PL80292B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL80292B1
PL80292B1 PL13616969A PL13616969A PL80292B1 PL 80292 B1 PL80292 B1 PL 80292B1 PL 13616969 A PL13616969 A PL 13616969A PL 13616969 A PL13616969 A PL 13616969A PL 80292 B1 PL80292 B1 PL 80292B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
voltage
transformer
primary winding
conductor
Prior art date
Application number
PL13616969A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL13616969A priority Critical patent/PL80292B1/pl
Publication of PL80292B1 publication Critical patent/PL80292B1/pl

Links

Landscapes

  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

Uprawniony z patentu: Owens-Illinois, Inc. Toledo, Ohio (Stany Zjedno¬ czone Ameryki) Generator impulsów do zasilania tablicy obrazujacej, dzialajacej na zasadzie wyladowania w gazie Przedmiotem wynalazku jest generator impulsów do zasilania tablicy obrazujacej, dzialajacej na za¬ sadzie wyladowania w gazie.Znane sa jarzeniowe tablice obrazujace w któ¬ rych osrodek gazowy bedacy zwykle mieszanina dwóch gazów, jest utrzymywany pod stosunkowo duzym cisnieniem w cienkiej komorze pomiedzy dwoma izolacyjnymi elementami, gromadzacymi la¬ dunki przeciwnych znaków, za którymi umieszczo¬ ne sa uklady przewodów, przy czym uklady te sa usytuowane nawzajem prostopadle, dzieki czemu tworzy sie siatka nieciaglych przestrzeni wyla¬ dowczych i jednostek jarzeniowych. Laduinki wy¬ tworzone w wybranej jednostce jarzeniowej przez jonizacje gazu, wywolana przylozeniem napiecia przemiennego do wyfaanych przewodów, sa gro¬ madzone na powierzchniach dialektryka w scisle okreslonych miejscach ii tworza pole elektryczne skierowane przeciwnie niz pole, które spowodowalo jonizacje.Dq sterowania takiej tablicy stosowany jest uklad w którym sygnal o niskim poziomie w okre¬ slonych momentach uruchamia (przelacznik tranzy¬ storowy, wlaczony szeregowo pomiedzy zródlem napiecia stalego a pierwotnym uzwojeniem trans¬ formatora. Impuls pradu plynacy wskutek przejscia tranzystora w stan przewodzenia przez uzwojenie pierwotne transformatora indukuje w jego uzwoje¬ niu wtórnym impuls wysokiego napiecia. Uzwoje¬ nia wtórne wszystkich transformatorów polaczone 10 15 20 25 30 sa ze zródlem napiecia podtrzymujacego, które jak¬ kolwiek samo nie wystarcza do sterowania wybra¬ nych jednostek jarzeniowych to jednak podtrzy¬ muje wyladowania po zapaleniu wybranej jednost¬ ki jarzeniowej.Na skutek malego odstepu pomiiejdzy poszczegól¬ nymi przewodami obydwu ukladów tworzacych jednostki jarzeniowe, wynosizacego zwykle pomie¬ dzy srodkami przewodów 0,75 mim, energia impul¬ sów napieciowych przykladanych ido wybranych przewodów przedostaje sie przez sprzezenie pojem¬ nosciowe na przewody sasiednie wywolujac prze¬ sluch i/lub sygnaly pasozylmiicze w innych jed¬ nostkach zdolne do zapalenia tych jednostek.Celem wynalazku jest opracowanie urzadzenia do zmniejszenia wplywu tych impulsów pasozytni¬ czych, które zapewnia zwieranie pasozytniczych impulsów napieciowych.Cel zastal osiagniety w ten sposób, ze genera¬ tor imipulsów do zasilania tablicy obrazujacej dzialajacej na zasadzie wyladowania w gazie za¬ wierajacy uklad ksztaltowania impulsów pradu oraz transformator impulsowy, którego uzwojenie pierwotne jest polaczone szeregowo ze zródlem na¬ piecia zwierajacego i ukladem ksztaltowania im¬ pulsów pradowych w uzwojeniu pierwotnym wy¬ wolujacym impulsy wysokiego napiecia w uzwoje¬ niu wtórnym tego transformatora polaczonym z ob¬ ciazeniem w postaci jednego przewodnika z grupy przewodników umieszczonych w sciance komory 8029280292 3 gazowej tablicy obrazujacej, zwlaszcza przewodni¬ ka wystejpujacego w parze poprzecznie zoriento¬ wanych uszeregowan przewodników tablicy obra¬ zujacej, w której to tablicy niepozadane impulsy napiecia zaklócajacego moga w sposób niezamie- 8 rzony byc przekazywane do wspomnianego prze¬ wodnika z sasiednich przewodników na skutek przylozenia pozadanego napiecia impulsowego do jednego lub wiecej sasiednich przewodników, któ¬ ry »to generator odznacza sie duza irnpedancja io w czasie kierowania wspomnianego pozadanego na¬ piecia impulsowego do przewodnika stanowiacego jego obciazenie jest wyposazony wedlug wynalazku w uklad tranzystorowego przelacznika bocznikujacy sprzezenie generatora przynajmniej w czasie wy- 15 stepowania wsipominianych impulsów napiecia za¬ klócajacego celem zmniejszenia impedancji tego generatora. Korzystnym jest gdy uklad tranzysto¬ rowego przelacznika zatyriera czujnik reagujacy na potencjal przewodnika zalaczonego do uzwojenia 20 wtórnego transformatora opwstajacy na tym prze¬ wodniku na skutek oddzialywania sasiednich prze¬ wodników.Korzystnym jest równiez, gdy uklad tranzysto¬ rowego przelacznika bocznikujacy sprzezenie gene- 25 ratora impulsowego zawiera srodki bocznikujace wtórne uzwojenia transformatora sterowane przez czujniki reagujace na napiecie indukowane w uzwojeniu pierwotnym przez uzwojenie wtórne.Równiez jest korzystnym, gdy czujnikiem reagu- 30 jacym na napiecie indukowane w uzwojeniu pier¬ wotnym transformatora z uzwojenia wtórnego te¬ goz transformatora jest dioda zalaczona szeregowo z uzwojeniem pierwotnym itransformatora w kie¬ runku przewodzenia odpowiednio ido polaryzacji 35 zródla napiecia.Poza tym korzystnym jest, gdy srodki boczniku¬ jace wtórne uzwojenia transformaitora zawieraja diode zalaczona równolegle do uzwojenia pier¬ wotnego transformatora. *o Korzystnym jest takze, gdy uklad przelaczajacy bocznikujacy sprzezenie generatora impulsowego z transformatorem zawiera pare rtranzysitiorów, przy czym obwód emiter ¦— baza 'drugiego 'tranzystora jest polaczony równolegle z dioda, zalaczona sze- *5 regowo z uzwojeniem pierwotnym w kierunku przewodzenia odpowiednio do polaryzacji zródla napiecia, a obwody baza—kolektor pary tranzysto¬ rów sa polaczone w ten sposób, ze baza pierwsze¬ go tranzystora jest polaczona z kolektorem drugie- 50 go tranzystora, baza drugiego tranzystora jest po¬ laczona z kolektorem pierwszego tranzystora, emi¬ ter pierwszego tranzystora jeslt polaczony z jed¬ nym koncem uzwojenia pierwotnego transformato¬ ra oraz z wyjsciem ukladu generujacego impulsy 55 pradowe, rozwiazanego w znanym ukladzie, emiter drugiego tranzystora jest polaczony ze wspólnym punktem polaczen diody zalaczonej równolegle do uzwojenia pierwotnego transformatora i drugiego konca uzwojenia pierwotnego transformatora, ba- 60 za drugiego tranzystora polaczona ze wspólnym punktem polaczen kolektora pierwszego tmazysto- ra i jednego z wyprowadzen diody zalaczonej sze¬ regowo z uzwojeniem pierwotnym transformato¬ ra jest polaczona ze zródlem napiecia zasilajacego. 65 Przedmiot wynalazku jest omówiony na podsta¬ wie rysunku, na którym fig. 1A i IB przedstawia¬ ja schematycznie jarzeniowa tablice wyswietlajaca i zwiazany z nia uklad, fig. 2 — przeidstawia sche¬ mat ukladu generatora impulsów, fig. 3 — wyja¬ snia zasade zasitosowania wynalazku do jarzenio¬ wej tablicy wyswietlajacej.Jak pokazano na fig. 1A i IB, tablica wyswietla- jacoHpamieciowa, pracujaca na zasadzie wyladowa¬ nia jarzeniowego ma na przeciwleglych 'powierzch¬ niach szklanych elementów podtrzymujacych 10 i 11 wykonane uklady przewodów 12 i 13. Po¬ wierzchnie 17 i 18 dielektrycznych pokryc 14 i 16 stanowia powierzchnie gromadzenia ladunków (elektronów i jonów) wytworzonych w wyniku jo¬ nizacji w poszczególnych jednostkach jarzeniowych.Pomliedzy powierzchniami 17 i 18 pokryc 14 i 16 umieszczony jest odstepnik 19, przez co wytworzo¬ na jest cienka komora 20 wypelniona gazem, któ¬ ra jest zamknieta szczelnie odstepnlikiem 19 lub dodatkowa uszczelka 155. Szklane elementy pod¬ trzymujace sa dostatecznie sztywne aby wytrzymac cisnienie gazu w komorze 20 i cisnienie atmosfe¬ ryczne z jedynie nieznacznymi odksztalceniami.W komorze 20 nie ma zadnych wtracen i prze¬ szkód zwiazanych z obecnoscia w niej gazu pod cisnieniem, dzieki czemu wewnatrz komory 20 moze jednoczesnie istniec wiele miejscowych wy¬ ladowan nie oddzialywujacych wzajemnie na sie¬ bie i to pomimo tego, ze odleglosci pomiedzy srod¬ kami przewodów 12—1, 12—2, 12—N i 13—1, 13—2, 13—N sa rzedu 0,75 mm.Uklad wedlug wynalazku moze byc oczywiscie zastosowany równiez i do tablic wyswietlajaco-pa- mieciowych, w których w celu okreslenia usytuo¬ wania poszczególnych jednostek jarzeniowych za¬ stosowane sa na przyklad perforowane plyty lub warstwy o strukturze plastra miodu.Gaz moze byc przygotowany do jonizacji przez wytworzenie w nim swobodnych elektronów za pomoca przylozenia do wybranej pary przewodów wstepnego napiecia zaplonowego na czas wystar¬ czajaco dlugti do wywolania wstepnego wyladowa¬ nia w czesci objetosci gazu na przyklad do wywo¬ lania takiego wyladowania w jednostce skladajacej sie ze skrzyzowanych przewodów 12—1 i 13—1^ di¬ elektryku na tych przewodnikach w miejscu ich skrzyzowania i czesci objetosci gazu pomiedzy ty¬ mi przewodami. Objetosc gazu umozliwia polacze¬ nie fotonowe pomiedzy wszysltikimi jednostkami jarzeniowymi dla tych fotonów, które uderzaja w powierzchnie dielektryka, wytwarzajac swobod¬ ne elektrony. Gaz moze byc przygotowany do jo¬ nizacji równiez za pomoca zewnetrznego zródla promieniowania nadfioletowego, które wytwarza swobodne elektrony na drodze fdtoemisji lub przez umieszczenie w szkle lub w gazie materialu ra¬ dioaktywnego, co takze powoduje powstanie w ga¬ zie swobodnych elektronów w ilosci wystarczajacej do uzyskania wyladowania przy pewnym okreslo¬ nym napiieciu zaleznym od rodzaju i cisnienia gazu i konstrukcji tablicy.W dalszym ciagu opisu, wynalazek zostanie omó¬ wiony przy zalozeniu, ze gaz jest wstepnie przy¬ gotowany do jonizacji.5 80292 6 Poszczególne jednostki jarzeniowe moga byc wlaczane (ciag chwilowych wyladowan odpowiada¬ jacych polówkom okresu napiecia przemiennego przylozonego po wyladowaniu wstejpnym) i wyla¬ czane (zakonczenie serii wyladowan), za pomoca przebiegów o róznym ksztalcie, przy czyim naj¬ prostszym jest przebieg sinusoidalny. Zasadniczo jednym warunkiem, poza warunkiem odpowiednie¬ go ksztalitu napliecia jest takie wstepne przygoto¬ wanie jednostki wyladowczej by mogla ona reago¬ wac na przylozone napiecie.Przedstawiony na fig. 2 uklad do wybierania przewodów poszczególnych jednostek jarzeniowych zawiera tranzystor Ql, którego kolektor 31 pola¬ czony jest bezposrednio ze zródlem VI pradu sta¬ lego. Emiter 32 tranzystora Ql polaczony jest z ziemia poprzez obornik 33. Wejsciowy sygnal 34 o almlplitudzie 4V i czasie trwania okolo 100 nsek przykladany jest do bazy 30 tranzystora Ql. Tran¬ zystor Ql pracuje w ukladzie wzmacniacza, przy czym ernfilter 32 tranzystora Ql, bedacy elektroda wyjsciowa wzmacniacza jest "polaczony z baza 36 drugiego tranzystora Q2. Emiter 37 [tranzystora Q2 polaczony jest bezposrednio z ziemia a jego kolek¬ tor 38 ipolalczohy jest przez niewielki opornik 39 z pierwotnym uzwojeniem 40 polaczony jest po¬ przez diode D2 z zaciskiem zródla V? pradu sta¬ lego o stosunkowo wysokim na(pieciu. Ponadto równolegle z pierwotnym uzwojeniem 40 transfor¬ matora Tx polaczona jest dioda Dx.Z chwila gdy impuls 34 pochodzacy z adresuja¬ cego ukladu logicznego 61 zostanie przylozony po¬ przez kondensator 61C i oporowy dzielnik napie¬ ciowy 61RA, 61RB do bazy 30 tranzystora Ql pra¬ cujacego w ukladzie wtórnie emilterowego, tranzy¬ stor tan wprowadza gwaltownie tranzystor Q2 w stan przewddzenia. Zjawisko to jest tak szyb¬ kie, ze impuls pradowy plynacy przez pierwotne uzwojenie 40 transformatora Tlf powoduje powsta¬ nie imipulsu napieciowego we wtórnym uzwoje¬ niu 42.W momencie zakonczenia irnlpulsu 34, tranzystor Q2 przestaje przewodzic i 'przeplyw pradu przez uzwojenie pierwotne 40 transformatora Tlf zostaje .przerwany, a drugi impuls napieciowy wytworzony w tym momencie w uzwojeniu wtórnym 42 zostaje zlikwidowany przez diode Dl. Dioda Dl obdina ujemna czesc oscylacji, dzieki czemu imipuls wyj¬ sciowy ma ksztalt jednego pólokresu. Dioda Dl zabezpiecza ponadto tranzystor Q2 od duzych prze¬ piec które moga wystapic podczas wylaczania.W praktyce, wejsciowy impuls 34 trwa krócej niz pól okresu, aby móc uwzglednic ladunek zmaga¬ zynowany w tranzystorze, który przedluza czas wy¬ laczania tranzystora po zniknieciu sygnalu steru¬ jacego. Logiczny uklad 61, chociaz jest ukladem zlozonym, jest jednak wykonany w sposób kon¬ wencjonalny z ukladów wybierania liniowego albo z ukladów z dostepem ujednoliconym, z któryich kazdy dostarcza impulsy sterujace 34 w wybra¬ nych odstepach czasu.Uzwojenie wtórne 42 transformatora Tl polaczo¬ ne jest szeregowo z generatorem sygnalu podtrzy¬ mujacego 29 i z linia, przy czym polaczenie jest tak wykonane, ze obydwa napiecia sie dodaja.W celu zmniejszenia wzajemnego wplywu, czesto¬ tliwosc rezonansowa generatora podtrzymujacego 5 29 i czestotliwosc rezonansowa generatora imipul- sów sa rózne, co zmniejsza pdbór mocy i umozli¬ wia przeslanie do tablicy mozliwie duzego sygna¬ lu. Jakkolwiek nie jest to ograniczeniem ukladu, w przykladowym ukladzie czas trwania impulsu wytwarzanego przez tranzystor Q2 jest rzedu jed¬ nej mikrosekundy, a czas jednego okresu sygnalu podtrzymujacego jest rzedu dziesieciu mikrose¬ kund. - Dzialanie tablicy wyswietlajacej wymaga, ab^ do wszystkich linii dolaczony byl ciagly sygnal na¬ piecia podtrzymujacego. Pod 'pojeciem sygnalu cia¬ glego rozumie sie napiecie przemienne, na "przy¬ klad sinusoidalne lufo napiecie o zlozonym ksztalcie przebiegu, przykladane okresowo na krótkie odcin¬ ki czasu. Takie samo napiecie podtrzymujace przy¬ kladane jest do wszystkich linii poziomych, a do wszystkich linii pionowych przykladane jest rów¬ niez napiecie o podobnym ksztalcie lecz przesu¬ niete w ifazie w stosunku do pojprzednio wslpomnia- nego o 180°. Napiecia przykladane do tablicy prze¬ wodów sa symetryczne w stosunku do ziemi dzieki czemu mozna wybrac poszczególne jednostki ja¬ rzeniowe tablicy.Dla zmniejszenia wplywu zmiennego obciazenia pojemnosciowego na zródlo napiecia podtrzymuja¬ cego 29, równolegle do tablicy, podlaczona jest po¬ jemnosc 45. Pojemnosc ta powinna byc tym wiek¬ sza im wieksza przewiduje sie zmiane pojemnosci tablicy na skutek wlaczenia duzej ilosci jednostek jarzeniowych.Jak widac z fig. 1A z kazdylm przewodem tabli¬ cy polaczony jest generator impulsów 60-12-1... 60-12-n i 60-13-1... 60-13-n, który otrzymuje impuls sterujacy 34, z ukladu adresujacego 61. Jezeli na przyklad chce sie wybrac jednostke wyladowcza okreslona :przez skrzyzowanie przewodów 13-1 i 12-1, wówczas impuls sterujacy jest przykladany jednoczesnie do generatorów 60-13-1 i 60-12-1, przez co do dostarczanych przez generator 29 na¬ piec podtrzymujacych, znajdujacych sie w fazach przeciwnych, dodawane sa irclpulsy o tym samym Kierunku. Synchronizacyjne polaczenie 90 pomie¬ dzy generatorem podtrzymujacym 29 i logicznym ukladem adresujacym 61 zapewnia, ze imipuilsy 34 zjawiaja sie we wlasciwych momentach w stosun¬ ku do napiecia podtrzymujacego z generatora na¬ piec podtrzymujacych 29.Z chwila gdy sinusoidaline zmienne napiecie przy¬ lozone do jednostki jarzeniowej osiajgnie wielkosc napiecia zaplonu, w jednostce tej nastepuje wyla¬ dowanie. Przy zmniejszeniu amplitudy tejgo napie¬ cia, wyladowanie utrzymuje sie az do momentu, w którym napiecie osiagnie najnizszy poziom na¬ piecia podtrzymujacego, ponizej którego wylado¬ wanie zostaje przerwane. JezeM przylozone napie¬ cie przemienne jest nizsze od napiecia zaiplonu lecz wyzsze od napiecia podtrzymujacelgo, wówczas jed¬ nostka znajduje sie w stanie przygotowanym do pojedynczych wyladowan. 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60¦t 80292 a Róznica miedzy poziomami napiec odpowiadaja¬ cych zalaczaniu i wylaczaniu jest wykorzystywana tlo cel6w pamieciowych i wynika z gromadzenia ladunków na powierzchniach 17 i 18 pokryc 14 i '16 co powoduje powstanie w jednostce jarzenio¬ wej napiecia pamieciowego.Przy usytuowaniu jednostek jarzeniowych w po¬ ziomych i pionowych kolumnach, co wynika z ukladu poziomych i pionowych przewodów, istot¬ nym jest aby mozna bylo wplywac na stan po¬ szczególnych jednostek, nie naruszajac stanu jed¬ nostek pozostalych. Ponadto, ze wzgledu na pro¬ stote ukladu, jest pozadanym zastosowanie sygna¬ lu sinusoidalnego, równego luib nieco wiekszego od poziomu napiecia podtrzymujacego i jednoczesnie przykladanie do niektórych wybranych przewodów napiec dodatkowych zmieniajacych stan wybranych jednostek jarzeniowych.W celu wylaczenia wyfbranej jednostki, czyli za¬ konczenia serii wyladowan nalezy zlikwidowac na¬ gromadzone ladunki, okreslajace iprzedpiecie jed¬ nostki wyladowczej, w taki sposób, by amplituda przylozonego napiecia, czyli stala amplituda na¬ piecia podtrzymujacego 72A i 72B (patrz fig. 3) byla za mala do wywolania wyladowania. Impuls wylaczajacy jest identyczny z (impulsem wlaczaja¬ cym, przy czym stwierdzono, ze moment przylo¬ zenia impulsu wylaczajacego w stosunku do napie¬ cia podtrzymujacego ma wplyw na wylaczenie jed¬ nostki jarzeniowej jezeli zostanie przylozony tak, ze szczyt impulsu wypadnie w punkcie normalne¬ go wyladowania, czyli w punkcie 70 (paitirz fig. 3), lub zostanie przylozony tak, ze zmieni nachyle¬ nie najblizszego ostatniego wyladowania albo zo¬ stanie przylozony tak, ze zbocza impulsu i zbocze napiecia sinusoidalnego po zsumowaniu stworza w przyblizeniu zerowe nachylenie w punkcie ostat¬ niego wyladowania.Naciecie zaplonu lub napiecie konczace wylado¬ wanie wytwoitzóne w uzwojeniu wtórnym 42 trans¬ formatora, dodawane jest do napiecia wytwarza¬ nego przez generator sygnalu podtrzymujacego i w celu zapalenia wyfbranej jednostka jarzeniowej jest przykladane do wybranej pary przewodów w ze¬ spolach przewodów 12 i 13. Potencjal sasiednich jtfzewodów niepolaczonych do zródla wysokiego na¬ piecia zostaje podwyzszony przez sprzezenie po¬ jemnosciowe, co mogloby spowodowac pasozytni¬ cze zapalenie niewybranych jednostek janzenio-^ wych.Uklad wedlug wynalazku, przedstawiony na fig. 2 wykrywa napiecie wzbudzone w uzwojeniu pierwotnym 40 .przez uzwojenie wtórne 42 i zawie¬ ra diode D2 oraz przelacznik tranzystorowy z tran¬ zystorami Q3 i Q4. Anoda 78 polaczona jest z do¬ datnim zaciskiem zródla V2 pradu stalego, nato¬ miast jej katoda 79 jest polaczona z górnym kon¬ cem 77 uzwojenia pierwotnego 40. Emiter 86 tran¬ zystora Q4 polaczony jest z katoda 79 diody D2, a baza 82 tranzystora Q4 jest polaczona bezposred¬ nia anoda 78 diody D2. Kolektor 87 tranzystora Q4 polaczony jest 'bezposrednio z baza 83 tranzystora Q3, a kolektor 81 tranzystora Q3 z baza 82 tran¬ zystora Q4. Polaczenie tranzystorów Q4 i Q3 two¬ rzy uklad p^n-p-n i w przypadku pracy z odwrot¬ na biegunowoscia nalezy uzyc tranzystora Q4 typu n-p-n, tranzystora Q3 typu p-nHp. i odwrócic bie- 5 guinowosc diod Dl i D2.Napiecia wzbudzone przez uzwojenie wtórne 42 w uzwojeniu pierwotnym 40, które powoduja, ze górny koniec 77 uzwojenia 40 staje sie ujemny w sitosunku do dolnego konca 76 zostaja zwarte przez diode Dl, pnzy czym zwarcie to przenosi sie na strone pierwotna transformatora jako imala opor¬ nosc.Napiecia wzbudzane w uzwojeniu pierwotnym 40, podwyzszajace potencjal górnego konca 77 tego 'Uzwojenia, przykladane sa do diody Dl w kierun¬ ku zaporowym, zatem dioda ta dla tych napiec stanowi duza opornosc.Napiecia te zostaja przylozone do diody D2 rów¬ niez w kierunku zaporowym a róznica napiec na tej diodzie, przylozona miedzy emiter 86 i baza 82 tranzystora 84, powoduje, ze tranzystor ten zaczyna przewodzic. Kolektor 87 tranzystora Q4 móglby byc co prawda polaczony z dolnyfm koncem 76 uzwojenia pierwotnego 40 tak, aby stworzyc bocz¬ nik niiskoomowy uzwojenia pierwotnego 40, ale ze wzgledu na sprawnosc energetyczna i wymagania dotyczace mocy, tranzystor Q3 jest uzywany wraz z tranzystorem Q4 jako uklad p^n-pnn.W zwiazku z powyzszym, kolektor 81 tranzysto¬ ra Q3 polaczony jest bezposrednio z baza 82 tran¬ zystora Q4, kolektor 87 tranzystora Q4 polaczony bezposrednio z baza 83 tranzystora Q3 a emiter 80 tranzystora Q3 z dolnym koncem 76 uzwojenia pierwotnego 40. W ukladzie tym, napiecia dodat¬ nie wzbudzane w uzwojeniiu pierwotnym 40 sa wy¬ krywane na diodzie D2 (jak równiez na diodzie Dl), która wykrywa prady próbujace plynac w kierunku zaporowym. Napiecie zwrotne wystepuja¬ ce w diodzie D2 wystepuje równiez pomiedzy emi¬ terem 86 i ,baza 82 tranzystora Q4, co ze wzgledu na polaczenie typu pnn^pnn wywoluje przejscie tranzystorów Q3 i Q4 w stan przewodzenia. Stan przewodzenia tych tranzystorów odpowiada zbocz- nikowaniu uzwojenia pierwotnego Ibaindzo mala opornoscia, przenoszona na uzwojenie wtórne 42, w wyniku czego te napiecia, które przylozone lub wzbudzone w uzwojeniu wtórnym 42 zaindukowaly napiecia w uzwojeniu pierwotnym 40, pracuja na bardzo mala opornosc, co odpowiada malemu spad¬ kowi napiecia na uzwojeniu wtórnym.Zalety zastosowania opisanego ukladu w pola¬ czeniu z tablica jarzeniowa sa przedstawione na fig. 3.Tablica jarzeniowa przedstawiona na fig. 3 ja¬ ko prostokat narysowany linia przerywana zawie¬ ra uklaldy przewodów 12 i 13. Miejsca skrzyzowan przewodów 12 z przewodami 13 okreslaja poszcze¬ gólne jednostki jarzeniowe taJblicy. Zródla napie¬ cia podtrzymujacego, Oznaczone 29A i 29B wytwa¬ rzaja napiecia przesuniete wzgledem siebie o 160°, które sa podawane do przewodów 12-1, 12-2... 12-N oraz 13-1, 13-2... 13-N poprzez uzwojenie wtórne odpowiednich transformatorów T12-1, T12-2,... 15 20 25 30 35 40 45 50 55 609 sozw no T12-N oraz T13-2... T13-N, z których kazde odpo- wiadta uzwojeniu wttónnemu 48 z fig. 2. ttazdy z laczników S12-1, 812-2... S12-N oraz S13-1, S13-2... S13-N odpowiada tranzystorowi prze¬ laczajacemu' Q2 na fig. 2. LajdzniM te sa urucha¬ miane przez impulsy sterujace 34 z ukladu adre¬ sujacego 61, przy czym w celln wybrania i elek¬ trycznego uruchamiania wybranej jednostki jarze¬ niowej uruchamiane sa jednoczesnie jeden z lacz¬ ników S12-1, S12-2... S12-N oraz jeden z lacani- ków S13-1, S13-2... S13-N. Baterie V odpowiadaja zródlu V2 pradu stalego (fig. 2), przy czym cho¬ ciaz w rzeczywistosci stosowane jest jedno zródlo zasilania, dla ulatwienia wyjasnienia pracy poka¬ zano oddzielne baterie.Chwilowe zwarcie któregokolwiek z laczników wywoluje przeplyw impulsu pradu przez uzwoje¬ nie pierwotne odpowiedniego transformatora, co z kolei indukuje w uzwojeniu wtórnym tego trans¬ formatora impuls wysokiego napiecia, który dodaje sie do napiecia podtrzymujacego Vs/2 w okreslo¬ nym przewodzie.Zalózmy, ze nalezy uruchomic jednostke jarzenio¬ wa okreslona przez skrzyzowanie przewodów 12-2 i 13-2. Uklad adresujacy 61 fcowodluje chwilowe i jednoczesne zwarcie laczników 812-2 i S13-3. Im¬ pulsy pradu w uzwojeniu pierwotnym transforma¬ torów Tl2-2 i T13-2 indukuja impulsy napieciowe w uzwojeniach wtórnych tych transiformatorów.Impulsy napieciowe- dodaja sie do napiec podtrzy¬ mujacych i powoduja zapalenie sie czyli wylado¬ wanie w wybranej jednostce. Ze wzgledu na bli¬ skie sasiedztwo miedzy przewodami 12-1, 12-N a przewodem 12-2, oraz miedzy przewodami 13-1, 13-N a przewodem 13-2 zarówno w tych przewo¬ dach jak i w innych, dzieki poijemnosciom rozpro¬ szonym C, moga zostac wzbudzone impulsy paso¬ zytnicze.Dla zapewnienia by impulsy pasozytnicze nie spo¬ wodowaly niezamierzonego zadzialania jednostek wyladowczych umieszczonych wzdluz sasiednich przewodów, w kazdym z ukladów 60-13-1, 60-13-2... 60-13-N oraz 60-12-1, 60-13-2... 60-12-N umieszczo¬ ne sa urzadzenia zmniejszajace olpornosc wewnetrz¬ na ukladów w obecnosci napiec pasozytniczych. Ob¬ wody wykrywajace i laczace 112-1, 112-2... 112-N oraz 113-1, 113-1, 113^2... 113-N, wykrywaja napie¬ cie wzbudzone w uzwojeniach pierwotnych trans¬ formatorów T-12-1, T12-2... T12-N oraz T13-1, T13-N, zwieraja te nalpiecia i przenosza sie w po¬ staci malej opornosci na uzwojenia wtórne odpo¬ wiednich transformatorów. W ten sposób, kazde napiecie wzbudzone w sasiednim przewodzie wy¬ woluje jedynie niewielki spadek napiecia na uzwo¬ jeniu wtórnym, którego wielkosc nie wystarcza, nawet przy dodaniu do napiecia podtrzymujacego, do wywolania wyladowania w ^aiewybranej jed¬ nostce. Uklady wykrywajace i laczace 112 i 113 sa pokazane na fig. 3 i zawieraja diody Dl i D2 oraz tranzystory Q3 i Q4.Uklad poza obnizaniem opornosci dla impulsów pasozytniczych zmniejsza równiez impedancje transformatora dla pradów wywolanych napiecia¬ mi podtrzymujacymi Vs/2. PL PL

Claims (1)

Zastrzezenia patentowe 1. Generator impulsów do zasilania tablicy obra¬ zujacej dzialajacej na zasadzie wyladowania w ga- 5 zie zawierajacy uklad ksztaltowania impulsów pra¬ du oraz transformator impulsowy, którego uzwo¬ jenie pierwotne jest polaczone szeregowo ze zró¬ dlem napiecia zasilajacego i ukladem ksztaltowa¬ nia impulsów pradowych w uzwojeniu pierwot- io nym wywolujacych impulsy wysokiego napiecia w uzwojeniu wtórnym tego transformatora polaczo¬ nym z obciazeniem w postaci jednego przewodni¬ ka z grupy 'przewodników umieszczonych w swie¬ tle komory gazowej tablicy obrazujacej, zwlasz- is cza przewodnika wystepujacego w parze poprzecz¬ nie zorientowanych uszeregowan przewodników ta¬ blicy obrazujacej, w której to tablicy niepozadane ; impulsy napiecia zaklócajacego .moga w sposób niezamierzony byc przekazywane do wspomniane¬ go ' go przewodnika z sasiednich przewodników na sku¬ tek przylozenia pozadanego napiecia impulsowego do jednego lub kilku sasiednich przewodników, który to generator odznacza sie duza impedancja w czasie kierowania wspomnianego pozadanego na- 25 piecia impulsowego do przewodnika stanowiacego jego obciazenie, znamienny tym, ze zawiera uklad tranzystorowego przelacznika bocznikujajcy sprzeze¬ nie generatora impulsowego przynajmniej w cza¬ sie wystejpowania wspomnianych impulsów napie- 30 cia zaklócajacego — celem zmniejszenia impedan- cji generatora. 2. Generator impulsów wedlug zastirz. li, zna¬ mienny tym, ze uklad tranzystorowego przelaczni¬ ka zawiera czujnik reagujacy na potencjal prze- 35 wodnika, zalaczonego do uzwojenia wtórnego (40) transformatora (TI) powstajacy na tym przewodni¬ ku na skutek oddzialywania sasiednich przewodni¬ ków- 3. Generator impulsów wedlug zastrz.2, znamien- 40 ny tym, ze czujnikiem, reagujacym na potencjal przewodników jest idioda (D2) zalaczona szaregbwo z uzwojeniem pierwotnym i(40) transformatora (TI) w kierunku przewodzenia odpowiednio do polary¬ zacji zródla napiecia (V2). 45 4. Generator impulsów wedlug zastrz. 1, znamien¬ ny tym, ze uklad tranzystorowego przelacznika za¬ wiera srodki bocznikujace wtórne uzwojenie (42) transformatora (TI) sterowane przez czujniki reagu¬ jace na napiecie indukowane w uzwojeniu pierwot- 50 nym (40) przez uzwojenie wtórne (42). 5. Generator impulsów wedlug zastrz. 4, zna¬ mienny tym, ze srodki bocznikujace wtórne uzwo¬ jenie i(42) transformatora (TI) zawieraja diode (Dl) zalaczona równolegle do uzwojenia pierwotnego (40) 55 transformatora (TI). 6. Generator impulsów wedlug zastrz. 1 lub 3 lub 5, znamienny tym, ze uklad tranzystorowego praelacznika zawiera pare tranzystorów (Q3, Q4), przy czym obwód emiter (86) — baza (82) drugie- 60 go tranzystora (Q4) jeslt polaczony równolegle z dioda (D2) polaczona szeregowo z uzwojeniem pier¬ wotnym (40) transformatora (Tl), a obwody ba¬ za—kolektor tranzystorów (Q3, Q4) sa polaczone w ten sposób, ze baza (83) pierwszego tranzystora 65 (Q3) jest polaczona z kolektorem (87) drugiego80292 11 tranzystora (Q4), baza (82) drugiego tranzystora (Q4) jest polaczona z kolektorem (81) plierwszego tranzystora (QS) emiter (80) pierwszego tranzysto¬ ra (Q3) jiest polaczony z jednym koncem (76) uzwojenia pierwotnego (40) transformatora (TI) 12 oraz z wyjsciem ukladu ksztaltujacego impulsy pradowe rozwiazanego w znanym ukladzie, emiter (86) drugiego tranzystora (Q4) jest polaczony ze wspólnym punktem polaczenia diod (D2), (Dl) i z druglim koncem uzwojenia pierwotnego (40). IA i'0 ,17 20 16 16 13 IBKI. 21a136/02 80292 MKP H03k 1/08 ro^.n/72* 29A^Q 1/2 Vs ^7 TIM 112-1 ^ TI2-2 112-2 \ 29^© 1/2 Vs 60-12-1 'SI2-I 7(U^B J*™ z60-13-1 r'i3-u ronrmrL y Hf :~ti3-i SI3*I 113-1 ^SlMM^""
1.3-2, A 7oA^ 72B 72B 70-^ TI3-2 SI3-2 113-2 10^ KDd H3-2 I ^ rvYwv^-TI3-n ; 13-n 60-13-n prww-^-TI3-fl i V _ "-Sl3-nl 113-n I 12-1 7SlT2 TI2-n 112-n ^ jsi mi ¦c1r" M2-2 ' C -rfC "I * 60-12-n ll2-n ; V2!30-I50V) CZYFLLNIA Urzedu Patentowego Pllikiif Iziczmhi-. ej L. ., PL PL
PL13616969A 1969-10-04 1969-10-04 PL80292B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL13616969A PL80292B1 (pl) 1969-10-04 1969-10-04

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL13616969A PL80292B1 (pl) 1969-10-04 1969-10-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL80292B1 true PL80292B1 (pl) 1975-08-30

Family

ID=19950894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL13616969A PL80292B1 (pl) 1969-10-04 1969-10-04

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL80292B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3513327A (en) Low impedance pulse generator
US4751408A (en) Voltage-switching device
KR102038811B1 (ko) 광전 변환 소자 관리 방법 및 시스템
US3618071A (en) Interfacing circuitry and method for multiple-discharge gaseous display and/or memory panels
GB2102638A (en) Stored charge inverter circuit with rapid switching
US3636476A (en) Solid-state double resonant pulser
PL80292B1 (pl)
US3671749A (en) Simultaneous light triggering of thyristor arrays
US3959669A (en) Control apparatus for supplying operating potentials
US4171524A (en) Display device having a matrix of gas discharge display elements
EP0219999B1 (en) Electric circuit arrangement
KR19990006267A (ko) 전기 집진용 펄스 전원 장치 및 그 보호 방법
US3588597A (en) High power square wave sustaining generator for capacitive load gas discharge panels
US4535400A (en) Means and method for simultaneously triggering series SCR's
US4056806A (en) Interfacing circuitry and method for multiple discharge gaseous display and/or memory panels
US3662184A (en) Electronic circuitry for a flat gaseous discharge display panel
US3209229A (en) System for utilizing intelligence signals to perform control functions
US5391998A (en) Modulator for efficiently generating short high voltage repetitive pulses
US3409800A (en) Field effect transistor control circuitry for multi-axis display systems
US5399910A (en) High voltage/current pulse generator using spark gaps
CA1171984A (en) Scanning waveform generator for flat panel display devices
IL33106A (en) Low impedance pulse generator
US3505540A (en) Electrical pulse source
CN218587088U (zh) 一种基于场效应管的脉冲形成电路及功率源设备
EP0067220A1 (en) Plasma charge transfer device