PL72268B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL72268B2
PL72268B2 PL14854971A PL14854971A PL72268B2 PL 72268 B2 PL72268 B2 PL 72268B2 PL 14854971 A PL14854971 A PL 14854971A PL 14854971 A PL14854971 A PL 14854971A PL 72268 B2 PL72268 B2 PL 72268B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
axis
sample
film
parallel
area
Prior art date
Application number
PL14854971A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL14854971A priority Critical patent/PL72268B2/pl
Publication of PL72268B2 publication Critical patent/PL72268B2/pl

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

Pierwszenstwo: 01.06.1971 (P. 148549) Zgloszenie ogloszono: 10.04.1973 Opis patentowy opublikowano: 30.11.1974 72268 KI. 42k,46/07 MKP GOln 23/02 Twórcy wynalazku: Julian Auleytner, Józef Zmija, Andrzej Szczerbakow Uprawniony z patentu tymczasowego: Wojtkowa Akademia Techniczna im. Jaroslawa Dabrowskiego, Warszawa (Polska) Sposób odwzorowania defektów w monokrysztalach Przedmiotem wynalazku jest sposób odwzorowa¬ nia defektów w /monokrysztalach.Znany jest sposób odwzorowania defektów w mo¬ nokrysztalach polegajacy na tym, ze próbke wraz z filmem wprowadza sie w oscylacje wokól wspól¬ nej osi, przy czym film umieszczany jest równo¬ legle do badanego obszaru w mozliwie malej od¬ leglosci. Badany obszar próbki umieszcza sie stycz¬ nie lub w przecieciu z okregiem ogniskowania.W miejscu stycznosci lub przeciecia wartosc kata miedzy promieniem padajacym, a wybrana plasz¬ czyzna sieciowa spelnia warunki ugiecia, okreslone odlegloscia miedzyplaszczyznowa i wybrana dlugo¬ scia fali rentgenowskiego promieniowania wycho¬ dzacego rozbiezna wiazka ze zródla punktowego.Podczas obrotu próbki wokól osi obrotu lezacej na okregu ogniskowania, promien ugiety pochodzi od miejsca obszaru badanego, które odpowiada miejscu przeciecia lub stycznosci tegoz obszaru z okregiem ogniskowania, przy czym badany obszar i os pozostaja stale w jednej plaszczyznie. Promie¬ nie ugiete sa skupione w ognisku quasilin!iowym. równoleglym do osi obrotu, okreslonym wartoscia kata miedzy promieniem padajacym a wybrana plaszczyzna sieciowa, odlegloscia osi obrotu od zródla punktowego oraz katem miedzy uginajaca plaszczyzna sieciowa a badanym obszarem.Wyzej opisany sposób ma te wade, ze wystepuje rozciagniecie obrazu w kierunku równoleglym do osi obrotu, wynikajace z rozbieznosci wiazki, które 10 15 21 25 mozna tylko czesciowo zredukowac przez zblizenie filmu do próbki. Natomiast w kierunku prostopad,- lym do osi obrotu badany obszar jest odwzorowy¬ wany w skali 1 :1 przez co nastepuje deformacja obrazu. Ponadto sposób ten nie zapewnia naswiet¬ lenia filmu promieniowaniem o stalej dlugosci fali, co zmusza do stosowania filtrów oraz ¦¦— zwlaszcza w przypadku wiekszych próbek — wystepuja tu zaklócenia takie, jak na przyklad nakladanie sie obrazów pochodzacych od róznych plaszczyzn sie¬ ciowych.Celem wynalazku jest opracowanie takiego sposo¬ bu odwzorowania defektów w monokrysztalach, który laczy w sobie zalety sposobu opisanego po¬ wyzej. Przede wszystkim krótki czas ekspozycji wynikajacy z uzycia promieniowania charaktery¬ stycznego oraz latwosc wykonania urzadzen do sto=- sowania tego sposobu, wynikajaca z braku sprze¬ zen ruchów róznych elementów, a ponadto daje obszerniejsze, bardziej precyzyjne i wolne od za¬ klócen informacji o badanej próbce.Cel ten osiagnieto dzieki temu, iz auasiliniowe, równolegle do osi oscylacji ognisko, w którym zo¬ staja skupione promienie ugiete na badanym ob¬ szarze próbki ogranicza sie przeslona szczelinowa, a film umieszcza sie równolegle do osi oscylacji na drodze promieni ugietych na zewnatrz okregu ogni¬ skowania, przy czym wartosc kata nachylenia fil¬ mu do powierzchni próbki jest taka, ze wydluzenie obrazu obszaru badanego próbki w plaszczyznie 7226872268 prostopadlej do osi, wokól której oscyluja próbka wraz z filmem, równe jest wydluzeniu obrazu rów¬ noleglemu do tej osi, spowodowanemu rozbieznos¬ cia wiazki promieni rentgenowskich.Wynalazek zostanie ponizej szczególowo objasnio¬ ny na podstawie rysunku, który ilustruje przebieg promieni rentgenowskich pirzy odwzorowaniu de¬ fektów sposobem wedlug wynalazku.Badany obszar próbki umieszcza sie w przecieciu lub stycznie do okregu ogniskowania w pozycji AB i wprowadza w ruch oscylacyjny wokól osi A le¬ zaca} na okregu ogniskowania we wspólnej plasz¬ czyznie z obszarem badanym. Promienie rentge¬ nowskie, o widmie charakterystycznym, wychodza¬ ce ze zrófdla punktowego O zostaja ugiete tylko przez te miejsca obszaru badanego próbki, w któ¬ rych obszar ten przecina sie lub jest styczny z okre¬ giem ogniskowania, a wiec tylko wtedy, gdy spel¬ niony jest warunek, ze kat miedzy promieniem pa¬ dajacym a wybrana plaszczyzna sieciowa jest rów¬ ny zadanemu katowi Q. Tak ugiete promienie zo¬ staja skupione w quaailiniowymt równoleglym do osi ognisku K, które ograniczono nieruchoma prze¬ slona szczelinowa P. Przeslona P zapewnia, iz do obszaru poza okregiem ogniskowania nde przedosta¬ ja sie (promienie o dlugosci fali roznej od zadanej lut) ugiete przez plaszczyzne sieciowa rózna od wy¬ branej.Dla unikniecia deformacji obrazu wystepujacych podczas oscylacji próbki na przyklad w zakresie kata a od pozycji AB do pozycji AB', gdy film be¬ dzie oscylowal równolegle do obszaru badanego od¬ powiednio od pozycji CD do pozycji CD' konieczne jest uzyskanie w plaszczyznie prostopadlej do osi A wydluzenia równego powstalemu wskutek roz¬ bieznosci wiazki w plaszczyznie równoleglej do osi A, zatem stosunek dlugosci obrazu na filmie w pla¬ szczyznie prostopadlej do osi obrotu do odpowiada¬ jacej mu dlugosci obszaru badanego musi byc rów¬ ny stosunkowi dlugosci drogi optycznej miedzy zródlem promieni a filmem do dlugosci drogi op¬ tycznej miedzy zródlem a badanym obszarem prób¬ ki. W tym celu fiUm umieszcza sie równolegle do osi A tak, by jeden jego koniec C opieral sie na prostej AC przechodzacej przez os A i ognisko K, a drugi koniec E slizgal sie po prostej BF równoleglej do prostej AC Przy obrocie badanego obszaru próbki na przy¬ klad o kat a od pozycji AB do pozycji AB' ora* filmu odpowiednio od pozycji CE do pozycji C'E't w której jego konce leza na prostych równoleglych AC i BF', odcinek AB bedzie odwzorowany w po¬ staci odcinka CE', czyli rozciaganie obrazu obsza¬ ru badanego w plaszczyznie równoleglej do osi A . bedzie równe rozciagnieciu w plaszczyznie prosto¬ padlej do osi A przy spelnieniu warunku OA^ AB. s Dzieki ograniczeniu ogniska promieni ugietych przeslona szczelinowa i umieszczeniu filmu na dro¬ dze promieni ugietych na zewnatrz okregu ognisko¬ wania, film zostaje naswietlony promieniowaniem o okreslonej dlugosci fali, ugietym przez jedna, 10 okreslona plaszczyzne sieciowa. Pozwala to unik¬ nac zaklócen w postaci na przyklad zaczernien fii- mu wynikajacych z naswietlenia promieniowaniem o róznej od zadanej dlugosci fali lub wynikajacych z ugiecia promieni przez plaszczyzny sieciowe róz- 15 ne od wybranej.Nachylenie filmu do badanej próbki daje równo¬ mierne rozciagniecie obrazu próbki, a wiec umozli¬ wia otrzymywanie zdjec czytelnych i latwych do interpretacji. 20 Urzadzenia pracujace na zasadzie sposobu wedlug wynalazku pozwalaja na umieszczenie filmu w róz¬ nych odleglosciach od badanej próbki, przez co moz¬ na bardziej jednoznacznie lokalizowac defekty sie¬ ci oraz okreslac niektóre wielkosci z tymi defekta- 25 mi zwiazane, jak na przyklad dezorientacje bloków mozaiki. Ponadto sposób wedlug wynalazku, przez wyeliminowanie filtrów, pozwala na uzyskanie czy¬ telnych obrazów przy czasie ekspozycji nie przekra¬ czajacym jednej godziny. so Dodatkowa zaleta stanowi mozliwosc swobodnego wyboru linii widma charakterystycznego. 35 PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenia patentowe Sposób odwzorowania defektów w monokryszta¬ lach polegajacy na tym, ze próbke oraz film wpro¬ wadza sie we wspólne oscylacje wokól osi, lezacej w tej samej plaszczyznie, co badany obszar próbki, ^o który ugina promieniowanie rentgenowskie, zna¬ mienny tym, ze równolegle do osi oscylacji, quasi- liniowe ognisko promieni ugietych ogranicza sie przeslona szczelinowa a film umieszcza sie równo¬ legle do osi oscylacji na drodze promieni ugietych 45 na zewnatrz okregu ogniskowania, przy czym war¬ tosc kata nachylenia filmu do powierzchni próbki jest taka, ze wydluzenie obrazu obszaru badanego próbki w plaszczyznie prostopadlej do osi, wokól której oscyluja próbka wraz z filmem, równe jest 50 Wydluzeniu obrazu tego obszaru, równoleglemu do tej osi, spowodowanemu rozbieznoscia wiazki pro¬ mieni rentgenowskich.KI. 42k,46/07 72268 MKP GOln 23/02 PL PL
PL14854971A 1971-06-01 1971-06-01 PL72268B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL14854971A PL72268B2 (pl) 1971-06-01 1971-06-01

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL14854971A PL72268B2 (pl) 1971-06-01 1971-06-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL72268B2 true PL72268B2 (pl) 1974-06-29

Family

ID=19954559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL14854971A PL72268B2 (pl) 1971-06-01 1971-06-01

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL72268B2 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Cowley et al. Fourier images: I-the point source
Cowley et al. Fourier images IV: the phase grating
AU688701B2 (en) Phase-contrast X-ray CT apparatus
Cowley et al. Electron microscope image contrast for thin crystal
Baba‐Kishi et al. Backscatter Kikuchi diffraction in the SEM for identification of crystallographic point groups
JPS6020139A (ja) X線分析装置
Schulson Electron channelling patterns in scanning electron microscopy
DE1548283A1 (de) Messgeraet fuer die Abmessungen eines Objekts
DuMond et al. Experimental evidence for electron velocities as the cause of Compton line breadth with the multicrystal spectrograph
PL72268B2 (pl)
Morgan Reciprocity law failure in X-ray films
Bushuev et al. Wave-optical description of X-ray phase contrast images of weakly absorbing non-crystalline objects
US3411001A (en) Apparatus and process for eliminating preferred orientation in x-ray diffraction in crystals
Zaumseil Investigations of crystal defects with reflection‐section topography
Warrington An investigation into the use of intensity observations in the electron microscope for determining magnetic domain wall widths in thin foils
Tanji et al. Optical selected-area diffraction patterns of high-resolution electron-microscope images for crystal analysis
US3013470A (en) Wedge structure for a double beam spectrophotometer
Parsons et al. Imaging of uranium atoms with the electron microscope by phase contrast
Schulson Interpretation of the widths of SEM electron channelling lines
US3848126A (en) Recording of kossel lines
US3102196A (en) X-ray spectrograph
US2887585A (en) X-ray diffraction method and apparatus
US3023311A (en) X-ray diffractometry
Nakahara et al. Simple method for determining the absolute sense of image rotation in a transmission electron microscope
Colby et al. X-ray reflections from a quartz piezoelectric oscillator in a Bragg spectrograph