PL67955B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: 28.VII.1966 Francja Opublikowano: 5.VII.1973 67955 KI. 12c,2 MKP BOld 9/02 ^ L-' i\V Wspóltwórcy wynalazku: Francis Dambrine, Jean-Claude Giorgi, Jacaues de Cremoux Wlasciciel patentu: Fives Lille — Cail S. A., Paryz (Francja) Sposób zabezpieczania scian przed osadzaniem sie zanieczyszczen w krystalizatorach wyparnych o dzialaniu ciaglym i krystalizator do stosowania tego sposobu Przedmiotem wynalazku jest sposób zabezpie¬ czania scian przed osadzaniem sie zanieczyszczen w krystalizatorach wyparnych o dzialaniu ciag¬ lym i krystalizator do stosowania tego sposobu.W znanych krystalizatorach roztwór produktu przeznaczonego do krystalizacji obiega od wejscia do wyjscia aparatu zaopatrzonego w urzadzenia grzejne, powodujace odparowanie frakcji roztwo¬ ru tak, aby doprowadzic jego stezenie do war¬ tosci, przy której nastepuje krystalizacja rozpusz¬ czonego produktu. Do aparatów tych wprowadza Sie w szeregu punktach roztwór mienasycony, któ¬ rego natezenie przeplywu reguluje sie tak, aby u- trzymywac zadana wartosc stezenia roztworu w kazdym z tych punktów.W aparacie tym produkty krystalizacji moga u- tworzyc na czesciach nie zanurzonych scianek i przegród osad szkodliwy dla poprawnego dzialania urzadzenia. Dla powstrzymania tworzenia sie osa¬ du proponuje sie zwilzanie powierzchni w miej¬ scach podatnych na tworzenie osadu za pomoca roztworu nienasyconego wprowadzanego w róznych punktach aparatu tak, aby utworzyc na tych po¬ wierzchniach cienka warstewke roztworu niena¬ syconego. Roztwór rozpuszcza krysztaly lub je od¬ czepia od scianki i splukuje ku dolowi do wnetrza masy krystalizujacej.Poniewaz doplyw roztworu nienasyconego po¬ trzebny do podtrzymywania zadanej wartosci ste¬ zenia roztworu jest zbyt slaby do utworzenia ciag¬ lo 15 25 30 lej i jednolitej warstwy na powierzchniach splu¬ kiwanych i wobec tego, aby uzyskac skuteczne splukiwanie, konieczne jest albo mieszanie roztwo¬ ru nienasyconego z czescia zawracanego roztwo¬ ru obrabianego, albo stosowanie pulsujacego do¬ plywu roztworu nienasyconego.Pierwszy sposób jest skuteczny jedynie w pierw¬ szych sekcjach lub komorach aparatu, w których nie wytworzyly sie jeszcze krysztaly.Drugi sposób posiada wade polegajaca na wy¬ twarzaniu okresowych wahan stanu masy krys- talizacyjnej w kazdej sekcji lub komorze apara¬ tu. Urzadzenie sterujace aparatu winno podtrzy¬ mywac kazdy z tych stanów na poziomie zalozo¬ nej wartosci sredniej i wskutek tych wahan pra¬ ca jego jest szczególnie trudna.Aby zapobiec tej niedogodnoscia proponuje sie wedlug wynalazku zasilanie ciagle kazdej sekcji lub komory aparatu oraz zuzycie calej ilosci do¬ plywajacego roztworu do zwilzania jedynie czes¬ ci powierzchni scianek sekcji lub komory w ten sposób, aby na tej czesci wytworzyc warstwe ciekla zapewniajaca skuteczne przemywanie, przy czym powierzchnie te powinny byc podzielone na kilka kolejno zwilzanych czesci. Do zastosowania tego wynalazku przewiduje sie dla kazdej czesci po¬ wierzchni scianki lub komory aparatu do krysta¬ lizacji oddzielny element urzadzenia natryskuja¬ cego. Poszczególne elementy urzadzenia natrysku¬ jacego kazdej sekcji lub komory sa kolejno za- 67 9553 67 955 4 silane calkowita iloscia roztworu przypadajacego na dana sekcje lub komore za posrednictwem zaworu rozdzielczego.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze cala ilosc roztworu nienasyconego wprowadzane¬ go do kazdej sekcji lub komory wykorzystuje sie do natryskiwania jedynie czesci powierzchni scianek sekcji lub komory dla wytworzenia na tej czesci scianek warstewki plynnej, przy czym powierzchnia ta jest podzielona na szereg czesci kolejno natryskiwanych.Urzadzenie wedlug wynalazku charakteryzuje sie tym, ze kazda komora posiada w swojej górnej czesci kilka elementów do natryskiwania roz¬ mieszczonych wzdluz scianek komory i kazdy ele¬ ment do natryskiwania zwilza jedynie czesc po¬ wierzchni scianki, zas wszystkie te elementy sa przylaczone do rozdzielacza, który wlacza je ko¬ lejno do sieci za posrednictwem rury zasilajacej dauiej komory. Przedmiot wynalazku jest doklad¬ niej objasniony na przykladzie wykonania, nie ogra¬ niczajacym jego zakresu, zgodnlie z rysunkiem, na którym fig. 1 przedstawia schematycznie przekrój wdluzny aparatu do krystalizacji przez odparowa¬ nie o dzialaniu ciaglym, wyposazonego w uklad splukiwania scianek dzialowych, fig. 2 — przekrój poprzeczny aparatu pokazanego na fig. 1, a fig. 3 — widok rzutu poziomego komory aparatu uwi¬ docznionego na fig. 1.Aparat pokazany na rysunku fig. 1 i 2 sklada sie z cylindrycznego poziomego zbiornika 10, któ¬ ry jest podzielony na kilka komór za pomoca poprzecznych przegród 12 i w którym jest u- mieszczona wiazka grzejna o podluznych plyt¬ kach 14.Komory sa polaczone miedzy soba poprzez o- u twory 16 wykonane w dolnej czesci przegród 12 z wyjatkiem dwóch pierwszych komór, które sa izolowane jedna od drugiej. Slimak 18 umieszczo¬ ny na dnie aparatu i przechodzacy przez otwo¬ ry 16 ulatwia przesuwanie krysztalów z jednej komory do drugiej.Roztwór nienasycony przeznaczony do krystali¬ zacji, który moze byc na przyklad syropem cu¬ krowniczym, zostaje wprowadzony do pierwszej komory w A gdzie jest stezany az do nasycenia, nastepnie jest przepompowywany pompa do dru¬ giej komory, do której wprowadza sie jednoczes¬ nie zarodki krysztalków^ zas mieszanina ta prze¬ chodzi nastepnie sukcesywnie przez wszystkie ko¬ mory, w których krysztaly wzrastaja, a miesza¬ nina koncowa jest usuwana w B z ostatniej ko¬ mory.Aby utrzymac w kazdej komorze stezenie roz¬ tworu o zadanej wartosci, do komory wprowadza sie pewna objetosc roztworu nienasyconego. Ko¬ mory sa zasilane roztworem nienasyconym ze zbiornika 20 przez przewody rurowe 22, na któ¬ rych sa umieszczone zawory 24. Stopien otwarcia zaworów jest regulowany przez nie pokazany na rysunku uklad regulacyjny sluzacy do podtrzy¬ mywania stezenia roztworu w komorze odpo¬ wiednio do okreslonej wartosci.Za posrednictwem rozdzielaczy 26 przewody ru¬ rowe 22 sa przylaczone do urzadzen natryskowych umieszczonych wzdluz przegród poprzecznych 28 i przegród 12 w ich czesci górnej.Jak uwidoczniono na rysunku, fig. 3, kazda ko¬ mora zawiera szesc elementów Al, A2, ... A6 urza¬ dzenia natryskowego ulozonych od poczatku do kon¬ ca wzdluz scianek dzialowych i przegród 12 na ich czesciach górnych. Elementy te sa od siebie od¬ dzielone i kazdy z nich jest przylaczony za po¬ srednictwem przewodu rurowego Tl, T2, ... T6 do jednego z wyjsc rozdzielacza 26, do którego docho¬ dzi przewód zasilania 22.Przez przewód rurowy 22 i rozdzielacz 26 jest dostarczana w sposób ciagly ilosc roztworu nie¬ nasyconego konieczna do utrzymania reakcji w rozwazanej komorze i kieruje go kolejno do kaz¬ dego z szesciu elementów urzadzenia natryskowe¬ go Al, A2, ... A6.Rozdzielacz 26 jest na przyklad znanym zawo¬ rem typu obrotowego, a jego wirnik jest nape¬ dzany przez odpowiednie urzadzenie, które u- trzymuje go w kazdym z szesciu polozen odpo¬ wiadajacych zasilaniu odpowiedniego elementu w ciagu okreslonego czasu i powoduje szybkie prze¬ laczenie z danego polozenia w nastepne polozenie.Rozdzielacze moga miec napedy niezalezne lub naped wspólny.Kazdy element urzadzenia dla natryskiwania jest w opisany sposób zasilany przez calkowita ilosc roztworu nienasyconego, wprowadzanego w da¬ nym momencie do komory. Dlugosc, wiec i ilosc elementów natryskowych jest funkcja tej ilosci.Dobiera sie ja w taki sposób, aby warstewka cie¬ czy wytworzona na kazdej czesci scianki 28 i prze¬ grody 12 byla równomierna i wystarczajaca do skutecznego jej splukania, gdy odpowiednie u- rzadzenie natryskowe jest zasilane.Do kazdej komory aparatu stosuje sie podobne urzadzenie do zmywania. Poniewaz zasilanie kaz¬ dej komory jest ciagle, regulacja dzialania apara¬ tu jest znacznie latwiejsza, niz w przypadku za¬ silania pulsacyjnego.Jest oczywiste^ ze do realizacji opisanego wy¬ nalazku moga byc wprowadzone liczne zmiany, przez zastosowanie równowaznych srodków tech¬ nicznych. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób zabezpieczania scian przed osadzaniem sie zanieczyszczen w krystalizatorach wyparnych o dzialaniu ciaglym, które sa podzielone na sze¬ reg sekcji lub komór, do których wprowadza sie w sposób ciagly roztwór nienasycony, znamien¬ ny tym, ze cala ilosc roztworu nienasyconego w- prowadzanego do kazdej sekcji lub komory wy¬ korzystuje sie do natryskiwania jedynie czesci powierzchni scianek sekcji lub komory dla wytwo¬ rzenia na tej czesci scianek warstewki plynnej, przy czym powierzchnia ta jest podzielona na sze¬ reg czesci kolejno natryskiwanych.

2. Krystalizator do stosowania sposobu wedlug zastrz. 1, zaopatrzony w kadz podluzna, umiesz¬ czona poziomo i podzielona na kilka komór za pomoca poprzecznych przegród, w którym kazda67 955 komora jest polaczona rura ze zródlem roztworu nienasyconego, znamienny tym, ze kazda komora posiada w swej górnej czesci kilka elementów do natryskiwania (Al, A2, ... A6) rozmieszczonych 6 do natryskiwania zwilza jedynie czesc powierzchni scianki, zas wszystkie te elementy sa przylaczone do rozdzielacza (26), który wlacza je kolejno do sieci za posrednictwem rury zasilajacej (22) danej wzdluz scianek (12) i (28) komory, a kazdy element 5 komory. fi9JKI. 12c,2 67 955 MKP BOId 9/02 rig.3 Bitk 617/73 A4 125 eg/.. Cena zl 10,— PL PL