PL66072B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL66072B1 PL66072B1 PL138894A PL13889470A PL66072B1 PL 66072 B1 PL66072 B1 PL 66072B1 PL 138894 A PL138894 A PL 138894A PL 13889470 A PL13889470 A PL 13889470A PL 66072 B1 PL66072 B1 PL 66072B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- plate
- detector
- constitute
- transducer
- detection areas
- Prior art date
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- IJJWOSAXNHWBPR-HUBLWGQQSA-N 5-[(3as,4s,6ar)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]-n-(6-hydrazinyl-6-oxohexyl)pentanamide Chemical compound N1C(=O)N[C@@H]2[C@H](CCCCC(=O)NCCCCCC(=O)NN)SC[C@@H]21 IJJWOSAXNHWBPR-HUBLWGQQSA-N 0.000 claims 1
- 231100000289 photo-effect Toxicity 0.000 claims 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 31.VII.1972 66072 KI. 21a^42 MKP HOlV7/00 Wspóltwórcy wynalazku: Norbert Andrzejewski, Eugeniusz Danicki, An¬ drzej Duracz Wlasciciel patentu: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jaroslawa Da¬ browskiego, Warszawa (Polska) Amplitudowy detektor sygnalów elektrycznych Przedmiotem wynalazku jest amplitudowy de¬ tektor sygnalów elektrycznych.Znane sa urzadzenia wykorzystujace zjawisko wspóldzialania fal akustycznych z ladunkami elek¬ trycznymi w osrodkach piezopólprzewodnikowych.Urzadzenia te na przyklad wzmacniacze sklada¬ ja sie z plytki z materialu piezopólprzewodniko- wego lub z plytki piezoelektrycznej na która na¬ lozona jest warstwa pólprzewodnika. Plytka po¬ siada nalozone dwa przetworniki z których jeden przetwarza sygnaly elektryczne ma fale akustyczne i stanowi wejscie wzmacniacza, a drugi fale aku¬ styczne na sygnaly elektryczne i stanowi wyjscie wzmacniacza. Ponadto plytka posiada kontakty omowe do których podlaczone jest stale napiecie, wywolujace uporzadkowany ruch elektronów.Dotychczas jednak nie znane sa detektory w któ¬ rych wykorzystano zjaiwilsko wspóldzialania fal akustycznych z ladunkami elektrycznymi w osrod¬ kach piezopólprzewodnikowych.Celem wynalazku jest skonstruowanie amplitu¬ dowego detektora sygnalów elektrycznych w któ¬ rym wykorzystano to zjawisko do detekcji zmodu¬ lowanych amplitudowo sygnalów wielkiej i ultra wielkiej czestotliwosci.Istota wynalazku polega na tym, ize detektor stanowi plytke z materialu piezoelektrycznego, na powierzchni której nalozony jest miedzypalcowy przetwornik ultradzwiekowych fal akustycznych.Po obu stronach tego przetwornika nalozone sa 10 15 20 33 warstwy pólprzewodnikowe staoiowiace Obszary detekcyjne, na których znajduja sie kontakty omowe. Kontakty omowe obu warstw detekcyj¬ nych polaczone sa równolegle i podlaczone do za¬ cisku wyjsciowego detektora. Ponadto plytka po¬ siada zacisk wejsciowy polaczony bezposrednio z plytka z materialu piezoelektrycznego.Odmiana detektora wedlug wynalazku stanowi plytke z materialu piezopólprzewodnikowego, a obszary detekcyjne stanowia dwa wydzielone obszary z powierzchni plytki otrzymane przez ob¬ róbke za pomoca dyfuzji domieszek lub za pomo¬ ca fotoefektu.W porównaniu ze znanymi detektorami 'takimi jak na przyklad dioda prózniowa lub pólprzewod¬ nikowa, detektor wedlug wynalazku pozwala na otrzymywanie wspólczynnika wydajnosci detekcji o wartosci kilkakrotnie wiekszej od jednosci. Po¬ nadto zapewnia liniowe obciazenie ukladu i elimi¬ nuje niektóre elementy ukladów konwencjonal¬ nych takie jak na przyklad filtry. -Detektor wedlug wynalazku zapewnia latwe dopasowanie elek¬ tryczne poszczególnych stopni ukladu, nie daje do¬ datkowego olbciazenia ukladu oraz pozwala na mi¬ niaturyzacje kanalu odbiorczego.Wynalazek zostanie ponizej szczególowo objas¬ niony na .przykladzie wykonania pokazanym na rysunku, który przedstawia detektor stanowiacy plytke z materialu piezoelektrycznego. 66 0723 66 072 Detektor stanowi plytke 1 z materialu piezoelek¬ trycznego na przyklad z nobianu litu na której po¬ wierzchni nalozony jest miedzypalcowy przetwor¬ nik 3 ultradzwiekowych fal powierzchniowych. Po obu stronach przetwornika 3, nalozone sa warstwy pólprzewodnikowe stanowiace dwa obszary detek¬ cyjne 6, na których z kolei nalozone sa kontakty omowe 4 i 5. Kontakty 4 i 5 obu obszarów detek¬ cyjnych polacaene sa równolegle i stanowia zacisk wyjsciowy"7.Kontakty c&nowe wykonane sa na przyklad jako paski iridowe napylane na powierzchnie plytki.Zacisk wejsciowy 2 detektora jest polaczony 'bez¬ posrednio z plytka 1. Ponadto plytka posiada takze zacisk uziemiajacy.Dzialanie detektora jest nastepujace. Przetwor¬ nik 3^ffla©ruje ultradzwiekowa fale powierzchnio¬ wa, w nych 6. W obszarach tych fala ulega tlumieniu wywoiwiec napiecie akustoelektryczne pomiedzy kontaktami omowymi 4 i 5 kazdego z obszarów 6.Napiecie to jest proporcjonalne do mocy wejscio- wego sygnalu elektrycznego i stanowi zdetekowa- ny sygnal wyjsciowy odbierany z zacisku 7. PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 5 1. Amplitudowy detektor sygnalów elektrycz¬ nych, znamienny tym, ze stanowi plytke <(1) z ma¬ terialu piezoelektrycznego na powierzchni której nalozony jest miedzypalcowy przetwornik (3), ul¬ tradzwiekowych fal akustycznych, a po obu stro- io nach przetwornika (3), nalozone sa warstwy pól¬ przewodnikowe^ stanowiace dwa obszary detekcyj¬ ne (6), na które to obszary nalozone sa kontakty omowe (4) i (5), przy czym kontakty (4) i t(5) obu obszarów i(6) polaczone sa równolegle i stanowia 15 zacisk (wyjsciowy (7) detektora a zacisk (2) wejs¬ ciowy jest polaczony bezposrednio z plytka (I).
2. Odmiana detektora wedlug zastrz. li znamien¬ na tym, ze plytka (1) wykonana jest z materialu piezopólprzewodnikowego, a obszary detekcyjne 20 (*) stanowia dwie wydzielone czesci .powierzchni plytki (1) otrzymane przez obróbke za pomoca dy¬ fuzji domieszek lub za pomoca fotoefektu. ZF „Bach", W-wa, zam. 624-72, nakl. 200 -f 20 egz. Cena zl 10,— PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL66072B1 true PL66072B1 (pl) | 1972-04-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3868608A (en) | Surface wave filter | |
| Bay | Reflection of microwaves from the moon | |
| US6218668B1 (en) | Coplanar interdigitated grid detector with single electrode readout | |
| TW580568B (en) | An infrared detecting circuit and an infrared detector | |
| IL114856A (en) | Method and detector for radiation detection in relation to electronic location | |
| Turner et al. | Acoustic convolution using nonlinear surface-wave interactions in a piezoelectric semiconductor | |
| GB1341547A (pl) | ||
| PL66072B1 (pl) | ||
| EP0261142A1 (en) | Metal detection in conducting media using a two frequency signal | |
| GB1513415A (en) | Surface elastic wave electromechanical device | |
| CA1180434A (en) | Hiline interference elimination apparatus | |
| US3680007A (en) | Surface wave transducer for digital signals | |
| US4194219A (en) | Noise reduction in electrical signals | |
| US3979700A (en) | Video processor | |
| GB1490739A (en) | System for reading acoustic images | |
| JPS55125713A (en) | Surface elastic wave device | |
| GB1396856A (en) | Acoustic surface-wave devices | |
| EP0011261A1 (en) | Charge transfer apparatus | |
| US3317847A (en) | Ultrasonic wave detector | |
| EP0409408A1 (en) | A radiation detector | |
| Bellini et al. | An Improved Silicon Target for Lifetime Measurements of Short Living Particles in the 10-13s Region | |
| Eastman et al. | The Generation of Spurious Signals by Nonlinearity of the Transmission Path | |
| SU987542A1 (ru) | Обнаружитель сигналов | |
| JPS571932A (en) | Infrared sensor | |
| SU959102A1 (ru) | Взаимный коррел тор |