PL75632B2 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL75632B2 PL75632B2 PL15587272A PL15587272A PL75632B2 PL 75632 B2 PL75632 B2 PL 75632B2 PL 15587272 A PL15587272 A PL 15587272A PL 15587272 A PL15587272 A PL 15587272A PL 75632 B2 PL75632 B2 PL 75632B2
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- platinum
- layer
- resistance
- temperature
- thin
- Prior art date
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
Pierwszenstwo:_ Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 17.04.1975 75632 KI. 48b,15 00 MKP C23c 15/00 ^Zi Twórcy wynalazku: Marian Lukaszewicz, Michal Tancula, Kazimierz Wieckowski Uprawniony z patentu tymczasowego: Politechnika Wroclawska, Wroclaw (Polska) Sposób wytwarzania cienkiej warstwy platyny Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkiej warstwy platyny o duzym temperaturo¬ wym wspólczynniku rezystancji mogacej znalezc zastosowanie w kontroli sredniej temperatury po¬ wierzchni cial stalych.Znanym sposobem otrzymywania cienkich warstw platyny o duzym temperaturowym wspólczynniku rezystancji jest parowanie w wysokiej prózni albo katodowe rozpylanie w atmosferze gazu chemicznie obojetnego. Po procesie nanoszenia cienka warstwe metalicznej platyny poddaje sie starzeniu w celu poprawienia jej wlasnosci metalicznych. Tempera¬ turowy wspólczynnik rezystancji warstw platyny uzyskiwanych znanymi sposobami nie przekracza wartosci 2,5 10-3 K-2 z czego wynika mala czulosc czujników do pomiaru temperatury z wykorzysta¬ niem cienkiej warstwy platyny.Celem wynalazku jest zwiekszenie temperaturo¬ wego wspólczynnika rezystancji, zas zagadnieniem technicznym wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania, który doprowadzi do uzyskania cien¬ kiej warstwy platyny o duzej wartosci temperatu¬ rowego wspólczynnika rezystancji.Zagadnienie to zostalo rozwiazane przez nanie¬ sienie platyny w atmosferze gazu reaktywnego przez reaktywne katodowe rozpylanie a nastepnie wygrzanie naniesionej warstwy w temperaturze 800°K—2000°K w czasie od kilkunastu godzin do kilku sekund, najkorzystniej w temperaturze 870 K w czasie 5—30 minut. 10 15 25 2 Zasadnicza korzyscia techniczna wynikajaca ze stosowania sposobu wytwarzania cienkiej warstwy platyny wedlug wynalazku jest uzyskanie duzej wartosci temperaturowego wspólczynnika rezystan¬ cji, a zatem mozliwosc wykonania platynowego czujnika cienkowarstwowego o duzej czulosci.Sposób otrzymywania cienkiej warstwy platyny wedlug wynalazku jest objasniony w przykladach wykonania.Przyklad I. Na podlozu z ceramiki alundowo- cyrkonowej nanosi sie cienka warstwe metoda roz¬ pylania platyny w systemie diodowym w atmosfe¬ rze powietrza. Warunki rozpylania cisnienie powie¬ trza i0_1Tr, prad wyladowania 20 mA, napiecie 1700 V, osiowe pole magnetyczne 4 103A/m. Elek¬ troda z blachy platynowej 50X60X0,2 mm umiesz¬ czona jest w odleglosci 55 mm od podlozy. Szybkosc nanoszenia wynosi 0,25 mm/s, a czas nanoszenia 25 minut. Bezposrednio po napyleniu otrzymuje sie warstwy o rezystancji powierzchniowej 750 /KW i ujemnym temperaturowym wspólczynniku rezy¬ stancji —4 lO^K-1. Warstwy wygrzewa sie w po¬ wietrzu o temperaturze 870°K w ciagu 15 min. Po wygrzaniu rezystancja powierzchniowa wynosi 5,5 /KW, a temperaturowy wspólczynnik rezystancji osiaga dodatnia wartosc 3,5 10-^K-1.Warstwy zabezpiecza sie warstwa SiO o grubo¬ sci 2 m. Po stabilizacji w powietrzu o temperaturze 650 K wykazuja w czasie 150 godzin wygrzewania 75 63275 632 3 w temperaturze 620 K w powietrzu zmiany rezy¬ stancji mniejsze od 0,5%.Przyklad II. Warstwy na tym samym podlozu nanosi sie jak w przykladzie I. Naniesiona warstwe o rezystancji powierzchniowej 750 /KW i tempera¬ turowym wspólczynniku rezystancji —4 10-3 K-1 wygrzewa sie w powietrzu o temperaturze 1800 K w czasie 20 sek. Po wygrzaniu rezystancja po¬ wierzchniowa wynosi 5,8/KW, a temperaturowy wspólczynnik rezystancji osiaga dodatnia wartosc 3 10-3 K-1. 10 PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cienkiej warstwy platyny o duzym temperaturowym wspólczynniku rezystancji polegajacy na wytworzeniu przez reaktywne kato¬ dowe rozpylanie warstwy platyny na dielektrycz¬ nym podlozu, znamienny tym, ze platyne nanosi sie w atmosferze gazu reaktywnego, a nastepnie naniesiona warstwe poddaje sie wygrzewaniu w temperaturze 800 K—200 K w czasie od kilkunastu do kilku sekund, najkorzystniej w temperaturze 870 K w czasie 5—30 min. ERRATA Lam 4, wiersz 10 Jest: 800 K-200K powinno byc: 800 K- 2 000 K PZG Bydg. zam. 58/75, nakl. 120 egz. Cena 10 zl PL PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15587272A PL75632B2 (pl) | 1972-06-08 | 1972-06-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL15587272A PL75632B2 (pl) | 1972-06-08 | 1972-06-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL75632B2 true PL75632B2 (pl) | 1974-12-31 |
Family
ID=19958861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL15587272A PL75632B2 (pl) | 1972-06-08 | 1972-06-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL75632B2 (pl) |
-
1972
- 1972-06-08 PL PL15587272A patent/PL75632B2/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4028657A (en) | Deposited layer type thermometric resistance structure | |
| US3720541A (en) | Transparent articles | |
| US4690872A (en) | Ceramic heater | |
| Smyth et al. | The Heat‐Treatment of Anodic Oxide Films on Tantalum: III. The Conductivity Profile | |
| PL75632B2 (pl) | ||
| JPS6037886B2 (ja) | 抵抗温度計用の感温体の製法 | |
| JPH01315101A (ja) | 感温抵抗素子およびその製造方法 | |
| RU2407820C1 (ru) | Способ нанесения покрытия на изделия из керамики в вакууме | |
| US4400255A (en) | Control of electron bombardment of the exhaust oxygen sensor during electrode sputtering | |
| US3177094A (en) | Method for coating a molybdenum wire with a carbon layer and the coated article | |
| JPS6358706A (ja) | 電気皮膜 | |
| US3644188A (en) | Anodizable cermet film components and their manufacture | |
| JPH0340483B2 (pl) | ||
| US3382100A (en) | Rhenium thin film resistors | |
| US3455724A (en) | Processes of preparing vanadium suboxide coatings | |
| US3738919A (en) | Technique for adjusting temperature coefficient of resistance of tantalum aluminum alloy films | |
| JPH02104647A (ja) | Ni−P合金皮膜の熱処理方法 | |
| Winsztal et al. | Preparation and investigation of LaB6 films | |
| JPH08219901A (ja) | 測温抵抗体素子の抵抗温度係数の調整方法 | |
| SU71091A1 (ru) | Способ получени тонких слоев металлических покрытий | |
| US3822146A (en) | Application of electrically conductive coatings to insulating tubes of switching magnets for particle accelerators | |
| JP2646979B2 (ja) | ガラス基材上へのアルミナ膜形成方法 | |
| SU135321A1 (ru) | Способ получени электропроводных пленок на эмали | |
| Phahle et al. | Dielectric properties of rf sputtered thin aluminium fluoride films | |
| JPH03131001A (ja) | 抵抗温度センサ |