Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 31.05.1973 Opis patentowy opublikowano: 03.03.1975 75348 KI. 21a\ 36/02 MKP H03k3/26 Twórcywynalazku: Roman Nowicki, Slawoj Ciechanowski Uprawniony z patentu tymczasowego: Zaklady Automatyki Przemyslowej im. Juliana ,. Marchlewskiego, Ostrów Wielkopolski (Polska) Przerzutnik tranzystorowy Przedmiotem wynalazku jest przerzutnik tranzystorowy o duzej strefie nieczulosci i malej petli histerezy stosowany w róznych urzadzeniach automatycznej regulacji w szczególnosci we wyjsciowych przekaznikach bez- stykowych ukladów sterowania, w przekaznikach czasowych oraz selektorach amplitudy.W znanych przerzutnikach dla uzyskania duzej strefy, nieczulosci i malej petli histerezy stosuje sie system rezystorów. Miedzy innymi stosuje sie dobór napiec progowych za pomoca dzielnika rezystancyjnego wlaczone¬ go równolegle do zródla zasilania.Odpowiednio dobrane napiecie z tego dzielnika podaje sie poprzez rezystor na baze pierwszego tranzystora przerzutnika. Podobny dzielnik wlacza sie równiez miedzy kolektor pierwszego tranzystora przerzutnika i mase.Napiecie z tego dzielnika podaje sie takze poprzez rezystor na baze pierwszego tranzystora przerzutnika.Wada powyzszych rozwiazan jest zbyt rozbudowany uklad elektroniczny cechujacy sie mala niezawod¬ noscia. • Wynalazek ma na celu uproszczenie ukladu przerzutnika zwiekszajac jego niezawodnosc.Zadanie techniczne prowadzace do osiagniecia tego celu, polega na zastapieniu rozbudowanego systemu elektro¬ nicznego prostszym rozwiazaniem ukladowym gwarantujacym zwiekszenie niezawodnosci przerzutnika.Istota rozwiazania polega na zastosowaniu diody Zenera w obwodach emiterów tranzystorów przerzutnika, jako elemenu dodatniego sprzezenia zwrotnego.W konsekwencji wprowadzonych zmian uzyskano prostszy i bardziej niezawodny uklad.Przedniot wynalazku uwidoczniono w przykladowym wykonaniu rysunkowym, na którym przedstawiono ideowy schemat elektryczny.Przerzutnik sklada sie z tranzystorów Tl i T2 polaczonych w obwodach emiterów z dioda Zenera Dl, rezysto¬ rów Rl i R2 wlaczonych w kolektory tranzystorów Tl i T2, oraz ewentualnie dodatkowego rezystora R3. Prze¬ rzutnik charakteryzuje sie dwoma stanami stabilnymi — a mianowicie stanem przewodzenia i stanem nieprzewo- dzenia. Przy braku sterujacego napiecia (Uwe = 0) przerzutnik jest w stanie przewodzenia. Przechodzenie prze¬ rzutnika ze stanu przewodzenia do stanu nieprzewodzenia odbywa sie w ten sposób, ze na bazie tranzystora Tl zaczyna narastac napiecie Uwe. Po przekroczeniu pewnego poziomu tego napiecia, tranzystor Tl wchodzi2 75 348 w obszar aktywny i zaczyna przewodzic. Jednoczesnie zaczyna zmniejszac sie prad IB2, a w konsekwencji takze prad 12 tranzystora T2. Powoduje to zmniejszenie napiecia na diodzie Zenera Dl i dzieki temu tranzystor Tl zostaje bardziej wysterowany.Przy ciaglym wzroscie napiecia Uwe proces ten przybiera charakter lawinowy i przerzutnik zostaje przerzu¬ cony w stan nieprzewodzenia. Przechodzenie ze stanu nieprzewodzenia do stanu przewodzenia odbywa sie przez zmniejszenie wejsciowego napiecia Uwe ponizej progu zadzialania przerzutnika.Strefa nieczulosci przerzutnika zalezy od napiecia Zenera zastosowanej diody Dl, a szerokosc petli histere- zy od rezystancji dynamicznej tej diody. Punkt pracy diody Zenera Dl winien byc dobrany tak, aby zmiany pradu Zenera plynacego przez te diode powodowaly jeszcze stosunkowo duze zmiany napiecia Uz.Punkt pracy diody Dl mozna dobrac rezystorem R2, lub jezeli wartosc rezystora R2 jest narzucona ze wzgledów ukladowych, stosuje sie dodatkowy rezystor R3. PL