Przedmiotem wynalazku jest uklad diodowego przeksztaltnika funkcji, aproksymujacy pozadana nielinearna charakterystyke odcinkami linii prostej.Znane uklady diodowych przeksztaltników funkcji o parabolicznych charakterystykach nielineamych wyrazonych ogólnie przez funkcje y = f(x) = axn, gdzie y — wielkosc wyjsciowa; x — wielkosc wej¬ sciowa f(x) — dhairataterystyka sfoatycznia ukladu przeksztalcajacego; a — wspólczynnik proporcjo¬ nalnosci; n — stopien paraboli budowane w ukla¬ dzie inMLneainnego czwórnlilka typu T maja wlaczony w galezi podluznej czwórnika czlon nielinearny, któ¬ rego rezystancja jesit funkcja napiecia wejsdiowego, a w galezi poprzecznej wlaczony jest rezystor linear¬ ny. Czlon nielinearny wlaczony w galezi podluznej czwórnika sklada sie z okreslonej liczby obwodów polaczonych równolegle, z których pierwszy stanowi rezystor, a wszysIMe pozostale stanowia szeregowe polaczenie rezystora i diody pelniacej role kluczu w obwodzie spolaryzowanej w kierunku zaporowym napieciem, z dzielnika zasilanego ze zródla napiecia stalego. Liczba tych obwodów zalezy od dokladnosci aproksymacji cihairalkiberylstyikli inMineairnej.Znane uklady diodowych przekszttaltiniilków funkcji pasffladjarja dhairaktejrysityke w duzyim stopniu zalezna od temperatury. Niedogodnosc ta wynika z zalezno¬ sci charakterystyk napieciowo pradowych diod pel¬ niacych role kluczy w ukladzie od tempertury. Ukla¬ dy te, badz nie posiadaja kompensacji termicznej charakterystyk napieciowo pradowych dliod, badz tez i* posiadaja kompensacje zrealizowana przez wlacze¬ nie w szereg z równolegle polaczonymi obwodami diod kluczujacych diody kompensacyjnej spolaryzo¬ wanej w kierunku przewodzenia. W ukladzie tym dioda kompensacyjna jest wspólna dla wszystkich diod pelniacych role kluczy w ukladzie. Wymaga to stosowania w ukladzie przeksztaltnika funkcji diod Iducaujacych o jednakowej zaleznosci charakterystyk napieciowo pradowych od temperatury, co zwazyw¬ szy na to, ze poszczególne diody w praktyce róznie reaguja na temperature daje kompensacje malo do¬ kladna. Ponadto w znanych ukladach trudno jest uzyskac dostateczna seperacje poszczególnych obwo¬ dów ukladu.Celem wynalazku jest polepszenie parametrów technicznych ukladu, a w szczególnosci zmniejszenie wplywu temperatury na charakterystyke ukladu, zas zadaniem wynalazku jest opracowanie ukladu prze¬ ksztaltnika funkcji pozwalajacego osiagnac zamie¬ rzony cel.Zadanie to zostalo rozwiazane, dzieki temu, ze kazda dioda kluczujaca polaczona jest szeregowo i przeciwsobnie z dodatkowa dioda kompensacyjna spolaryzowana w kierunku przewodzenia, tego sa¬ mego typu co dioda pelniaca role klucza.Zasadnicza korzyscia techniczna wynikajaca ze stosowania ukladu wedlug wynalazku jest uzyska¬ nie duzej stabilnosci termicznej charakterystyki prze¬ ksztaltnika funkcji, na kazdym odcinku linii lamanej, oraz uzyskanie wzajemnej seperacji rezystancji po- 3426684266 szczególnych obwodów ukladu. Pozwala to uzyskac duza dokladnosc aproksymacji charakterystyki nie- lineairnej, bez koniecznosci specjalnego dobierania diod, oraz zmniejszyc znacznie napiecie polaryzujace diody.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy- kftadiaie wytooiniainliia ma iiysuinlku, który pa^edisibawiiia scheinalt ideowy ukladlu diodowego przeksabaltaiiilka fuintocjlii, lapitokisyniujaciego dhainalkljerysryke y = aa* taema odidinkaimi liuruijl pirosltej dLa dodatnich wantto- sdi cyigniaflm wejsdiiowago.Uklad przeksztaltnika funkcji zbudowany w ukla¬ dzie nielinearaego czwórnika typu r, tworza w ga¬ lezi podluznej tirzy równolegle polaczone obwody, z których pierwszy stanowi rezystor R0, drugi stano¬ wi szeregowe polaczenie potencjometru P, kompen¬ sacyjnej diody Dk i przeciwsobnie do niej wlaczonej kluczujacej diody D, oraz rezystancji Rx, zas trzeci obwód stanowi szeregowe polaczenite poitencjometiriu P, kompensacyjnej diody Dk i przeciwsobnie do niej wlaczonej kluczujacej diody D, oraz rezystancji R*.W galezi poprzecznej czwórnika wlaczony jest rezy¬ stor Rs. Diody D w ukladzie przeksztaltnika funkcji spolaryzowane w kierunku zaporowym napieciem z dzielnika, który tworzy potencjometr P, kompen¬ sacyjna dioda Dk oraz rezystor Rt w obwodzie pierwszym i odpowiednio potencjometr P, kompen¬ sacyjna dioda Dk, oraz rezystor R, w obwodzie dru¬ gim, zasilanego ze zródla napiecia stalego UD, pelnia role kluczy, dolaczajac w miare wzrostu amplitudy sygnalu wejsciowego równolegle do rezystora R , kolejno odpowiednie rezystory Rt i R2. Wypadkowa wartosc tych rezystorów RQ || Rx i R0 || Rt \\ R2, od¬ powiadaja kolejno nachyleniom drugiego i trzeciego odcinka charakterystyki. Kompensacje termiczna dhiajnalkteaylsityk napaeoiowo^prafdowydh kluczujajcycli diod D uzyskuje sie przez wlaczenie w kazdym ob¬ wodzie diody D szeregowo i przeciwsobnie do niej kompensacyjnej diody Dk, spolaryzowanej w kie¬ runku przewodzenia, tego samego typu co kluczuja- ca dioda D. Poszczególne pary odpowiednio pola¬ czonych diiod D i Dk tworza w posizeiziególinyeh ob¬ wodach uklad wzajemnej kompensacji termicznej, dzieki czemu uzyskuje sie duza dokladnosc kompen¬ sacji w szerokim zakresie temperatur i pradów. Dzie- ki temu, ze kompensacyjne diody Dk, sa wlaczone przeciwsobnie do kluczujacych diod D, uzyskuje sie seperacje poszczególnych obwodów ukladu. PL