PL76765B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL76765B2
PL76765B2 PL16229973A PL16229973A PL76765B2 PL 76765 B2 PL76765 B2 PL 76765B2 PL 16229973 A PL16229973 A PL 16229973A PL 16229973 A PL16229973 A PL 16229973A PL 76765 B2 PL76765 B2 PL 76765B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
silicon
carbon
negative
volatile
compounds
Prior art date
Application number
PL16229973A
Other languages
Polish (pl)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16229973A priority Critical patent/PL76765B2/pl
Publication of PL76765B2 publication Critical patent/PL76765B2/pl

Links

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 01.06.1974 Opis patentowy opublikowano: 15.04.19752 76 765 peratury 2200°C. Ponadto otrzymane sposobem wedlug wynalazku wyroby maja ksztalt i wymiary zgodne z negatywem wegjowym lub grafitowym.Przyklad I. Negatyw weglowy w ksztalcie tygla, wytworzony znanym sposobem, ogrzewa sie w atmo¬ sferze wodoru oczyszczonego z tlenu, pary wodnej, tlenku i dwutlenku wegla w temperaturze okolo 1000°C przez okolo 5 minut. Nastepnie podnosi sie temperature do 1300°C w komorze reakcyjnej, po czym wprowadza sie do niej mieszanine czystego wodoru, par czterochlorku krzemu i czterochlorku wegla, przy czym stosunek molowy krzemu do wodoru wynosi 1 :15, a stosunek krzemu do wegla wynosi 2 :1. Powstajacy w wyniku reakcji redukcji weglik krzemu osadza sie na negatywie weglowym w postaci litej warstwy, a gazowe produkty reakcji odprowadza sie z komory reakcyjnej. Po osadzeniu sie warstwy weglika krzemu na negatywie, ochladza sie go w atmosferze gazu obojetnego do temperatury 150°C a nastepnie wyrób ogrzewa sie w atmosferze utle¬ niajacej w temperaturze 1100°C. W wyniku tego spala sie negatyw weglowy, a pozostaje gotowy tygiel z weglika krzemu.Przyklad II. Negatyw grafitowy w ksztalcie rury, wytworzony znanym sposobem, ogrzewa sie w atmosferze wodoru, oczyszczonego z tlenu, pary wodnej, tlenku i dwutlenku wegla w temperaturze okolo 1100°C przez okolo 5 minut. Nastepnie podnosi sie temperature w komorze reakcyjnej do 1650°C, po czym do komory wprowadza sie mieszanine skladajaca sie z czystego wodoru, czystego argonu oraz par trójchlorosilanu i toluenu, przy czym stosunek molowy krzemu do wodoru wynosi 1 :20, a stosunek molowy krzemu do wegla wynosi 3:1. Powstajacy w wyniku reakcji weglik krzemu osadza sie na negatywie grafitowym w postaci litej warstwy, a gazowe produkty reakqi odprowadza sie z komory reakcyjnej. Po osadzeniu sie warstwy weglika krzemu na negatywie, ochladza sie go w atmosferze gazu obojetnego do temperatury 100°C, a nastepnie ogrzewa sie w atmosferze utleniajacej w temperaturze 900°C az do spalenia sie negatywu grafitowego. PL PLPriority: Application announced: June 1, 1974 Patent description was published: April 15, 19752 76 765 of 2200 ° C. Moreover, the products obtained by the method according to the invention have a shape and dimensions according to the negative carbon or graphite. Example I. A carbon negative in the shape of a crucible, produced by the known method, is heated in an atmosphere of hydrogen purified from oxygen, water vapor, carbon monoxide and carbon dioxide at a temperature of 1000 ° C for about 5 minutes. The temperature is then raised to 1300 ° C in the reaction chamber and a mixture of pure hydrogen, silicon tetrachloride and carbon tetrachloride vapor is introduced into it, the silicon to hydrogen molar ratio being 1:15 and the silicon to carbon ratio being 2: 1 . The silicon carbide resulting from the reduction reaction is deposited on the carbon negative in the form of a solid layer, and the gaseous reaction products are discharged from the reaction chamber. After the silicon carbide layer is deposited on the negative, it is cooled in an inert gas to 150 ° C, and then the product is heated in an oxidizing atmosphere to 1100 ° C. As a result, the carbon negative is burned, leaving a finished silicon carbide crucible. Example II. The tube-shaped graphite negative, made according to the known method, is heated in an atmosphere of hydrogen, purged of oxygen, water vapor, carbon monoxide and carbon dioxide at a temperature of about 1100 ° C for about 5 minutes. The temperature in the reaction chamber is then raised to 1650 ° C, and a mixture of pure hydrogen, pure argon and trichlorosilane and toluene vapor are introduced into the chamber, the molar ratio of silicon to hydrogen being 1:20 and the molar ratio of silicon to carbon is 3: 1. The silicon carbide formed as a result of the reaction is deposited on the graphite negative in the form of a solid layer, and the gaseous reaction products are discharged from the reaction chamber. After the silicon carbide layer is deposited on the negative, it is cooled in an inert gas to 100 ° C and then heated in an oxidizing atmosphere at 900 ° C until the graphite negative has burnt. PL PL

Claims (1)

Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania wyrobów z weglika krzemu, zwlaszcza rur, elementów grzejnych i tygli, znamienny tym, ze na uprzednio ogrzane podloze grafitowe, lub weglowe, stanowiace negatyw w ksztalcie wyrobu, osadza sie warstwe litego weglika krzemu, w wyniku redukcji lotnych zwiazków krzemu z lotnymi zwiazkami wegla, w atmosferze czystego wodoru lub mieszaniny czystego wodoru i czystego argonu, w temperaturze 1300—1650°C, po czym negatyw pokryty warstwa weglika krzemu ochladza sie w atmosferze gazu obojetnego do temperatury ponizej 200°C, a nastepnie ogrzewa sie w atmosferze utleniajacej w temperaturze ponizej 1500°C az do chwili spalania sie negatywu. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze grafitowe lub weglowe podloze ogrzewa sie przez okolo 5 minut w atmosferze czystego wodoru, w temperaturze okolo 1000°C. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze jako lotne zwiazki krzemu stosuje sie korzystnie cztero¬ chlorek krzemu, czterobromek krzemu, czterojodek krzemu, trójchlorosilan lub metylo-trójchlorosilan, a jako lotne zwiazki wegla stosuje sie korzystnie czterochlorek wegla, toluen lub acetylen, przy czym w mieszaninie substratów, stosunek molowy krzemu do wodoru jest wiekszy od 0,1, a stosunek molowy krzemu do wegla wiekszy odClaims 1. The method of manufacturing silicon carbide products, especially pipes, heating elements and crucibles, characterized in that a layer of solid silicon carbide is deposited on the previously heated graphite or carbon substrate, which is a negative in the shape of the product, as a result of the reduction of volatile compounds silicon with volatile carbon compounds, in an atmosphere of pure hydrogen or a mixture of pure hydrogen and pure argon, at a temperature of 1300-1650 ° C, then the negative coated with silicon carbide layer is cooled in an inert gas to a temperature below 200 ° C, and then heated in an oxidizing atmosphere at a temperature below 1500 ° C until the negative burns. 2. The method according to claim The process of claim 1, wherein the graphite or carbon substrate is heated for about 5 minutes in an atmosphere of pure hydrogen at a temperature of about 1000 ° C. 3. The method according to p. A process as claimed in claim 1, characterized in that silicon tetrachloride, silicon tetrabromide, silicon tetraiodide, trichlorosilane or methyl trichlorosilane are preferably used as volatile silicon compounds, and carbon tetrachloride, toluene or acetylene are preferably used as volatile carbon compounds, and in the mixture of substrates , the silicon to hydrogen mole ratio is greater than 0.1 and the silicon to carbon mole ratio is greater than 1. Prac. Poligraf. UP PRL. zam. 1912/75 naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL1. Work. Typographer. UP PRL. residing 1912/75 edition 120 + 18 Price PLN 10 PL PL
PL16229973A 1973-05-02 1973-05-02 PL76765B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16229973A PL76765B2 (en) 1973-05-02 1973-05-02

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16229973A PL76765B2 (en) 1973-05-02 1973-05-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL76765B2 true PL76765B2 (en) 1975-02-28

Family

ID=19962456

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16229973A PL76765B2 (en) 1973-05-02 1973-05-02

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL76765B2 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4298559A (en) High yield silicon carbide from alkylated or arylated pre-ceramic polymers
FI67569C (en) FOERFARANDE FOER FRAMSTAELLNING AV EN MELLANPRODUKT FOER PRODUKTION AV KISEL OCH / ELLER KISELKARBID
BG60159B2 (en) METAL-CERAMIC PRODUCTS AND THEIR PRODUCTION METHOD
IE45842B1 (en) Method of producing high density silicon carbide product
JPS54126699A (en) Production of silicon carbide powder
US3846162A (en) Metal carbonitride coatings
US4399115A (en) Synthesis of silicon nitride
ATE218509T1 (en) METHOD FOR PRODUCING TUNGSTEN CARBIDE PARTICLES
GB2122982A (en) Continuous silicon carbide whisker production
GB1236913A (en) Manufacture of silicon carbide
DE269663T1 (en) METHOD FOR PRODUCING A MELT FOR MINERAL WOOL PRODUCTION.
PL76765B2 (en)
JPS62241812A (en) Manufacture of silicon nitride
GB1182630A (en) Method for Making Hyperstoichiometric Carbide Compositions and Articles Made According to such Method
JPS63166789A (en) Graphite crucible used in pulling up device for silicon single crystal and production thereof
ES2127572T3 (en) PROCEDURE AND APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OF CERAMIC ITEMS.
ATE115088T1 (en) PROCESSES FOR PRODUCTION OF CARBIDE PRODUCTS.
EP0158387B1 (en) A process for calcining green coke
JPS5920634B2 (en) Manufacturing method of silicon carbide coated carbon material
ATE66901T1 (en) MANUFACTURE OF CERAMIC MATERIALS.
US3141737A (en) Method for the preparation of aluminum nitride refractory material
US983888A (en) Method of graphitizing.
SU806745A1 (en) Composition for inhibiting carbon reducing agent
JP3585302B2 (en) Manufacturing method of aluminum nitride
SU408905A1 (en) METHOD FOR PRODUCING CARBIDES OF ELEMENTS