Pierwszenstwo: 24.04.1970 Niemiecka Republika Demokratyczna Opublikowano: 05.03.1974 V 1 : L 69043 KI. 42t2,ll/06 MKP Gile 11/06 IiislioteeaI Wlasciciel patentu: VEB Filmfabrik Wolfen, Wolfen (Niemiecka Republika Demokratyczna) Pamiec magnetyczna o przesuwalnej zawartosci Przedmiotem wynalazku jest pamiec magnetyczna o przesuwalnej zawartosci, w której informacje sa gromadzone w magnesowych strukturach, prze- suwalnych po zastosowaniu zewnetrznych pól mag¬ netycznych, wewnatrz osrodka pamieci.W urzadzeniach liczacych, obok calego szeregu elementów pamieciowych, znajduja sie równiez tak zwane rejestry przesuwalne. Sa to urzadzenia pamieciowe posiadajace wzglednie mala pojem¬ nosc zbiorcza i sluzace tylko do krótkotrwalego utrwalania pojedynczych slów lub informacji, ze wzgledu na mala ich pojemnosc wymagana jest od nich natomiast szybka praca. Dotychczas do wykonania tych rejestrów uzywano zestawów ele¬ mentów pamieciowych takich jak na przyklad rdzeni ferrytowych pierscieniowych, przerzutników flip-flop, diod tunelowych i innych, które obecnie zastepuje sie cienka warstwa magnetyczna, stano¬ wiaca osrodek przesuwalnej pamieci, dzieki czemu istnieje mozliwosc uzyskania korzystnego zwieksze¬ nia zwartosci pamieci.Przesuwalne pamieci skladajace sie z cienkich nakladanych warstw magnetycznych posiadaja wieksza pojemnosc anizeli przesuwalne rejestry.Znana jest znaczna ilosc takich przesuwalnych pa¬ mieci, posiadajacych jako osrodek cienki pas war¬ stwowy Ni-Fe-Co, w którym gromadzone infor¬ macje sa zbierane w zakresy magnesowane nie¬ zgodnie równolegle. W tym przypadku, problem 10 15 20 25 30 polega na tym, w jaki sposób zebrane informacje jednolicie i bezposrednio przesuwac, poniewaz przy zastosowaniu zewnetrznego jednorodnego pola mag¬ netycznego, czolowe sciany ograniczajace zakres pamieci poruszaja sie w przeciwnym kierunku i powoduja zniszczenie zebranych informacji.Znanych jest kilka rozwiazan tego problemu, na przyklad za pomoca miejscowo zmiennych srodków przemagnesowania, dzieki którym mozliwe jest jednolite i bezposrednie przesuwanie zebranych in¬ formacji. Szczególnie stosowane sa nastepujace urzadzenia. Okresowe, miejscowo zmienne (rastro¬ we) pola przemagnesowywane sa za pomoca elek¬ trycznego ukladu przewodów, przez który prze¬ plywaja impulsy pradowe. W innym urzadzeniu w osrodku pamieci wytwarzane sa okresowe, miejscowe zmiany wlasciwosci materialu, a do przesuwania zakresów pamieci uzywane sa umiej¬ scowione na stale pola magnetyczne, o zmienia¬ nym w czasie natezeniu. W jeszcze innym znanym urzadzeniu osrodek pamieci zostaje ulozony jako pasmo (pasmo przestawne), którego kierunek jest okresowo zmieniany, pasmo to poddawane jest dzia¬ laniu pola magnetycznego o zmiennym okresowo kierunku. Wreszcie znane jest urzadzenie, w któ¬ rym na osrodek pamieci nalozone sa rastrowe, miejscowo zmienne pola poczatkowe, na które do¬ piero potem oddzialuje sie umiejscowionymi na stale impulsowymi polami magnetycznymi, posiada¬ jacymi jednak okresowo zmienne natezenie. 69 04369 043 3 W trzech pierwszych opisanych znanych urzadze¬ niach, na warstwie osrodka pamieci umieszczone sa za pomoca trawienia fotochemicznego cienkie rastry, albo sama warstwa jest uformowana jako raster. Na wykonanie tych pamieci potrzeba znacz¬ nych nakladów technologicznych, mimo tego za¬ kres- gestosci w rastrze jest ograniczony przez czynniki takie jak obciazenie przewodów elek¬ trycznych, elektryczne i magnetyczne sprzezenia elementów skladowych, mozliwosc rozpuszczenia sie wytrawionego rastru i inne. Powoduje to, ze pojemnosc tych organów pamieciowych nie zezwala na przyjmowanie duzych ilosci informacji.W czwartym opisanym poprzednio urzadzeniu, pKjrz|^a7c|^^^ iPola rastrowe uzyskuje sie za ppmoca zapisu na tasjmie magnetycznej. Dla zapew¬ nienia niezawodnego dzialania pamieci w urza- óianjiu ^ym^r^tr^liy jest jeszcze skrajny jedno¬ rodny pas warstwowy, poniewaz urzadzenie prze¬ suwne wymaga stalej, waskiej scianki dla wszy¬ stkich pasów warstwowych. Wykonanie takiej warstwy wymaga duzych nakladów technicznych.Celem niniejszego wynalazku jest zmniejszenie powyzszych niedogodnosci, obnizenie nakladów przy wykonaniu przesuwalnych pamieci, równoczesne podwyzszenie ich pojemnosci przy zachowaniu trwalosci zapisów.Zadaniem technicznym jest zbudowanie magne¬ tycznego urzadzenia z przesuwalna pamiecia, w któ¬ rym osrodek pamieci bedzie oddzielony od czlonu wytwarzania mocy dla pola przesuwnego, przy czym osrodek ten bedzie sie skladac z cienkiej jednorodnej warstwy magnetycznej.Zadanie to rozwiazane zostalo dzieki temu, ze w mysl wynalazku, osrodek pamieci jest wykona¬ ny w formie spirali lub skretki i umieszczony, w celu przesuwania czolowych scianek przemagne- sowywanych zakresów, w jednorodnym polu mag¬ netycznym o zmiennych kierunkach lub w magne¬ tyczne dwu — lub wiecej biegunowym polu wiru¬ jacym. W tym przypadku wektor kazdorazowego pola magnetycznego jest ustawiony prostopadle lub równolegle do osi spirali lub skretki.Osrodek pamieci jest wykonany z dajacego sie namagnesowac drutu, tasmy, cienkiego pasa lub cylindra.Stosownie do wymagan, glówna os magnetyczna osrodka magnetycznego jest ulozona kolowo, po¬ dluznie lub poprzecznie wzgledem kierunku geo¬ metrycznego przemieszczania zakresu pamiaci.Wykonana wedlug wynalazku pamiec magne¬ tyczna o przesuwalnej zawartosci ma te zalete, ze przez przylozenie jednorodnego pola magnetycz¬ nego, zostaje przesuniety jednolicie i bezposrednio, jeden przemagnesowywany zakres, gdyz jego czo¬ lowe sciany ograniczajace obracaja sie w kierunku toru spirali lub skretki.W pamieci magnetycznej o przesuwalej zawar¬ tosci wedlug wynalazku odstep, czolowych scian ograniczajacych zakres pamieci, pozostaje równy polowie obwodu zwoju spirali lub skretki. Wszy¬ stkie inne urzadzenia do jednolitego i bezposrednie¬ go przemieszczania zakresów, stosowane w dotych- • czas znanych przesuwalnych urzadzeniach pamie¬ ciowych, sa niepotrzebne, dziejfci czemu pamiec ' 4 zgodna z wynalazkiem jest znacznie prostsza i tansza niz urzadzenia dotychczasowe.Mimo niewielkiej zwartosci liniowej nagroma¬ dzonych informacji wynaleziona pamiec magnetycz- 5 na o przesuwalnej zawartosci odznacza sie wy¬ soka pojemnoscia tych informacji. Pamiec ta pra¬ cuje sprawnie i nie wymaga spelnienia zadnych dodatkowych wymagan odnosnie jednorodnosci uzytej cienkiej warstwy magnetyzowanej. 10 Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat dzialania pamieci, fig. 2 — pamiec magnetyczna o skretoksztaltnej budowie.Nawiazujac do fig. 1 pokazano ha niej uksztalto- 15 wanie osrodka pamieci w spirale 1, w formie cien¬ kiego warstwowego pasa magnetycznego, którego glówna os magnetyczna posiada kierunek podluz¬ ny. Przy wewnetrznym poczatkowym krancu spi¬ rali 1 zapisany jest przez przemagnesowanie za- 20 kres 2, który rozciaga sie na polowie obwodu zwoju spirali (fig. la), znak +M oznacza magnesowanie w kierunku ruchu wskazówki zegara, znak —M na¬ tomiast odwrotny kierunek magnesowania, a Vw oznacza predkosc czola sciany zakresu pamieci. Gdy 25 na spirale 1 dziala jednorodne pole magnetyczne Ha zgodnie z kierunkiem pokazanym na fig. Ib i o ta¬ kim natezeniu, które spowoduje ruch czola, wtedy zakres 2 przesunie sie jednolicie naprzód i bezpo¬ srednio tak daleko, az osiagnie polozenie pokazane 30 na fig. lc. Tym samym zostaje wykonana pierwsza czesc jednolitego i bezposredniego ruchu zakresu 2, poniewaz na skutek polozenia zakresu 2 — przy czolowych scianach zakresów powstaly odwrotnie skierowane sily przesuwne. W dalszym przebiegu 35 przesuwu, zmieniany zostaje kierunek pola mag¬ netycznego Ha zgodnie z kierunkami przedstawio¬ nymi kolejno na fig. 1 d, 1 f, 1 h, a zakres 2 porusza sie nadal naprzód wzdluz spirali 1 (fig.l e, 1 g).Zastosowanie wewnatrz spirali 1 wirujacego 40 jednorodnego pola magnetycznego o odpowiednim natezeniu, powoduje szybki ciagly ruch czolowych scian zakresu.W przykladzie wykonania przedstawionym na fig. 2 przesuwalna pamiec magnetyczna ma postac pier- 45 scienia 6, na którym ulozona jest warstwa izolacyj¬ na 5. Na warstwie izolacyjnej 5 umieszczony jest metoda naparowywania, w formie skretki, cienki pas warstwy metalicznej 4,"stanowiacy osrodek pa¬ mieci. W czasie naparowywania zewnetrzne pole 50 magnetyczne, wytwarza krazacy magnetyczny tor 3. Wektor pola przemieszczajacego Ha jest skiero¬ wany prostopadle do osi skretki. Sposób pracy prze¬ suwalnej pamieci odpowiada sposobowi przedsta¬ wionemu na fig. 1. Do przemagnesowania jednego 55 zakresu na koncu skretki 4 sluzy przewód rejestru¬ jacy 7. Przewód odczytujacy 8 umieszczony jest na koncu skretki 4. Przewody 7 i 8 dzialaja tylko za posrednictwem tych odcinków, które sa umieszczo¬ ne tuz nad skretkami 4 w kierunku promieniowym. 60 PL