmXcm p = 0,44cmXcm a = - 32,8-——, a = - 99 stopien stopien /? = -91X10-455t *= 3.64^- cul cul p - opornosc, a - sila termoelektryczna, R - stala Halla Otrzymany taka metoda szescioborek wapnia CaB6 charakteryzuje sie duza czystoscia. Posiada zanieczysz¬ czenia Si - 10"s% wagowych, Mg 10~5% wagowych i Fe - 10"4% wagowych.89677 3

Claims (2)

Zastrzezenia patentowe
1. Sposób wytwarzania pretów szescioborku wapnia CaB6 o wlasnosciach pólprzewodnikowych, otrzymy¬ wanych z tlenku wapnia i boru w procesie syntezy, topienia i oczyszczania, znamienny tym, ze synteze prowadzi sie metoda grzania indukcyjnego w prózni 10"1 10~2 mm Hg w temperaturze okolo 1600°C, w po¬ jemnikach metalowych chlodzonych wewnatrz ciecza, po czym wytworzony szescioborek wapnia topi sie strefo¬ wo, w temperaturze okolo 2300°C w atmosferze gazu ochronnego.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze gazowa atmosfere ochronna stanowi mieszanina oczyszczonego argonu i wodoru w stosunku objetosciowym 4 czesci argonu i 1 czesc wodoru.
PL12471568A 1968-01-16 1968-01-16 PL89677B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL12471568A PL89677B1 (pl) 1968-01-16 1968-01-16

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL12471568A PL89677B1 (pl) 1968-01-16 1968-01-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL89677B1 true PL89677B1 (pl) 1976-12-31

Family

ID=19949846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL12471568A PL89677B1 (pl) 1968-01-16 1968-01-16

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL89677B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4050931A (en) Amorphous metal alloys in the beryllium-titanium-zirconium system
Karamanov et al. The effect of Cr2O3 as a nucleating agent in iron-rich glass-ceramics
JP5658677B2 (ja) クラスレート化合物およびその調製および使用
RU2005137576A (ru) Получение высокочистого моноксида ниобия и изготовление из него конденсатора
Bose et al. Production of high purity boron carbide
US1814012A (en) Process of making artificial granite
Mun et al. Growth of Yb3+-doped Y2O3 single crystal rods by the micro-pulling-down method
PL89677B1 (pl)
Zhang et al. Ultrafast and low-cost preparation of Mg2 (Si0. 3Sn0. 7) 1− ySby with superior thermoelectric performance by self-propagating high-temperature synthesis
CN107954718A (zh) 一种碳化硼冶炼装置及碳化硼的制备方法
Yu et al. Unique surface structure resulting in the excellent long-term thermal stability of Fe4Sb12-based filled skutterudites
US3362787A (en) Preparation of molybdenum silicides
US3154381A (en) Progressive melting and crystallization of synthetic mica
Stiewe et al. Thermoelectric characterization of zone-melted and quenched Zn4Sb3
RU2579389C2 (ru) Способ получения термоэлектрических материалов на основе теллуридов висмута и сурьмы
RU1792186C (ru) Способ получения изделий из сверхпроводящих оксидных соединений
Pengpat et al. Ferroelectric glass ceramics based on the bismuth germanate system
US5157014A (en) High temperature crystalline superconductors from crystallized glasses
US3241952A (en) Magnetic materials and their preparation
JP7394374B2 (ja) 熱電変換材料
US3431125A (en) Synthetic gemstones
JPS5938193B2 (ja) 星彩を放つコランダム単結晶の製造法
Masumoto et al. Equilibrium Diagram of Mn–Ga Binary Alloys
SU562510A1 (ru) Шихта дл получени периклаза высокой чистоты
SU998434A1 (ru) Способ получени периклаза