PL51746B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL51746B1 PL51746B1 PL109781A PL10978165A PL51746B1 PL 51746 B1 PL51746 B1 PL 51746B1 PL 109781 A PL109781 A PL 109781A PL 10978165 A PL10978165 A PL 10978165A PL 51746 B1 PL51746 B1 PL 51746B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transistor
- diode
- diode pump
- resistor
- emitter junction
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000013642 negative control Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 22.VIII.1966 KI. 21 a1, 36/22 MKP H 03 k ¦ is BI3LIOTEKAJ Twórca wynalazku: inz. Andrzej Lopuszniak Wlasciciel patentu: Instytut Elektrotechniki, Warszawa, (Polska) Tranzystorowy uklad sterowania pompy diodowej Przedmiotem wynalazku jest tranzystorowy uklad do dostarczania ladunków elektrycznych kondensa¬ torom pompy diodowej w celu otrzymania na jej wyjsciu napiecia lub pradu stalego zaleznego od liczby impulsów na wejsciu.Jak wiadomo zadaniem ukladu sterujacego pompe diodowa jest naladowanie szeregowo polaczonych kondensatorów: dawkujacego i zbiorczego w czasie nie dluzszym od czasu trwania impulsu sterujacego oraz szybkie rozladowanie kondensatora dawkujace¬ go po zakonczeniu kazdego impulsu, konieczne do uzyskania krótkiego czasu rozdzielczego.Dotychczas do sterowania pompy diodowej w urzadzeniach tranzystorowych stosuje sie uklady kluczujace, w których wejscie pompy diodowej po¬ laczone jest bezposrednio z tranzystorem kluczuja¬ cym. Warunki pracy ukladu dobiera sie tak, aby tranzystor znajdowal sie w stanie zatkania w czasie trwania impulsu, wtedy nastepuje ladowanie kon¬ densatorów dawkujacego i zbiorczego napieciem zasilajacym przez opornik tranzystora kluczujacego i w stanie nasycenia po zakonczeniu impulsu, dzieki czemu przez tranzystor ten nastepuje szybkie roz¬ ladowanie kondensatora dawkujacego.Wada tych ukladów jest bardzo mala sprawnosc energetyczna. Do sterowania pompy diodowej uzy¬ wa sie impulsów o malym wypelnieniu w zwiazku z czym prawie cala pobrana ze zródla zasilania energia tracona jest w oporniku tranzystora klu- 2 czujacego w czasie przeplywu pradu nasycenia tego tranzystora.Wynalazek ma na celu usuniecie tej wady. Osia¬ ga sie to przez zastosowanie dodatkowego tranzys- 5 tora przyspieszajacego rozladowanie kondensatora dawkujacego, co umozliwia sterowanie pompy dio¬ dowej napieciem wystepujacym na oporniku tran¬ zystora kluczujacego a nie, jak dotychczas, napie¬ ciem wystepujacym na tranzystorze kluczujacym. io Na rysunku podany jest przyklad wykonania tranzystorowego ukladu sterowania pompy diodo¬ wej wedlug wynalazku, na którym A oznacza uklad sterowania, a B pompe diodowa.Równolegle do wejscia pompy diodowej wlaczony 15 jest tranzystor T2 przy jednoczesnym wlaczeniu dio¬ dy Di równolegle do zlacza emiterowego tego tran¬ zystora tak, ze kierunek przewodzenia diody Di jest przeciwny do kierunku przewodzenia zlacza emiterowego a miedzy baza i kolektorem tranzystora 20 T2 znajduje sie opornik R2 stanowiacy w polaczeniu z tranzystorem Ti znany uklad kluczujacy.Ujemny impuls sterujacy przylozony na baze tran¬ zystora Ti powoduje odetkanie tego tranzystora, uprzednio zatkanego napieciem +UB przylozonym 25 na baze przez opornik Ri. Odetkanie tranzystora Ti rozpoczyna proces ladowania napieciem Uc przez tranzystor Ti oraz diody Di i D2 kondensatorów pompy diodowej: dawkujacego Ci i zbiorczego C2.Tranzystor T2 jest w tym czasie zatkany napieciem 80 panujacym na diodzie Di. Amplituda impulsu ste- 517463 51746 4 rujacego dobrana jest tak, aby praktycznie calko¬ wite naladowanie kondensatorów Ci i C2 nastepo¬ walo w czasie nie dluzszym od czasu trwana im¬ pulsu. Z chwila zakonczenia impulsu sterujacego tranzystor Ti powraca do stanu zatkania, dioda Di nie przewodzi pradu, a kondensator dawkujacy Ci zaczyna sie rozladowywac przez zlacze emiterowe tranzystora T2, opornik R2 i diode D3. Prad plynacy przez zlacze emiterowe tranzystora T2 odtyka ten tranzystor powodujac powstanie (3 razy wiekszego pradu kolektora, gdzie P oznacza zwarciowy wspól¬ czynnik wzmocnienia pradowego tranzystora. W efek¬ cie rozladowanie kondensatora dawkujacego Ci od¬ bywa sie w przyblizeniu tak jak w obwodzie z opor¬ nikiem liniowym o opornosci p razy wiekszej od R2.Opisany tranzystorowy uklad sterowania pompy diodowej pozwala na uzyskanie podobnych jak w dotychczas stosowanych ukladach czasów roz¬ dzielczych przy kilkunasto do kilkudziesieciokrot- nie mniejszej mocy pobieranej ze zródja zasilania.Tak samo jak w ukladach dotychczas stosowanych zmiana kierunku przewodzenia obydwu diod Di i D2 pompy diodowej nie wplywa na poprawne dziala¬ nie ukladu. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Tranzystorowy uklad sterowania pompy diodowej zawierajacy tranzystorowy uklad kluczujacy zna¬ mienny lym, ze ma wlaczony równolegle do wejscia pompy diodowej tranzystor (T2) oraz diode (Di) wlaczona równolegle do zlacza emiterowego tego tranzystora tak, ze kierunek przewodzenia diody (Di) jest przeciwny do kierunku przewodzenia zla¬ cza emiterowego, a miedzy baza i kolektorem tran¬ zystora (T2) znajduje sie opornik (R2) stanowiacy w polaczeniu z tranzystorem (Ti) znany uklad klu¬ czujacy. £? ^H I I ^3 B Zaklady KaiLograficzne, Wroclaw, zam, 356, naklad 290 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL51746B1 true PL51746B1 (pl) | 1966-06-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE26027E (en) | Direct-current charged magnetic modulator | |
| US3211915A (en) | Semiconductor saturating reactor pulsers | |
| GB976627A (en) | Switching circuits | |
| US3315144A (en) | Capacitor charge reversing circuit | |
| US6140847A (en) | Circuit for generating pulses of high voltage current delivered into a load circuit and implementing method | |
| US3388269A (en) | A. c. control circuit | |
| PL51746B1 (pl) | ||
| US3299294A (en) | High-speed pulse generator using charge-storage step-recovery diode | |
| US3204123A (en) | Monostable pulse generating circuit unresponsive to power supply fluctuations and having fast reset time | |
| US3252100A (en) | Pulse generating circuit employing switch-means on ends of delay line for alternately charging and discharging same | |
| US3435256A (en) | Alternating polarity current driver using cascaded active switching elements | |
| US3396293A (en) | Variable width pulse generator | |
| US3575652A (en) | Motor control circuit with semiconductor switching means and transformer and capacitor biasing means | |
| US4262213A (en) | Universal power module | |
| US3184605A (en) | Pulse generator circuits employing storage diodes | |
| US3417266A (en) | Pulse modulator providing fast rise and fall times | |
| US3046414A (en) | Pulse generator for producing periodic pulses of varying width from an alternating voltage | |
| US3486071A (en) | Circuit for delivering constant energy impulses to a load | |
| US3694672A (en) | Timing circuit with multiple time constants and switching means to connect and disconnect said time constants selectively | |
| US3495098A (en) | Synchronous symmetrical a.c. switch | |
| US3440439A (en) | Time control fence charger | |
| SU1295458A1 (ru) | Устройство дл управлени электромагнитом | |
| US3497722A (en) | Circuit for switching a selected number of pulses at zero current | |
| SU365814A1 (ru) | Библиотека | |
| SU530436A1 (ru) | Генератор пр моугольных импульсов |