PL75632B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL75632B2
PL75632B2 PL15587272A PL15587272A PL75632B2 PL 75632 B2 PL75632 B2 PL 75632B2 PL 15587272 A PL15587272 A PL 15587272A PL 15587272 A PL15587272 A PL 15587272A PL 75632 B2 PL75632 B2 PL 75632B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
platinum
layer
resistance
temperature
thin
Prior art date
Application number
PL15587272A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL15587272A priority Critical patent/PL75632B2/pl
Publication of PL75632B2 publication Critical patent/PL75632B2/pl

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

Pierwszenstwo:_ Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 17.04.1975 75632 KI. 48b,15 00 MKP C23c 15/00 ^Zi Twórcy wynalazku: Marian Lukaszewicz, Michal Tancula, Kazimierz Wieckowski Uprawniony z patentu tymczasowego: Politechnika Wroclawska, Wroclaw (Polska) Sposób wytwarzania cienkiej warstwy platyny Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkiej warstwy platyny o duzym temperaturo¬ wym wspólczynniku rezystancji mogacej znalezc zastosowanie w kontroli sredniej temperatury po¬ wierzchni cial stalych.Znanym sposobem otrzymywania cienkich warstw platyny o duzym temperaturowym wspólczynniku rezystancji jest parowanie w wysokiej prózni albo katodowe rozpylanie w atmosferze gazu chemicznie obojetnego. Po procesie nanoszenia cienka warstwe metalicznej platyny poddaje sie starzeniu w celu poprawienia jej wlasnosci metalicznych. Tempera¬ turowy wspólczynnik rezystancji warstw platyny uzyskiwanych znanymi sposobami nie przekracza wartosci 2,5 10-3 K-2 z czego wynika mala czulosc czujników do pomiaru temperatury z wykorzysta¬ niem cienkiej warstwy platyny.Celem wynalazku jest zwiekszenie temperaturo¬ wego wspólczynnika rezystancji, zas zagadnieniem technicznym wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania, który doprowadzi do uzyskania cien¬ kiej warstwy platyny o duzej wartosci temperatu¬ rowego wspólczynnika rezystancji.Zagadnienie to zostalo rozwiazane przez nanie¬ sienie platyny w atmosferze gazu reaktywnego przez reaktywne katodowe rozpylanie a nastepnie wygrzanie naniesionej warstwy w temperaturze 800°K—2000°K w czasie od kilkunastu godzin do kilku sekund, najkorzystniej w temperaturze 870 K w czasie 5—30 minut. 10 15 25 2 Zasadnicza korzyscia techniczna wynikajaca ze stosowania sposobu wytwarzania cienkiej warstwy platyny wedlug wynalazku jest uzyskanie duzej wartosci temperaturowego wspólczynnika rezystan¬ cji, a zatem mozliwosc wykonania platynowego czujnika cienkowarstwowego o duzej czulosci.Sposób otrzymywania cienkiej warstwy platyny wedlug wynalazku jest objasniony w przykladach wykonania.Przyklad I. Na podlozu z ceramiki alundowo- cyrkonowej nanosi sie cienka warstwe metoda roz¬ pylania platyny w systemie diodowym w atmosfe¬ rze powietrza. Warunki rozpylania cisnienie powie¬ trza i0_1Tr, prad wyladowania 20 mA, napiecie 1700 V, osiowe pole magnetyczne 4 103A/m. Elek¬ troda z blachy platynowej 50X60X0,2 mm umiesz¬ czona jest w odleglosci 55 mm od podlozy. Szybkosc nanoszenia wynosi 0,25 mm/s, a czas nanoszenia 25 minut. Bezposrednio po napyleniu otrzymuje sie warstwy o rezystancji powierzchniowej 750 /KW i ujemnym temperaturowym wspólczynniku rezy¬ stancji —4 lO^K-1. Warstwy wygrzewa sie w po¬ wietrzu o temperaturze 870°K w ciagu 15 min. Po wygrzaniu rezystancja powierzchniowa wynosi 5,5 /KW, a temperaturowy wspólczynnik rezystancji osiaga dodatnia wartosc 3,5 10-^K-1.Warstwy zabezpiecza sie warstwa SiO o grubo¬ sci 2 m. Po stabilizacji w powietrzu o temperaturze 650 K wykazuja w czasie 150 godzin wygrzewania 75 63275 632 3 w temperaturze 620 K w powietrzu zmiany rezy¬ stancji mniejsze od 0,5%.Przyklad II. Warstwy na tym samym podlozu nanosi sie jak w przykladzie I. Naniesiona warstwe o rezystancji powierzchniowej 750 /KW i tempera¬ turowym wspólczynniku rezystancji —4 10-3 K-1 wygrzewa sie w powietrzu o temperaturze 1800 K w czasie 20 sek. Po wygrzaniu rezystancja po¬ wierzchniowa wynosi 5,8/KW, a temperaturowy wspólczynnik rezystancji osiaga dodatnia wartosc 3 10-3 K-1. 10 PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cienkiej warstwy platyny o duzym temperaturowym wspólczynniku rezystancji polegajacy na wytworzeniu przez reaktywne kato¬ dowe rozpylanie warstwy platyny na dielektrycz¬ nym podlozu, znamienny tym, ze platyne nanosi sie w atmosferze gazu reaktywnego, a nastepnie naniesiona warstwe poddaje sie wygrzewaniu w temperaturze 800 K—200 K w czasie od kilkunastu do kilku sekund, najkorzystniej w temperaturze 870 K w czasie 5—30 min. ERRATA Lam 4, wiersz 10 Jest: 800 K-200K powinno byc: 800 K- 2 000 K PZG Bydg. zam. 58/75, nakl. 120 egz. Cena 10 zl PL PL
PL15587272A 1972-06-08 1972-06-08 PL75632B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15587272A PL75632B2 (pl) 1972-06-08 1972-06-08

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15587272A PL75632B2 (pl) 1972-06-08 1972-06-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL75632B2 true PL75632B2 (pl) 1974-12-31

Family

ID=19958861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL15587272A PL75632B2 (pl) 1972-06-08 1972-06-08

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL75632B2 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4028657A (en) Deposited layer type thermometric resistance structure
US3720541A (en) Transparent articles
US4690872A (en) Ceramic heater
Smyth et al. The Heat‐Treatment of Anodic Oxide Films on Tantalum: III. The Conductivity Profile
PL75632B2 (pl)
JPS6037886B2 (ja) 抵抗温度計用の感温体の製法
JPH01315101A (ja) 感温抵抗素子およびその製造方法
RU2407820C1 (ru) Способ нанесения покрытия на изделия из керамики в вакууме
US4400255A (en) Control of electron bombardment of the exhaust oxygen sensor during electrode sputtering
US3177094A (en) Method for coating a molybdenum wire with a carbon layer and the coated article
JPS6358706A (ja) 電気皮膜
US3644188A (en) Anodizable cermet film components and their manufacture
JPH0340483B2 (pl)
US3382100A (en) Rhenium thin film resistors
US3455724A (en) Processes of preparing vanadium suboxide coatings
US3738919A (en) Technique for adjusting temperature coefficient of resistance of tantalum aluminum alloy films
JPH02104647A (ja) Ni−P合金皮膜の熱処理方法
Winsztal et al. Preparation and investigation of LaB6 films
JPH08219901A (ja) 測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方法
SU71091A1 (ru) Способ получени тонких слоев металлических покрытий
US3822146A (en) Application of electrically conductive coatings to insulating tubes of switching magnets for particle accelerators
JP2646979B2 (ja) ガラス基材上へのアルミナ膜形成方法
SU135321A1 (ru) Способ получени электропроводных пленок на эмали
Phahle et al. Dielectric properties of rf sputtered thin aluminium fluoride films
JPH03131001A (ja) 抵抗温度センサ