PL78776B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL78776B2 PL78776B2 PL15900472A PL15900472A PL78776B2 PL 78776 B2 PL78776 B2 PL 78776B2 PL 15900472 A PL15900472 A PL 15900472A PL 15900472 A PL15900472 A PL 15900472A PL 78776 B2 PL78776 B2 PL 78776B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- dynamic vacuum
- working chamber
- high dynamic
- crystallization process
- epitaxial
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005185 salting out Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Obróbka termiczna w wysokiej dynamiczna prózni wplywa korzystnie na stan powierzchni podloza pólprzewodnikowego pod wzgledem czystosci Obróbka termiczna jest równiez stosowana do roztworu metalicznego (metalu) wraz z tyglem, — —w którym on sie znajduje, co powoduje jego oczyszczenie (odgazowanie) z tlenków i innych zanieczyszczen.Bezposrednio po tych operacjach podloze pólprzewodnikowe zanurza sie w roztworze metalicznym (metalu) za pomoca ukladu do manipulowania w komorze roboczej. Mozna równiez stosowac zalewanie plytki roztworem metalicznym lub metalem. Przy odpowiedniej predkosci chlodzenia nastepuje wzrost warstwy epitaksjalnej.Czynnosci te wykonuje sie w warunkach wysokiej dynamicznej prózni, która zapewnia czystosc procesu. Moz¬ liwe jest prowadzenie procesu wzrostu epitaksjalnego w otoczeniu gazu np. wodoru.Urzadzenie do wykonywania sposobu wedlug wynalazku jest przedstawione w przykladzie wykonania na rysunku który jest przekrojem pionowym.Urzadzenie sklada sie z dozownika czystego gazu 1 przez który wpuszcza sie szlachetny gaz (np. argon) do opróznionej komory roboczej, która sklada sie z plyty stalowej 2, szklanego klosza 3, uszczelnionego uszczelka 4. Wyladowanie jarzeniowe otrzymuje sie dzieki ukladowi triodowemu, który sklada sie z goracej katody 5, anody 6 i katody 7, do której podlaczonyjest blok grafitowy 8 z plytka 9.W celu uzyskania wiekszej wydajnosci procesu trawienia podloza plytki 9 do której przykladany jest potencjal ujemny, podlacza sie elektromagnes 10.Po bombardowaniu jonowym komore robocza 10 opróznia sie za pomoca ukladu do otrzymywania wyso¬ kiej dynamicznej prózni 17 i dokonuje sie wygrzewanie plytki pólprzewodnikowej 9 za pomoca grzejnika oporo- m wego 11. Jednoczesnie wygrzewa sie tygiel grafitowy 12 zawierajacy roztwór metaliczny (metal) 13 przy pomocy grzejnika oporowego 14. Nastepnie przesuwa sie zaslone mechaniczna 15 i przy pomocy ukladu manipulacyj¬ nego 16 plytke 9 zanurza sie w roztworze metalicznym (metal) 13. Zanurzenie wystepuje w temperaturze • 500—600°C w przypadku arsenu galu i przy nastepnym ochlodzeniu wystepuje wzrost warstwy epitaksjalnej. i PL PL
Claims (3)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób otrzymywania epitaksjalnych warstw pólprzewodnikowych* znamienny tym, ze podloze pólprzewodnikowe poddaje sie bombardowaniu jonowemu i wygrzewa w wysokiej dynamicznej prózni w ko¬ morze roboczej bezposrednio przed rozpoczeciem procesu krystalizacji epitaksjalnej..
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze roztwór metaliczny lub roztwory metaliczne poddaje sie78 776 3 wygrzewaniu w wysokiej dynamicznej prózni w komorze roboczej bezposrednio przed rozpoczeciem procesu krystalizacjiepitaksjalnej. ,. .
3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze proces krystalizacji epitaksjalnej prowadzi sie w prozni dynamicznej. . , , 4 Urzadzenie do stosowania sposobu wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze posiaua uklad tnodowy do bombardowania jarzeniowego zaopatrzony w goraca katode (5), anode (6) i katode (7) lub uklad diodowy oraz uklad do wygrzewania zaopatrzony w grzejniki oporowe lub indukcyjne (11) (14) i uklad do otrzymywania wysokiej dynamicznej prózni (17) w komorze roboczej (3). PL PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15900472A PL78776B2 (pl) | 1972-11-21 | 1972-11-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15900472A PL78776B2 (pl) | 1972-11-21 | 1972-11-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL78776B2 true PL78776B2 (pl) | 1975-06-30 |
Family
ID=19960666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL15900472A PL78776B2 (pl) | 1972-11-21 | 1972-11-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL78776B2 (pl) |
-
1972
- 1972-11-21 PL PL15900472A patent/PL78776B2/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Braslau et al. | Metal-semiconductor contacts for GaAs bulk effect devices | |
| US3895967A (en) | Semiconductor device production | |
| KR910007536B1 (ko) | 고온가열 스퍼터링 방법 | |
| US3647578A (en) | Selective uniform liquid phase epitaxial growth | |
| US3205101A (en) | Vacuum cleaning and vapor deposition of solvent material prior to effecting traveling solvent process | |
| US3063865A (en) | Process of treating a boron nitride crucible with molten aluminum | |
| US3466191A (en) | Method of vacuum deposition of piezoelectric films of cadmium sulfide | |
| JP2001518706A (ja) | インプランテーションによってドープされたシリコンカーバード半導体を熱的に回復させる方法 | |
| PL78776B2 (pl) | ||
| GB1309108A (en) | Apparatus and method for processing semiconductors | |
| KR20010110737A (ko) | 기판의 열처리를 위한 반응기에서의 통합된 가열 및 냉각장치 | |
| US3265528A (en) | Method of forming metal carbide coating on carbon base | |
| GB808580A (en) | Improvements in or relating to an element having a semi-conductor and a method of producing the same | |
| US4721836A (en) | Apparatus for transient annealing of semiconductor samples in a controlled ambient | |
| US3049447A (en) | Method of treating an alumina ceramic article with lithium borate | |
| US3463715A (en) | Method of cathodically sputtering a layer of silicon having a reduced resistivity | |
| Wood et al. | Melting model and Raman scattering during pulsed laser annealing of ion‐implanted silicon | |
| US2981646A (en) | Process of forming barrier layers | |
| US3798755A (en) | Electrolytic cell manufacture | |
| KR101871899B1 (ko) | 산화 알루미늄막의 성막 방법 및 형성 방법 및 스퍼터링 장치 | |
| CN105347848B (zh) | 一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法 | |
| US3607448A (en) | Chemical milling of silicon carbide | |
| US2856313A (en) | Method of plating quartz crystals | |
| US3764511A (en) | Moated substrate holding pedestal | |
| US3102061A (en) | Method for thermally etching silicon surfaces |