SU1670679A1 - Стабилизатор посто нного напр жени - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано во вторичных источниках питани . Цель - повышение точности и быстродействи  срабатывани  защиты. При нормальной нагрузке защитный транзистор 7 закрыт разностью падений напр жений на втором 10 и первом 6 полупроводниковых элементах. В случае перегрузки ток, протекающий через транзистор 4, увеличиваетс , а так, протекающий через первый полупроводниковый элемент 6, уменьшаетс , а это приводит к уменьшению запирающего напр жени  транзистора 7. При уменьшении напр жени  на втором полупроводниковом элементе 10 до нул  под действием напр жени  в первом полупроводниковом элементе 6 защитный транзистор 7 отпираетс  и шунтирует регулирующий элемент, выходной ток резко снижаетс . 1 ил.

Description

Изобретение относитс  / электротехнике и предназначено дл  использовани  в источниках электропитани  различных устройств .

Целью изобретени   ел етс  повышение точности и быстродействи  срабатывани  защиты.

На чертеже приведена схема стабилизатора посто нного напр жени 

Стабилизатор содеожит выаод 1 дл  подключени  питающего напр жени , вывод 2 дл  подключени  потребитег , общую шину 3, управл ющий 4 и силовой 5 транзи- сторш регулирующего элемента, первый полупроводниковый тлемент 6, защитный транзистор 7, узел 8 управлени , ограничительный резистор 9 и второй полупроводниковый элемент 10

Стабилизатор работает следующим образом

Выходное напр жение поддерживаетс  на заданном уровне за счет соответствующего изменени  проводимости управл ющего 4 и силового 5 транзисторов регулирующего элемента. При нормальной нагрузке защитный транзистор 7 закрыт разностью падений напр жений на втором 10 и первом 6 полупроводниковых элементах и не оказывает вли ни  на работу стабилизатора . В случае токовых перегрузок ток, протекающий через переход коллектор- эмиттер управл ющего транзистора 4, увеличиваетс , а ток, протекающий через второй полупроводниковый элемент 10, уменьшаетс . В тот момент, когда второй полупроводниковый элемент 10 выходит из

О

VI о сь VI ю

режима стабилизации напр жени  (момент начала срабатывани  защиты), ток перегрузки начинает ограничиватьс . Одновременно с уменьшением напр жени  на втором полупроводниковом элементе 10 снижаетс  и запирающее напр жение на переходе эмиттер-база защитного транзистора 7.

При уменьшении напр жени  на втором полупроводниковом элементе 10 до нул  под действием напр жени  первого полупроводникового элемента 6 защитный транзистор 7 опираетс  и шунтирует управл ющий вход регулирующего элемента. Выходной ток начинает резко снижатьс  и в режиме к.з. достигает своей минимальной величины,равной

Цэб7 Рб Rg

/feгде Кэб, Ue - напр жение на переходе эмиттер-база защитного транзистора 7 и на первом полупроводниковом элементе 6 соответственно;

RQ - сопротивление ограничительного резистора 9;

fk - коэффициент усилени  силового транзистора 5.

Таким образом, в предлагаемом стабилизаторе отпирание защитного транзистора 7 и форсирование срабатывани  защиты происходит не в момент изменени  пол рности напр жени  в полупроводниковом элементе 10, а раньше когда величина этого направлени  снижаетс  до нул , а это обеспечивает повышение точности и быстродействи  срабатывани  защиты. Дл  сохранени  минимального падени  напр жени  на силовом транзисторе 5 напр жение второго полупроводникового элемента 10 должно превышать напр жение на первом полупроводниковом элементе 6 на величину 1-2 В. Например, в качестве второго

полупроводникового элемента 10 можно использовать стабистор типа КС119, а первого полупроводникового элемента 6 - стабистор типа КС107.

Экспериментальные исследовани  подтвердили работоспособность предлагаемого стабилизатора посто нного напр жени . По сравнению с прототипом в 2 раза повышаетс  точность, в 1,5 раза увеличено быстродействие срабатывани  защиты.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Стабилизатор посто нного напр жени , содержащий регулирующий элементна силовом и управл ющем транзисторах, при

   этом коллектор управл ющего транзистора через переход база-эмиттер силового транзистора соединен с входным выводом,база через узел управлени  соединена с общей шиной, а через цепь коллектор-эмиттер защитного транзистора - с выходным выводом , эмиттер непосредственно соединен с базой защитного транзистора, а через цепочку , состо щую из последовательно соединенных первого полупроводникового

   элемента и ограничительного резистора, подключен к общей шине, и второй полупроводниковый элемент, соединенный с выход- ным выводом соответствующим электродом, отличающийс  тем, что,

   с целью повышени  точности и быстродействи  срабатывани  защиты, свободный электрод второго полупроводникового элемента подключен к точке соединени  первого полупроводникового элемента и

   ограничительного резистора.

   г-о

   W

   6 &