PL87880B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL87880B1
PL87880B1 PL16695573A PL16695573A PL87880B1 PL 87880 B1 PL87880 B1 PL 87880B1 PL 16695573 A PL16695573 A PL 16695573A PL 16695573 A PL16695573 A PL 16695573A PL 87880 B1 PL87880 B1 PL 87880B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
thyristor
transistor
resistor
current
voltage
Prior art date
Application number
PL16695573A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16695573A priority Critical patent/PL87880B1/pl
Publication of PL87880B1 publication Critical patent/PL87880B1/pl

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad dyskryminatora pradu lub napiecia z regulowana strefa histerezy, do stosowania w ukladach stabilizowanych zasilaczy napiecia stalego z powrotnym ograniczeniem pradowym, ukladach zabezpieczen przetezeniowych i ukladach sygnalizacji. # \N znanych rozwiazaniach ukladowych dyskryminatorów napiecia i pradu stosowany jest najczesciej przerzutnik Schmitta (J. Baranowski, TJankowski "Tranzystorowe uklady impulsowe", WNT W^wa 1964 r. str. 101 rys. 3.17) bedacy asymetrycznym multiwibratorem bistabilnym ze sprzezeniem emiterowym.Zasada dzialania tego ukladu polega na przechodzeniu z jednego z dwóch stanów stabilnych w drugi, pod wplywem zadanej wielkosci sygnalu wejsciowego i powrocie do stanu poczatkowego przy zmniejszeniu wartosci tego sygnalu.Zasadniczymi wadami tego ukladu w niektórych zastosowaniach sa: brak mozliwosci osiagniecia dolnej strefy histerezy na poziomie zerowym sygnalu, ograniczenie maksymalnego pradu wyjsciowego wynikajace z obecnosci rezystancji emiterowej oraz calkowite uzaleznienie strefy histerezy od napiecia zasilajacego.Wedlug wynalazku, uklad dyskryminatora pradu lub napiecia posiada szeregowo polaczone tranzystor z tyrystorem przy czym emiter tranzystora polaczony jest z anoda tyrystora lub katoda tyrystora polaczona jest z kolektorem tranzystora. Do katody tyrystora lub emitera tranzystora dolaczony jest pierwszy rezystor dzielnika rezystancyjnego zlozonego z dwóch rezystorów. Drugi rezystor bezposrednio lub przez dodatkowy rezystor polaczony jest z baza tranzystora tak, ze spadek napiecia na obydwu rezystorach dzielnika rezystancyj¬ nego powoduje wysterowanie tranzystora. Wspólny zacisk obydwu rezystorów dzielnika rezystancyjnego polaczony jest bezposrednio lub przez dodatkowy rezystor z bramka tyrystora tak, ze spadek napiecia na pierwszym rezystorze dzielnika rezystancyjnego powoduje wysterowanie tyrystora.Zasadniczymi zaletami ukladu wedlug wynalazku sa: mozliwosc regulacji strefy histerezy w szerokich granicach, mozliwosc uzyskania zmian pradu w granicach od zera do dowolnej wartosci, ograniczonej jedynie parametrami zastosowanych elementów, mozliwosc uzyskania napiecia wyjsciowego w granicach od wartosci bliskiej zero do wartosci napiecia zasilania, niewrazliwosc parametrów ukladu na napiecie zasilajace.2 87 880 Przedmiot wynalazku zostanie blizej przedstawiony w oparciu o rysunek, na którym na fig. 1 uwidoczniony jest schemat ideowy przykladowego wykonania ukladu dyskryminatora pradu lub napiecia z regulowana strefa histerezy zas na fig. 2 przebieg pradu dyskryminowanego w czasie.Jak uwidoczniono na rysunku uklad zawiera szeregowo polaczone tranzystor T i tyrystor Ty,przy czym to szeregowe polaczenie jest zrealizowane albo przez polaczenie emitera tranzystora z anoda tyrystora, albo przez polaczenie katody z kolektorem tranzystora. W zaleznosci od tego polaczenia, katoda tyrystora Ty lub emiter tranzystora T polaczone sa z rezystorem R1 dzielnika rezystancyjnego, na który sklada sie drugi rezystor R2 polaczony w szereg z tym pierwszym. Bramka tyrystora Ty bezposrednio lub przez dodatkowy rezystor R3 polaczona jest ze wspólnym zaciskiem rezystorów Ri i R2 dzielnika rezystancyjnego.Baza tranzystora T bezposrednio lub przez dodatkowy rezystor R4 polaczona jest z rezystorem R2 dzielnika rezystancyjnego. Przeplywajacy przez rezystory R1 i R2 dzielnika rezystancyjnego prad dyskryminowa¬ ny Id powoduje na kazdym z nich odpowiedni spadek napiecia. Jesli prad dyskryminowany Id wzrasta i osiaga wartosc Id1, sumaryczny spadek napiecia na obu rezystorach wysterowuje tranzystor T. Prad przez obciazenie Obc nie plynie, gdyz tyrystor Ty nie przewodzi. Przy dalszym wzroscie, gdy prad Id osiagnie wartosc Id2ld1 spadek napiecia r»a rezystorze R1 wyzwala tyrystor i przez obciazenie Obc plynie prad. Stan ten utrzymuje sie do chwili gdy prad. dyskryminowany Id zmniejszy sie ponownie do wartosci Id1. W momencie gdy wartosc pradu dyskryminowanego zmaleje ponizej wartosci Id1, przestaje przewodzic tranzystor co powoduje wylaczenie tyrystora. Wartosc rezystancji rezystora R1 decyduje wiec o momencie wlaczenia tyrystora a tym samym przeplywie pradu w obciazeniu Obc natomiast wartosc sumy rezystancji rezystorów R1 i R2 decyduje o momencie wylaczenia tranzystora a tym samym wylaczenie pradu w obciazeniu Obc. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad dyskryminatora pradu lub napiecia z regulowana strefa histerezy, znamienny tym, ze posiada szeregowo polaczone tranzystor (T) i tyrystor (Ty) tak, ze emiter tranzystora polaczony jest z anoda tyrystora lub katoda tyrystora jest polaczona z kolektorem tranzystora, i tym, ze katoda tyrystora lub emiter tranzystora polaczone sa z pierwszym rezystorem (R1) dzielnika rezystancyjnego, przy czym wspólny zacisk rezystorów (R1, R2) tego dzielnika polaczony jest bezposrednio badz poprzez rezystor (R3) z bramka tyrystora (Ty) tak, ze spadek napiecia na pierwszym rezystorze (R1) dzielnika rezystancyjnego powoduje wysterowanie tego tyrystora, natomiast baza trnazystora (T) bezposrednio lub poprzez rezystor (R4) polaczona jest z drugim rezystorem (R2) dzielnika rezystancyjnego, a spadek napiecia na tym dzielniku wysterowuje ten tranzystor. s RZ R3 jj RI -CD K T ZTy fi9 1 Obc. -ó + Jd1 4 - t fig. Z Prac. Policjrdf. UP PRL naMuJ 1P0-M Cena 4Fi zl 118 PL
PL16695573A 1973-11-30 1973-11-30 PL87880B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16695573A PL87880B1 (pl) 1973-11-30 1973-11-30

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16695573A PL87880B1 (pl) 1973-11-30 1973-11-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL87880B1 true PL87880B1 (pl) 1976-07-31

Family

ID=19965053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16695573A PL87880B1 (pl) 1973-11-30 1973-11-30

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL87880B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2939018A (en) Transistor trigger circuit
US3446989A (en) Multiple level logic circuitry
GB1597919A (en) Electronic switchgear
US3719859A (en) Voltage sensing and switching circuit
US3368139A (en) Switching mode series voltage regulator
GB1564870A (en) Electronic switching device
PL87880B1 (pl)
GB2254175A (en) Compensation type heat sensor
GB2028017A (en) Terminal convertible electronic switch
US3151289A (en) Switching control for maintaining the current within predetermined levels
US3816767A (en) Schmitt trigger circuit
US3761800A (en) Integral cycle thyristor power controller
US3470497A (en) Circuit arrangement for signalling the upper and lower limits of a voltage
US2949549A (en) True current flip-flop element
US3341713A (en) "and" gate, "or" gate, or "at least" gate
US3504202A (en) Silicon gated rectifier control circuit
US3737675A (en) Latched gating circuit
US3162790A (en) Transistor relay circuit
JPS55161408A (en) Limiter circuit
PL125558B1 (en) Protection circuit,especially for pulse voltage stabilizer
SU371572A1 (ru) Регулирующий элемент стабилизатора
SU1411517A1 (ru) Система питани с искробезопасным выходом
SU1670679A1 (ru) Стабилизатор посто нного напр жени
SU1688233A1 (ru) Регул тор температуры
PL107111B1 (pl) Uklad ladowania kondensatora