PL75550B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL75550B2
PL75550B2 PL15553572A PL15553572A PL75550B2 PL 75550 B2 PL75550 B2 PL 75550B2 PL 15553572 A PL15553572 A PL 15553572A PL 15553572 A PL15553572 A PL 15553572A PL 75550 B2 PL75550 B2 PL 75550B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
distribution
circuit
probe
electric field
tested
Prior art date
Application number
PL15553572A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL15553572A priority Critical patent/PL75550B2/pl
Publication of PL75550B2 publication Critical patent/PL75550B2/pl

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Description

Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 30.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 15.01.1975 75550 KI. 21e,29/14 MKP G01r 29/14 CZYTELNIA Urzedu Patero Twórcawynalazku: Tadeusz Morawski Uprawniony z patentu tymczasowego: Politechnika Warszawska, Warszawa (Polska) Sposób wyznaczania wzglednego rozkladu pola elektrycznego w malostratnym, mikrofalowym obwodzie nierezonansowym Przedmiotem wynalazku jest sposób wyznaczania wzglednego rozkladu pola elektrycznego w malostrat¬ nym, mikrofalowym obwodzie nierezonansowym.Nierezonansowe obwody mikrofalowe, jak np. filtry, linie opózniajace, transformatory impedancji, transformatory rodzaju fal, sa na ogól zbudowane z odcinków linii przesylowych zawierajacych niejednorodnos¬ ci. Znajomosc rozkladu pola w takich obwodach pozwala okreslic szereg waznych parametrów np. wytrzy¬ malosc na przebicie, rozklad gestosci pradów w przewodach i niejednorodnosciach, parametry schematu zastepczego niejednorodnosci, wplyw ksztaltu niejednorodnosci na opornosc strat. W przypadku linii opózniaja¬ cych stosowanych do lamp o fali biezacej znajomosc rozkladu pola elektrycznego przy róznych czestotliwos¬ ciach pozwala na obliczenie charakterystyki fazowej linii oraz impedancji sprzezenia.Obecnie sa stosowane dwie metody wyznaczania rozkladu pola elektrycznego w obwodach nierezonanso- wych: metoda sondy i metoda perturbacji. Metoda sondy polega na przesuwaniu w badanym obszarze sondy, dolaczonej do detektora i miernika i obserwowaniu wskazan tego miernika. Umieszczenie sondy wewnatrz badanego obszaru znieksztalca rozklad pola mierzonego, wobec czego metoda sondy moze byc stosowana jedynie do przyblizonych pomiarów, glównie w poblizu scianki, ograniczajacej badany obszar.Metoda perturbacji polega na przesuwaniu w badanym obszarze malego elementu metalowego i obserwowa¬ niu malych zmian pewnych wybranych wielkosci, na przyklad — zmian czestotliwosci rezonansowej—jesli badany obwód ma charakter rezonansowy, lub zmian wspólczynnika fali stojacej na wejsciu obwodu —jeslijest to obwód dopasowany do linii pomiarowej. Tak wiec, w przypadku obwodu nierezonansowego mamy dwa wyjscia- albo utworzyc obwód rezonansowy, przez dodanie odpowiedniej powierzchni przewodzacej(co jest jednak niewygodne konstrukcyjnie, a poza tym nie mozna wówczas wyznaczac rozkladu pola przy dowolnej czestotliwosci), albo dopasowac badany obwód nierezonansowy do linii pomiarowej za pomoca regulowanego transformatora impedancji.Ta ostatnia mozliwosc wymaga posiadania odpowiedniego sprzetu (regulowanego transformatora impeda¬ ncji) a ponadto pojawic sie moga trudnosci w uzyskaniu dopasowania, gdy obwód badany jest malostratny.75 550 Celem wynalazku jest opracowanie szybkiej i prostej metody wyzuac/unia wzglednego rozkladu pola elektrycznego w malostratnych, mikrofalowych obwodach nierc/onansowych, umozliwiajacej wyznaczenie roz¬ kladu pola wewnatrz obszaru badanego, przy dowolnej czestotliwosci oraz przy pomocy prostego, typowego sprzetu.Wytyczony cel zostal zrealizowany zgodnie z wynalazkiem przez opracowanie sposobu wyznaczania wzglednego rozkladu pola elektrycznego w malostratnym, mikrofalowym obwodzie nierezonansowym. Opraco¬ wany sposób jest odmiana metody perturbacji. Sposób ten polega na tym, ze dolacza sie badany obwód do linii pomiarowej, której wejscie jest dolaczone do generatora, a nastepnie ustawia sie sonde linii pomiarowej w poblizu minimum fali stojacej i obserwuje sie wskazania miernika, dolaczonego do wyjscia detektora tej sondy, w funkcji polozenia malego, metalowego elementu zaburzajacego, przesuwanego wewnatrz obszaru badanego.Nastepnie oblicza sie wzgledny rozklad pola w tym obwodzie w sposób analityczny.Sposób wedlug wynalazku umozliwia wyznaczanie rozkladu pola elektrycznego wewnatrz obszaru badanego obwodu, a wiec nie ma wad wspomnianej metody sondy. Rozklad pola mozna wyznaczac przy dowolnej czestotliwosci — nie ma wiec niedogodnosci metody, polegajacej na tworzeniu rezonatora z badanego obwodu nierezonansowego.Pomiar odbywa sie przy uzyciu typowego sprzetu, nie ma potrzeby uzycia regulowanego transformatora impedancji, dopasowujacego badany obwód do linii pomiarowej.Przyklad sposobu wedlug wynalazku jest przedstawiony na rysunku, na którym uwidoczniony jest generator G dolaczony na wejscie linii pomiarowej LP, zaopatrzonej w przesuwana sonde S z detektorem D i wskaznikiem W. Na wyjsciu linii pomiarowej LP dolaczony jest obwód badany OB zawierajacy wewnatrz przesuwany element zaburzajacy EZ, o takim ksztalcie, aby oddzialywal on glównie na pole elektryczne.Zaburzenie pola w obwodzie badanym powoduje zmiane wspólczynnika odbicia T na wejsciu obwodu proporcjonalna do kwadratu wartosci zaburzonego pola.(Ar) ^E2 (1) Zaburzeniu towarzyszy przesuniecie sie fali stojacej (A 1) wzdluz linii. Ze wzoru okreslajacego zaleznosc wspólczynnika V od wartosci A 1 : r(Al) =r(o)e-J20Al (2) wynika ze: (Ar) = [r(o)] •20A1 (3) Rozklad amplitud fali stojacej na linii dany jest wyrazeniem (w decybelach): G = 10 log (cos20Al + p2sin20Al) (4) gdzie: G — wskazanie wskaznika, p wspólczynnik fali stojacej, 0 - stala fazowa, Al - odleglosc od minimum.Dla Al ^ O w przyblizeniu: G^101og[l+(pj3Al)2] (5) Uwzgledniajac wzory (1) i (3) otrzymuje sie: pfiM =kE2 (6) G-10log[l+(kE)2]2 (7)# gdzie k — staly wspólczynnik.Analizujac zaleznosc (7) mozna dojsc do wniosku, ze wskazanie G w przedziale 2—5 dB zalezy prostolinio¬ wo od E2 z dokladnoscia okolo 2%. Dla wyznaczenia rozkladu pola nalezy ustawic sonde w poblizu minimum fali stojacej, tak aby poziom sygnalu byl o 2dB wiekszy niz w minimum, nastepnie nalezy dobrac rozmiary elementu zaburzajacego tak, by w czasie jego przemieszczania w badanym obszarze poziom sygnalu na wyjsciu sondy zmienial sie w przedziale 2-5 dB. Nastepnie przesuwa sie w badanym obszarze element zaburzajacy i mierzy sie zaleznosc wskazan miernika na wyjsciu sondy od polozenia elementu zaburzajacego.Wzgledny rozklad pola okresla sie ze wzoru: E(P) _ AG(P) Emax " AGmax ^ (8) gdzie E (P) - wartosc natezenia pola elektrycznego w punkcie P.75 550 3 AG(P) = Gp-G0 G (P) — poziom sygnalu (w decybelach) na wyjsciu sondy po umieszczeniu elementu zaburzajacego w punkcie P G0 — poziom sygnalu (w decybelach) na wyjsciu sondy, przed wlozeniem elementu zaburzajacego do badania obszaru Emax -AG max - maksymalne wartosci wielkosci E i A G. (9) PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób pomiaru rozkladu pola elektrycznego w malostratnym, mikrofalowym obwodzie nierezonanso- wym, znamienny tym, ze mierzy sie zaleznosc miedzy poziomem sygnalu wskazywanym przez wskaznik (W) dolaczony do detektora (D) sondy (S) umieszczonej w poblizu minimum fali stojacej na linii pomiarowej (LP), do której jest dolaczony badany obwód (OB), a miejscem umieszczenia elementu zaburzajacego (EZ) wewnatrz obwodu badanego, zas rozklad pola elektrycznego oblicza sie w sposób analityczny wykorzystujac dokonany uprzednio pomiar. LP i-.- i 0vvis I I PL PL
PL15553572A 1972-05-23 1972-05-23 PL75550B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15553572A PL75550B2 (pl) 1972-05-23 1972-05-23

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL15553572A PL75550B2 (pl) 1972-05-23 1972-05-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL75550B2 true PL75550B2 (pl) 1974-12-31

Family

ID=19958670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL15553572A PL75550B2 (pl) 1972-05-23 1972-05-23

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL75550B2 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Staebell et al. An experimental technique for in vivo permittivity measurement of materials at microwave frequencies
Nelson A system for measuring dielectric properties at frequencies from 8.2 to 12.4 GHz
Birks The measurement of the permeability of low-conductivity ferromagnetic materials at centimetre wavelengths
RU2365903C1 (ru) Способ измерения влагосодержания и солесодержания нефти
Sarabandi A technique for dielectric measurement of cylindrical objects in a rectangular waveguide
Shenhui et al. Measurement of electromagnetic properties of materials using transmission/reflection method in coaxial line
US3283242A (en) Impedance meter having signal leveling apparatus
PL75550B2 (pl)
EP0040805B1 (en) Method of measuring the moisture content of a material
You Effects of sample thickness for dielectric measurements using transmission phase-shift method
RU2152058C1 (ru) Способ индукционного частотного зондирования
Akyel et al. A comparative study of HF and microwave drying of milk
Watanabe et al. A bridge method for simultaneous measurements of coupling coefficient and loaded Q of a single‐ended cavity
Dube et al. Measurement of the permittivity of films at microwave frequencies
Akbar et al. An accurate low-cost method for Q-factor and resonance frequency measurements of RF and microwave resonators
SU1506388A1 (ru) Способ измерени диэлектрической проницаемости твердых материалов
SU1758530A1 (ru) Способ измерени диэлектрической проницаемости материалов
SU1767446A1 (ru) Устройство дл измерени частотных зависимостей емкости или проводимости
US3849727A (en) Current comparator for power and energy measurements
US3492569A (en) Bridge circuit network for measurement of reflection coefficients
SU1116371A1 (ru) Способ измерени влажности материалов и веществ
Cheng et al. Finite difference analysis of an open-ended, coaxial sensor made of semi-rigid coaxial cable for determination of moisture in Tenera oil palm fruit
Wildhack et al. Accuracy in measurements and calibrations, 1965
Qun et al. A high-accuracy microwave sensor and calibration for measuring three-phase saturations in cores
SU1363086A1 (ru) Способ определени комплексного коэффициента отражени СВЧ-нагрузки