PL71896B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL71896B2
PL71896B2 PL14914571A PL14914571A PL71896B2 PL 71896 B2 PL71896 B2 PL 71896B2 PL 14914571 A PL14914571 A PL 14914571A PL 14914571 A PL14914571 A PL 14914571A PL 71896 B2 PL71896 B2 PL 71896B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
transistors
thermal conductivity
channels
good thermal
Prior art date
Application number
PL14914571A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL14914571A priority Critical patent/PL71896B2/pl
Publication of PL71896B2 publication Critical patent/PL71896B2/pl

Links

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

Pierwszenstwo: Zgloszenie ogloszono: 10.04.1973 Opis patentowy opublikowano: 12.10.1974 71896 KI. 21e,19/18 MKP GOlr 19/18 Twórcawynalazku: Wieslaw Martynow Uprawniony z patentu tymczasowego: Zjednoczone Zaklady Elektronicznej Aparatury . Pomiarowej „Elpo", Warszawa (Polska) Tranzystorowy przetwornik napiecia stalego na zmienne Przedmiotem wynalazku jest tranzystorowy przetwornik napiecia stalego na zmienne zwlaszcza do wzmacniaczy napiecia stalego z przetwarzaniem.Znane sa przetworniki elektroniczne napiecia stalego na zmienne wykonane w oparciu o tranzystory bipolarne lub polowe. Przetworniki tego typu charakteryzuja sie duza trwaloscia, malymi wymiarami, malym poborem mocy potrzebnej do wysterowania, duza odpornoscia na narazenia mechaniczne i klimatyczne oraz niewielkimi kosztami wykonania.Jedyna wada wszystkich dotychczas znanych konstrukcji przetworników elektronicznych sa niezbyt wysokie parametry elektryczne, a w szczególnosci znaczny dryft zera, wynikajacy glównie z zaleznosci tempera¬ turowej napiec kontaktowych, powstajacych na stykach przewodów doprowadzajacych sygnal wejsciowy do elementów pólprzewodnikowych.Celem wynalazku jest skonstruowanie przetwornika tranzystorowego, który mialby bardzo maly dryft zera, przy zachowaniu wszystkich dotychczasowych zalet.Cel ten zostal wedlug wynalazku osiagniety przez umieszczenie tranzystorów przelaczajacych w bloku wykonanym z materialu o dobrej przewodnosci cieplnej, przy czym tranzystory sa polaczone miedzy soba oraz z ukladem zewnetrznym za pomoca przewodów, najlepiej cienkich, polaczonych z wyprowadzeniami w poblizu obudów tych tranzystorów i umieszczonych w kanalach bloku wypelnionych materialem o dobrej przewodnosci cieplnej i duzej opornosci elektrycznej. Dlugosc kanalów wielokrotnie przekracza wymiary tranzystora przela¬ czajacego.Umieszczenie tranzystorów przelaczajacych wewnatrz bloku o dobrej przewodnosci cieplnej oraz wykona¬ nie doprowadzen cienkim i stosunkowo dlugim przewodem zapewnia dokladne wyrównanie temperatur wszystkich zlacz przetwornika i zmniejsza radykalnie wyjsciowe napiecie termoelektryczne.Przedmiot wynalazku jest blizej wyjasniony na przykladzie wykonania, na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia uklad elektryczny przetwornika, fig. 2- konstrukcje przetwornika w przekroju wzdluz osi kanalu, a fig. 3 - konstrukcje przetwornika w przekroju prostopadlym do osi kanalu.Przetwornik przedstawiony na fig. 1 zawiera polowy tranzystor Tl z izolowana bramka, którego zródlo jest polaczone z wejsciowym zaciskiem We. Dren tego tranzystora jest polaczony z zaciskiem wyjsciowym Wy2 71896 i drenem drugiego tranzystora polowego T2 z izolowana bramka, którego zródlo jest polaczone z przewodem zerowym. Bramki obu tranzystorów sa polaczone z zaciskami sterowania A i B.Tranzystory przelaczajace Tl i T2 jak pokazano na fig. 2 i 3 sa umieszczone w cylindrycznych kanalach 1 i 2 metalowego bloku 3 majacych dlugosc wielokrotnie przekraczajaca wymiary tranzystora. Do wyprowadzen 4 tranzystorów Tl i T2 obcietych w poblizu obwodów sa przylutowane cienkie przewody miedziane 5 umozliwia¬ jace polaczenie tranzystorów miedzy soba oraz z ukladem zewnetrznym. Kanaly 1 i 2 sa wypelnione smarem silikonowym .6, który ma dobra przewodnosc cieplna oraz duza opornosc elektryczna i sa zamkniete izolacyjny¬ mi krazkami 7 zapobiegajacymi wyplynieciu smaru.Napiecia sterujace bedace ciagami impulsów prostokatnych podawane przez zaciski sterowania A i B na bramki tranzystorów przelaczajacych Tl iT2 sa przesuniete w fazie o 180°, co powoduje, ze stanowi przewodzenia jednego tranzystora odpowiada odciecie pradu drugiego tranzystora. W ten sposób wyjscie Wy przetwornika jest na zmiane dolaczane do jego wejscia We lub do przewodu zerowego ukladu. Na wyjsciu Wy przetwornika otrzymuje sie impulsy prostokatne o amplitudzie w przyblizeniu równej wartosci napiecia wejscio¬ wego i o czestotliwosci równej czestotliwosci sygnalu sterujacego. Wyrównanie temperatur zlacz dzieki nowej konstrukcji przetwornika zmniejsza radykalnie wyjsciowe napiecie termoelektryczne znieksztalcajace wynik przetwarzania. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Tranzystorowy przetwornik napiecia stalego na zmienne, znamienny tym, ze tranzystory przelaczajace (Tl, T2) sa umieszczone w bloku (3) wykonanym z materialu o dobrej przewodnosci cieplnej, przy czym tranzystory przelaczajace (Tl, T2) sa polaczone miedzy soba oraz z ukladem zewnetrznym za pomoca przewodów (5), najlepiej cienkich, polaczonych z wyprowadzeniami (4) w poblizu obwodów tych tranzystorów i umieszczonych w kanalach (1, 2) bloku (3) wypelnionych materialem o dobrej przewodnosci cieplnej i duzej opornosci elektrycznej.
2. Tranzystorowy przetwornik wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze dlugosc kanalów (1,2) wielokrotnie przekracza wymiary tranzystora przelaczajacego. A-A fig. I fi»2 %3 Prac. Poligraf. UP PRL. Zam. 958/74 naklad 120+18 Cena 10 zl PL PL
PL14914571A 1971-06-30 1971-06-30 PL71896B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL14914571A PL71896B2 (pl) 1971-06-30 1971-06-30

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL14914571A PL71896B2 (pl) 1971-06-30 1971-06-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL71896B2 true PL71896B2 (pl) 1974-06-29

Family

ID=19954868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL14914571A PL71896B2 (pl) 1971-06-30 1971-06-30

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL71896B2 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10164608B2 (en) Switch with phase change material
SE7906961L (sv) Isolerande berorgan
SE427400B (sv) Forfarande for framstellning av elektriska ledare pa ett isolerande substrat
CH458467A (de) Flüssigkeitskühlanordnung für elektrische Stromleiter, insbesondere für Supra- oder Kryoleiter
PL71896B2 (pl)
US2121855A (en) Coupling high-frequency apparatus
ES331628A1 (es) Un sistema de control para una manta o similar calentada electricamente.
US3147436A (en) Symmetrical thermopile circuit for measuring electromagnetic wave energy
GB1372814A (en) Thermoelectric element
US3327273A (en) Wire wound cryogenic device
UA158343U (uk) Реле на герконах
US3154736A (en) Mechanical arrangement for thermocouple junctions
US3471755A (en) Distributed variable attenuator network
MD20040216A (en) Process for manufacturing current-carrying wire with predetermined section
SU375593A1 (ru) •сесоюзнай
SU759967A1 (ru) Термопреобразователь 1
SU911645A1 (ru) Электровакуумный ввод
GB1114841A (en) Improvements relating to micro-wave devices
SU381036A1 (ru) УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ ПРОХОДЯЩЕЙ мощности
SU1223057A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
SU184302A1 (ru) Термоэлемент
SU369427A1 (ru) Библиотека
FR1419772A (fr) Procédé permettant la réalisation de contacts électriques sur des agencements deplaquettes isolantes porteuses de réseaux de conducteurs métalliques
SE7904141L (sv) Plan transmissionsledningsdempare och -omkopplare
FR2328291A1 (fr) Transistor a effet de champ pour hyperfrequences