PL66974B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL66974B1
PL66974B1 PL136975A PL13697569A PL66974B1 PL 66974 B1 PL66974 B1 PL 66974B1 PL 136975 A PL136975 A PL 136975A PL 13697569 A PL13697569 A PL 13697569A PL 66974 B1 PL66974 B1 PL 66974B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
alloy
resistors
vanadium
iron
silicon
Prior art date
Application number
PL136975A
Other languages
English (en)
Inventor
Ostrowski Janusz
Cyunczyk Aleksander
Pytlarczyk Ste¬fan
Soltyk Jan
Original Assignee
Instytut Metali Niezelaznych
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Metali Niezelaznych filed Critical Instytut Metali Niezelaznych
Publication of PL66974B1 publication Critical patent/PL66974B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 31. III. 1973 66974 KI. 40b,9/10 MKP C22c 9/10 Wspóltwórcy wynalazku: Janusz Ostrowski, Aleksander Cyunczyk, Ste¬ fan Pytlarczyk, Jan Soltyk Wlasciciel patentu: Instytut Metali Niezelaznych, Gliwice (Polska) Stop do wytwarzania oporników metalowych o bardzo niskiej opornosci Przedmiotem wynalazku jest stop do wytwarza¬ nia warstw oporowych oporników metalowych o bardzo niskiej oparrnosai, zawierajacy nikiel, krzem, chrom, zelazo i wanad.Wytwarzanie oporników metalowych polega na odparowaniu sproszkowanego stopu z pairownika wolframowego w wysokiej prózni na ksztaltki ce¬ ramiczne i nastepnie na obróbce cieplnej uzy¬ skanej warstwy metalicznej oraz obróbce wykan¬ czajacej opornika. Czynnikiem decydujacym o wla¬ sciwosciach opornika jest sklad chemiczny i fa¬ zowy wyjsciowego stopu do metalizacji, a regu¬ lacja wlasnosci przez zmiane parametrów obróbki opornika jest mozliwa tylko w waskim zakresie.Dotychczas do metalizacji oporników o bardzo niskiej opornosci stosuje sie stop o nastepujacym skladzie ilosciowym: 25,0—91,0% chromu, 23,5— 28,5°/o niklu oraz 41,0—47,5% krzemu. Stop ten nie umozliwia otrzymywania w sposób powtarzalny oporników o opornosci ponizej 10 omów, a po¬ nadto stosowanie tego stopu nastrecza wiele trud¬ nosci przy naparowywaniu oporników, jak na przyklad koniecznosc uzycia dwóch parowników, sciekanie warstwy naparowywanej, powodujace jej nierównomierna grubosc oraz duze zuzycie stopu.Celem wynalazku jest unikniecie tych niedogod¬ nosci, przez opracowanie skladu chemicznego stopu, który zapewni w sposób powtarzalny, wytwarza¬ nie oporników o bardzo niskich opornosciach przy niewielkich grubosciach warstwy naparowywanej. 10 15 20 25 Zagadnienie to zostalo rozwiazane wedlug wy¬ nalazku w ten sposób, ze opracowano stop o skla¬ dzie: 25,0—30,0% krzemu, 8,0^12,0% chromu, 3,0— 8,0°/o zelaza, 1,0—5,0°/o wanadu, reszta nikiel. Stop ten umozliwia wytwarzanie oporników o oporze od 0,1 do 20 omów przy bardzo cienkiej i równo¬ miernej warstwie naparowywanej. Ponadto, czas naparowywania tego stopu jest krótki i niskie jest jego zuzycie na jeden opornik.Stop wedlug wynalazku wytwarza sie w ten sposób, ze po sporzadzeniu nawazek poszczególnych skladników, stapia sie je w piecu indukcyjnym pod przykryciem lub w atmosferze ochronnej wzglednie w piecu prózniowym. Po roztopieniu skladników utrzymuje sie temperature stopu w granicach 1700—.1750°C przez okres okolo 15 mi¬ nut w celu uzyskania optymalnego skladu fazo¬ wego, glównie zas latwych do odparowania krzem¬ ków metali bedacych skladnikami stopu. Nastep¬ nie stop schladza sie w tyglach ceramicznych. Po zakrzepnieciu i ochlodzeniu do temperatury oto¬ czenia, stop ten rozdrabnia sie na proszek ogólnie znanymi sposobami.Ponizszy przyklad blizej wyjasnia sposób wytwa¬ rzania stopu wedlug wynalazku. Dla okreslonej ilosci wytwarzanego stopu wykonuje sie nawazki 25% krzemu, 10% chromu, zaprawy zelazowo-wa- nadowej zawierajacej 33% wanadu i 67% zelaza, 30 tak aby w ogólnej masie stopu ilosc zelaza wy- 6697466974 3 4 nosila 3°/o i wanadu l'°/o. Wsad do 100°/o masy drobnieniu na proszek w obrotowych mlynach kul- uizupeinia sie niklem. Wytop przeprowadza sie kowych. w piecu indukcyjnym w atmosferze argonu.Po roztopieniu skladników stopu podnosi sie jego PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe temperature do 17,20°C i utrzymuje ja przez okres 5 15 miniuit. Nastepnie stoip schladza sie do tempe- Stop do wytwarzania oporników metalowych ratury otoczenia, przy czym, do czasu zakrzepnie- o bardzo niskiej opornosci, znamienny tym, ze za- cia, stop utrzymuje sie iw atmosferze argonu. Po wiera 25,0—^30,0°/o krzemu, 8,0—12,0 zakrzepnieciu i ochlodzeniu, stop poddaje sie roz- 3,0—8,0°/o zelaza, 1,0—5,0°/o wanadu, reszta nikiel. KZG Nr 1, zam. 538/72 — 125 Cena zl 19.— PL PL
PL136975A 1969-11-18 PL66974B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL66974B1 true PL66974B1 (pl) 1972-08-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Thermal Evidence of a Glass Transition in Gold‐Silicon‐Germanium Alloy
Hu et al. Glass forming ability and in-situ composite formation in Pd-based bulk metallic glasses
Hanak et al. Radio‐Frequency‐Sputtered Films of β‐Tungsten Structure Compounds
TW201124545A (en) Low melting point sputter targets for chalcogenide photovoltaic applications and methods of manufacturing the same
Maziarz et al. Influence of Ni/Mn concentration ratio on microstructure and martensitic transformation in melt spun Ni–Mn–Sn Heusler alloy ribbons
JPS6123848B2 (pl)
Mallik et al. Thermoelectric properties of Co4Sb12 skutterudite materials with partial In filling and excess In additions
Aversano et al. Thermoelectric properties of TiNiSn half heusler alloy obtained by rapid solidification and sintering
Lei et al. Engineering electrical transport in α-MgAgSb to realize high performances near room temperature
Li et al. Directional solidification and thermoelectric properties of undoped Mg2Sn crystal
Levinsky et al. Thermoelectric Properties of Magnesium-Doped Tetrahedrite Cu12− x Mg x Sb4S13
Seo et al. Doping amount dependence of phase formation and microstructure evolution in heavily Cu-doped Bi 2 Te 3 films for thermoelectric applications
PL66974B1 (pl)
Matsuura et al. Kinematical transformations of amorphous selenium by DTA measurement
CN116669884A (zh) 用于生产新型基于多组分的形状记忆合金的球形粉末的方法以及由该方法制备的合金
Shen et al. Stability and formation of Al-Cu-(Li, Mg) icosahedral phases
Rekik et al. Structural and martensitic transformation of MnNiSn shape memory alloys
El-Eskandarany Amorphization process by rod-milling TixAl100− x and the effect of annealing
Jain et al. Effect on thermoelectric and mechanical properties of interstitial void filling by Cu in ZrNiSn HH alloy
Ding et al. New approach to achieve extremely high thermal conductivity of a powder extruded Al–50Si alloy
JPS63119589A (ja) 熱電材料の製造方法
TW575675B (en) A method for producing an alloy target within microstructure
JPS5928623B2 (ja) 強度、耐食性および磁気特性のすぐれた非晶質合金
Souma et al. Synthesis and Rietveld analysis of Zn4− xCdxSb3 bulk crystals in the Zn-rich region
Wakkad Crystallization kinetics of Pb20Ge17Se63 and Pb20Ge22Se58 chalcogenide glasses