PL78713B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL78713B2 PL78713B2 PL15889972A PL15889972A PL78713B2 PL 78713 B2 PL78713 B2 PL 78713B2 PL 15889972 A PL15889972 A PL 15889972A PL 15889972 A PL15889972 A PL 15889972A PL 78713 B2 PL78713 B2 PL 78713B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- coaxial line
- coaxial
- pattern according
- line section
- input
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 30.09.1973 Opis patentowy opublikowano: 30.06.1975 78713 KI- 21e,27/26 MKP- G01r 27/2« CZYTELNIA Urzedu fotentotftego Twórcywynalazku: Antoni Skibinski, Zbigniew Szpigiel, Julian Kowar Uprawniony z patentu tymczasowego: Polski Komitet Normalizacji i Miar, Warszawa (Polska) Wzorzec tg 5, C, R wieloparametrowy, wspólosiowy przeznaczony do pracy w zakresie czestotliwosci do 100 MHz Przedmiotem wynalazku jest wzorzec tg5, C, R wieloparametrowy, wspólosiowy przeznaczony do pracy w zakresie czestotliwosci do 100 MHz, zwlaszcza do sprawdzania i legalizacji narzedzi sluzacych do pomiarów wspólczynnika strat dielektrycznych tgó, pojemnosci C i rezystancji R.Znane zestawy elementów R i C do wzorcowania wspólczynnika strat dielektrycznych tgó budowane sa w postaci kombinacji rezystorów i kondensatorów zamknietych w szczelnym pudle, stanowiacym ekran przeciw¬ zaklóceniowy i oslone przed pylem, lub uszkodzeniami mechanicznymi oraz wyposzone w zaciski wejsciowe.Wzorce takie wykazuja znaczne ograniczenia czestotliwosci pracy i nie nadaja sie do wzorcowania wspólczynnika strat dielektrycznych tg 6 w torach wspólosiowych, w zakresie wyzszych czestotliwosci.Przyczyna tego sa trudne do ustalenia obliczeniowego bledy tych wzorców spowodowane znacznym wplywem,paramterów szczatkowych (pojemnosci i indukcyjnosci), wynikajacych z niejednorodnej skomplikowa¬ nej geometrii poszczególnych elementów oraz ich polaczen. Wyzej opisane wzorce moga byc stosowane jedynie do czestotliwosci rzedu kulkudziesieciu kiloherców.Celem wynalazku jest konstrukcja wzorca tg5, C, R wieloparametrowego wspólosiowego pozbawiona wyzej opisanych wad, a w szczególnosci nadajaca sie do zastosowania w zakresie czestotliwosci zarówno niskich jak i wysokich do 100 MHz oraz mogaca jednoczesnie sluzyc jako kontrolny wspólosiowy wzorzec wspólczynnika strat dielektrycznych tg 5, rezystancji R i pojemnosci C.Cel ten zostal osiagniety przez opracowanie wzorca tg 6, C, R wieloparametrowego wspólosiowego przeznaczonego do pracy w zakresie czestotliwosci do 100 MHz, który stanowi sztywne rozlaczalne polaczenie dwóch odcinków, wejsciowego i wyjsciowego, jednolitej geometrycznie linii wspólosiowej, wyposazonych obustronnie w zlacza wspólosiowe i ruchome zwarcie, przy czym jeden odcinek linii zawiera rezystancje R, a drugi pojemnosc C. Wejsciowy odcinek linii ma przewód wewnetrzny wyposazony w cienkowarstwowy wzorcowy rezystor o srednicy takiej samej jak ten przewód. Wyjsciowy odcinek linii ma przewód wewnetrzny wyposazony w przelotowy wzorcowy kondensator o srednicy takiej samej jak ten przewód. Cienkowarstwowy wzorcowy rezystor i przelotowy wzorcowy kondensator wyposazone sa obustronnie w szczelne przegrody z materialu izolacyjnego, umieszczone pomiedzy wewnetrznym i zewnetrznym przewodem linii wspólosiowej,2 78 713 które zabezpieczaja wzorcowe elementy R i C przed wplywem zewnetrznych czynników atmosferycznych takich jak temperatura i wilgotnosc. Przegrody te stanowia jednoczesnie dodatkowe usztywnienie przewodu wewnetrz¬ nego linii wspólosiowej, zapewniajac równiez jego wspólosiowosc z przewodem zewnetrznym tej linii.Wzorcowanie rezystancji R i pojemnosci C dokonuje sie oddzielnie po rozlaczeniu wejsciowego i wyjscio¬ wego odcinka linii wspólosiowej i przeniesieniu ruchomego zwarcia kolejno na kazdy z tych odcinków.Wzorcowanie wspólczynnika strat dielektrycznych tg 8 dokonuje sie przez laczne uzycie obu odcinków linii polaczonych sztywno, przy ruchomym zwarciu umieszczonym na koncu odcinka wyjsciowego linii wspólosio¬ wej. Opisane rozwiazanie wzorca tg6, C, R odznacza sie prosta budowa poszczególnych jego elementów oraz latwoscia ustalania bledów i poprawek wynikajacych z nieskomplikowanego przestrzennego rozkladu fali elektro¬ magnetycznej w prostej konstrukcji calego ukladu wzorca.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony na przykladzie uwidocznionym na rysunku, który przedstawia wzorzec tg5, C, R wieloparametrowy wspólosiowy w przekroju wzdluzym odcinków linii wspólosiowej.Wejsciowy odcinek 1 i wyjsciowy odcinek 2 linii wspólosiowej maja jednakowe rozmiary geometryczne zewnetrzne i wewnetrzne. Kazdy z tych odcinków wyposazony jest obustronnie w zlacza wspólosiowe 3 o jednakowym standardzie. Wejsciowy odcinek 1 ma na pewnej dlugosci, cienkowarstwowy wzorcowy rezystor 6, umieszczony na osnowie ceramicznej, w przewodzie wewnetrznym 5 linii wspólosiowej. Wyjsciowy odcinek 2 ma na pewnej dlugosci, przelotowy wzorcowy kondensator 8 umieszczony w przewodzie wewnetrznym 7 linii wspólosiowej. Oba odcinki 1 i 2 linii wspólosiowej sa, w czasie wzorcowania tg 5, polaczone razem i zakonczone ruchomym zwarciem 4.W celu wzorcowania wspólczynnika strat dielektrycznych tg 5, calosc wzorca dolaczona jest wspólosiowo do urzadzenia pomiarowego, stanowiacego sprawdzane, lub legalizowane narzedzie pomiarowe. W czasie wzorco¬ wania rezystancji R, lub pojemnosci C odcinki 1 i 2 linii sa rozlaczone i wraz ze zwarciem 4 przylaczone do odpowiednich urzadzen pomiarowych. Dokladne, rzeczywiste wartosci liczbowe tg5, Ci R wzorca wieloparame¬ trowego wspólosiowego, ustala sie przez dokonanie oddzielnych pomiarów odcinków linii 1 i 2 metoda przelotowa i metoda zwarcia przez kolejne'dolaczenie ruchomego wspólosiowego zwarcia 4, lub oblicza sie za pomoca odpowiednich algorytmów uwzgledniajacych wszystkie znane parametry szczatkowe calego ukladu wzorca. Odcinki 1 i 2 pozbawione ruchomego zwarcia 4 na ich koncach zachowuja sie podobnie jak odcinki zwyklych linii dlugich. Przez zalozenie ruchomego zwarcia 4, przybieraja one osobno wlasnosci odpowiednio wzorca rezystancji R, lub wzorca pojemnosci C.Budowa taka ulatwia okreslenie parametrów szczatkowych, a jednorodnosc geometryczna obu odcinków linii ulatwia obliczeniowe ustalenie rozkladu pola elektromagnetycznego, istotne dla wyznaczenia bledów, poprawek i parametrów granicznych wzorca. PL PL
Claims (5)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Wzorzec tg6, C, R wieloparametrowy wspólosiowy przeznaczony do pracy w zakresie czestotliwosci do 100 MHz, znamienny tym, ze stanowi sztywne rozlaczalne polaczenie dwóch odcinków, wejsciowego (1) i wyjsciowego (2), jednolitej geometrycznie linii wspólosiowej, wyposazonych obustronnie w zlacza wspólosio¬ we (3) i ruchome zwarcie (4), przy czym wejsciowy odcinek (1) linii zawiera rezystancje, a wyjsciowy odcinek (2) pojemnosc.
2. Wzorzec wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze rezystancja wejsciowego odcinka (1) linii wspólosiowej, utworzona jest jako cienkowarstwowy wzorcowy rezystor (6) stanowiacy czesc odcinka, wewnetrznego przewodu (5) linii wspólosiowej i o srednicy takiej samej, jak tenprzewód. '
3. Wzorzec wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze pojemnosc wyjsciowego odcinka (2) linii wspólosiowej, utworzona jest jako przelotowy wzorcowy kondensator (8), stanowiacy czesc odcinka, wewnetrznego przewodu (7) linii wspólosiowej i o srednicy takiej samej, jak ten przewód.
4. Wzorzec wedlug zastrz. 2 i 3, znamienny tym, ze cienkowarstwowy wzorcowy rezystor (6) i przelotowy wzorcowy kondensator (8) wyposazone sa obustronnie w szczelne przegrody (9) z materialu izolacyjnego, umieszczone pomiedzy wewnetrznym i zewnetrznym przewodem linii wspólosiowej zabezpieczajace wzorcowe elementy R i C przed wplywem zewnetrznych czynników atmosferycznych i stanowiace jednoczesnie dodatkowe usztywnienie przewodu wewnetrznego (5, 7)
5. Wzorzec wedlug zastrz. 4, znamienny tym, ze szczelne przegrody (9) wykonane sa w postaci cienkich dysków teflonowych.KI. 21e,27/26 78713 MKP G01r 27/26 PL PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15889972A PL78713B2 (pl) | 1972-11-17 | 1972-11-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15889972A PL78713B2 (pl) | 1972-11-17 | 1972-11-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL78713B2 true PL78713B2 (pl) | 1975-06-30 |
Family
ID=19960601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL15889972A PL78713B2 (pl) | 1972-11-17 | 1972-11-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL78713B2 (pl) |
-
1972
- 1972-11-17 PL PL15889972A patent/PL78713B2/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5472561A (en) | Radio frequency monitor for semiconductor process control | |
| CN105745742B (zh) | 用于在装置与测试器之间传输信号的互连装置 | |
| US20080191711A1 (en) | Device for measurement of electrical properties in materials | |
| Lynch | Precise measurements on dielectric and magnetic materials | |
| Ulaby et al. | Microwave dielectric spectrum of rocks | |
| PL78713B2 (pl) | ||
| Awan et al. | A new four terminal-pair bridge for traceable impedance measurements at frequencies up to 1 MHz | |
| Awan et al. | Calibration of IVDs at frequencies up to 1 MHz by permuting capacitors | |
| De Silva et al. | Modeling and measuring of antenna array S-parameters and radiation efficiency | |
| Hill | Calibration of dc resistance standards and voltage-ratio boxes by an ac method | |
| US2505778A (en) | Device for determining moisture content, density, and direction of grain of wood, and other semiconducting material | |
| Siegel et al. | Design of an Oil-filled GTEM Cell for the Characterization of UHF PD Sensors | |
| CN117031134A (zh) | 一种低温固体介电常数测量方法及介电常数测量装置 | |
| Raju | Design of coaxial aircell fixture for the measurement of electromagnetic properties | |
| US3278840A (en) | Radio-frequency bridge having a delta input matching circuit | |
| JP3101024B2 (ja) | 一端子トリオ,二端子トリオ測定装置および電気係数測定方法 | |
| Jones et al. | Precision coaxial connectors in lumped parameter immittance measurement | |
| US3492569A (en) | Bridge circuit network for measurement of reflection coefficients | |
| Bednarsky et al. | Design and Implementation of Closed TEM Cells: Simulation-Based Approach | |
| Wu | Compact microwave dual-band bandpass filter design | |
| Kucera et al. | Improved calculable 4TP coaxial capacitance standards | |
| PL89121B1 (pl) | ||
| Narampanawe et al. | An empirical characterization of a flexible current probe for in-circuit impedance measurement | |
| SU1726986A1 (ru) | Устройство автоматизированного контрол слоев в многослойных диэлектрических издели х | |
| PL73571B2 (pl) |