PL75652B2 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 26.04.1975 75652 KI. 21e,l/30 MKP GOlr 1/30 CZYTELNIA Urzedu Paie^towecK hlskiij !•• ¦ .*.- l Twórca wynalazku: Henryk Luckos Uprawniony z patentu tymczasowego: Osrodek Badawczo-Rozwojowy Pomiarów i Automatyki Elektronicznej, Wroclaw (Polska) Uklad zwiekszajacy rezystancje wejsciowa wzmacniaczy operacyjnych z tranzystorami bipolarnymi na wejsciu Przedmiotem wynalazku jest uklad zwiekszajacy rezystancje wejsciowa wzmacniaczy operacyjnych z tranzystorami bipolarnymi na wejsciu, przezna¬ czony do stosowania w tych wszystkich przypad¬ kach, gdy wymieniony wzmacniacz operacyjny wspólpracuje ze zródlem o duzej rezystancji wejs¬ ciowej, szczególnie przydatny do stosowania w kon¬ strukcji ukladów pomiarowych, jak na przyklad woltomierzy cyfrowych.Znany jest uklad zwiekszajacy rezystancje wejs¬ ciowa wzmacniacza w postaci przedwzmacniacza róznicowego utworzonego z pary tranzystorów uni¬ polarnych. Znany jest takze uklad w postaci przed¬ wzmacniacza róznicowego utworzonego z dwóch tranzystorów bipolarnych oraz dodatkowego tran¬ zystora o przeciwnej polaryzacji, którego baza jest polaczona z wejsciem przedwzmacniacza.Wada znanych ukladów jest ich rozbudowana po¬ stac oraz koniecznosc stosowania par tranzystorów kompensowanych termicznie.Celem wynalazku jest umozliwienie uzyskania zwiekszenia rezystancji wejsciowej wzmacniaczy operacyjnych, z tranzystorami bipolarnymi na ich wejsciu, z wielkosci rzedu od 0,25 MQ do 1 MQ do wielkosci rzedu od 10 MQ do 20 MQ, bez ko¬ niecznosci stosowania rozbudowanych ukladów, wymagajacych uzywania par tranzystorów kom¬ pensowanych termicznie.Zadaniem wynalazku jest skonstruowanie ukladu realizujacego postawiony cel. 2 Cel ten zostal osiagniety przez opracowanie ukla¬ du utworzonego z dwóch komplementarnych tran¬ zystorów spolaryzowanych przeciwnie i polaczo¬ nych w ukladzie „wspólny kolektor", których bazy 5 sa polaczone przez rezystor z wejsciem wzmacnia¬ cza operacyjnego.Uklad wedlug wynalazku przez zastosowanie dwóch tranzystorów i trzech rezystorów droga kompensacji pradu wejsciowego wzmacniacza 10 umozliwia kilkunastokrotny wzrost rezystancji wejsciowej wzmacniacza operacyjnego.Wynalazek zostanie blizej objasniony w przy¬ kladzie wykonania, przedstawionym na zalaczonym rysunku, na którym pokazano jego schemat elek- 15 tryczny.Uklad wedlug wynalazku jest utworzony z dwóch komplementarnych tranzystorów 1 i 2 spolaryzo¬ wanych przeciwnie i polaczonych w ukladzie „wspólny kolektor". 20 Bazy tranzystorów 1 i 2 sa ze soba zwarte i po¬ laczone poprzez rezystor 3 z wejsciem We opera¬ cyjnego wzmacniacza 4. Emiter jednego z tranzy¬ storów jest polaczony poprzez rezystor 5 ze zró¬ dlem napiecia zasilajacego —Uz. Emiter drugiego 25 tranzystora 2 jest polaczony z drugim zródlem na¬ piecia zasilajacego +Uz, przez rezystor 6 o regu¬ lowanej rezystancji. Rezystor 6 o regulowanej re¬ zystancji sluzy do ustalenia wypadkowej sumy pradu baz tranzystorów 1 i 2 celem takiego ich so dobrania, aby mozliwie maksymalnie skompenso- 75 65275 652 3 wac prad wejsciowy operacyjnego wzmacniacza 4, co odpowiadac bedzie jego maksymalnej rezystancji wejsciowej. PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad zwiekszajacy rezystancje wejsciowa wzmacniaczy operacyjnych z tranzystorami bipo¬ larnymi na wejsciu, znamienny tym, ze jest utwo¬ rzony z dwóch komplementarnych tranzystorów (1, 2), polaczonych w ukladzie „wspólny kolektor", których bazy sa ze soba zwarte i polaczone przez rezystor (3) z wejsciem operacyjnego wzmacnia¬ cza (4).
2. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze emiter jednego z tranzystorów (1, Z) jest polaczo¬ ny ze zródlem napiecia zasilajacego przez rezy¬ stor (6) o regulowanej rezystancji. V PZG Bydg., zam. 60/75, nakl. 130 egz. Cena 10 zl PL