PL66974B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL66974B1 PL66974B1 PL136975A PL13697569A PL66974B1 PL 66974 B1 PL66974 B1 PL 66974B1 PL 136975 A PL136975 A PL 136975A PL 13697569 A PL13697569 A PL 13697569A PL 66974 B1 PL66974 B1 PL 66974B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- alloy
- resistors
- vanadium
- iron
- silicon
- Prior art date
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 21
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N iron vanadium Chemical compound [V].[Fe] PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 31. III. 1973 66974 KI. 40b,9/10 MKP C22c 9/10 Wspóltwórcy wynalazku: Janusz Ostrowski, Aleksander Cyunczyk, Ste¬ fan Pytlarczyk, Jan Soltyk Wlasciciel patentu: Instytut Metali Niezelaznych, Gliwice (Polska) Stop do wytwarzania oporników metalowych o bardzo niskiej opornosci Przedmiotem wynalazku jest stop do wytwarza¬ nia warstw oporowych oporników metalowych o bardzo niskiej oparrnosai, zawierajacy nikiel, krzem, chrom, zelazo i wanad.Wytwarzanie oporników metalowych polega na odparowaniu sproszkowanego stopu z pairownika wolframowego w wysokiej prózni na ksztaltki ce¬ ramiczne i nastepnie na obróbce cieplnej uzy¬ skanej warstwy metalicznej oraz obróbce wykan¬ czajacej opornika. Czynnikiem decydujacym o wla¬ sciwosciach opornika jest sklad chemiczny i fa¬ zowy wyjsciowego stopu do metalizacji, a regu¬ lacja wlasnosci przez zmiane parametrów obróbki opornika jest mozliwa tylko w waskim zakresie.Dotychczas do metalizacji oporników o bardzo niskiej opornosci stosuje sie stop o nastepujacym skladzie ilosciowym: 25,0—91,0% chromu, 23,5— 28,5°/o niklu oraz 41,0—47,5% krzemu. Stop ten nie umozliwia otrzymywania w sposób powtarzalny oporników o opornosci ponizej 10 omów, a po¬ nadto stosowanie tego stopu nastrecza wiele trud¬ nosci przy naparowywaniu oporników, jak na przyklad koniecznosc uzycia dwóch parowników, sciekanie warstwy naparowywanej, powodujace jej nierównomierna grubosc oraz duze zuzycie stopu.Celem wynalazku jest unikniecie tych niedogod¬ nosci, przez opracowanie skladu chemicznego stopu, który zapewni w sposób powtarzalny, wytwarza¬ nie oporników o bardzo niskich opornosciach przy niewielkich grubosciach warstwy naparowywanej. 10 15 20 25 Zagadnienie to zostalo rozwiazane wedlug wy¬ nalazku w ten sposób, ze opracowano stop o skla¬ dzie: 25,0—30,0% krzemu, 8,0^12,0% chromu, 3,0— 8,0°/o zelaza, 1,0—5,0°/o wanadu, reszta nikiel. Stop ten umozliwia wytwarzanie oporników o oporze od 0,1 do 20 omów przy bardzo cienkiej i równo¬ miernej warstwie naparowywanej. Ponadto, czas naparowywania tego stopu jest krótki i niskie jest jego zuzycie na jeden opornik.Stop wedlug wynalazku wytwarza sie w ten sposób, ze po sporzadzeniu nawazek poszczególnych skladników, stapia sie je w piecu indukcyjnym pod przykryciem lub w atmosferze ochronnej wzglednie w piecu prózniowym. Po roztopieniu skladników utrzymuje sie temperature stopu w granicach 1700—.1750°C przez okres okolo 15 mi¬ nut w celu uzyskania optymalnego skladu fazo¬ wego, glównie zas latwych do odparowania krzem¬ ków metali bedacych skladnikami stopu. Nastep¬ nie stop schladza sie w tyglach ceramicznych. Po zakrzepnieciu i ochlodzeniu do temperatury oto¬ czenia, stop ten rozdrabnia sie na proszek ogólnie znanymi sposobami.Ponizszy przyklad blizej wyjasnia sposób wytwa¬ rzania stopu wedlug wynalazku. Dla okreslonej ilosci wytwarzanego stopu wykonuje sie nawazki 25% krzemu, 10% chromu, zaprawy zelazowo-wa- nadowej zawierajacej 33% wanadu i 67% zelaza, 30 tak aby w ogólnej masie stopu ilosc zelaza wy- 6697466974 3 4 nosila 3°/o i wanadu l'°/o. Wsad do 100°/o masy drobnieniu na proszek w obrotowych mlynach kul- uizupeinia sie niklem. Wytop przeprowadza sie kowych. w piecu indukcyjnym w atmosferze argonu.Po roztopieniu skladników stopu podnosi sie jego PL PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe temperature do 17,20°C i utrzymuje ja przez okres 5 15 miniuit. Nastepnie stoip schladza sie do tempe- Stop do wytwarzania oporników metalowych ratury otoczenia, przy czym, do czasu zakrzepnie- o bardzo niskiej opornosci, znamienny tym, ze za- cia, stop utrzymuje sie iw atmosferze argonu. Po wiera 25,0—^30,0°/o krzemu, 8,0—12,0 zakrzepnieciu i ochlodzeniu, stop poddaje sie roz- 3,0—8,0°/o zelaza, 1,0—5,0°/o wanadu, reszta nikiel. KZG Nr 1, zam. 538/72 — 125 Cena zl 19.— PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL66974B1 true PL66974B1 (pl) | 1972-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chen et al. | Thermal Evidence of a Glass Transition in Gold‐Silicon‐Germanium Alloy | |
| Hu et al. | Glass forming ability and in-situ composite formation in Pd-based bulk metallic glasses | |
| Hanak et al. | Radio‐Frequency‐Sputtered Films of β‐Tungsten Structure Compounds | |
| TW201124545A (en) | Low melting point sputter targets for chalcogenide photovoltaic applications and methods of manufacturing the same | |
| Maziarz et al. | Influence of Ni/Mn concentration ratio on microstructure and martensitic transformation in melt spun Ni–Mn–Sn Heusler alloy ribbons | |
| JPS6123848B2 (pl) | ||
| Mallik et al. | Thermoelectric properties of Co4Sb12 skutterudite materials with partial In filling and excess In additions | |
| Aversano et al. | Thermoelectric properties of TiNiSn half heusler alloy obtained by rapid solidification and sintering | |
| Lei et al. | Engineering electrical transport in α-MgAgSb to realize high performances near room temperature | |
| Li et al. | Directional solidification and thermoelectric properties of undoped Mg2Sn crystal | |
| Levinsky et al. | Thermoelectric Properties of Magnesium-Doped Tetrahedrite Cu12− x Mg x Sb4S13 | |
| Seo et al. | Doping amount dependence of phase formation and microstructure evolution in heavily Cu-doped Bi 2 Te 3 films for thermoelectric applications | |
| PL66974B1 (pl) | ||
| Matsuura et al. | Kinematical transformations of amorphous selenium by DTA measurement | |
| CN116669884A (zh) | 用于生产新型基于多组分的形状记忆合金的球形粉末的方法以及由该方法制备的合金 | |
| Shen et al. | Stability and formation of Al-Cu-(Li, Mg) icosahedral phases | |
| Rekik et al. | Structural and martensitic transformation of MnNiSn shape memory alloys | |
| El-Eskandarany | Amorphization process by rod-milling TixAl100− x and the effect of annealing | |
| Jain et al. | Effect on thermoelectric and mechanical properties of interstitial void filling by Cu in ZrNiSn HH alloy | |
| Ding et al. | New approach to achieve extremely high thermal conductivity of a powder extruded Al–50Si alloy | |
| JPS63119589A (ja) | 熱電材料の製造方法 | |
| TW575675B (en) | A method for producing an alloy target within microstructure | |
| JPS5928623B2 (ja) | 強度、耐食性および磁気特性のすぐれた非晶質合金 | |
| Souma et al. | Synthesis and Rietveld analysis of Zn4− xCdxSb3 bulk crystals in the Zn-rich region | |
| Wakkad | Crystallization kinetics of Pb20Ge17Se63 and Pb20Ge22Se58 chalcogenide glasses |